JP7304188B2 - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法及び基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7304188B2 JP7304188B2 JP2019066999A JP2019066999A JP7304188B2 JP 7304188 B2 JP7304188 B2 JP 7304188B2 JP 2019066999 A JP2019066999 A JP 2019066999A JP 2019066999 A JP2019066999 A JP 2019066999A JP 7304188 B2 JP7304188 B2 JP 7304188B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrostatic chuck
- substrate
- wafer
- voltage
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 118
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 94
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 28
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 170
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000012417 linear regression Methods 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
- B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
先ず、図1を参照して、本開示にかかる技術(以下、「本技術」という。)について説明する。図1は、静電チャックに印加する直流電圧(図1中の“ESC HV”)、静電チャックの温度(図1中の“ESC temp.”)及びウェハの温度(図1中の“Wafer temp.”)の経時変化を示す説明図である。また、図1には、ウェハ(図1中の“Wafer”)と静電チャック(図1中の“ESC”)の状態を示す模式的な説明図も示す。なお、図1において(a)は従来技術を示し、(b)は本技術を示している。
次に、本実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成について説明する。図4は、プラズマ処理装置1の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。なお、本実施形態ではプラズマ処理装置1として、RIE型のプラズマ処理装置を例に説明する。
次に、以上のように構成されたプラズマ処理装置1を用いて行われるプラズマ処理について説明する。本実施形態ではプラズマ処理として、例えばドライエッチング処理を行う。
以上の実施形態において、静電チャック22に印加する電圧を第1の電圧から第2の電圧に上昇させるタイミングは、静電チャック22とウェハWの温度差が20℃となる場合である。このタイミングは、ウェハWの温度を測定して設定してもよいが、制御装置100が自動設定してもよい。すなわち、制御装置100が、保持工程S3の時間を自動設定してもよい。
(1)基板を処理する方法であって、所定の温度に設定された静電チャック上に前記基板を載置する載置工程と、第1の直流電圧を前記静電チャックに印加し、当該静電チャック上に前記基板を吸着する第1の吸着工程と、前記第1の直流電圧を前記静電チャックに印加しながら、前記静電チャックと前記基板の温度差が30℃以下となるまで、前記静電チャックによる前記基板の吸着を保持する保持工程と、前記第1の直流電圧より高い第2の直流電圧を前記静電チャックに印加し、当該静電チャック上に前記基板を吸着する第2の吸着工程と、を有する、基板処理方法。
前記(1)によれば、基板の載置後に静電チャックに印加される電圧を2段階に上昇させて基板を吸着するので、基板の裏面と静電チャックの表面の擦れを抑制することができ、パーティクルを低減することができる。さらに前記(1)によれば、静電チャックの温度が所定の温度に維持されているので、基板処理のスループットを向上させることができる。
(3)前記第2の吸着工程の後において、前記基板の裏面に前記第1の圧力より高い第2の圧力にて伝熱ガスを供給する第2のガス供給工程をさらに有する、前記(2)に記載の基板処理方法。
前記(2)と前記(3)によれば、静電チャックに印加する電圧に応じて、伝熱ガスの圧力を調節するので、静電チャックによる基板の吸着を適切に維持しつつ、伝熱ガスを最大限に供給することができる。その結果、基板を効率よく温度調節することができ、基板処理のスループットをさらに向上させることができる。
(5)前記第2の直流電圧は2500V以上の電圧である、前記(1)~前記(4)のいずれかに記載の基板処理方法。
(6)前記所定の温度は、前記基板を処理する目標温度である、前記(1)~前記(5)のいずれかに記載の基板処理方法。
(7)前記所定の温度は60℃以上である、前記(6)に記載の基板処理方法。
前記(8)によれば、第2の吸着工程で静電チャック上に基板が適切に吸着された状態で、処理工程が行われるので、当該基板に対してプラズマ処理を適切に行うことができる。
前記(11)によれば、制御部は、相関関係に基づいて保持工程の時間を自動で設定することができるので、煩雑な制御を行うことなく、上記静電チャックによる基板の2段階吸着(第1の吸着工程と第2の吸着工程)を行うことができる。
22 静電チャック
100 制御装置
W ウェハ
Claims (10)
- 基板を処理する方法であって、
所定の温度に設定された静電チャック上に前記基板を載置する載置工程と、
第1の直流電圧を前記静電チャックに印加し、当該静電チャック上に前記基板を吸着する第1の吸着工程と、
前記第1の吸着工程の後において、前記第1の直流電圧を前記静電チャックに印加しながら、前記静電チャックと前記基板の温度差が30℃以下となるまで、前記静電チャックによる前記基板の吸着を保持する保持工程と、
前記保持工程の後において、前記第1の直流電圧より高い第2の直流電圧を前記静電チャックに印加し、当該静電チャック上に前記基板を吸着する第2の吸着工程と、を有し、
前記第1の吸着工程と前記保持工程の間において、前記基板の裏面に第1の圧力にて伝熱ガスを供給する第1のガス供給工程をさらに有する、基板処理方法。 - 前記第2の吸着工程の後において、前記基板の裏面に前記第1の圧力より高い第2の圧力にて伝熱ガスを供給する第2のガス供給工程をさらに有する、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記載置工程の前において、前記保持工程の時間を設定する設定工程をさらに有し、
前記設定工程では、予め導出された、前記静電チャックの温度と前記保持工程の時間の相関関係に基づいて、前記基板を処理する際の前記静電チャックの温度から、前記保持工程の時間を設定する、請求項1又は2に記載の基板処理方法。 - 基板を処理する方法であって、
所定の温度に設定された静電チャック上に前記基板を載置する載置工程と、
第1の直流電圧を前記静電チャックに印加し、当該静電チャック上に前記基板を吸着する第1の吸着工程と、
前記第1の吸着工程の後において、前記第1の直流電圧を前記静電チャックに印加しながら、前記静電チャックと前記基板の温度差が30℃以下となるまで、前記静電チャックによる前記基板の吸着を保持する保持工程と、
