KR970003293A - 정특성 서미시터 장치 - Google Patents
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
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Abstract
본 발명은 우수한 열파괴 특성을 지니는 정특성 서미스터 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 정특성 서미스터 소자(1)이 정특성 서미스터 소자(1) 및 정특성 서미스터 소자(1)의 주표면상에 형성된 전극(2) 및 (3)을 지닌다.정특성 서미스터 소자(1)은 내부영역(4) 및 외부영역(5) 및 (6)을 포함하고, 외부영역(5) 및 (6)의 다공성 점유율이 내부영역(4)의 다공성 점유율 보다 높게 설정된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1양태에 따른 정특성 서미스터 장치의 구조를 나타내는 측단면도이다. 제2도는 본 발명의 제2양태에 따른 정특성 서미스터 장치의 구조를 나타내는 측단면도이다. 제3도는 본 발명의 제3양태에 따른 정특성 서미스터 장치를 구조를 나타내는 측단면도이다. 제4도는 종래의 정특성 서미스터 장치의 구조를 나타내는 측단면도이다.
Claims (20)
- 정특성 서미스터 소자가 내부영역 및 외부영역을 포함하고, 상기 외부영역의 다공성 점유율이 내부영역의 다공성 점유율 보다 높게 설정되도록 하고, 상기 정특성 서미스터 소자, 및 정특성 서미스터 소자의 주표면상에 형성된 전극을 포함함을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
- 제1항에 있어서, 외부영역이 내부영역과 한 전극 사이의 일부의 정특성 서미스터 소자, 및 내부영역과 다른 전극 사이의 다른 부분의 정특성 서미스터 소자를 포함함을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
- 제2항에 있어서, 정특성 서미스터 소자 부분이 평면층 형태임을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
- 제1항에 있어서, 정특성 서미스터 소자가 두께 방향으로 외부영역을 포함하는 부분과 내부영역을 포함하는 부분으로 분할됨을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
- 제1항에 있어서, 외부영역이 정특성 서미스터 소자의 주위 부분을 포함하고, 내부영역이 정특성 서미스터 소자의 중심부분을 포함함을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
- 제4항에 있어서, 내부가 실린더 모양이고, 외부가 고리 모양임을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
- 제1항에 있어서, 외부영역이 내부영역을 완전히 둘러싸고 있음을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
- 다공성 점유율이 연속적으로 증가하도록 설정되어, 외부층의 다공성 점유율이 내부층의 다공성 점유율에 비해 높은 다공성 점유율을 지니도록 하고, 정특성 서미스터 소자, 및 정특성 서미스터 소자의 주표면상에 형성된 전극을 포함함을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
- 제8항에 있어서, 층이 판임을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
- 제8항에 있어서, 층이 실린더 환-모양의 층임을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
- 제8항에 있어서, 외부층이 내부층을 둘러싸고 있음을 특징으로 하는 정특성 서미스터 장치.
- 서미스터 소자가 내부영역 및 외부영역을 포함하고, 외부영역의 다공성 점유율이 내부영역의 다공성 점유율 보다 높게 설정되도록 하고, 상기 서미스터 소자, 및 서미스터 소자의 표면상에 형성된 전극을 포함함을 특징으로 하는 서미스터 장치.
- 제1서미스터 재료를 제조하고, 제2서미스터 재료를 제조하며, 제1 및 제2서미스터 재료를 성형하고, 성형된 소자를 소성(燒成)시켜 정특성 서미스터 소자를 생성시키는 단계를 포함함을 특징으로 하여 정특성 서미스터 소자를 제조하는 방법.
- 제13항에 있어서, 제2서미스터 재료를 제조하는 단계가 제1서미스터 재료에 수지비드를 첨가함을 포함하는 방법.
- 제13항에 있어서, 제2서미스터 재료를 제조하는 단계가 제1서미스터 재료에 직경이 약 10 내지 30㎛이고 폴리메틸메타크릴레이트를 포함한 약 2중량%의 구형 수지비드를 첨가함을 포함하는 방법.
- 제13항에 있어서, 제2서미스터 재료를 제조하는 단계가 제1서미스터 재료에 소성(燒成) 단계에서 연소되어 사라지는 주성분을 지닌 물질을 첨가함을 포함하는 방법.
- 제13항에 있어서, 제2서미스터 재료를 제조하는 단계가 소성(燒成) 단계에서 연소되어 사라지는 주성분을 지니고 제1서미스터 재료에 존재하는 세공보다 큰 세공을 형성시키는 모양 및 직경을 지니는 물질을 제1서미스터 재료에 첨가함을 포함하는 방법.
- 제13항에 있어서, 성형단계가 건식 압축기계의 일부를 구성하는 모울드에 소정량의 제2서미스터 재료를 위치시키고; 모울드내의 제2서미스터 재료를 압축하여 제1부분을 형성시키며; 소정량의 제1서미스터 재료를 압축된 제1부분상에 위치시키고, 모울드내의 제1 및 제2서미스터 재료를 압축하여 결합된 제1 및 제2부분을 형성시키며, 결합된 제1 및 제2부분상에 소정량의 제2서미스터 재료를 위치시키고, 모울드내의 제1 및 제2재료를 압축하여 정특성 서미스터 소자를 형성시키는 단계를 포함하는 방법.
- 제18항에 있어서, 모울드내의 제1 및 제2재료를 압축하여 정특성 서미스터 소자를 형성시키는 단계가 다른 압축단계 보다 높은 압력에서 수행됨을 특징으로 하는 방법.
- 제13항에 있어서, 제2서미스터 재료를 제조하는 단계가 소성(燒成) 단계에서 연소되어 사라지는 주성분을 지니고 제1서미스터 재료에 존재하는 세공수 보다 더 많은 세공수를 형성시키는 모양 및 직경을 지니는 물질을 제1서미스터 재료에 첨가함을 포함하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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