KR100380676B1 - 정전 척의 파티클 발생 저감 방법 - Google Patents

정전 척의 파티클 발생 저감 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 공정에 있어서 파티클의 발생을 저감하여 충분히 높은 수율로 반도체를 제조할 수 있는 정전 척의 파티클 발생 저감 방법을 제공한다.
정전 척의 흡착면에 웨이퍼를 흡착시킬 때에 있어서, 흡착 전의 웨이퍼의 온도와 흡착 후의 웨이퍼의 최고 온도와의 차를 0 ℃ ∼ 50 ℃로 한다. 상기 온도차를 0 ℃ ∼ 50 ℃로 하기 위해서 반도체 제조 장치내의 웨이퍼 반송 수단에 웨이퍼를 예비 가열하기 위한 가열 수단을 설치한다.

Description

정전 척의 파티클 발생 저감 방법{A METHOD FOR REDUCING PARTICLES FROM AN ELECTROSTATIC CHUCK}
본 발명은 정전 척의 파티클 발생 저감 방법 및 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 웨이퍼의 제막(製膜) 처리 공정에 있어서 적합하게 사용할 수 있는 정전 척의 파티클 발생 저감 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼의 반송, 노광, CVD 및 스퍼터링 등의 제막, 미세 가공, 세정, 에칭 및 다이싱 등의 각 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼를 흡착하고 유지하기 위해서 정전 척이 사용되고 있다.
특히, 반도체 제조 장치에 있어서 에칭 가스나 클리닝 가스로서 ClF3등의 할로겐계 부식성 가스를 사용하는 것, 반도체 웨이퍼를 유지하면서 급속히 가열 냉각시키기 위해서 높은 열전도성이 요구되는 것, 이러한 급격한 온도 변화에 의해서도 파괴되지 않는 높은 내충격성을 구비하는 것이 요구되기 때문에, 치밀한 질화 알루미늄 및 치밀한 알루미나 등의 치밀한 품질의 세라믹이 유망시되고 있다.
한편, 반도체 제조 장치내에 있어서 반도체 결함의 원인이 되는 파티클의 발생을 방지할 필요가 있다. 이 파티클은 주로 반도체 웨이퍼의 이면에서 발생하여 일부는 직접 반도체 웨이퍼상에 부착되고 다른 일부는 챔버 내로 퍼져 챔버벽 등에 부착되며, 또한 거기에서 떨어져 이탈된 후 반도체 웨이퍼상에 부착되는 등 반도체 결함의 원인이 되고 있다.
이러한 문제를 감안하여 특개평7-245336호 공보에 있어서 파티클의 발생은 세라믹 정전 척의 흡착면의 요철부가 실리콘 웨이퍼와 접촉할 때에, 경도가 상대적으로 낮은 상기 실리콘 웨이퍼가 상기 요철부에 의해서 깎이는 것에 기인하는 것을 발견하여, 정전 척의 흡착면에 플라즈마 조사하여 요철부를 연삭하고 미세한 돌기를 깎음으로써 파티클의 발생을 감소시키는 방법이 개시되어 있다.
또, 특개평8-55900호 공보에 있어서 정전 척에 실리콘 웨이퍼를 흡착할 때 정전 척에 인가하는 전압을 완만하게 상승시킴으로써 정전 척에 실리콘 웨이퍼가 접촉할 때의 충격을 완화하여, 상기 정전 척의 흡착면의 요철부에 기인한 파티클의 발생을 감소시키는 방법이 개시되어 있다.
그러나, 상기의 방법에 의해서도 파티클의 발생을 충분히 저감시킬 수는 없었다. 즉, 반도체 제조 공정에 있어서, 예를 들면 8 인치 웨이퍼당 파티클의 발생 갯수를 수백개 정도까지 감소시킬 것이 요구되고 있는데 반해, 상기와 같은 방법으로는 수천개 정도까지밖에 감소시킬 수 없었다.
따라서, 상기와 같은 방법에 의해서 파티클의 발생을 감소시키더라도 충분히 높은 수율로 반도체를 제조하는 것은 곤란하였다.