前記保持工程の後において、前記第1の直流電圧より高い第2の直流電圧を前記静電チャックに印加し、当該静電チャック上に前記基板を吸着する第2の吸着工程と、を有し、
前記載置工程の前において、予め導出された、前記静電チャックの温度と前記保持工程の時間の相関関係に基づいて、前記基板を処理する際の前記静電チャックの温度から、前記保持工程の時間を設定する、基板処理方法。 - 前記第1の直流電圧は1500V以下の電圧である、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第2の直流電圧は2500V以上の電圧である、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記所定の温度は、前記基板を処理する目標温度である、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記所定の温度は60℃以上である、請求項7に記載の基板処理方法。
- 前記第2の吸着工程の後において、前記基板の上方に処理ガスを供給し、前記処理ガスによりプラズマを生成してプラズマ処理を行う処理工程をさらに有する、請求項1~8のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を載置する静電チャックと、
前記静電チャックを制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
所定の温度に設定された静電チャック上に前記基板を載置する載置工程と、
第1の直流電圧を前記静電チャックに印加し、当該静電チャック上に前記基板を吸着する第1の吸着工程と、
前記第1の吸着工程の後において、前記第1の直流電圧を前記静電チャックに印加しながら、前記静電チャックと前記基板の温度差が30℃以下となるまで、前記静電チャックによる前記基板の吸着を保持する保持工程と、
前記保持工程の後において、前記第1の直流電圧より高い第2の直流電圧を前記静電チャックに印加し、当該静電チャック上に前記基板を吸着する第2の吸着工程と、を実行するように前記静電チャックを制御し、
前記静電チャックの温度と前記保持工程の時間の相関関係を予め導出しておき、
前記相関関係に基づいて、前記基板を処理する際の前記静電チャックの温度から、前記保持工程の時間を設定する、基板処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019066999A JP7304188B2 (ja) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
TW109108731A TWI845641B (zh) | 2019-03-29 | 2020-03-17 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
CN202010201544.XA CN111755374A (zh) | 2019-03-29 | 2020-03-20 | 基板处理方法和基板处理装置 |
KR1020200036040A KR20200115266A (ko) | 2019-03-29 | 2020-03-25 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
US16/830,879 US11557498B2 (en) | 2019-03-29 | 2020-03-26 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019066999A JP7304188B2 (ja) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020167291A JP2020167291A (ja) | 2020-10-08 |
JP7304188B2 true JP7304188B2 (ja) | 2023-07-06 |
Family
ID=72604825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019066999A Active JP7304188B2 (ja) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11557498B2 (ja) |
JP (1) | JP7304188B2 (ja) |
KR (1) | KR20200115266A (ja) |
CN (1) | CN111755374A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113628958B (zh) * | 2021-07-29 | 2024-04-23 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 半导体器件的制备方法 |
CN114400174B (zh) * | 2022-01-18 | 2023-10-20 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种等离子体处理装置及其处理晶片的方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000012664A (ja) | 1998-06-18 | 2000-01-14 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャックのパーティクル発生低減方法及び半導体製造装置 |
JP2000021964A (ja) | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャックのパーティクル発生低減方法および半導体製造装置 |
JP2001152335A (ja) | 1999-11-24 | 2001-06-05 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理方法及び真空処理装置 |
JP2002009141A (ja) | 2000-06-26 | 2002-01-11 | Anelva Corp | 静電吸着機構を備えた真空処理装置、および静電吸着機構の動作制御方法 |
JP2011198838A (ja) | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板脱着方法 |
JP2012174978A (ja) | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5032269B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基板の温度調節装置及び温度調節方法、並びにこれを備えたプラズマ処理装置 |
JP5519992B2 (ja) * | 2009-10-14 | 2014-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台の温度制御システム及びその温度制御方法 |
JP6217233B2 (ja) * | 2013-08-21 | 2017-10-25 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6346855B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2018-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電吸着方法及び基板処理装置 |
JP6570894B2 (ja) * | 2015-06-24 | 2019-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御方法 |
