KR940010643B1 - 반도체 웨이퍼의 처리방법 및 장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼의 처리방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 웨이퍼의 처리방법 및 장치
제 1 도는 본 발명의 실시예의 블록도.
제 2 도는 본 발명의 다른 실시예의 멀티 챔버 시스템의 평면도.
제 3 도는 처리개시 온도 관리기구와 온도폭 관리기구의 실시예의 블록도.
제 4 도는 실시예의 동작을 설명하는 흐름도.
제 5a, b, c 도는 반도체 웨이퍼의 처리개시 온도에 이르는 여러 예를 표시하는 그래프.
제 6 도는 실시예에서 처리한 복수의 반도체 웨이퍼의 온도측정 데이타의 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 스퍼터챔버 2 : 로드로크챔버
3 : 웨이퍼 4 : 반송로
5 : 반도체홀더 6 : 히터
[기술분야]
본 발명은 반도체 웨이퍼의 표면에 대하여 스퍼터, 에칭, 또는 퇴적 등의 처리를 행하는 반도체 웨이퍼의 처리방법 및 장치에 관한 것이다.
[배경기술]
종래, 반도체 웨이퍼의 표면에 대하여 스퍼터, 에칭, 또는 퇴적 등의 처리를 행함에 있어서는 처리중의 반도체 웨이퍼 온도는 처리결과를 크게 좌우하므로 정확하게 제어할 필요가 있었다.
반도체 처리장치 내에서 반도체 온도를 측정하는데는, 반도체 웨이퍼와 비접촉으로 측정 가능한 것이 바람직하고 주로 열전쌍열 온도계가 사용되고 있다.
그러나, 상기 열전쌍열 온도계는 반도체 웨이퍼 표면에서 방사되는 열선을 다수의 열전쌍으로 구성된 센서부에서 받음으로써 온도를 계측하는 것이다. 그런데, 측정 대상이 되는 반도체 웨이퍼는 그 재질, 표면상태 등의 차이로 열선의 방사율이 다르기 때문에 상기 열전쌍열 온도계에 의해 반도체 웨이퍼의 실제 온도를 정확하게 측정할 수 없는 문제점이 있었다. 그리고, 종래의 열전쌍열 온도계에 의한 측정은 반도체 웨이퍼 표면을 측정하고 있었기 때문에 처리중(가령 박막퇴적 중)의 온도측정은 불가능하였다. 이 때문에 반도체웨이퍼의 처리중의 이상을 실시간으로 감시할 수는 없었다.
본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼의 온도를 감시하면서 소정의 처리가 가능한 반도체 웨이퍼의 처리방법 및 장치를 제공하는 것이다. 또, 본 발명의 다른 목적은 반도체 웨이퍼의 정확한 실제온도를 측정할 수 있는 반도체 웨이퍼의 처리방법 및 장치를 제공하는 것이다.
[발명의 개요]
본 발명의 반도체 웨이퍼의 처리방법은 반도체 웨이퍼 표면에 대하여 스퍼터에칭 또는 퇴적 등의 처리를 행하는 방법에 있어서, 처리전 및 처리중에 반도체 웨이퍼 이면에서 이 반도체 웨이퍼의 온도를 측정하고, 미리 정한 온도 범위에서 처리를 행하는 것을 특징으로 하고 있다.
또, 본 발명의 반도체 웨이퍼 처리장치는 처리실내에 웨이퍼 홀더가 설치되고 이 웨이퍼 홀더에 지지된 반도체 웨이퍼 표면에 대한 스퍼터, 에칭 또는 퇴적 등의 처리기구를 구비한 반도체 처리장치에 있어서, 상기 웨이퍼 흘더에는 반도체 웨이퍼의 이면을 투시가능케 하는 투시공이 형성되고, 이 투시공의 축선상에 비접촉 온도 측정수단이 반도체 웨이퍼의 이면과 대향가능하게 설치되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 비접촉 온도 측정수단은 열전쌍열 온도계로 하는 것이 바람직하다. 반도체 웨이퍼 방사율의 상이에 의한 측정 오차를 없애기 위해서는 웨이퍼 흘더에 반도체 웨이퍼를 반송하는 반송로에 방사율계를 반도체웨이퍼의 이면과 대향 가능하게 설치하고, 이 방사율계의 출력을 열전쌍열 온도계에 대하여 보정성분으로서 부여한다.
상기 방사율계 및 열전쌍열 온도계는 반도체 웨이퍼의 처리장치에 있어서의 처리실내의 반송로에 각각 설치될 경우 외에 열전쌍열 온도계가 처리실 내에 설치되는 한편, 방사율계가 처리실과 별개로 설치된 로드로크실 등, 다른 실내에 설치치는 경우도 있다.
본 발명에 의하면 반도체 웨이퍼의 온도를 처리중에도 연속하여 측정하기가 가능해지고, 반도체 웨이퍼에 대하여 소정 처리를 소정 조건으로 행할 수 있다.
또, 반도체 웨이퍼의 온도 측정은 측정 대상인 반도체 웨이퍼의 방사율로 보정하도록 했기 때문에 처리중의 온도를 정확하게 측정할 수 있다.
[실시예]
이하, 본 발명을 스퍼터 처리장치에 실시한 예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
[웨이퍼 온도보정]
스퍼터 처리장치는 제 1 도에 도시하는 바와같이 스퍼터챔버(1)와 로드로크챔버(2)를 구비하고 있으며, 양 챔버 사이를 반도체 웨이퍼(3)가 반송로(4)를 따라 반송하도록 되어 있다.
스퍼터챔버(1)내에서 반도체 웨이퍼(3)를 유지하는 웨이퍼 홀더(5)는 가열용 히터(6) 및 냉각용 냉매유로(도시않음)를 내장하고 있음과 동시에 중앙에 투시공(7)이 뚫려 있고. 이 투시공(7)을 통하여 웨이퍼 홀더(5) 외측에 설치한 열전쌍열 온도계(8)로 반도체 웨이퍼(3)의 이면의 온도측정이 가능하도록 되어 있다.
웨이퍼 흘더(5)에 유지된 반도체 웨이퍼(3)는 셔터판(9)을 끼우고 캐소우드(10)과 대향하도록 되어 있고, 웨이퍼 홀더(5)와 캐소우드(10) 사이에 전력을 투입하고, 셔터판(9)을 열면, 캐소우드(10)에서 스퍼터된 물질이 반도체 웨이퍼(3)의 표면에 퇴적하도록 되어 있다.
한편, 상기 로드로크챔버(2)의 반도체 웨이퍼(3)의 정지위치(반도체 웨이퍼의 유지부재는 도시않음)에는 방사율계(11)가 반도체 웨이퍼(3)와 대향하도록 설치되어 있다. 방사율계(11)는 방사율이 1인 흑체발열기(12)와 열전쌍열 온도계(13)에서 측정되는 온도에서 방사율을 구할 수 있는 것이다. 방사율계(11)를 로드로크챔버(2)내에 설치한 것은 방사율의 측정 분위기를 대기중으로 하는 것보다 진공중으로 하는 것이 측정 정밀도가 향상되기 때문이다.
상기 각 열전쌍열 온도계(8, 13)의 출력은 시켄서(14)의 A/D변환기(15, 16)에 부여되어 디지탈 변환된 후, 방사율 보정회로(17, 일종의 나눗셈회로)에 부여되어 있고, 방사율 보정회로(17)의 출력이 웨이퍼 실제온도 표시회로(18)에 부여되어 있다. 상기 방사율 보정회로(17)의 출력은 웨이퍼 홀더(5)의 히터(6)에 전력을 공급하는 전원제어기(19)에도 제어신호로서 부여되어 있고, 측정한 반도체 웨이퍼(3)의 온도에 따라 히터(6)에 투입되는 전력이 제어되고, 반도체 웨이퍼(3)를 소정온도로 조절할 수 있도록 되어 있다. 반도체웨이퍼의 냉각이 필요할 경우에는 자연냉각되거나 냉매유로에 냉매를 유입하여 행해진다.
