JPH04333295A - 電歪効果素子およびその製造方法 - Google Patents
電歪効果素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH04333295A JPH04333295A JP3102941A JP10294191A JPH04333295A JP H04333295 A JPH04333295 A JP H04333295A JP 3102941 A JP3102941 A JP 3102941A JP 10294191 A JP10294191 A JP 10294191A JP H04333295 A JPH04333295 A JP H04333295A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- insulating layer
- layer
- electrode conductor
- effect element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 100
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/872—Interconnections, e.g. connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
- H01L2224/48139—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
Landscapes
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電歪効果素子およびそ
の製造方法に関し、特に積層型の電歪効果素子およびそ
の製造方法に関する。
の製造方法に関し、特に積層型の電歪効果素子およびそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の電歪効果素子の一例を図
２に示す。この電歪効果素子の構造は図に示すように、
銀−パラジウム合金を用いた内部電極導体層１と電歪セ
ラミック部材２とを交互に積層して積層体を形成し、次
にこの積層体の対向する側面に露出した内部電極導体層
１のそれぞれの端面に、左右互い違いに一層おきにガラ
ス絶縁層３を形成し、続いてこの上に内部電極導体層１
を電気的に接続するために、焼成タイプの銀ペーストよ
りなる帯状の外部電極導体層４を形成し、さらにリード
線５をはんだ付けした構造になっている。この電歪効果
素子の特徴は、ガラス絶縁層３が設けられていることで
ある。なおこの構造のものには、外部電極導体層焼成時
のガラス絶縁層への銀の拡散を防止しストレスを緩和す
るために、外部電極導体層４を焼成タイプから硬化タイ
プに改善したものがある。
２に示す。この電歪効果素子の構造は図に示すように、
銀−パラジウム合金を用いた内部電極導体層１と電歪セ
ラミック部材２とを交互に積層して積層体を形成し、次
にこの積層体の対向する側面に露出した内部電極導体層
１のそれぞれの端面に、左右互い違いに一層おきにガラ
ス絶縁層３を形成し、続いてこの上に内部電極導体層１
を電気的に接続するために、焼成タイプの銀ペーストよ
りなる帯状の外部電極導体層４を形成し、さらにリード
線５をはんだ付けした構造になっている。この電歪効果
素子の特徴は、ガラス絶縁層３が設けられていることで
ある。なおこの構造のものには、外部電極導体層焼成時
のガラス絶縁層への銀の拡散を防止しストレスを緩和す
るために、外部電極導体層４を焼成タイプから硬化タイ
プに改善したものがある。
【０００３】さらに、図２に示した電歪効果素子の改良
型として、図３に示す構造のものがある。この電歪効果
素子には、図２に示すガラス絶縁層３が用いられていな
い。すなわちこの電界効果素子の構造は、対向する側面
に露出したそれぞれの内部電極導体層１の端面上に、左
右互い違いに一層おきに、内部電極導体層と電気的に接
続するランド状導体６を形成し、続いて、これらランド
状導体６をそれぞれの側面上で電気的に接続するように
ワイヤー７をワイヤーボンディングで溶接し、さらに、
リード線５をはんだ付けした構造になっている。つまり
、図３に示す構造にすることにより、図２に示したよう
なガラス絶縁層３を廃止することができる。
型として、図３に示す構造のものがある。この電歪効果
素子には、図２に示すガラス絶縁層３が用いられていな
い。すなわちこの電界効果素子の構造は、対向する側面
に露出したそれぞれの内部電極導体層１の端面上に、左
右互い違いに一層おきに、内部電極導体層と電気的に接
続するランド状導体６を形成し、続いて、これらランド
状導体６をそれぞれの側面上で電気的に接続するように
ワイヤー７をワイヤーボンディングで溶接し、さらに、
リード線５をはんだ付けした構造になっている。つまり
、図３に示す構造にすることにより、図２に示したよう
なガラス絶縁層３を廃止することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した３つの従来の
電歪効果素子のうち第１番目のものは、銀系の導電ペー
ストを印刷・焼成して外部電極導体層４を形成している
。この場合、導電ペーストの焼成温度（約６００℃前後
）が、ガラス絶縁層３として用いているガラス焼成温度
（約６２０℃前後）に近いので、導電ペーストの焼成の
際にガラス絶縁層３中に銀が拡散して行く。このためこ
の構造の電歪効果素子では、ガラス絶縁層３の電気絶縁
特性が劣化しやすい。この現象は、雰囲気中の湿度が高
いと特に顕著であり、はなはだしい場合には使用中に絶
縁破壊を起してしまう。
電歪効果素子のうち第１番目のものは、銀系の導電ペー
ストを印刷・焼成して外部電極導体層４を形成している
。この場合、導電ペーストの焼成温度（約６００℃前後
）が、ガラス絶縁層３として用いているガラス焼成温度
（約６２０℃前後）に近いので、導電ペーストの焼成の
際にガラス絶縁層３中に銀が拡散して行く。このためこ
の構造の電歪効果素子では、ガラス絶縁層３の電気絶縁
特性が劣化しやすい。この現象は、雰囲気中の湿度が高
いと特に顕著であり、はなはだしい場合には使用中に絶
縁破壊を起してしまう。
【０００５】これに対して、上記の欠点を改善するため
に外部電極導体層４の材料として、焼成タイプの導電ペ
ーストの代わりに硬化タイプの導電ペースト（硬化温度
；常温〜１５０℃）を用い、外部電極導体層４の形成温
度を下げて銀の拡散が起らないようにしたのが第２番目
の電歪効果素子である。この電歪効果素子では、銀の拡
散によるガラス絶縁層３の絶縁特性劣化現象は確かに改
善される。ところが硬化タイプの導電ペーストは、樹脂
中に金属粒子を分散したような構造になっており、焼成
タイプと比較すると抵抗がかなり大きく、内部電極導体
層１と十分低い抵抗で電気的に接続させるためには、内
部電極導体層１との接触面積を大きくとらなければなら
ない。一方、積層型の電歪効果素子の場合、外部電極導
体層４に接続する内部電極導体層１の厚さは１０μｍ以
下と非常に薄い。このため外部電極導体層４に硬化タイ
プの導電ペーストを用いた第２番目の電歪効果素子では
、外部電極導体層４と内部電極導体層１との接触抵抗が
大きくなり、素子の特性としては誘電正接（ｔａｎδ）
が大きくなる。この結果、変位応答速度が焼成タイプの
導電ペーストを用いた第１番目のものに比べて遅くなり
、パルス的に駆動させるような用途に対して不利となる
。
に外部電極導体層４の材料として、焼成タイプの導電ペ
ーストの代わりに硬化タイプの導電ペースト（硬化温度
；常温〜１５０℃）を用い、外部電極導体層４の形成温
度を下げて銀の拡散が起らないようにしたのが第２番目
の電歪効果素子である。この電歪効果素子では、銀の拡
散によるガラス絶縁層３の絶縁特性劣化現象は確かに改
善される。ところが硬化タイプの導電ペーストは、樹脂
中に金属粒子を分散したような構造になっており、焼成
タイプと比較すると抵抗がかなり大きく、内部電極導体
層１と十分低い抵抗で電気的に接続させるためには、内
部電極導体層１との接触面積を大きくとらなければなら
ない。一方、積層型の電歪効果素子の場合、外部電極導
体層４に接続する内部電極導体層１の厚さは１０μｍ以
下と非常に薄い。このため外部電極導体層４に硬化タイ
プの導電ペーストを用いた第２番目の電歪効果素子では
、外部電極導体層４と内部電極導体層１との接触抵抗が
大きくなり、素子の特性としては誘電正接（ｔａｎδ）
が大きくなる。この結果、変位応答速度が焼成タイプの
導電ペーストを用いた第１番目のものに比べて遅くなり
、パルス的に駆動させるような用途に対して不利となる
。
【０００６】さらに、第１番目の電歪効果素子の欠点を
改善するために、第３番目に述べた電歪効果素子のよう
に、ランド状の導体にし、これらをワイヤー７で接続す
ることによってガラス絶縁層３を廃止した構造のものが
あるが、この構造では、素子を駆動させた時にワイヤー
７に折り曲げ方向の力が加わるので、繰り返し駆動させ
た場合には、ワイヤー７が疲労して切断してしまうこと
がある。また、外装しないで裸の状態の時にはワイヤー
７が素子の表面に露出しているので、ワイヤー７を引っ
掛けて切断してしまったり、曲がったワイヤー７が対向
側の電極に触れてショートしたりするなど取り扱い上の
問題もある。
改善するために、第３番目に述べた電歪効果素子のよう
に、ランド状の導体にし、これらをワイヤー７で接続す
ることによってガラス絶縁層３を廃止した構造のものが
あるが、この構造では、素子を駆動させた時にワイヤー
７に折り曲げ方向の力が加わるので、繰り返し駆動させ
た場合には、ワイヤー７が疲労して切断してしまうこと
がある。また、外装しないで裸の状態の時にはワイヤー
７が素子の表面に露出しているので、ワイヤー７を引っ
掛けて切断してしまったり、曲がったワイヤー７が対向
側の電極に触れてショートしたりするなど取り扱い上の
問題もある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の電歪効果素子は
、電歪セラミック部材と内部電極導体層とが交互に積層
された積層体と、この積層体の相対する一組の側面に露
出する内部電極導体層の露出部を交互に一層おきに絶縁
する絶縁層と、この絶縁層が形成された側面上に設けら
れ、内部電極導体層の露出部を、隣り合う内部電極導体
層同志が互いに対向電極となるように電気的に接続する
外部電極導体層とを含む電歪効果素子であって、前述し
た外部電極導体層は、絶縁層が設けられた側面に露出す
る内部電極導体層の露出部を覆って、しかも絶縁層に接
触しないように設けられた第１の導体部と、絶縁層と第
１の導体部とが形成された側面上に設けられ、第１の導
体部の間を電気的に接続する第２の導体部とからなり、
この第２の導体部が、成分金属の絶縁層への拡散開始温
度以下の温度で形成されることを特徴とする。
、電歪セラミック部材と内部電極導体層とが交互に積層
された積層体と、この積層体の相対する一組の側面に露
出する内部電極導体層の露出部を交互に一層おきに絶縁
する絶縁層と、この絶縁層が形成された側面上に設けら
れ、内部電極導体層の露出部を、隣り合う内部電極導体
層同志が互いに対向電極となるように電気的に接続する
外部電極導体層とを含む電歪効果素子であって、前述し
た外部電極導体層は、絶縁層が設けられた側面に露出す
る内部電極導体層の露出部を覆って、しかも絶縁層に接
触しないように設けられた第１の導体部と、絶縁層と第
１の導体部とが形成された側面上に設けられ、第１の導
体部の間を電気的に接続する第２の導体部とからなり、
この第２の導体部が、成分金属の絶縁層への拡散開始温
度以下の温度で形成されることを特徴とする。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明の最適な実施例について、図
面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施例
の電歪効果素子を示す斜視図である。
面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施例
の電歪効果素子を示す斜視図である。
【０００９】この電歪効果素子８は、電歪セラミック部
材２と銀−パラジウム内部電極導体層１とを交互に重ね
合わせた積層体と、銀−パラジウム内部電極導体層１の
それぞれの端面上に左右交互に形成されたガラス絶縁層
３と、ガラス絶縁層３が形成された側面において、ガラ
ス絶縁されていない内部電極導体層の端面上に、隣りの
ガラス絶縁層３に接触しないように形成されたランド状
導体６と、このランド状導体６が形成された側面上にお
いて、ランド状導体６相互の間を電気的に接続するよう
に形成された帯状導体９と、リード線５とを含む。
材２と銀−パラジウム内部電極導体層１とを交互に重ね
合わせた積層体と、銀−パラジウム内部電極導体層１の
それぞれの端面上に左右交互に形成されたガラス絶縁層
３と、ガラス絶縁層３が形成された側面において、ガラ
ス絶縁されていない内部電極導体層の端面上に、隣りの
ガラス絶縁層３に接触しないように形成されたランド状
導体６と、このランド状導体６が形成された側面上にお
いて、ランド状導体６相互の間を電気的に接続するよう
に形成された帯状導体９と、リード線５とを含む。
【００１０】本実施例の電歪効果素子８は、以下のよう
にして作られる。まずペロブスカイト結晶構造をもつ多
成分固溶体セラミックの粉末（例えば、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔ
ｉ）Ｏ３ ）に有機バインダー（例えば、ポリビニル・
ブチラール樹脂）の粉末を混合してグリーンシートを作
り、この上に銀−パラジウムペーストを印刷・塗布した
後、６０〜８０層積層して、高温焼結（例えば、１００
０℃以上）を行なうことによって、積層体を形成する。
にして作られる。まずペロブスカイト結晶構造をもつ多
成分固溶体セラミックの粉末（例えば、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔ
ｉ）Ｏ３ ）に有機バインダー（例えば、ポリビニル・
ブチラール樹脂）の粉末を混合してグリーンシートを作
り、この上に銀−パラジウムペーストを印刷・塗布した
後、６０〜８０層積層して、高温焼結（例えば、１００
０℃以上）を行なうことによって、積層体を形成する。
【００１１】次に、この積層体の対向する側面に露出し
た内部電極導体層１の端面に、電気泳動法によりガラス
粉末を塗布し焼結して、ガラス絶縁層３を形成する。対
向するもう一方の側面についても、同様に内部電極導体
層１の断面に、前述のガラス絶縁層３とは互い違いにな
るように電気泳動法によりガラス粉末を塗布し焼成して
、ガラス絶縁層３を形成する。
た内部電極導体層１の端面に、電気泳動法によりガラス
粉末を塗布し焼結して、ガラス絶縁層３を形成する。対
向するもう一方の側面についても、同様に内部電極導体
層１の断面に、前述のガラス絶縁層３とは互い違いにな
るように電気泳動法によりガラス粉末を塗布し焼成して
、ガラス絶縁層３を形成する。
【００１２】次に、ガラス絶縁層３が形成された側面の
一方の面上に、ガラス絶縁層３にかからないように焼成
タイプの銀ペーストを印刷し乾燥した後、もう一方の面
上に同様にして銀ペーストを印刷・乾燥し、約６００℃
で両面同時に焼成することにより、ランド状導体６を形
成する。
一方の面上に、ガラス絶縁層３にかからないように焼成
タイプの銀ペーストを印刷し乾燥した後、もう一方の面
上に同様にして銀ペーストを印刷・乾燥し、約６００℃
で両面同時に焼成することにより、ランド状導体６を形
成する。
【００１３】続いて、ランド状導体６が形成された面に
おいて、銀粒子を含んだエポキシ樹脂系の硬化型導電ペ
ーストを帯状に印刷した後、１５０℃，１時間の条件で
硬化して、帯状導体９を形成する。次に、リード線５を
はんだ付けして本実施例の電歪効果素子を完成する。
おいて、銀粒子を含んだエポキシ樹脂系の硬化型導電ペ
ーストを帯状に印刷した後、１５０℃，１時間の条件で
硬化して、帯状導体９を形成する。次に、リード線５を
はんだ付けして本実施例の電歪効果素子を完成する。
【００１４】次に本発明の第２の実施例について説明す
る。本実施例が第１の実施例と異なる点は、図１におい
て、ランド状導体６を接続する帯状導体９として、金の
蒸着膜を用いている点である。
る。本実施例が第１の実施例と異なる点は、図１におい
て、ランド状導体６を接続する帯状導体９として、金の
蒸着膜を用いている点である。
【００１５】本実施例においては、ランド状導体６が形
成されている対向する２つの側面のうち、まず一方の面
でランド状導体６を電気的に接続するように、イオンビ
ーム方式で金を５μｍの厚さに蒸着して帯状導体９を形
成し、次にもう一方の面においても同様にして、ランド
状導体６を電気的に接続するように金を蒸着して帯状導
体９を形成する。なお本実施例ではイオンビーム方式に
よる蒸着膜を用いたが、本発明はこれに限られるもので
はない。抵抗加熱方式や電子ビーム方式など他の方式に
よる蒸着膜であってもよい。またスパッタなどの他の物
理気相成長法によって形成された金属膜であっても本実
施例と同様の効果が得られる。
成されている対向する２つの側面のうち、まず一方の面
でランド状導体６を電気的に接続するように、イオンビ
ーム方式で金を５μｍの厚さに蒸着して帯状導体９を形
成し、次にもう一方の面においても同様にして、ランド
状導体６を電気的に接続するように金を蒸着して帯状導
体９を形成する。なお本実施例ではイオンビーム方式に
よる蒸着膜を用いたが、本発明はこれに限られるもので
はない。抵抗加熱方式や電子ビーム方式など他の方式に
よる蒸着膜であってもよい。またスパッタなどの他の物
理気相成長法によって形成された金属膜であっても本実
施例と同様の効果が得られる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電歪効果
素子では、外部電極導体層として、内部電極導体層との
接続には、焼成タイプの導電ペーストをガラス絶縁層に
かからないようにランド状に塗布・焼成して形成したラ
ンド状導体を用い、これらのランド状導体相互間の接続
には、樹脂硬化タイプの導電ペーストや蒸着による金な
どを用いて低温で形成した帯状導体を用いている。この
ため、ランド状導体間の接続に変形しやすいワイヤーを
用いる必要がないにもかかわらず、外部電極導体層と内
部電極導体層との接触抵抗を低く保ったままでガラス絶
縁層への銀の拡散を防ぐことができる。
素子では、外部電極導体層として、内部電極導体層との
接続には、焼成タイプの導電ペーストをガラス絶縁層に
かからないようにランド状に塗布・焼成して形成したラ
ンド状導体を用い、これらのランド状導体相互間の接続
には、樹脂硬化タイプの導電ペーストや蒸着による金な
どを用いて低温で形成した帯状導体を用いている。この
ため、ランド状導体間の接続に変形しやすいワイヤーを
用いる必要がないにもかかわらず、外部電極導体層と内
部電極導体層との接触抵抗を低く保ったままでガラス絶
縁層への銀の拡散を防ぐことができる。
【００１７】従って本発明によれば、ガラス絶縁物への
銀の拡散による絶縁劣化が起らず、しかもパルス的に電
圧を印加して駆動するような用途にも十分使用すること
が可能な、信頼性および電気特性に優れた電歪効果素子
を提供することができる。
銀の拡散による絶縁劣化が起らず、しかもパルス的に電
圧を印加して駆動するような用途にも十分使用すること
が可能な、信頼性および電気特性に優れた電歪効果素子
を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施例および第２の実施例の構
造を示す斜視図である。
造を示す斜視図である。
【図２】従来の電歪効果素子の第１の例および第２の例
の構造を示す斜視図である。
の構造を示す斜視図である。
【図３】従来の電歪効果素子の第３例の構造を示す斜視
図である。
図である。
１ 内部電極導体層
２ 電歪セラミック部材
３ ガラス絶縁層
４ 外部電極導体層
５ リード線
６ ランド状導体
７ ワイヤー
８ 電歪効果素子
９ 帯状導体
Claims (8)
- 【請求項１】 電歪セラミック部材と内部電極導体層
とが交互に積層された積層体と、前記積層体の相対する
一組の側面に露出する前記内部電極導体層の露出部を交
互に一層おきに絶縁する絶縁層と、前記絶縁層が形成さ
れた側面上に設けられ、内部電極導体層の露出部を、隣
り合う内部電極導体層同志が互いに対向電極となるよう
に電気的に接続する外部電極導体層とを含む電歪効果素
子において、前記外部電極導体層は、前記絶縁層が設け
られた側面に露出する内部電極導体層の露出部を覆う、
前記絶縁層に接触しないように設けられた第１の導体部
と、前記絶縁層と前記第１の導体部とが形成された側面
上に設けられ、前記第１の導体部間を電気的に接続する
第２の導体部とからなることを特徴とする電歪効果素子
。 - 【請求項２】 請求項１記載の電歪効果素子において
、前記第２の導体部は成分金属の前記絶縁層への拡散開
始温度以下の温度で形成されることを特徴とする電歪効
果素子。 - 【請求項３】 請求項２記載の電歪効果素子において
、前記第２の導体部は樹脂硬化型の導電ペーストからな
ることを特徴とする電歪効果素子。 - 【請求項４】 請求項３記載の電歪効果素子において
、前記樹脂硬化型の導電ペーストは、少なくとも銀およ
び銀の合金のいずれか一方を主成分とすることを特徴と
する電歪効果素子。 - 【請求項５】 請求項２記載の電歪効果素子において
、前記第２の導体部は、物理気相成長法により形成され
た金属膜からなることを特徴とする電歪効果素子。 - 【請求項６】 請求項１記載の電歪効果素子において
、前記第１の導体部は焼成型の導電ペーストからなるこ
とを特徴とする電歪効果素子。 - 【請求項７】 請求項１記載の電歪効果素子において
、前記焼成型のペーストは、少なくとも銀および銀の合
金のいずれか一方を主成分とすることを特徴とする電歪
効果素子。 - 【請求項８】 電歪セラミック部材と内部電極導体層
とが交互に積層された積層体を得る工程と、前記積層体
の相対する一組の側面に露出する前記内部電極導体層の
露出部を交互に一層おきに絶縁する絶縁層を形成する工
程と、前記絶縁層が形成された側面上に設けられ、内部
電極導体層の露出部を、隣り合う内部電極導体層同志が
互いに対向電極となるように電気的に接続する外部電極
導体層を形成する工程とを含む電歪効果素子の製造方法
において、前記外部電極導体層形成工程では、前記絶縁
物が設けられた側面上に、この側面への内部電極導体層
の露出部を覆い、前記絶縁物に接触しないように第１の
導体部を形成し、前記絶縁物と前記第１の導体部とが形
成された側面上に、前記第１の導体部間を電気的に接続
する第２の導体部を形成することを特徴とする電歪効果
素子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3102941A JPH04333295A (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 電歪効果素子およびその製造方法 |
| US08/351,549 US5523645A (en) | 1991-05-09 | 1994-12-07 | Electrostrictive effect element and methods of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3102941A JPH04333295A (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 電歪効果素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04333295A true JPH04333295A (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=14340858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3102941A Pending JPH04333295A (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 電歪効果素子およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5523645A (ja) |
| JP (1) | JPH04333295A (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09261978A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Nippon Cement Co Ltd | 積層体素子および振動駆動装置 |
| JP3266031B2 (ja) * | 1996-04-18 | 2002-03-18 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子およびそれを用いた電子部品 |
