JPH11135302A - 正特性サーミスタ - Google Patents
正特性サーミスタInfo
- Publication number
- JPH11135302A JPH11135302A JP9293090A JP29309097A JPH11135302A JP H11135302 A JPH11135302 A JP H11135302A JP 9293090 A JP9293090 A JP 9293090A JP 29309097 A JP29309097 A JP 29309097A JP H11135302 A JPH11135302 A JP H11135302A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- electrode
- positive temperature
- coefficient thermistor
- heat generation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims abstract description 44
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/18—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material comprising a plurality of layers stacked between terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 正特性サーミスタのフラッシュ耐圧特性を向
上させる。 【解決手段】 正特性サーミスタ２１の素子本体２２の
主面２３，２４上に形成される電極２６，２７の一方に
ギャップ２８を形成し、素子本体２２の側面２５での電
流密度が、ギャップ２８を形成した電極２６側において
相対的に低くなるようにして、発熱ピークが他方の電極
２７側にずれるようにしたり、素子本体の厚み方向に関
して２分割される第１および第２の領域が互いに異なる
比抵抗を有するようにして、高抵抗側の領域において発
熱ピークが現れるようにしたりして、素子本体２２の発
熱初期に現れる側面２５での発熱ピーク位置を、素子本
体２２の厚み方向の中央部からずらす。これによって、
素子本体２２の厚み方向の中央部での発熱集中がなくな
り、フラッシュ耐圧が向上する。
上させる。 【解決手段】 正特性サーミスタ２１の素子本体２２の
主面２３，２４上に形成される電極２６，２７の一方に
ギャップ２８を形成し、素子本体２２の側面２５での電
流密度が、ギャップ２８を形成した電極２６側において
相対的に低くなるようにして、発熱ピークが他方の電極
２７側にずれるようにしたり、素子本体の厚み方向に関
して２分割される第１および第２の領域が互いに異なる
比抵抗を有するようにして、高抵抗側の領域において発
熱ピークが現れるようにしたりして、素子本体２２の発
熱初期に現れる側面２５での発熱ピーク位置を、素子本
体２２の厚み方向の中央部からずらす。これによって、
素子本体２２の厚み方向の中央部での発熱集中がなくな
り、フラッシュ耐圧が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、正特性サーミス
タに関するもので、特に、正特性サーミスタのフラッシ
ュ耐圧を向上させるための発熱挙動の改良に関するもの
である。
タに関するもので、特に、正特性サーミスタのフラッシ
ュ耐圧を向上させるための発熱挙動の改良に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】正特性サーミスタは、過電流保護、消
磁、あるいはモータ・スタータ等の用途に向けられると
き、高いフラッシュ耐圧を有していることが要求され
る。図３は、従来の典型的な正特性サーミスタ１を示し
ている。この正特性サーミスタ１は、図３（１）に斜視
図で示し、かつ図３（２）に正面図で示すように、たと
えば円板状の素子本体２を備える。素子本体２は、相対