JP7278035B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2023-05-19 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック、基板固定装置 |
JP2020115498A (ja) * | 2019-01-17 | 2020-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法およびエッチング装置 |
JP6729735B1 (ja) * | 2019-03-05 | 2020-07-22 | Toto株式会社 | 静電チャック |
KR102677038B1 (ko) * | 2020-05-22 | 2024-06-19 | 세메스 주식회사 | 정전 척과 그 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
-
2019
- 2019-03-29 JP JP2019066999A patent/JP7304188B2/ja active Active
-
2020
- 2020-03-20 CN CN202010201544.XA patent/CN111755374A/zh active Pending
- 2020-03-25 KR KR1020200036040A patent/KR20200115266A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-03-26 US US16/830,879 patent/US11557498B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000012664A (ja) | 1998-06-18 | 2000-01-14 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャックのパーティクル発生低減方法及び半導体製造装置 |
JP2000021964A (ja) | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャックのパーティクル発生低減方法および半導体製造装置 |
JP2001152335A (ja) | 1999-11-24 | 2001-06-05 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理方法及び真空処理装置 |
JP2002009141A (ja) | 2000-06-26 | 2002-01-11 | Anelva Corp | 静電吸着機構を備えた真空処理装置、および静電吸着機構の動作制御方法 |
JP2011198838A (ja) | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板脱着方法 |
JP2012174978A (ja) | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200312695A1 (en) | 2020-10-01 |
TW202040740A (zh) | 2020-11-01 |
JP2020167291A (ja) | 2020-10-08 |
CN111755374A (zh) | 2020-10-09 |
KR20200115266A (ko) | 2020-10-07 |
US11557498B2 (en) | 2023-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4838197B2 (ja) | プラズマ処理装置,電極温度調整装置,電極温度調整方法 | |
US10950417B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate loading mechanism | |
US20180301313A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP2018098239A (ja) | 載置台及びプラズマ処理装置 | |
US20090223932A1 (en) | Electrode unit, substrate processing apparatus, and temperature control method for electrode unit | |
US9087676B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
US9530657B2 (en) | Method of processing substrate and substrate processing apparatus | |
JP2011187758A (ja) | 温度制御システム、温度制御方法、プラズマ処理装置及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP7213927B2 (ja) | 基板処理システム | |
KR20140108141A (ko) | 탑재대 및 플라즈마 처리 장치 | |
JP7304188B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
TWI612600B (zh) | 溫度控制方法及電漿處理裝置 | |
TWI808206B (zh) | 電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置 | |
US10254774B2 (en) | Temperature control method, control apparatus, and plasma processing apparatus | |
JP2007217733A (ja) | プラズマ処理方法、及び、プラズマ処理装置 | |
TWI831956B (zh) | 清潔處理方法及電漿處理裝置 | |
TW201933949A (zh) | 直流電壓施加方法及電漿處理裝置 | |
JP7341043B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
TWI845641B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP2002004051A (ja) | プラズマ処理装置の制御方法およびプラズマ処理装置 | |
JP2022036719A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2022053960A (ja) | 処理装置及び処理装置における基体保持方法 | |
JP2013110440A (ja) | 電極ユニット及び基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211203 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230127 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230530 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230626 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7304188 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |