KR100228295B1 - 정특성 서미스터 장치 및 정특성 서미스터 소자의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 우수한 열파괴 특성을 지니는 정특성 서미스터 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 정특성 서미스터 소자(1)는 정특성 서미스터 소자(1) 및 정특성 서미스터 소자(1)는 주표면 상에 형성된 전극(2) 및 (3)을 지닌다. 정특성 서미스터 소자(1)은 내부영역(4) 및 외부영역(5) 및 (6)을 포함하고, 외부영역(5) 및 (6)의 다공성 점유율이 내부영역(4)의 다공성 점유율 보다 높게 설정된다.

Description

정특성 서미스터 장치 및 정특성 서미스터 소자의 제조방법

제1도는 본 발명의 제1양태에 따른 정특성 서미스터 장치의 구조를 나타내는 측단면도이다.

제2도는 본 발명의 제2양태에 따른 정특성 서미스터 장치의 구조를 나타내는 측단면도이다.

제3도는 본 발명의 제3양태에 따른 정특성 서미스터 장치의 구조를 나타내는 측단면도이다.

제4도는 종래의 정특성 서미스터 장치의 구조를 나타내는 측단면도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1,11 : 정특성 서미스터 소자 4 : 내부영역

5,6 : 외부영역 12,13 : 전극

본 발명은 정특성 서미스터 장치에 관한 것이다. 더욱 특히, 서지전류(surge current)에 대한 열파괴 특성을 개선시키는 기술에 관한 것이다.

정온도 특성의 저항, 즉, 온도특성 저항을 지니고 있어 저항이 퀴리점과 동일하거나 퀴리점 보다 높은 온도에서 갑작스럽게 증가되는 반도체 세라믹은 소량의 불순물 및 첨가물을 티탄산바륨에 첨가함으로써 얻을 수 있다. 그러한 반도체 세라믹은 자동 소자 (automatic degaussing), 모터의 작동, 과전류의 억제 및 히터와 같은 용도에 사용되는 정특성 서미스터 장치를 생산하는데 사용된다.

제4도에 도시된 바와 같이, 이러한 형태의 특정 정특성 서미스터 장치는 일반적으로 정온도 특성의 저항을 지니는 반도체 세라믹으로 제조된 디스크 등의 형태의 정특성 서미스터 소자(11) 및 이의 양 주표면에 형성된 전극(12) 및 (13)을 지닌다. 리즈선제(lead wire)(도시되지 않음)가 납땜 등의 수단으로 각각의 전극(12) 및 (13)에 접속된다.

정특성 서미스터 장치에 있어서, 전극(12) 및 (13)을 통해 전압이 정특성 서미스터 소자(11)에 가해질 때, 정특성 서미스터 소자(11)에서 열이 발생된다. 적외선 온도 분석기를 사용하여 측정한 정특성 서미스터 소자(11)에서 발생한 열은 정특성 서미스터 소자(11)의 중심부, 즉 내부와 정특성 서미스터 소자(11)의 양 주표면 및 주위 표면, 즉 외부영역에 인접한 부분 사이에 온도가 상이한 것으로 나타났다. 이러한 온도의 차이는 다음과 같은 사실에 기인된 것으로 사료된다. 정특성 서미스터 소자(11)의 주표면과 주위 표면은 대기와 접촉된다. 양 주표면과 주위 표면에 인접한 부분에서의 대량의 열발산은 이들 부분에서 온도를 낮추는 경향을 보이는 반면, 중심부분은 적은 열발산으로 인해 높은 온도를 지니는 경향이 있다.

이러한 온도의 차이는 정특성 서미스터 소자(11)의 양 주표면 및 주위 표면에 인접한 부분에서 보다는 중심 부분에서 높은 저항을 발생시킨다. 또한 열 스트레스(thermal stress)가 양 주표면과 주위표면에 인접한 부분에서 보다는 중심부분에서 빠르게 전개된다. 이러한 결과는 이들 부분에서의 열평형 상태의 차이를 증가시켜, 정특성 서미스터 소자(11)의 파괴의 가능성을 증가시틴다. 특히, 이러한 결과는 비교적 높은 서지전류가 가해지는 자동소자, 모터 작동 및 과전류 방지와 같은 용도에 있어서 정특성 서미스터 소자(11)가 갑작스럽게 파괴되는 문제를 초래할 수 있다.