向する２つの主面３および４ならびにこれら主面３およ
び４の各周縁間を連結するように厚み方向に延びる側面
５を有する。素子本体２の主面３および４上には、電極
６および７がそれぞれ形成されている。
磁、あるいはモータ・スタータ等の用途に向けられると
き、高いフラッシュ耐圧を有していることが要求され
る。図３は、従来の典型的な正特性サーミスタ１を示し
ている。この正特性サーミスタ１は、図３（１）に斜視
図で示し、かつ図３（２）に正面図で示すように、たと
えば円板状の素子本体２を備える。素子本体２は、相対
向する２つの主面３および４ならびにこれら主面３およ
び４の各周縁間を連結するように厚み方向に延びる側面
５を有する。素子本体２の主面３および４上には、電極
６および７がそれぞれ形成されている。
【０００３】図４は、他の従来の正特性サーミスタ１１
を示している。この正特性サーミスタ１１は、図４
（１）に斜視図で示し、かつ図４（２）に正面図で示す
ように、たとえば円板状の素子本体１２を備える。素子
本体１２は、相対向する２つの主面１３および１４なら
びにこれら主面１３および１４の各周縁間を連結するよ
うに厚み方向に延びる側面１５を有する。素子本体１２
の主面１３および１４上には、電極１６および１７がそ
れぞれ形成されている。
を示している。この正特性サーミスタ１１は、図４
（１）に斜視図で示し、かつ図４（２）に正面図で示す
ように、たとえば円板状の素子本体１２を備える。素子
本体１２は、相対向する２つの主面１３および１４なら
びにこれら主面１３および１４の各周縁間を連結するよ
うに厚み方向に延びる側面１５を有する。素子本体１２
の主面１３および１４上には、電極１６および１７がそ
れぞれ形成されている。
【０００４】また、図４に示した正特性サーミスタ１１
では、たとえば特開平９−１７６０６号公報にも記載さ
れるように、素子本体１２は、その厚み方向に関して、
内部領域１８とこれを挟む外部領域１９および２０とに
３分割され、外部領域１９および２０は、内部領域１８
より高い比抵抗を有するようにされる。
では、たとえば特開平９−１７６０６号公報にも記載さ
れるように、素子本体１２は、その厚み方向に関して、
内部領域１８とこれを挟む外部領域１９および２０とに
３分割され、外部領域１９および２０は、内部領域１８
より高い比抵抗を有するようにされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図３に示した正特性サ
ーミスタ１では、電極６および７間へ電圧を印加したと
き、素子本体２の発熱初期に現れる側面５での発熱ピー
ク位置は、図３（３）に示すように、主面３および４間
距離を２等分する厚み方向の中央部に存在するため、発
熱がこの中央部に集中する。その結果、素子本体２の厚
み方向の中央部に比較的大きな引っ張り応力がかかるよ
うになり、そのため、フラッシュ耐圧特性が悪く、素子
本体２が破壊されやすい。
ーミスタ１では、電極６および７間へ電圧を印加したと
き、素子本体２の発熱初期に現れる側面５での発熱ピー
ク位置は、図３（３）に示すように、主面３および４間
距離を２等分する厚み方向の中央部に存在するため、発
熱がこの中央部に集中する。その結果、素子本体２の厚
み方向の中央部に比較的大きな引っ張り応力がかかるよ
うになり、そのため、フラッシュ耐圧特性が悪く、素子
本体２が破壊されやすい。
【０００６】これに対して、図４に示した正特性サーミ
スタ１１では、外部領域１９および２０が内部領域１８
より高い比抵抗を有しているので、電極１６および１７
間へ電圧を印加したとき、素子本体１２の発熱初期に現
れる側面１５での発熱ピークは、図４（３）に示すよう
に、２つ現れ、これら２つの発熱ピークは、バランス良
く分離して厚み方向の両端部に移るようになる。そのた
め、フラッシュ耐圧特性の向上が図られる。
スタ１１では、外部領域１９および２０が内部領域１８
より高い比抵抗を有しているので、電極１６および１７
間へ電圧を印加したとき、素子本体１２の発熱初期に現
れる側面１５での発熱ピークは、図４（３）に示すよう
に、２つ現れ、これら２つの発熱ピークは、バランス良
く分離して厚み方向の両端部に移るようになる。そのた