| JP3271517B2 (ja) * | 1996-04-05 | 2002-04-02 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子およびそれを用いた電子部品 |
| US6016024A (en) * | 1996-04-05 | 2000-01-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric component |
| US5939819A (en) * | 1996-04-18 | 1999-08-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and ladder filter |
| JPH1079639A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-03-24 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子およびそれを用いた電子部品 |
| JPH1084244A (ja) * | 1996-07-18 | 1998-03-31 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子およびそれを用いた電子部品 |
| JP3271541B2 (ja) * | 1996-07-26 | 2002-04-02 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子およびそれを用いた電子部品 |
| JP3577170B2 (ja) * | 1996-08-05 | 2004-10-13 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子とその製造方法およびそれを用いた電子部品 |
| JPH10107579A (ja) * | 1996-08-06 | 1998-04-24 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品 |
| JPH10126203A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-05-15 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子およびそれを用いた電子部品 |
| JP3267171B2 (ja) * | 1996-09-12 | 2002-03-18 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子およびそれを用いた電子部品 |
| JPH10126202A (ja) * | 1996-10-23 | 1998-05-15 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子およびそれを用いた電子部品 |
| JP3271538B2 (ja) * | 1996-11-28 | 2002-04-02 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子およびそれを用いた電子部品 |
| JPH10223936A (ja) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Minolta Co Ltd | 積層型圧電素子の製造方法 |
| DE10006352A1 (de) * | 2000-02-12 | 2001-08-30 | Bosch Gmbh Robert | Piezoelektrischer Keramikkörper mit silberhaltigen Innenelektroden |
| EP1143534B1 (en) * | 2000-03-29 | 2004-05-26 | Nec Tokin Ceramics Corporation | Multilayer piezoelectric actuator with electrodes reinforced in conductivity |
| EP1277243B1 (de) * | 2000-04-27 | 2012-01-04 | Endress + Hauser GmbH + Co. KG | Piezokeramischer mehrschichtbauteil für messgeräte sowie dessen herstellungsverfahren |
| DE10147898A1 (de) * | 2001-09-28 | 2003-04-30 | Epcos Ag | Elektrochemisches Bauelement mit mehreren Kontaktflächen |
| DE10207530A1 (de) * | 2002-02-22 | 2003-09-11 | Epcos Ag | Piezoaktor mit strukturierter Außenelektrode |
| DE102006007306B3 (de) * | 2006-02-16 | 2007-09-13 | Siemens Ag | Elektrische Anordnung mit einer Drahtverbindungsanordnung und Verfahren zum Herstellen einer derartigen elektrischen Anordnung |
| DE102007004893B4 (de) * | 2007-01-31 | 2015-09-24 | Continental Automotive Gmbh | Piezoelektrischer Vielschichtaktor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE102007058873A1 (de) * | 2007-12-06 | 2009-06-10 | Siemens Ag | Piezoelektrisches Bauteil mit Außenkontaktierung, die eine Gasphasen-Abscheidung aufweist, Verfahren zum Herstellen des Bauteils und Verwendung des Bauteils |
| JP5235090B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2013-07-10 | 富士フイルム株式会社 | 積層型圧電素子及びその製造方法 |
| DE102010063385A1 (de) * | 2010-12-17 | 2012-06-21 | Robert Bosch Gmbh | Piezoaktor |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62211974A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-17 | Hitachi Metals Ltd | 積層型圧電素子およびその製造方法 |
| US4803763A (en) * | 1986-08-28 | 1989-02-14 | Nippon Soken, Inc. | Method of making a laminated piezoelectric transducer |
-
1991
- 1991-05-09 JP JP3102941A patent/JPH04333295A/ja active Pending
-
1994
- 1994-12-07 US US08/351,549 patent/US5523645A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5523645A (en) | 1996-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04333295A (ja) | 電歪効果素子およびその製造方法 | |
| JPH0732273B2 (ja) | 電歪効果素子 | |
| JP2000082603A (ja) | チップ型サ―ミスタおよびその製造方法 | |
| JPH04340778A (ja) | 積層圧電アクチュエータ素子 | |
| JPH04159785A (ja) | 電歪効果素子 | |
| JPS63153870A (ja) | 電歪効果素子 | |
| JPH0666483B2 (ja) | 電歪効果素子 | |
| US4245210A (en) | Thick film resistor element and method of fabricating | |
| JP2798136B2 (ja) | サーミスタ | |
| JPH0476969A (ja) | 電歪効果素子 | |
| JP2000252537A (ja) | 積層型圧電セラミック | |
| JPS6380585A (ja) | 電歪効果素子 | |
| JP2536101B2 (ja) | 電歪効果素子 | |
| JP3058305B2 (ja) | サーミスタ及びその製造方法 | |
| JPH0256822B2 (ja) | ||
| JPH04337682A (ja) | 圧電効果素子および電歪効果素子 | |
| JP2613408B2 (ja) | 積層型圧電アクチュエータ | |
| JPH05335643A (ja) | 電歪効果素子 | |
| JPH0534122Y2 (ja) | ||
| JPH04268775A (ja) | 電歪効果素子 | |
| JPH01194479A (ja) | 積層熱電素子およびその製造方法 | |
| JPH04237172A (ja) | 電歪効果素子 | |
| JPH1012404A (ja) | 積層型ｐｔｃサーミスタ及びその製造方法 | |
| JP2504226B2 (ja) | 積層型バリスタ | |
| JP4373904B2 (ja) | 積層型圧電素子 |