본 발명은 상술된 문제를 고려하여 발명하였고, 본 발명의 목적은 우수한 열파괴 특성을 지니는 정특성 서미스터 장치를 제공하는데 있다.

본 발명에 따르면, 상기된 목적이 내부영역과 외부영역을 지니는 정특성 서미스터 소자를 제공하고 외부영역의 다공성 점유율을 내부영역의 다공성 점유율 보다 높게 함으로써, 상기된 본 발명의 목적을 달성함을 특징으로 하여, 정측성 서미스터 소자 및 정특성 서미스터 소자의 주표면 상에 형성된 전극을 지니는 정특성 서미스터 장치를 제공한다.

정특성 서미스터 소자의 외부영역의 다공성 점유율이 내부영역의 다공성 점유율보다 높은 상술된 양태에 따르면, 외부영역인 주위표면 및 양 주표면에 인접한 부분은 열전도 경로가 적어 중심부, 즉, 내부영역 보다 높은 온도를 지니게 되고 중심부에 비해 높은 특정 저항을 지닌다. 이러한 결과는 정특성 서미스터 소자의 중심부와 양 주표면 및 주위 표면에 인접한 부분 사이의 온도 차이를 감소시켜 이들의 열평형 상태의 차이를 감소시킨다. 또한, 이러한 경우에, 정특성 서미스터 소자의 전체에 분산된 세공(pore)은 정특성 서미스터 소자에서 발생되는 열스트레스를 흡수하거나 완화시키고, 정특성 서미스터 소자의 열파괴의 가능성을 감소시킨다.

본 발명의 바람직한 양태를 도면을 참조하여 기술하고자 한다.

제1도는 본 발명의 제1양태에 따른 정특성 서미스터 장치의 구조를 나타내는 측면도이다. 본 발명의 제1양태에 따른 정특성 서미스터 장치는 플래이트의 형태, 예를 들어, 외부표면이 양 주표면 및 주위표면으로 구성된 디스크 형태의 정온도 특성 저항을 지니는 반도체 세라믹으로 제조된 정특성 서미스터 소자, 및 각각의 주표면상에 형성된 전극(2) 및 (3)을 포함한다. 리드선재(도시되지 않음)가 납땜등의 수단으로 전극(2) 및 (3)에 접속되어 있다.

정특성 서미스터 소자(1)는 판 또는 평면의 내부영역(4), 즉, 정특성 서미스터의 중심부, 및 판 또는 평면의 외부영역(5) 및 (6), 즉, 정특성 서미스터 소자의 양 주표면에 인접한 부분을 지니며, 이들 영역은 정특성 서미스터 소자의 두께 방향으로 분할되어 있다. 외부영역(5) 및 (6)의 다공성 점유율은 내부영역(4)의 다공정 점유율 보다 높게 되어 있다. 더욱 특히, 정특성 서미스터 소자(1)는 소정의 다공선 점유율, 예를 들어, 11 내지 13%의 다공성 점유율을 지니는 내부영역(4), 및 전극(2) 및 (3)과 내부영역(4)의 사이에 제공된, 예를 들어, 약 14내지 15%의 보다 높은 다공성 점유율을 지니는 외부영역(5) 및 (6)을 포함한다. 외부영역(5) 및 (6)은 본 양태에서 정특성 서미스터 소자(1)의 양 주표면상에서 노출되고, 내부영역(4)와 외부영역(5) 및 (6)의 경계는 정특성 서미스터 소자의 주위표면상에서 노출된다. 내부영역(4)와 외부영역(5) 및 (6)의 다공성 점유율은 상술된 값으로 제한되는 것이 아니며, 예를 들어, 외부영역(5) 및 (6)의 다공성 점유율은 약 19%일 수 있다. 요약하자면, 정특성 서미스터 소자(1)에서의 세공 크기 및 세공수는 임의적으로 설정될 수 있으며, 단, 외부영역(5) 및 (6)의 다공성 점유율이 내부영역(4)의 다공성 점유율보다는 높아야 한다.