め、フラッシュ耐圧特性の向上が図られる。
【０００７】しかしながら、図４に示した正特性サーミ
スタ１１は、素子本体１２を得るため、比抵抗の互いに
異なる２種類の材料を用い、これらの材料によって、内
部領域１８ならびに２つの外部領域１９および２０とい
った３つの領域を形成する積層構造を得るようにしなけ
ればならないので、製造方法が複雑となり、コストの上
昇を招く。
スタ１１は、素子本体１２を得るため、比抵抗の互いに
異なる２種類の材料を用い、これらの材料によって、内
部領域１８ならびに２つの外部領域１９および２０とい
った３つの領域を形成する積層構造を得るようにしなけ
ればならないので、製造方法が複雑となり、コストの上
昇を招く。
【０００８】そこで、この発明の目的は、上述した問題
を解決し得る、フラッシュ耐圧特性の優れた正特性サー
ミスタを提供しようとすることである。
を解決し得る、フラッシュ耐圧特性の優れた正特性サー
ミスタを提供しようとすることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、相対向する
第１および第２の主面ならびにこれら第１および第２の
主面の各周縁間を連結するように厚み方向に延びる側面
を有する素子本体と、第１および第２の主面上にそれぞ
れ形成される第１および第２の電極とを備える、正特性
サーミスタに向けられるものであって、上述した技術的
課題を解決するため、次のような構成を備えることを特
徴としている。
第１および第２の主面ならびにこれら第１および第２の
主面の各周縁間を連結するように厚み方向に延びる側面
を有する素子本体と、第１および第２の主面上にそれぞ
れ形成される第１および第２の電極とを備える、正特性
サーミスタに向けられるものであって、上述した技術的
課題を解決するため、次のような構成を備えることを特
徴としている。
【００１０】すなわち、この発明に係る正特性サーミス
タでは、第１および第２の電極間へ電圧を印加したと
き、素子本体の発熱初期に現れる素子本体の側面での温
度分布が、厚み方向の中央部に関して非対称となるとと
もに、素子本体の発熱初期に現れる素子本体の側面での
発熱ピーク位置が、第１および第２の主面間距離を２等
分する厚み方向の中央部からずれるような発熱挙動を示
すようにされている。
タでは、第１および第２の電極間へ電圧を印加したと
き、素子本体の発熱初期に現れる素子本体の側面での温
度分布が、厚み方向の中央部に関して非対称となるとと
もに、素子本体の発熱初期に現れる素子本体の側面での
発熱ピーク位置が、第１および第２の主面間距離を２等
分する厚み方向の中央部からずれるような発熱挙動を示
すようにされている。
【００１１】このように、この発明は、フラッシュ耐圧
特性を向上させるため、図４に示した正特性サーミスタ
１１のように、素子本体１２の発熱初期に現れる側面１
５での発熱ピークを、図４（３）に示すように、２つ存
在させ、これら２つの発熱ピークを、バランス良く分離
して厚み方向の両端部に移すようにすることは必ずしも
必要ではなく、素子本体の発熱初期に現れる素子本体の
側面での発熱ピーク位置を、素子本体の厚み方向の中央
部からずらすだけでよい、という知見に基づきなされた
ものである。
特性を向上させるため、図４に示した正特性サーミスタ
１１のように、素子本体１２の発熱初期に現れる側面１
５での発熱ピークを、図４（３）に示すように、２つ存
在させ、これら２つの発熱ピークを、バランス良く分離
して厚み方向の両端部に移すようにすることは必ずしも
必要ではなく、素子本体の発熱初期に現れる素子本体の
側面での発熱ピーク位置を、素子本体の厚み方向の中央
部からずらすだけでよい、という知見に基づきなされた
ものである。
【００１２】この発明において、好ましい実施形態で
は、上述したような特徴ある発熱挙動を得るため、第１
の電極の周縁と第１の主面の周縁との間の距離と、第２
の電極の周縁と第２の主面の周縁との間の距離とが、互
いに異ならされる。これによって、第１の電極側と第２
の電極側との間で、素子本体の側面での電流密度が異な
るため、発熱の度合いが異なるようになり、応じて、発
熱ピーク位置が厚み方向の中央部からずらされる。
は、上述したような特徴ある発熱挙動を得るため、第１
の電極の周縁と第１の主面の周縁との間の距離と、第２
の電極の周縁と第２の主面の周縁との間の距離とが、互
いに異ならされる。これによって、第１の電極側と第２
の電極側との間で、素子本体の側面での電流密度が異な
るため、発熱の度合いが異なるようになり、応じて、発
熱ピーク位置が厚み方向の中央部からずらされる。
【００１３】上述した好ましい実施形態におけるより具
体的な態様では、第１の電極の周縁と第１の主面の周縁
との間には、所定のギャップが形成され、第２の電極
は、第２の主面の周縁まで届くように形成される。この
発明において、他の好ましい実施形態では、上述したよ
うな特徴ある発熱挙動を得るため、素子本体に、厚み方
向に関して異ならされた比抵抗分布が与えられる。これ
によって、比抵抗の相対的に高い部分において発熱の度
合いが高められ、発熱ピーク位置を厚み方向の中央部か
らずらすことができる。
体的な態様では、第１の電極の周縁と第１の主面の周縁
との間には、所定のギャップが形成され、第２の電極
は、第２の主面の周縁まで届くように形成される。この
発明において、他の好ましい実施形態では、上述したよ
うな特徴ある発熱挙動を得るため、素子本体に、厚み方
向に関して異ならされた比抵抗分布が与えられる。これ
によって、比抵抗の相対的に高い部分において発熱の度
合いが高められ、発熱ピーク位置を厚み方向の中央部か
らずらすことができる。
【００１４】上述した好ましい実施形態におけるより具
体的な態様では、素子本体の、厚み方向に関して２分割
される第１および第２の領域が、互いに異なる比抵抗を
有するようにされる。
体的な態様では、素子本体の、厚み方向に関して２分割
される第１および第２の領域が、互いに異なる比抵抗を
有するようにされる。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１には、この発明の第１の実施
形態による正特性サーミスタ２１が示されている。この
正特性サーミスタ２１は、図１（１）に斜視図で示し、
かつ図１（２）に正面図で示すように、たとえば円板状
の素子本体２２を備える。素子本体２２は、相対向する
第１および第２の主面２３および２４ならびにこれら第
１および第２の主面２３および２４の各周縁間を連結す
るように厚み方向に延びる側面２５を有する。素子本体
２２の第１および第２の主面２３および２４上には、第
１および第２の電極２６および２７がそれぞれ形成され
ている。
形態による正特性サーミスタ２１が示されている。この
正特性サーミスタ２１は、図１（１）に斜視図で示し、
かつ図１（２）に正面図で示すように、たとえば円板状
の素子本体２２を備える。素子本体２２は、相対向する
第１および第２の主面２３および２４ならびにこれら第
１および第２の主面２３および２４の各周縁間を連結す
るように厚み方向に延びる側面２５を有する。素子本体
２２の第１および第２の主面２３および２４上には、第
１および第２の電極２６および２７がそれぞれ形成され
ている。
【００１６】電極２６および２７は、たとえば、オーミ
ックＡｇを焼き付けたり、Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｕ、およびＡ
ｇの３層をドライめっきしたりすることによって形成す
ることができる。この実施形態において特徴となるの
は、第１の電極２６の周縁と第１の主面２３の周縁との
間には、所定のギャップ２８が形成され、他方、第２の
電極２７については、第２の主面２４の周縁まで届くよ
うに第２の主面２４の全面にわたって形成されているこ
とである。
ックＡｇを焼き付けたり、Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｕ、およびＡ
ｇの３層をドライめっきしたりすることによって形成す
ることができる。この実施形態において特徴となるの
は、第１の電極２６の周縁と第１の主面２３の周縁との
間には、所定のギャップ２８が形成され、他方、第２の
電極２７については、第２の主面２４の周縁まで届くよ
うに第２の主面２４の全面にわたって形成されているこ
とである。
【００１７】このような正特性サーミスタ２１によれ
ば、第１および第２の電極２６および２７間へ電圧を印
加したとき、素子本体２２の側面２５での電流密度は、
ギャップ２８を形成する第１の電極２６側の方が全面に
形成された第２の電極２７側より低くなるため、後者の
第２の電極２７側での発熱の度合いが相対的に高められ
る。したがって、この正特性サーミスタ２１は、図１
（３）に示すように、素子本体２２の発熱初期（たとえ
ば０．１秒経過後）に現れる側面２５における発熱ピー
ク位置が厚み方向の中央部から第２の電極２７側へずら
され、また、温度分布が厚み方向の中央部に関して非対
称となるような発熱挙動を示すようになる。その結果、
正特性サーミスタ２１のフラッシュ耐圧特性が向上す
る。
ば、第１および第２の電極２６および２７間へ電圧を印
加したとき、素子本体２２の側面２５での電流密度は、
ギャップ２８を形成する第１の電極２６側の方が全面に
形成された第２の電極２７側より低くなるため、後者の
第２の電極２７側での発熱の度合いが相対的に高められ
る。したがって、この正特性サーミスタ２１は、図１
（３）に示すように、素子本体２２の発熱初期（たとえ
ば０．１秒経過後）に現れる側面２５における発熱ピー
ク位置が厚み方向の中央部から第２の電極２７側へずら
され、また、温度分布が厚み方向の中央部に関して非対
称となるような発熱挙動を示すようになる。その結果、
正特性サーミスタ２１のフラッシュ耐圧特性が向上す
る。
【００１８】なお、上述した第１の実施形態では、第１
の電極２６が第１の主面２３上においてギャップ２８を
形成し、他方、第２の電極２７が第２の主面２４の全面
にわたって形成されたが、上述したような発熱挙動を得
るためには、第１の電極の周縁と第１の主面の周縁との
間の距離と、第２の電極の周縁と第２の主面の周縁との
間の距離とが、互いに異ならされていればよく、たとえ
ば、第１および第２の電極の双方がギャップを形成しな
がらも、これらギャップの大きさが第１の電極と第２の
電極とで異ならされてもよい。また、これらのギャップ
の幅は均一である必要がなく、第１の電極または第２の
電極の少なくとも一方が側面２５方向へずらされてもよ
い。
の電極２６が第１の主面２３上においてギャップ２８を
形成し、他方、第２の電極２７が第２の主面２４の全面
にわたって形成されたが、上述したような発熱挙動を得
るためには、第１の電極の周縁と第１の主面の周縁との
間の距離と、第２の電極の周縁と第２の主面の周縁との
間の距離とが、互いに異ならされていればよく、たとえ
ば、第１および第２の電極の双方がギャップを形成しな
がらも、これらギャップの大きさが第１の電極と第２の
電極とで異ならされてもよい。また、これらのギャップ
の幅は均一である必要がなく、第１の電極または第２の
電極の少なくとも一方が側面２５方向へずらされてもよ
い。
【００１９】図２には、この発明の第２の実施形態によ
る正特性サーミスタ３１が示されている。この正特性サ
ーミスタ３１は、図２（１）に斜視図で示し、かつ図２
（２）に正面図で示すように、たとえば円板状の素子本
体３２を備える。素子本体３２は、相対向する第１およ
び第２の主面３３および３４ならびにこれら第１および
第２の主面３３および３４の各周縁間を連結するように
厚み方向に延びる側面３５を有する。素子本体３２の第
１および第２の主面３３および３４上には、第１および
第２の電極３６および３７がそれぞれ形成されている。
る正特性サーミスタ３１が示されている。この正特性サ
ーミスタ３１は、図２（１）に斜視図で示し、かつ図２
（２）に正面図で示すように、たとえば円板状の素子本
体３２を備える。素子本体３２は、相対向する第１およ
び第２の主面３３および３４ならびにこれら第１および
第２の主面３３および３４の各周縁間を連結するように
厚み方向に延びる側面３５を有する。素子本体３２の第
１および第２の主面３３および３４上には、第１および
第２の電極３６および３７がそれぞれ形成されている。
【００２０】電極３６および３７は、前述した第１の実
施形態の場合と同様の材料および方法で形成することが