상기 실시예에 의하면 반도체 웨이퍼(3)의 온도를 스퍼터 처리중에 연속적으로 측정하기가 가능하며, 또 시켄서(14)에서는 스퍼터챔버 (1)로 열전쌍열 온도계(8)에 측정한 반도체 웨이퍼(3)의 온도를 로드로크챔버(2)에서 미리 측정한 실제의 반도체 웨이퍼(3)의 방사율로 보정하므로 스퍼터챔버(1)내에서 처리되어 있는 반도체 웨이퍼(3)의 실제 온도를 정확하게 구할 수 있다.
[웨이퍼 온도관리]
제 2 도에 도시하는 바와같은 세퍼레이션 챔버(21)에 로드로크챔버(2)와 복수의 스퍼터챔버(1)를 설치한 멀티 챔버 시스템에서는 앞공정(가령 세퍼레이션챔버(21)내에서의 웨이퍼 가열)에서 반도체 웨이퍼를 가열한다. 그 후에 프로세스 챔버인 스퍼터챔버(1)에 반도체 웨이퍼를 반송한다. 스퍼터챔버(1)내에서는 처리(박막퇴적)를 개시하기 전에 처리개시 온도를 일정하게 할 목적으로 대기시간을 설정한다. 이 대기시간은 양산성을 향상시키기 위해서는 가급적 단축시키는 것이 바람직하다. 그러나, 가열한 반도체 웨이퍼가 반송 도중에 무엇인가의 외부의 작용(외란)에 의해 온도변동을 일으킬 경우가 있다. 이와 같은 반도체 웨이퍼의 온도변동이 있을 경우, 처리개시의 반도체 웨이퍼의 온도가 각 반도체 웨이퍼마다 달라 일정한 처리가 안되게 된다. 가령, 박막퇴적의 개시온도가 다르면 반도체 디바이스의 제품이상이 발생하고, 불량품의 증가를 초래한다. 그리고, 반도체 웨이퍼 처리중에서도 온도 변동이 있음과 마찬가지로 반도체 디바이스의 제품이상의 발생 원인이 된다.
그래서, 제 3 도에 도시하는 바와같이 제 1 도에 도시한 실시예의 방사율 보정회로(17)의 출력에 처리개시온도 관리기구(22) 및 온도폭 관리기구(23)를 접속하여 이들 기구에서 스퍼터 제어장치(도시않음)를 제어하도록 한다.
처리개시 온도 관리기구는 설정 전압과 반도체 웨이퍼의 온도에 대응한 전압을 비교하는 회로로 이루어지고, 미리 설정한 온도가 되기까지 대기시간을 자동적으로 제어하는 기능을 가지고 있다. 온도폭 관리기구는 설정전압과 반도체 웨이퍼의 온도에 대응한 전압을 비교하는 회로가 둘로 구성되며, 미리 상한온도, 하한온도를 설정해 두고, 상한온도와 하한온도의 범위내에 온도가 유지될 수 있는 제어기능을 가지고 있다.
반도체 웨이퍼 처리중의 온도감시 순서는 제 4 도를 이용하여 설명한다. 가열된 반도체 웨이퍼가 스퍼터챔버(1)내에 반송되고, 척킹된다(단계 1).
거기서 반도체 웨이퍼의 온도 모니터를 개시한다(단계 2).
제 1 도의 실시예와 같은 온도측정 장치에 의해 웨이퍼 온도를 측정하고, 실제 온도로 보정한다. 그 온도가 처리개시 온도관리기구(22)에 미리 설정한 온도에서 벗어나 있을 때에는 온도를 제어하여 설정온도를 온도 제어한다(단계 3).
제어방법은, 만일 반도체 웨이퍼의 온도가 개시온도로서 설정한 온도보다 높으면 제 5a,b 도와 같이 냉각을 행한다.
그 동안, 온도는 연속적으로 측정할 수 있으므로 온도개시에 도달한 시점에서 처리를 개시한다. 반대로, 웨이퍼 온도가 개시온도로서 설정한 온도보다 낮으면 제 5c 도와 같이 가열을 행한다.
그 동안, 마찬가지로 반도체 웨이퍼의 온도를 연속적으로 측정한다. 이 경우, 램프가열식 가스 가열홀더(일본 실원평 2-37890호)를 병용하면 가열온도를 정확하게 제어할 수 있으므로 단시간에 소정의 개시온도에 도달할 수 있다.
이와 같이 가열 ,냉각하여도 온도 변화를 연속적으로 측정할 수 있고, 또 정확한 온도가 측정될 수 있으므로 온도설정은 단시간에 행할 수 있다.
다음에, 소정의 개시온도에 도달하게 되면 반도체 웨이퍼의 처리를 개시한다(단계 4).
반도체 웨이퍼가 처리되는 면의 이면을 측정하고 있기 때문에 처리중의 반도체 웨이퍼 온도가 순차 연속적으로 측정될 수 있다.
여기서, 온도폭 관리기구(23)에 의해 반도체 웨이퍼의 온도가 상한 온도차 하한온도 범위 내에 있는지 여부를 순차 감시할 수 있다(단계 5). 만일, 이 온도 범위에서 반도체 웨이퍼의 온도가 벗어나면 경보를 울림으로써 작업자에 이상을 알릴 수 있다(단계 6).
이 경우, 실제로 무엇이 원인이 되어 온도범위가 빗나가 있는지 알 수 없기 때문에 전원제어기(19)로 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하기보다는 장치 자체를 정지시키는 쪽이 좋다. 만일, 이와같은 경보가 없으면 계속하여 처리가 진행된다(단계 7). 물론 장치의 정지에 대신하여 처리중의 웨이퍼 온도를 조절하여도 좋다.
웨이퍼의 온도조절은 반도체 웨이퍼의 실제 온도 정보가 부여되는 전원제어기(19)와 냉각제어기(24)로 웨이퍼 흘더(5)의 온도를 제어함으로써 행해진다.
제 6 도는 복수의 반도체 웨이퍼를 1매씩 처리할 경우의 반도체 웨이퍼의 온도데이타이다. 도면중 a점에서 반도체 웨이퍼가 웨이퍼 홀더(5)에 세트되고, b점과 c점 사이에서 스퍼터에 의한 박막퇴적이 행해지고, c점에서 반도체 웨이퍼가 웨이퍼 홀더(5)에서 인출된다. 각 반도체 웨이퍼 모두 허용된 온도폭의 범위에서 처리를 행할 수 있다.
[발명의 효과]
이상, 반도체 웨이퍼의 스퍼터 처리를 예로서 실시예를 설명하였으나 에칭이나 증착등 기타 처리에서도 이 발명을 실시하는 것이 가능하다.
이상 설명한 바와같이 본 발명에 의하면 반도체 웨이퍼 표면의 방사율을 측정하고, 열전쌍열 온도계의 측정치를 보정했기 때문에 스퍼터, 에칭, 퇴적 등의 처리대상인 반도체 웨이퍼의 온도를 비접촉으로 측정할 수 있음과 동시에 실제 온도를 정확히 측정할 수 있는 효과가 있다. 그리고 처리중의 반도체 웨이퍼의 온도를 정확하게 제어하는 것도 가능해지고, 소기의 처리를 바르게 행할 수 있는 효과가 있다.
또한, 반도체 웨이퍼의 처리개시온도나 처리중의 온도를 감시할 수 있으므로 일정 조건으로 다수의 반도체 웨이퍼를 처리할 수 있는 효과가 있다.

Claims (9)

  1. 반도체 웨이퍼 표면에 대하여 스퍼터, 에칭, 또는 퇴적 등의 처리를 행하는 방법에 있어서, 미리 반도체 웨이퍼의 이면의 방사율을 구한 후, 표면의 처리전과 처리중에 반도체 웨이퍼의 이면에서 이 반도체 웨이퍼의 온도를 비접촉으로 측정하고, 측정한 온도를 상기 방사율로써 보정함으로써 반도체 웨이퍼의 실온도를 구하고, 그 실온도가 미리 정한 온도범위가 되도록 제어하면서 반도체 웨이퍼의 표면 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 처리방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 반도체 웨이퍼의 은도 측정은 반도체 웨이퍼의 이면과 대향한 열전쌍열 온도계를 이용하여 비접촉으로 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 처리방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 반도체 웨이퍼의 측정한 온도와, 미리 정한 처리개시 온도를 비교하고, 미리 정한 처리개시 온도에 도달했을 때, 반도체 웨이퍼의 표면처리를 개시하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 처리방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 반도체 웨이퍼의 측정한 온도와, 미리 정한 처리중의 상한온도 및 하한온도를 비교하고, 그 상한온도와 하한온도의 온도범위에서 벗어날 때, 경보를 발하거나, 또는 반도체 웨이퍼의 표면처리를 정지하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 처리방법.
  5. 처리실 내에 웨이퍼 홀더가 설치되고, 이 웨이퍼 흘더에 지지된 반도체 웨이퍼 표면에 대한 스퍼터, 에칭, 또는 퇴적 등의 처리기구를 구비한 반도체 처리장치에 있어서, 상기 웨이퍼 홀더로 반도체 웨이퍼를 반송하는 반송로를 향하여 방사율게가 반도체 웨이퍼의 이면과 대향가능하도록 설치됨과 동시에 상기 웨이퍼 홀더에는 반도체 웨이퍼의 이면을 투시가능케하는 투시공이 형성되고, 이 투시공의 축선상에 비접촉 온도측정수단이 반도체 웨이퍼 이면과 대향 가능케 설치되어 상기 웨이퍼 홀더에 설치한 가열 및/또는 냉각수단의 제어장치에 대하여 상기 비접촉온도 측정수단에 의한 측정치가 상기 방사율계에 의해 구해진 방사율로 보정하여 주어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 비접촉 온도측정 수단이 열전쌍열 온도계인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 처리장치.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 비접촉 온도측정 수단의 보정된 출력은 반도체 웨이퍼의 처리개시 지령수단의 입력으로서 부여되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 처리장치.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 비접촉 온도 측정수단의 보정된 출력은 반도체 웨이퍼의 온도폭 관리수단의 입력으로서 부여되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 처리장치.
  9. 제 5 항에 있어서, 상기 비접촉 온도측정 수단의 보정된 출력은 경포장치의 입력으로서 부여되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 처리장치.
KR1019910005527A 1990-04-09 1991-04-06 반도체 웨이퍼의 처리방법 및 장치 KR940010643B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100380676B1 (ko) * 1998-06-18 2003-04-18 니뽄 가이시 가부시키가이샤 정전 척의 파티클 발생 저감 방법

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2923008B2 (ja) * 1989-12-11 1999-07-26 株式会社日立製作所 成膜方法及び成膜装置
CA2039845A1 (en) * 1990-04-09 1991-10-10 Kiyoshi Nashimoto Method and apparatus for processing substrate
US5359693A (en) * 1991-07-15 1994-10-25 Ast Elektronik Gmbh Method and apparatus for a rapid thermal processing of delicate components
US5815396A (en) * 1991-08-12 1998-09-29 Hitachi, Ltd. Vacuum processing device and film forming device and method using same
JPH05234959A (ja) * 1991-08-16 1993-09-10 Hitachi Ltd ドライエッチング方法及びドライエッチング装置
US5534072A (en) * 1992-06-24 1996-07-09 Anelva Corporation Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates
US5624590A (en) * 1993-04-02 1997-04-29 Lucent Technologies, Inc. Semiconductor processing technique, including pyrometric measurement of radiantly heated bodies and an apparatus for practicing this technique
US5305416A (en) * 1993-04-02 1994-04-19 At&T Bell Laboratories Semiconductor processing technique, including pyrometric measurement of radiantly heated bodies
US5549756A (en) * 1994-02-02 1996-08-27 Applied Materials, Inc. Optical pyrometer for a thin film deposition system
US5609720A (en) * 1995-09-29 1997-03-11 Lam Research Corporation Thermal control of semiconductor wafer during reactive ion etching
KR100363077B1 (ko) * 1995-11-20 2003-02-11 삼성전자 주식회사 반도체 제조장치의 온도 확인장치
JP3380668B2 (ja) * 1996-01-23 2003-02-24 東京エレクトロン株式会社 温度調整方法、温度調整装置及び熱処理装置
US5786023A (en) * 1996-02-13 1998-07-28 Maxwell; James L. Method and apparatus for the freeform growth of three-dimensional structures using pressurized precursor flows and growth rate control
JPH09246200A (ja) * 1996-03-12 1997-09-19 Shin Etsu Handotai Co Ltd 熱処理方法および輻射加熱装置
US5711851A (en) * 1996-07-12 1998-01-27 Micron Technology, Inc. Process for improving the performance of a temperature-sensitive etch process
US5793022A (en) * 1996-09-12 1998-08-11 Applied Materials, Inc. Adaptive temperture controller and method of operation
US6014082A (en) * 1997-10-03 2000-01-11 Sony Corporation Temperature monitoring and calibration system for control of a heated CVD chuck
EP0918042A1 (de) * 1997-11-20 1999-05-26 Balzers Hochvakuum AG Mit mindestens einer MgO-Schicht beschichtetes Substrat
JP2000021964A (ja) * 1998-07-06 2000-01-21 Ngk Insulators Ltd 静電チャックのパーティクル発生低減方法および半導体製造装置
US6740247B1 (en) * 1999-02-05 2004-05-25 Massachusetts Institute Of Technology HF vapor phase wafer cleaning and oxide etching
JP2001107272A (ja) * 1999-10-08 2001-04-17 Hitachi Ltd 試料の処理方法および処理装置並びに磁気ヘッドの製作方法
DE19951899A1 (de) * 1999-10-28 2001-05-03 Impac Electronic Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur berührungslosen Temperaturregelung
DE19958643C1 (de) * 1999-12-06 2001-05-10 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung von Gegenständen bei hoher Temperatur sowie Verwendung
AU2001277271A1 (en) 2000-07-27 2002-02-13 Atf Technologies, Inc. Low temperature cathodic magnetron sputtering
US6468384B1 (en) * 2000-11-09 2002-10-22 Novellus Systems, Inc. Predictive wafer temperature control system and method
JP2003045818A (ja) * 2001-08-02 2003-02-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2004207687A (ja) * 2002-12-10 2004-07-22 Sharp Corp 半導体製造装置とそれを用いた半導体製造方法
US6794302B1 (en) * 2003-03-20 2004-09-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Dynamic feed forward temperature control to achieve CD etching uniformity
US6971793B2 (en) * 2003-03-21 2005-12-06 Asm Assembly Automation Ltd. Test handler temperature monitoring system
DE102005054552B4 (de) * 2005-11-14 2017-06-08 Infineon Technologies Austria Ag Vorrichtung und Verfahren zur Prüfung von Halbleitersubstraten auf Risse
US8163089B2 (en) * 2009-12-16 2012-04-24 Primestar Solar, Inc. Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US8252619B2 (en) 2010-04-23 2012-08-28 Primestar Solar, Inc. Treatment of thin film layers photovoltaic module manufacture
EP2390925A1 (en) * 2010-05-31 2011-11-30 Applied Materials, Inc. Thin film solar fabrication process, etching method, device for etching, and thin film solar device
US8460521B2 (en) 2010-09-28 2013-06-11 Primestar Solar, Inc. Sputtering cathode having a non-bonded semiconducting target
US8349144B2 (en) 2010-09-28 2013-01-08 Primestar Solar, Inc. Methods of sputtering using a non-bonded semiconducting target
US8187386B2 (en) 2010-12-22 2012-05-29 Primestar Solar, Inc. Temporally variable deposition rate of CdTe in apparatus and process for continuous deposition
US8801858B2 (en) 2010-12-23 2014-08-12 First Solar, Inc. Non-wear shutter apparatus for a vapor deposition apparatus
JP5751235B2 (ja) * 2012-10-19 2015-07-22 トヨタ自動車株式会社 電池用電極の製造方法及び装置
US9093599B2 (en) 2013-07-26 2015-07-28 First Solar, Inc. Vapor deposition apparatus for continuous deposition of multiple thin film layers on a substrate
TW202125689A (zh) * 2019-10-11 2021-07-01 美商應用材料股份有限公司 用於空間多晶圓處理工具的基座加熱器

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4115184A (en) * 1975-12-29 1978-09-19 Northern Telecom Limited Method of plasma etching
US4147571A (en) * 1977-07-11 1979-04-03 Hewlett-Packard Company Method for vapor epitaxial deposition of III/V materials utilizing organometallic compounds and a halogen or halide in a hot wall system
DE3123427C2 (de) * 1981-06-12 1985-10-24 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Anordnung zum Messen des elektrischen Widerstandes und der Temperatur von durch Aufdampfen oder Aufstäuben auf Substraten abgeschiedenen dünnen, metallischleitenden Schichten während der Schichtherstellung
JPS5925227A (ja) * 1982-08-02 1984-02-09 Hitachi Ltd プラズマエツチング装置
JPH0779083B2 (ja) * 1985-10-21 1995-08-23 株式会社日立製作所 分子線エピタキシ装置
JPS63128717A (ja) * 1986-11-19 1988-06-01 Fujitsu Ltd プラズマ処理装置
JPH0676922B2 (ja) * 1987-10-28 1994-09-28 株式会社チノー 放射温度測定装置
JPH01124726A (ja) * 1987-11-09 1989-05-17 Toshiba Corp 加熱装置
US5084825A (en) * 1988-03-07 1992-01-28 Bct Spectrum Inc. Process control with guard band and fault limit
US4913790A (en) * 1988-03-25 1990-04-03 Tokyo Electron Limited Treating method
US4987856A (en) * 1989-05-22 1991-01-29 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. High throughput multi station processor for multiple single wafers
JPH031530A (ja) * 1989-05-29 1991-01-08 Tokuda Seisakusho Ltd ドライエッチング装置
CA2039845A1 (en) * 1990-04-09 1991-10-10 Kiyoshi Nashimoto Method and apparatus for processing substrate
US5208643A (en) * 1990-10-05 1993-05-04 Varian Associates, Inc. Method of and apparatus for non-contact temperature measurement

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100380676B1 (ko) * 1998-06-18 2003-04-18 니뽄 가이시 가부시키가이샤 정전 척의 파티클 발생 저감 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP0452773A3 (en) 1992-06-10
KR910019112A (ko) 1991-11-30
CA2039845A1 (en) 1991-10-10
US5334251A (en) 1994-08-02
US5147498A (en) 1992-09-15
EP0452773A2 (en) 1991-10-23

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