상술된 구성을 지니는 정특성 서미스터 소자(1)를 제조하는 단계에 관하여 설명하고자 한다. 제1단계는 제1서미스터 재료(X), 예를 들어, (Ba·Sr·Pb·Ca·Y·Mn)Tio₃+ SiO₂및 제1서미스터 재료(X)에 주로 PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)로 구성된 직경 약 10 내지 30㎛의 약 2중량%의 구형 수지 비드를 가하여 얻은 제2서미스터 재료(Y)를 제조하는 단계이다. 수지 비드가 상술된 조건을 충족시키는데 필수적인 것은 아니며, 이들은 단지 이틀의 주성분이 연소되어 사라지고, 이들의 모양 및 직경이 반도체 세라믹에 처음부터 포함된 세공 보다 큰 세공을 형성시킨다는 요건을 만족시키면 된다. 또한, 첨가되는 수지 비드의 양은 요구되는 특성에 따라 적절하게 설정될 수 있다. 예를 들어, 약 1중량%의 수지비드가 제1서미스터재료(X)에 첨가될 수 있고, 약 2중량%의 수지 비드가 제2서미스터 재료(Y)에 첨가될 수 있다.

이어서, 제 1및 제2서미스터 재료(X) 및 (Y)를 건식 압축기계를 사용하여 성형한다. 특히, 성형된 소자는 다음과 같이 얻는다.

1) 우선, 소정의 양, 즉, 약 0.62g의 제2서미스터 재료(Y)를 건식 압축기계의 일부를 형성하는 금속 모울드에 충전시키고, 이어서, 약 40MPa 이하의 압력으로 압축하여 정특성 서미스터 소자(1)의 외부영역(5)에 상응하는 부분을 형성시킨다.

2) 이어서, 소정의 양, 즉 약 0.62g의 제1서미스터 재료(X)를 금속 모울드 중의 외부영역(5)에 상응하는 부분상에 충전시키고, 이어서 약 40MPa이하의 압력으로 압축하여 정특성 서미스터 소자(1)의 내부영역(4)에 상응하는 부분을 형성시킨다.

3) 또한, 소정의 양, 즉 약 0.62g의 제2서미스터 재료(Y)를 금속 모울드중의 내부영역(4)에 상응하는 부분상에 충정시키고, 이어서 약 120MPa 이상의 압력으로 압축하여 정특성 서미스터 소자(1)의 외부영역(6)에 상응하는 부분을 형성시킨다. 동시에, 이들 전체에 압력을 가하여 성형된 소자를 얻는다.

그런 후에, 성형된 소자를 약 1340℃의 온도에서 소성(燒成)시켜 정특성 서미스터 소자(1)를 얻는다. 소성(燒成) 동안에, 제2서미스터 재료(Y)에 첨가된 수지 비드가 세공을 남기면서 사라졌다. 따라서 , 정특성 서미스터 소자(1)의 외부영역(5) 및 (6)의 다공성 점유율은 내부영역(4)의 다공성 점유율 보다 높게 설정된다. 특히, 제2서미스터 재료(Y)에 직경 20㎛의 수지 비드 2중량%을 가하는 경우, 제2서미스터 재료(Y)의 외부영역(5) 및 (6)의 다공성 점유율은 14 내지 15%가 된다. 반면, 수지 비드가 첨가되지 않은 제1서미스터 재료(X)로 제조된 내부영역(4)의 다공성 점유율은 11 내지 13%가 된다. 다공성은 첨가하는 수지 비드의 양을 증가시킴으로써 증가할 수 있고 첨가하는 수지 비드의 양을 감소시킴으로써 감소될 수 있다는 것은 자명한 사실이다.

또한, 도체 페이스트를 정특성 서미스터 소자(1)의 양 주표면에 도포한 후에 소성(燒成)을 수행하는 경우, 정특성 서미스터 장치는 그 표면에 Ni-Ag등으로 형성된 전극(2) 및 (3)을 지닌다. 그러한 단계를 통해 제조된 정특성 서미스터 장치의 직경은 약 14㎜이고 두께는 약 2㎜이다.

이어서 본 발명의 발명자들은 본 양태에 따른 단계로 제조된 제1도의 구조를 지니는 정특성 서미스터 장치의 저항 및 열파괴 특성을 나타내는 플래쉬(flash)내잔압(V), 즉 서지전류에 대한 내전압을 측정하였다. 표 1은 이러한 측정 결과를 나타낸다. 표 1은 또한 비교예로서 단지 서미스터 재료로만 제조된 정특성 서미스터 소자를 포함하는 정특성 서미스터 장치의 저항 및 플래쉬 내전압을 나타낸다. 플래쉬 내전압은 다음과 같이 얻었다. 100V의 전압을 5초 동안 가한후, 이의 온도를 상온으로 저하시킨 다음 정특성 서미스터 소자(1)의 저항을 측정하였다. 측정된 저항이 초기 저항과 동일한 경우, 전압을 증가시키면서 상기와 동일한 특정을 반복하여 측정된 저항이 변하는 전압을 찾았다.

[표 1]

본 양태의 정특성 서미스터 장치가 비교예에서의 정특성 서미스터 소자의 플래쉬 내전압 280V에 1.8배인 500V의 플래쉬 내전압을 나타내도록 개선되었다는 것을 표 1로부터 알 수 있다. 특히, 본 양태의 정특성 서미스터 장치를 구성하는 정특성 서미스터 소자(1)는 내부영역(4), 즉, 이의 중심부, 및 외부영역(5) 및 (6), 즉, 두께 방향으로 분할되는 양 주표면에 인접한 부분을 지니며, 외부영역(5) 및 (6)의 다공성 점유율은 내부영역(4)의 다공성 점유율 보다 높다. 그 결과, 정특성 서미스터 소자(1)의 주표면에 인접한 부분은 보다 적은 열전도 경로를 지녀 중심부에 비해 높은 특정 저항을 지닌다. 이러한 결과는 이들 부분의 온도를 상승시키고 중심부와 주표면에 인접한 부분 사이의 온도차를 감소시켜 이의 열평형 상태의 차이를 감소시킨다. 이때에, 정특성 서미스터 소자(1)의 전체에 분산된 세공은 정특성 서미스터 소자에서 발생되는 열 스트레스를 흡수하거나 완화시킨다. 플래쉬 내전압의 개선은 상기된 배열에 기인되는 것으로 사료된다.

본 양태에 따른 정특성 서미스터 소자를 제조하는 상기된 단계에서, 정특성 서미스터 소자(1)로서 성형된 소자는 건식 압축기계를 이용하여 제조한다. 또한, 성형된 소자는 상이한 양의 수지 비드가 첨가된 다수의 세라믹 그린 시트를 공지된 사출성형 공정 또는 스켈펠 블래이드(scalpel blade) 공정 등으로 형성시키고, 이어서 이들 세라믹 그린 시트를 적층시키고 접착시킴으로써 제조할 수 있다. 본원에 기술하지는 않았지만, 그러한 단계를 통해 성형된 소자를 제조하는 것은 두께 방향으로 분할된 다수의 층으로 이루어지는 정특성 서미스터 소자가 형성될 수 있고, 다공성 점유율이 연속적으로 증가되도록 구성될 수 있어 층의 다공성 점유율이 내부층의 다공성 점유율 보다 높게된다는 점에서 유리하다.

제2도는 본 발명의 양태에 따른 제2정특성 서미스터 장치의 구조를 나타내는 측단면도이다. 제1양태에서와 같이, 본 양태의 정특성 서미스터 장치는 정온도 특성의 저항을 지니는 반도체 세라믹으로 제조된 디스크 등의 형태의 정특성 서미스터 소자(1), 및 선재가 접속되는 양 주표면상에 형성된 전(2) 및 (3)를 포함한다. 제2도에서 제1도에서와 동일하거나 상응하는 부분은 동일한 참조번호를 부여하고, 더 이상 상세하게 기술하지 않는다.

본 양태의 정특성 서미스터 장치를 구성하는 정특성 서미스터 소자(1)는 양주표면의 폭 방향으로 이의 중심에 제공된 중심부인 내부영역(7)을 포함하고, 내부영역(7)의 측면을 둘러싸도록 제공된 이의 주위 표면에 인접한 부분인 외부영역(8)을 포함한다. 외부영역(8)의 다공성 점유율은 내부영역(7)의 다공성 점유율 보다 높다. 내부영역(7)과 외부영역(8) 사이의 경계는 정특성 서미스터 소자(1)의 양주표면상에서 노출되고, 외부영역(8)이 이의 주위표면상에서 노출된다. 내부영역(7)의 다공성 점유율은 약 11 내지 13%이고 외부영역(8)의 다공성 점유율은 약 14 내지 15%이다.

본 양태에서, 정특성 서미스터 소자(1)는 내부영역(7), 즉, 이의 중심부, 및 외부영역(8), 즉, 이의 주위 표면에 인접한 부분에 의해 형성되고, 외부영역(8)의 다공성 점유율은 내부영역(7)의 다공성 점유율 보다 높다. 그 결과, 정특성 서미스터 소자(1)의 주위 표면에 인접한 부분은 보다 적은 열전도 경로를 지녀 중심부에 비해 높은 특정 저항을 지닌다. 이러한 결과는 이들 부분의 온도를 상승시키고 중심부와 주표면에 인접한 부분 사이의 온도차를 감소시켜 이의 열평형 상태의 차이를 감소시킨다. 또한, 정특성 서미스터 소자(1)의 전체에 분산된 세공은 정특성 서미스터 소자에서 발생되는 열 스트레스를 흡수하거나 완화시킨다. 그 결과, 열파괴 특성이 개선된다.

제3도는 본 발명의 양태에 따른 제3정특성 서미스터 장치의 구조를 나타내는 측단면도이다. 제1양태 및 제2양태에서와 같이, 본 양태의 정특성 서미스터 장치는 정온도 특성의 저항을 지니는 반도체 세라믹으로 제조되며, 판의 형태, 예를 들어, 외부표면이 양 주표면과 주위표면으로 구성되는 디스크 등의 형태의 정특성 서미스터 소자(1), 및 선재가 접속되는 양 주표면상에 형성된 전극(2) 및 (3)를 포함한다. 제 3도에서 제1도 및 제2도에서와 동일하거나 상응하는 부분은 동일한 참조 번호를 부여하고, 더 이상 상세하게 기술하지 않는다.

정특성 서미스터 소자(1)는 양 주표면의 두께 방향 및 폭 방향으로 이의 중심에 제공된 중심부인 내부영역(9)을 포함하고, 내부영역(9)을 둘러싸는 부분, 즉, 내부영역(9)을 둘러싸도록 제공된 주표면 및 주위표면상에 형성된 부분인 외부영역(10)을 포함한다. 외부영역(10)의 다공성 점유율은 내부영역(9)의 다공성 점유율보다 높다. 특히, 본 양태의 정특성 서미스터 소자(1)는 약 11 내지 13%의 다공성점유율을 지닌 내부영역(9), 및 약 14 내지 15%의 다공성 점유율을 지니고 내부영역(9)의 전체를 둘러싸도록 제공되는 외부영역(10)에 의해 구성된다. 외부영역(10)만이 정특성 서미스터 소자(1)의 양 주 표면 및 주위표면상에서 노출된다.

본 양태의 정특성 서미스터 소자(1)의 내부영역(9)보다 높은 다공성 점유율을 지니는 외부영역(10)을 포함하기 때문에, 양 주표면 및 주위표면에 인접한 외부영역(10)인 부분은 보다 적은 열전도 경로를 지녀 내부영역(9)인 중심부에 비해 높은 특정 저항을 지닌다. 이러한 결과는 이들 부분의 온도를 상승시키고 이들 영역과 중심부 사이의 온도차를 감소시켜 이의 열평형 상태의 차이를 감소시킨다. 또한, 생성된 열 스트레스가 세공에 의해 흡수되거나 완화된다. 그 결과, 열파괴 특성이 제1 및 제2양태에서와 같이 개선된다.

본 발명은 상기된 특정 양태로 한정되는 것이 아니며, 다양한 응용 및 변형이 본 발명의 범위내에서 가능하다. 예를 들어, 둘 이상의 외부영역이 정특성 서미스터 소자를 형성하는 내부영역의 외부에 형성될 수 있다. 이러한 배열은 제1양태에 적용되어, 전극과 내부영역 사이에 각각 제공된 각각의 외부영역(5) 및 (6)이 상이한 다공성 점유율을 지니는 둘 이상의 외부영역으로 구성되는 형태를 제공할 수 있다. 이러한 형태가 사용되는 경우, 다공성 점유율은 내부영역(4)로부터의 거리가 증가함에 따라 증가하는 것이 바람직하다. 또한, 내부영역 및 외부영역이 모두 상기 양태에서 기본적으로 동일한 조성을 지니는 서미스터 재료로 제조되고 있지만, 이들 영역은 상이한 조성을 지니는 서미스터 재료로 제조될 수 있고 다른 방법으로도 제조될 수 있다.

상술된 바와 같이, 본 발명에 따른 정특성 서미스터 장치에서, 이의 일부를 형성하는 외부영역의 다공성 점유율은 내부영역의 다공성 점유율 보다 높다. 그 결과, 외부영역인 양 주표면 및 주위표면에 인접한 부분은 보다 적은 열전도 경로를 지녀 내부영역인 중심부에 비해 높은 특정의 저항을 지닌다. 이러한 결과는 중심부에서의 온도 보다 양 주표면 및 주위표면에 인접한 부분에서의 온도를 상승시키고, 중심부와 양 주표면 및 주위표면에 인접한 부분 사이의 온도차를 감소시켜 이의 열평형 상태의 차이를 감소시킨다. 따라서, 서지전류에 대한 열파괴 특성이 개선되는 이점이 있다.

또한, 본 발명은 정특성 서미스터 소자에서 생성된 열 스트레스가 세공에 의해 흡수되거나 완화되게 하여 정특성 서미스터 소자의 파괴 가능성이 감소되도록 한다. 그러한 결과는 개선된 열파괴 특성을 지니는 정특성 서미스터 장치를 제공하는 것을 가능하게 한다.

본원에서 본 발명의 특정 양태가 도시되고 기술되지만, 본 기술분야의 전문가에게는 본 발명의 범위 내에서 본 발명을 광범위한 양태로 변경 및 변화시킬 수 있으며 이러한 변경 및 변형도 발명의 범위내에 포함된다는 것이 자명할 것이다.

Claims (20)

1. 정특성 서미스터 소자가 내부영역 및 외부영역을 포함하고, 상기 외부영역의 다공성 점유율이 상기 내부영역의 다공성 점유율 보다 높게 설정되도록 하고, 상기 정특성 서미스터 소자; 및 상기 정특성 서미스터 소자의 주표면 상에 형성된 전극들을 포함함을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 외부영역이 상기 내부영역과 상기 전극들 중의 하나와의 사이에서 상기 정특성 서미스터 소자의 한 부분; 및 상기 내부영역과 상기 전극들 중의 다른 하나와의 사이에서 상기 정특성 서미스터 소자의 다른부분을 포함함을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
3. 제2항에 있어서, 상기 정특성 서미스터 소자의 상기 부분들이 평면층(planar layer) 형태임을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 정특성 서미스터 소자가 두께 방향으로 상기 외부영역을 포함하는 부분과 상기 내부영역을 포함하는 부분으로 분할됨을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
5. 제1항에 있어서, 상기 외부영역이 상기 정특성 서미스터 소자의 주위 부분을 포함하고; 상기 내부영역이 상기 정특성 서미스터 소자의 중심 부분을 포함함을 특징으로 하는 정특성 서미스터 징치.
6. 제4항에 있어서, 상기 내부 부분은 실린더 모양이고, 상기 외부부분은 고리 모양임을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
7. 제1항에 있어서, 상기 외부영역이 상기 내부영역을 완전히 둘러싸고 있음을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
8. 다공성 점유율이 연속적으로 증가하도록 설정되어, 외부층의 다공성 점유율이 내부층의 다공성 점유율에 비해 높은 정특성 서미스터 장치로서, 정특성 서미스터 소자; 및 상기 정특성 서미스터 소자의 주표면 상에 형성된 전극들을 포함함을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
9. 제8항에 있어서, 상기 층들이 평평한 형태임을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
10. 제8항에 있어서, 상기 층들이 원통의 링 형상의 층임을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
11. 제8항에 있어서, 상기 외부층이 상기 내부층을 둘러싸고 있음을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
12. 서미스터 소자가 내부영역 및 외부영역을 포함하고, 상기 외부영역의 다공성 점유율이 상기 내부영역의 다공성 점유율 보다 높게 설정되도록 하고, 상기 서미스터 소자; 및 상기 서미스터 소자의 표면 상에 형성된 전극들을 포함함을 특징으로 하는 서미스터 장치.
13. 제1서미스터 재료를 제조하는 단계: 제2서미스터 재료를 제조하는 단계: 상기 제1 및 제2서미스터 재료를 성형하는 단계: 및 상기 성형된 소자를 소서(燒成)시켜 정특성 서미스터 소자를 생성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정특성 서미스터 소자의 제조방법.
14. 제13항에 있어서, 상기 제2서미스터 재료의 제조단계가 상기 제1서미스터 재료에 수지 비드를 첨가하는 것을 포함함을 특징으로 하는 정특성 서미스터 소자의 제조방법.
15. 제13항에 있어서, 상기 제2서미스터 재료의 제조단계가 상기 제1서미스터 재료에 직경이 약10 내지 30㎛이고, 폴리메틸메타크릴레이트를 함유한 약 2중량%의 구형 수지 비드를 첨가하는 것을 포함함을 특징으로 하는 정특성 서미스터 소자의 제조방법.
16. 제13항에 있어서, 상기 제2서미스터 재료의 제조단계가 상기 제1서미스터 재료에 소성 단계에서 연소되어 사라지는 주성분을 함유한 물질을 첨가하는 것을 포함함을 특징으로 하는 정특성 서미스터 소자의 제조방법.
17. 제13항에 있어서, 상기 제2서미스터 재료의 제조단계가 소성단계에서 연소되어 사라지는 주성분을 함유하며, 상기 제1서미스터 재료에 존재하는 세공보다 큰 세공을 형성시키는 모양 및 직경을 지니는 물질을 상기 제1서미스터 재료에 첨가하는 것을 포함함을 특징으로 하는 정특성 서미스터 소자의 제조방법.
18. 제13항에 있어서, 상기 제1 및 제2서미스터 재료의 성형단계가, 상기 제2서미스터 재료의 소정량을 건식 압축기계의 일부를 구성하는 모울드 내에 위치시키는 단계; 상기 모울드 내에서 상기 제2서미스터 재료를 압축하여 제1부분을 형성하는 단계; 상기 제1서미스터 재료의 소정량을 압축된 상기 제1부분 상에 위치시키는 단계; 상기 모울드 내에서 상기 제1 및 제2서미스터 재료를 압축하여 결합된 제1 및 제2부분을 형성하는 단계; 상기 결합된 제1 및 제2부분 상에 소정량의 상기 제2서미스터 재료를 위치시키는 단계; 및 상기 모울드 내에서 상기 제1 및 제2재료를 압축하여, 상기 정특성 서미스터 소자를 형성시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 정특성 서미스터 소자의 제조방법.
19. 제18항에 있어서, 상기 모울드 내에서 상기 제1 및 제2서미스터 재료를 압축하여 상기 정특성 서미스터 소자를 형성시키는 단계가, 다른 압축단계 보다 높은 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 정특성 서미스터 소자의 제조방법.
20. 제13항에 있어서, 상기 제2서미스터 재료의 제조단계가 상기 소성 단계에서 연소되어 사라지는 주성분을 함유하며, 상기 제1서미스터 재료에 존재하는 세공수 보다 더 많은 세공수를 형성시키는 모양 및 직경을 지니는 물질을 상기 제1서미스터 재료에 첨가하는 것을 포함함을 특징으로 하는 정특성 서미스터 소자의 제조방법.