できる。この実施形態において特徴となるのは、素子本
体３２の、厚み方向に関して２分割される第１および第
２の領域３８および３９が、互いに異なる比抵抗を有す
るようにされていることである。より具体的には、第１
の主面３３側の第１の領域３８の比抵抗が、第２の主面
３４側の第２の領域３９の比抵抗より高くされる。
施形態の場合と同様の材料および方法で形成することが
できる。この実施形態において特徴となるのは、素子本
体３２の、厚み方向に関して２分割される第１および第
２の領域３８および３９が、互いに異なる比抵抗を有す
るようにされていることである。より具体的には、第１
の主面３３側の第１の領域３８の比抵抗が、第２の主面
３４側の第２の領域３９の比抵抗より高くされる。
【００２１】このような正特性サーミスタ３１によれ
ば、第１および第２の電極３６および３７間へ電圧を印
加したとき、第１の領域３８での発熱の度合いが第２の
領域３９での発熱の度合いより高くなる。したがって、
この正特性サーミスタ３１は、図２（３）に示すよう
に、素子本体３２の発熱初期（たとえば０．１秒経過
後）に現れる側面３５における発熱ピーク位置が厚み方
向の中央部から第１の領域３８側へずらされ、また、温
度分布が厚み方向の中央部に関して非対称となるような
発熱挙動を示すようになる。その結果、正特性サーミス
タ３１のフラッシュ耐圧特性が向上する。
ば、第１および第２の電極３６および３７間へ電圧を印
加したとき、第１の領域３８での発熱の度合いが第２の
領域３９での発熱の度合いより高くなる。したがって、
この正特性サーミスタ３１は、図２（３）に示すよう
に、素子本体３２の発熱初期（たとえば０．１秒経過
後）に現れる側面３５における発熱ピーク位置が厚み方
向の中央部から第１の領域３８側へずらされ、また、温
度分布が厚み方向の中央部に関して非対称となるような
発熱挙動を示すようになる。その結果、正特性サーミス
タ３１のフラッシュ耐圧特性が向上する。
【００２２】なお、上述した第２の実施形態では、素子
本体３２の、厚み方向に関して２分割される第１および
第２の領域３８および３９が、互いに異なる比抵抗を有
するようにされたが、上述したような発熱挙動を得るた
めには、たとえば連続的に変化する比抵抗分布のよう
に、他の態様で素子本体の厚み方向に関して異ならされ
た比抵抗分布が与えられてもよい。
本体３２の、厚み方向に関して２分割される第１および
第２の領域３８および３９が、互いに異なる比抵抗を有
するようにされたが、上述したような発熱挙動を得るた
めには、たとえば連続的に変化する比抵抗分布のよう
に、他の態様で素子本体の厚み方向に関して異ならされ
た比抵抗分布が与えられてもよい。
【００２３】以上、この発明を図示した実施形態に関連
して説明したが、この発明の範囲内において、その他の
実施形態も可能である。たとえば、上述した第１および
第２の実施形態の組合せ、すなわち、第１の電極の周縁
と第１の主面の周縁との間の距離と、第２の電極の周縁
と第２の主面の周縁との間の距離とを、互いに異ならせ
ながら、素子本体の厚み方向に関して異ならされた比抵
抗分布が与えられた実施形態も可能である。
して説明したが、この発明の範囲内において、その他の
実施形態も可能である。たとえば、上述した第１および
第２の実施形態の組合せ、すなわち、第１の電極の周縁
と第１の主面の周縁との間の距離と、第２の電極の周縁
と第２の主面の周縁との間の距離とを、互いに異ならせ
ながら、素子本体の厚み方向に関して異ならされた比抵
抗分布が与えられた実施形態も可能である。
【００２４】また、素子本体の形状は、図示した実施形
態のように、円板状でなくてもよい。以下に、この発明
に係る正特性サーミスタによる効果を確認するため実施
した実験例について説明する。
態のように、円板状でなくてもよい。以下に、この発明
に係る正特性サーミスタによる効果を確認するため実施
した実験例について説明する。
【００２５】
【実験例】図１に示した第１の実施形態に係る正特性サ
ーミスタ２１（実施例１）、図２に示した第２の実施形
態に係る正特性サーミスタ３１（実施例２）、図３に示
した第１の従来例に係る正特性サーミスタ１（比較例
１）、および図４に示した第２の従来例に係る正特性サ
ーミスタ１１（比較例２）をそれぞれ得るため、ＢａＴ
ｉＯ3 を主成分とする正特性サーミスタ用原料を用い、
キュリー点が１２０℃で、常温における抵抗値が２３Ω
となるようにした。
ーミスタ２１（実施例１）、図２に示した第２の実施形
態に係る正特性サーミスタ３１（実施例２）、図３に示
した第１の従来例に係る正特性サーミスタ１（比較例
１）、および図４に示した第２の従来例に係る正特性サ
ーミスタ１１（比較例２）をそれぞれ得るため、ＢａＴ
ｉＯ3 を主成分とする正特性サーミスタ用原料を用い、
キュリー点が１２０℃で、常温における抵抗値が２３Ω
となるようにした。
【００２６】実施例１および２ならびに比較例１および
２のすべてについて、素子本体は、直径８．２mm、厚み
３mmの寸法を有する円板状とした。なお、実施例１で
は、図１に示した第１の電極２６のギャップ２８の幅を
０．５mmに設定した。また、実施例２および比較例２に
おいて、図２に示した高抵抗の第１の領域３８ならびに
図４に示した高抵抗の外部領域１９および２０を得るた
め、上述した正特性サーミスタ材料に樹脂ビーズを添加
し、焼成によりポアをこれら領域内に形成するようにし
た。
２のすべてについて、素子本体は、直径８．２mm、厚み
３mmの寸法を有する円板状とした。なお、実施例１で
は、図１に示した第１の電極２６のギャップ２８の幅を
０．５mmに設定した。また、実施例２および比較例２に
おいて、図２に示した高抵抗の第１の領域３８ならびに
図４に示した高抵抗の外部領域１９および２０を得るた
め、上述した正特性サーミスタ材料に樹脂ビーズを添加
し、焼成によりポアをこれら領域内に形成するようにし
た。
【００２７】また、実施例２において、上述の高抵抗の
第１の領域３８の厚みを０．６mmに設定した。また、比
較例２において、上述の高抵抗の外部領域１９および２
０の各厚みを０．６mmに設定した。このような各試料に
ついて、フラッシュ耐圧を測定したところ、以下の表１
に示すような最小値および平均値を得た。
第１の領域３８の厚みを０．６mmに設定した。また、比
較例２において、上述の高抵抗の外部領域１９および２
０の各厚みを０．６mmに設定した。このような各試料に
ついて、フラッシュ耐圧を測定したところ、以下の表１
に示すような最小値および平均値を得た。
【００２８】
【表１】 上記表１からわかるように、実施例１および２によれ
ば、フラッシュ耐圧に関して、比較例２と同等の特性を
示すようになり、比較例１より優れた特性を示してい
る。
ば、フラッシュ耐圧に関して、比較例２と同等の特性を
示すようになり、比較例１より優れた特性を示してい
る。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、素子
本体の第１および第２の主面上にそれぞれ形成された第
１および第２の電極間へ電圧を印加したとき、素子本体
の発熱初期に現れる側面での発熱ピーク位置が、第１お
よび第２の主面間距離を２等分する厚み方向の中央部か
らずれるような発熱挙動を示すようにされているので、
素子本体の厚み方向の中央部での発熱集中がなくなり、
それゆえに、正特性サーミスタのフラッシュ耐圧特性を
向上させることができる。
本体の第１および第２の主面上にそれぞれ形成された第
１および第２の電極間へ電圧を印加したとき、素子本体
の発熱初期に現れる側面での発熱ピーク位置が、第１お
よび第２の主面間距離を２等分する厚み方向の中央部か
らずれるような発熱挙動を示すようにされているので、
素子本体の厚み方向の中央部での発熱集中がなくなり、
それゆえに、正特性サーミスタのフラッシュ耐圧特性を
向上させることができる。
【００３０】また、素子本体の発熱初期に現れる素子本
体の側面での温度分布が、厚み方向の中央部に関して非
対称となるようにされれば足りるので、図４に示した従
来の正特性サーミスタ１１のように、素子本体１２を得
るため、比抵抗の互いに異なる２種類の材料によって、
内部領域１８ならびに２つの外部領域１９および２０と
いった３つの領域を形成する積層構造を得る、といった