본 발명의 목적은 반도체 제조공정에 있어서 파티클의 발생을 감소시켜 충분히 높은 수율로 반도체를 제조하는 것이 가능한 정전 척의 파티클 발생 저감 방법 및 그 방법을 이용한 반도체 제조 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 정전 척의 흡착면에 웨이퍼를 흡착할 때에 있어서 흡착 전의 웨이퍼의 온도와 흡착 후의 웨이퍼의 최고 온도와의 차를 0 ℃ ∼ 50 ℃로 하는 것을 특징으로 하는 정전 척의 파티클 발생 저감 방법이다.
또한, 본 발명은 적어도 웨이퍼를 흡착하기 위한 정전 척과, 상기 웨이퍼를 제막 처리 온도까지 가열하는 가열 수단과, 상기 정전 척과 상기 가열 수단을 갖는 제막 처리 공정실과, 상기 정전 척의 흡착면에 웨이퍼를 반송하기 위한 웨이퍼 반송 수단을 구비한 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 웨이퍼 반송 수단에는 웨이퍼를 예비 가열하기 위한 반송 가열 수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치이다.
또한, 본 발명은 적어도 웨이퍼를 소정의 온도까지 예비 가열하는 예비 가열 수단과, 예비 가열된 상기 웨이퍼의 예비 가열 온도를 계측하기 위한 웨이퍼 예비가열 온도 계측 수단과, 상기 예비 가열 수단과 상기 웨이퍼 예비 가열 온도 계측 수단을 갖는 예비 가열실과, 상기 웨이퍼를 흡착하기 위한 정전 척과, 상기 웨이퍼를 제막 처리 온도까지 가열하는 가열 수단과, 상기 웨이퍼의 가열 온도를 계측하기 위한 웨이퍼 가열 온도 계측 수단과, 상기 정전 척과, 상기 웨이퍼 가열 온도 계측 수단과, 상기 가열 수단을 갖는 제막 처리 공정실과를 구비한 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 웨이퍼 예비 가열 온도 계측 수단에 의해서 측정한 상기 웨이퍼 예비 가열 온도와 상기 웨이퍼 가열 온도 계측 수단에 의해서 측정한 상기 웨이퍼 가열 온도를 전기 신호로서 모니터하여 연산 처리를 행하고, 이 연산 처리에 기초하여 상기 예비 가열 수단과 상기 가열 수단을 제어하는 제어 신호를 전송하는 제어 시스템이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치이다.
본 발명의 방법에 의해서 파티클의 발생이 감소하는 원인에 대해서는 명확하지 않지만 다음과 같이 생각할 수 있다.
즉, 본 발명의 방법에 따라서 흡착 전의 웨이퍼의 온도와 흡착 후의 웨이퍼의 최고 온도와의 차를 0 ℃ ∼ 50 ℃로 함으로써, 흡착 전후의 웨이퍼의 열팽창 차를 줄일 수 있고, 이에 따라 웨이퍼와 정전 척과의 스치는 정도가 감소하기 때문에 깎이는 웨이퍼의 양이 감소하기 때문이라고 생각된다.
또한, 본 발명에 있어서 흡착 전의 웨이퍼 온도는, 웨이퍼를 정전 척에 흡착시키기 직전의 0∼60 초 사이의 웨이퍼 온도를 의미하는 것이다.
또한, 본 발명에 있어서의 흡착 후의 웨이퍼의 최고 온도는, 웨이퍼를 정전 척에 흡착시킨 후, 상기 웨이퍼를 정전 척으로부터 이탈시키기까지의 사이에서 웨이퍼가 도달하는 최고 온도를 의미하는 것이다.
도 1은 본 발명의 방법에 적합하게 이용할 수 있는 반도체 제조 장치의 일례를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 방법에 따라서 웨이퍼를 탈착시킨 경우의 정전 척 웨이퍼 흡착면의 현미경 사진.
도 3은 본 발명과 다른 방법에 따라서 웨이퍼를 탈착시킨 경우의 정전 척 웨이퍼 흡착면의 현미경 사진.
＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞
1 : 웨이퍼
2, 12 : 히터
3, 15 : 리프트 핀
4, 14 : 지지대
5, 17 : 리프트 핀 승강기
6, 18, 23 : 챔버
7, 20 : 히터 전원
8, 19 : 진공 펌프
9, 26 : 사파이어 유리창
10, 27 : 적외선 방사 온도계
11 : 정전 척
13 : 정전 척 전극
16 : 열전쌍
21 : 적외선 램프
22 : 웨이퍼 로더
24 : 램프 전원
25 : 제어 시스템
이하, 발명의 실시의 형태에 입각하여 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명의 방법에 있어서 정전 척의 흡착면에 웨이퍼를 흡착할 때, 흡착 전의 웨이퍼와 흡착 후의 웨이퍼의 최고 온도와의 차는 0 ℃ ∼ 50 ℃일 필요가 있고, 바람직하게는 0 ℃ ∼ 46 ℃이다. 상기 온도차가 50 ℃ 보다도 크면 본 발명의 목적을 달성할 수 없다.
노광, 미세 가공, 세정, 에칭, 및 다이싱 등의 반도체 제조 공정에 있어서, 웨이퍼를 특히 가열할 필요가 없기 때문에 상기 온도차를 달성하기 위해서 특별한 수단을 필요로 하지는 않는다.
이에 반해, CVD나 스퍼터링 등의 제막 공정에서는 기판이 되는 웨이퍼상에 반도체 박막을 에피택셜 성장시킬 필요가 있기 때문에 일반적으로 기판을 100 ℃ 이상으로 가열할 필요가 생긴다. 예를 들면, 기판의 가열은 기판을 흡착하는 정전 척에 내장되거나 또는 정전 척의 아래에서 정전 척과 접촉하도록 설치된 히터에 의해 상기 정전 척의 흡착면을 상기 온도로 가열함으로써 행한다.
따라서, 정전 척의 흡착면에 웨이퍼를 흡착할 때에 있어서, 흡착 전의 웨이퍼와 흡착 후의 웨이퍼의 최고 온도와의 차를 0 ℃ ∼ 50 ℃로 하기 위해서는 상기 흡착 전의 웨이퍼를 예비 가열할 필요가 있다.
예비 가열은 제막 처리 공정을 실행하기 위한 처리 공정실의 가까운 곳에 예비 가열실을 설치하고, 이 예비 가열실에 설치된 예비 가열 수단으로 웨이퍼를 소정의 온도까지 가열한 후, 웨이퍼 반송 수단에 의해서 상기 처리 공정실로 반송하는 종래의 방법 등을 이용하여 행할 수 있다.
그러나, 이 방법에서는 반송 중에 있어서 가열된 웨이퍼가 방열하여 웨이퍼 온도가 저하되어 버리기 때문에, 상기 예비 가열실에 있어서는 희망하는 온도보다도 높은 온도까지 가열할 필요가 생기고, 가열 처리에 필요 이상의 에너지와 시간이 필요하여 효율적이지 못하다. 그래서, 이하에 설명하는 것과 같이 웨이퍼 반송 수단에 가열 수단을 설치하고 이 가열 수단으로 상기 예비 가열을 행하는 것이 바람직하다.
도 1은 본 발명 방법의 실시에 적합하게 사용할 수 있는 반도체 제조 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 1에서는 간략화를 위해 예비 가열실(30), 제막 처리 공정실(40) 및 웨이퍼 반송 수단(50)만을 나타내고 있다. 또한, 도 1에서는 웨이퍼 반송 수단(50)의 가까운 곳에 예비 가열실(30)을 설치하고 있지만, 예비 가열실(30)을 제막 처리 공정실(40)의 바로 앞에 배치하고, 또 예비 가열실(30)에 가까운 쪽에 웨이퍼 반송 수단을 설치하여도 웨이퍼의 가열을 효율적으로 행할 수 있다.
또한, 웨이퍼 반송 수단(50)내에 있어서 반송 가열 수단으로서 적외선 램프(21)를 이용하고 있지만, 웨이퍼 로더(22) 대신에 반송 포크를 이용하고 이 반송 포크내에 히터를 매립한 것을 사용할 수도 있다.
예비 가열실(30)에는 웨이퍼(1)를 예비 가열하기 위한 예비 가열 수단으로서 히터(2)가 지지대(4)상에 설치되어 있다. 또한, 챔버(6)의 상측에는 웨이퍼 예비가열 온도를 측정하기 위한 웨이퍼 예비 가열 온도 계측 수단으로서 사파이어 유리창(9)을 사이에 두고 적외선 방사 온도계(10)가 설치되어 있다. 또 웨이퍼(1)를 히터(2)에 탈착하기 위한 리프트 핀(3) 및 리프트 핀 승강기(5)가 설치되어 있다.
제막 처리 공정실(40)에는 웨이퍼(1)를 흡착하기 위한 정전 척(11)이 웨이퍼 가열 수단으로서의 히터(12)를 사이에 두고 지지대(14)상에 설치되어 있다. 또한, 정전 척(11)의 온도를 측정하기 위한 열전쌍(16)이 설치되고, 웨이퍼(1)의 가열 온도를 측정하기 위한 웨이퍼 가열 온도 계측 수단으로서 적외선 방사 온도계(27)가 설치되어 있다. 또, 웨이퍼(1)를 정전 척(11)에 탈착하기 위한 리프트 핀(15) 및 리프트 핀 승강기(17)가 설치되어 있다.
웨이퍼 반송 수단(50)에는 웨이퍼(1)를 반송하기 위한 웨이퍼 로더(22)가 설치되고, 또한 웨이퍼(1)를 가열하기 위한 반송 가열 수단인 적외선 램프(21)가 웨이퍼 반송 수단(50)의 챔버(23)의 상면에 설치되어 있다.
웨이퍼(1)의 온도는 적외선 방사 온도계(10, 27)로 모니터되고, 전기 신호로서 제어 시스템(25)으로 전송되며, 제어 시스템(25)내의 컴퓨터에 의해서 연산 처리된다.
또한, 제어 시스템(25)내에는 웨이퍼 반송 수단(50)의 웨이퍼 로더(22)의 반송 속도와 적외선 램프(21)의 출력 파워에 기초하여 계산된 웨이퍼의 온도 곡선이 입력되어 있다. 그리고, 웨이퍼 로더(22)의 실제의 반송 속도와 적외선 램프(21)의 실제의 출력이 전기 신호로서 제어 시스템(25)내에 전송되고, 상기 온도 곡선과 비교됨으로써 제어 신호가 웨이퍼 로더(22) 및 램프 전원(24)에 전송되어 소정의 웨이퍼 온도로 유지할 수 있도록 되어 있다.
이어서, 도 1에 도시된 장치를 이용한 본 발명의 방법의 실시 공정에 대해서 설명한다.
우선, 웨이퍼(1)를 예비 가열실(30)에 반송하여 상승 위치에 있는 리프트 핀(3)상에 올려 놓는다. 이 후, 리프트 핀(3)을 리프트 핀 승강기(5)에 의해 하강시킴으로써 히터(2)상에 설치한다. 예비 가열실(30)은 진공 펌프(8)에 의해서 미리 10-5Torr 이하로 배기해 둔다.
이어서, 히터 전원(7)에 의해 히터(2)를 가열함으로써 히터(2)상의 웨이퍼(1)를 100℃ 이상으로 가열한다. 히터(2)의 온도는 히터 제어용 열전쌍(26)으로 모니터하고, 웨이퍼(1)의 온도는 적외선 방사 온도계(10)로 모니터한다. 히터 제어용 열전쌍(51)의 모니터 신호는 전기 신호로서 제어 시스템(25)에 전송되고, 거기서 컴퓨터 처리된다.
웨이퍼(1)의 온도가 소정 온도까지 도달한 후, 리프트 핀 승강기(5)로 리프트 핀(3)을 상승시켜 웨이퍼(1)를 히터(2)로부터 이탈시킨다.
이어서, 웨이퍼(1)를 웨이퍼 반송 수단(50)으로 제막 처리 공정실(40)로 이동시킨다. 또, 상기한 바와 같이 웨이퍼 반송 수단(50)내의 웨이퍼 로더(22)로 웨이퍼(1)를 반송하는 과정에 있어서, 예비 가열된 웨이퍼(1)의 온도 저하를 방지하여 가열 효율을 상승시키도록 적외선 램프(21)로 웨이퍼(1)를 가열한다. 웨이퍼(1)의 가열은 상기한 바와 동일한 방법에 의해 실시되어 웨이퍼(1)의 온도는 10O ℃ 이상으로 유지된다.
또한, 웨이퍼 반송 수단(50)의 챔버(23) 내부는 웨이퍼 반송 수단(50)의 전후로 연속하여 설치된 예비 가열실(30) 및 제막 처리 공정실(40)의 진공 펌프(8, 19)에 의해서 10-8Torr 이하의 진공도로 유지되고 있다.
웨이퍼(1)를 웨이퍼 반송 수단(50)에 의해서 제막 처리 공정실(40)로 반송한 후, 상기 예비 가열실(30)에서와 같이 상승된 리프트 핀(15)상에 웨이퍼(1)를 올려 놓는다. 이어서, 리프트 핀 승강기(17)에 의해서 리프트 핀(15)을 하강시켜 정전 척(11)상에 올려 놓고, 적외선 방사 온도계(27)로 흡착 직전의 웨이퍼(1)의 온도를 측정한 후, 정전 척 전극(13)에 소정의 전압을 인가함으로써 웨이퍼(1)를 정전 척(1)에 흡착시킨다.
이어서, CVD 또는 스퍼터링 등의 제막 처리를 실시하여 웨이퍼(1)상에 반도체 박막을 형성한다.
히터(12)의 온도는 히터 제어용 열전쌍(52)으로 모니터하고, 정전 척(11)의 온도는 열전쌍(16)으로 모니터한다. 이들 신호는 전기 신호로서 제어 시스템(25)에 전송된다. 이 전기 신호는 제어 시스템(25) 내의 컴퓨터에 의해서 연산 처리되어 제어 시스템(25)에서 히터 전원(20)으로 제어 신호가 전송됨으로써 히터(12)의 가열 조작이 이루어지도록 되어 있다.
제막 처리 종료 후, 정전 척(11)의 정전 척 전극(13)의 전압을 오프로 하고, 리프트 핀 승강기(17)로 리프트 핀(15)을 상승시켜 웨이퍼(1)를 정전 척(11)으로부터 이탈시킨다. 그 후, 제막된 반도체 박막에 미세 가공 등의 처리를 실시한다.
이하, 본 발명을 실시예에 입각하여 더욱 상세히 설명한다.
실시예 1
도 1에 도시된 바와 같은 장치를 이용하여 전술한 방법에 따라서 예비 가열실(30)에서 진공도 10-5Torr로 8인치의 실리콘 웨이퍼(1)를 320 ℃로 가열한 후, 웨이퍼 반송 수단(50)을 이용하여 제막 처리 공정실(40)에 웨이퍼(1)를 반송하였다.
웨이퍼 반송 수단(50)의 챔버(23) 내의 진공도는 10-5Torr이며, 반송중인 웨이퍼(1)는 적외선 램프(21)를 이용하여 웨이퍼 온도를 310℃로 유지하였다. 또한, 웨이퍼 로더(22)의 반송 속도는 0.1 m/sec, 램프 전원(24)에서 적외선 램프(21)로의 입력 전력은 1 kW로 행하였다.
이어서, 진공도 10-8Torr의 제막 처리 공정실(40)로 반송된 웨이퍼(1)는 전술한 방법에 따라 30O ℃의 온도로 가열된 정전 척(11)상에 올려 놓고 흡착시켰다.
흡착 직전의 웨이퍼 온도를 적외선 방사 온도계로 측정한 바 298 ℃ 였다. 또한, 흡착 후의 웨이퍼(1)의 최고 온도를 같은 식으로 측정한 바 300 ℃로서 그 차는 2 ℃였다.
10분간의 흡착 후 웨이퍼(1)를 정전 척(11)에서 이탈시켜, 웨이퍼(1)상에 있어서 0.2㎛ 이상의 먼지를 웨이퍼 먼지 검사 장치[(주)톱콘(Topcon Inc.)의 제품명 WM-1500]에 의해서 측정한 바 약 1180 개의 먼지가 관찰되었다.
실시예 2
실시예 1과 동일한 8 인치의 실리콘 웨이퍼(1)를 이용하여 예비 가열실(30)의 예비 가열 온도를 300 ℃로 하고, 웨이퍼 반송 수단(50)의 웨이퍼 로더(22) 및 램프 전원(24)에서 적외선 램프(21)로의 입력 전력을 1 kW로 하며, 반송중인 웨이퍼 온도를 291 ℃로 한 것 이외는 상기 실시예 1과 동일하게 웨이퍼(1)의 예비 가열을 실시하였다.
이어서, 웨이퍼(1)를 300 ℃로 유지된 정전 척(11)상에 실시예 1과 동일한 방법으로 올려 놓고 흡착시켰다. 흡착 직전의 웨이퍼(1)의 온도는 282 ℃이며 흡착 후의 웨이퍼(1)의 최고 온도는 300 ℃로서 그 차는 18 ℃였다.
실시예 1과 동일하게 하여 웨이퍼(1)를 정전 척(11)으로부터 이탈시킨 후, 0.2 ㎛ 이상의 먼지를 측정한 바 약 1220 개의 먼지가 관찰되었다.
실시예 3
실시예 1과 동일한 8 인치의 실리콘 웨이퍼(1)를 이용하여 예비 가열실(30)의 예비 가열 온도를 270 ℃로 하고, 웨이퍼 반송 수단(50)의 웨이퍼 로더(22) 및 램프 전원(24)에서 적외선 램프(21)로의 입력 전력을 1 kW로 하여 반송중인 웨이퍼 온도를 261 ℃로 한 것 이외에는 상기 실시예 1과 동일한 식으로 웨이퍼(1)의 예비 가열을 실시하였다.
이어, 웨이퍼(1)를 300 ℃로 유지된 정전 척(11)상에 실시예 1과 동일한 방법으로 올려 놓고 흡착시켰다. 흡착 직전의 웨이퍼(1)의 온도는 252 ℃이며 흡착 후의 웨이퍼(1)의 최고 온도는 298 ℃로서 그 차는 46 ℃였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 웨이퍼(1)를 정전 척(11)으로부터 이탈시킨 후, 0.2 ㎛ 이상의 먼지를 측정한 바 약 1120 개의 먼지가 관찰되었다.
비교예 1
실시예와 동일한 8 인치의 실리콘 웨이퍼(1)를 이용하여 예비 가열실(30)의 예비 가열 온도를 260 ℃로 하고, 웨이퍼 반송 수단(50)의 웨이퍼 로더(22) 및 램프 전원(24)에서 적외선 램프(21)로의 입력 전력을 1 kW로 하여 반송중인 웨이퍼 온도를 233 ℃로 한 것 이외에는 상기 실시예와 동일한 식으로 하여 웨이퍼(1)의 예비 가열을 실시하였다.
이어서, 웨이퍼(1)를 300 ℃로 유지된 정전 척(11)상에 실시예 1과 동일한 식으로 올려 놓고 흡착시켰다. 흡착 직전의 웨이퍼(1)의 온도는 245 ℃이며 흡착 후의 웨이퍼(1)의 최고 온도는 297 ℃로서 그 차는 52 ℃였다.
실시예와 동일한 식으로 웨이퍼(1)를 정전 척(11)으로부터 이탈시킨 후, 0.2 ㎛ 이상의 먼지를 측정한 바 약 2330 개의 먼지가 관찰되었다.
비교예 2
실시예와 동일한 8인치의 실리콘 웨이퍼(1)를 이용하여 예비 가열실(30)의 예비 가열 온도를 240 ℃로 하고, 웨이퍼 반송 수단(50)에 있어서의 웨이퍼 로더(22) 및 램프 전원(24)에서 적외선 램프(21)로의 입력 전력을 1 kW로 하여 반송중인 웨이퍼 온도를 233 ℃로 한 것 이외에는 상기 실시예와 동일한 식으로 웨이퍼(1)의 예비 가열을 실시하였다.
이어, 웨이퍼(1)를 300 ℃로 유지된 정전 척(11)상에 실시예 1과 동일한 방법으로 올려 놓고 흡착시켰다. 흡착 직전의 웨이퍼(1)의 온도는 226 ℃이며 흡착 후의 웨이퍼(1)의 최고 온도는 296 ℃로서 그 차이는 70 ℃였다.
실시예와 동일한 방법으로 웨이퍼(1)를 정전 척(11)으로부터 이탈시킨 후, 0.2 ㎛ 이상의 먼지를 측정한 바 약 3300 개의 먼지가 관찰되었다.
이상, 실시예 및 비교예로부터 분명해진 바와 같이 본 발명의 방법에 따라서 웨이퍼(1)를 정전 척(11)에 흡착하기 직전의 웨이퍼(1)의 온도와 흡착한 후의 웨이퍼(1)의 최고 온도와의 차를 50 ℃ 이하로 함으로써, 웨이퍼(1)상의 먼지 즉, 파티클을 현저하게 감소시킬 수 있다는 것을 알 수 있다.
또한, 실시예 3의 정전 척 웨이퍼 흡착면의 현미경 사진을 도 2에 나타내고, 비교예 1의 정전 척 웨이퍼 흡착면의 현미경 사진을 도 3에 나타내었다. 도 3의 흰 반점상의 부분이 파티클 부분에 해당된다.
도 2 및 3의 표면 현미경 사진으로부터도 본 발명의 방법에 따라서 정전 척(11)에 흡착하기 전의 웨이퍼 온도와 흡착한 후의 웨이퍼의 최고 온도와의 차이를 50 ℃ 이하로 함으로써, 웨이퍼상의 파티클을 현저하게 감소시킬 수 있다는 것을 알 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 방법에 따라서 정전 척 주면에 웨이퍼를 흡착할 때에 있어서, 흡착 전의 웨이퍼의 온도와 흡착 후의 웨이퍼의 최고 온도 차이를 0 ℃∼ 50 ℃로 함으로써, 웨이퍼상의 파티클을 현저하게 감소시킬 수 있어서, 반도체 결함을 줄일 수 있다.

Claims (7)

  1. 정전 척의 흡착면에 웨이퍼를 흡착할 때에, 흡착 전의 웨이퍼 온도와 흡착 후의 웨이퍼의 최고 온도와의 차가 0 ℃ ∼ 50 ℃가 되도록,
    상기 흡착 전의 웨이퍼가 정전 척의 흡착면에 웨이퍼를 흡착하기 이전에 상기 정전 척의 흡착면에 웨이퍼를 반송하기 위한 웨이퍼 반송 수단에 설치된 반송 가열 수단에 의해서 예비 가열되는 것인 정전 척의 파티클 발생 저감 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 흡착 전의 웨이퍼 온도와 흡착 후의 웨이퍼의 최고 온도와의 차가 0 ℃ ∼ 46 ℃인 것인 정전 척의 파티클 발생 저감 방법.
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 흡착 전의 웨이퍼가 정전 척의 흡착면에 웨이퍼를 흡착하기 이전에 웨이퍼를 예비 가열하기 위한 예비 가열실에서 소정의 온도까지 가열된 후, 상기 정전 척의 흡착면에 웨이퍼를 반송하기 위한 웨이퍼 반송 수단에 설치된 반송 가열 수단에 의해서 예비 가열되는 것인 정전 척의 파티클 발생 저감 방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
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