複雑な製造方法による必要がなく、図４に示した正特性
サーミスタ１１に比べて、安価に得ることができる。
体の側面での温度分布が、厚み方向の中央部に関して非
対称となるようにされれば足りるので、図４に示した従
来の正特性サーミスタ１１のように、素子本体１２を得
るため、比抵抗の互いに異なる２種類の材料によって、
内部領域１８ならびに２つの外部領域１９および２０と
いった３つの領域を形成する積層構造を得る、といった
複雑な製造方法による必要がなく、図４に示した正特性
サーミスタ１１に比べて、安価に得ることができる。
【００３１】この発明において、上述したような特徴あ
る発熱挙動を得るため、第１の電極の周縁と第１の主面
の周縁との間の距離と、第２の電極の周縁と第２の主面
の周縁との間の距離とを、互いに異ならせるようにすれ
ば、素子本体を製造するに際しては、特別な配慮が必要
なく、電極の形成領域を調整するだけで、この発明によ
る効果を実現できる。したがって、正特性サーミスタを
一層安価に得ることができるようになる。
る発熱挙動を得るため、第１の電極の周縁と第１の主面
の周縁との間の距離と、第２の電極の周縁と第２の主面
の周縁との間の距離とを、互いに異ならせるようにすれ
ば、素子本体を製造するに際しては、特別な配慮が必要
なく、電極の形成領域を調整するだけで、この発明によ
る効果を実現できる。したがって、正特性サーミスタを
一層安価に得ることができるようになる。
【００３２】上述した好ましい実施形態は、第１の電極
の周縁と第１の主面の周縁との間に、所定のギャップを
形成し、第２の電極を、第２の主面の周縁まで届くよう
に形成するようにすれば、これを容易に実現することが
できる。また、この発明において、上述したような特徴
ある発熱挙動を得るため、素子本体に、厚み方向に関し
て異ならされた比抵抗分布を与えるようにすれば、電極
の形成に関して特別な配慮を払うことなく、この発明に
よる効果を実現できる。このとき、前述したように、素
子本体の発熱初期に現れる素子本体の側面での温度分布
が、厚み方向の中央部に関して非対称となるようにされ
ればよいので、図４に示した従来の正特性サーミスタ１
１のような内部領域１８ならびに２つの外部領域１９お
よび２０といった３つの領域を形成する積層構造を得る
必要がなく、そのため、安価に正特性サーミスタを得る
ことができる。
の周縁と第１の主面の周縁との間に、所定のギャップを
形成し、第２の電極を、第２の主面の周縁まで届くよう
に形成するようにすれば、これを容易に実現することが
できる。また、この発明において、上述したような特徴
ある発熱挙動を得るため、素子本体に、厚み方向に関し
て異ならされた比抵抗分布を与えるようにすれば、電極
の形成に関して特別な配慮を払うことなく、この発明に
よる効果を実現できる。このとき、前述したように、素
子本体の発熱初期に現れる素子本体の側面での温度分布
が、厚み方向の中央部に関して非対称となるようにされ
ればよいので、図４に示した従来の正特性サーミスタ１
１のような内部領域１８ならびに２つの外部領域１９お
よび２０といった３つの領域を形成する積層構造を得る
必要がなく、そのため、安価に正特性サーミスタを得る
ことができる。
【００３３】上述した好ましい実施形態は、素子本体
の、厚み方向に関して２分割される第１および第２の領
域が、互いに異なる比抵抗を有するようにされることに
よって、簡単かつ容易に実現することができる。
の、厚み方向に関して２分割される第１および第２の領
域が、互いに異なる比抵抗を有するようにされることに
よって、簡単かつ容易に実現することができる。
【図１】この発明の第１の実施形態による正特性サーミ
スタ２１を説明するためのもので、（１）は正特性サー
ミスタ２１の斜視図、（２）は正特性サーミスタ２１の
正面図、（３）は正特性サーミスタ２１の発熱初期に現
れる側面２５での温度分布を示す。
スタ２１を説明するためのもので、（１）は正特性サー
ミスタ２１の斜視図、（２）は正特性サーミスタ２１の
正面図、（３）は正特性サーミスタ２１の発熱初期に現
れる側面２５での温度分布を示す。
【図２】この発明の第２の実施形態による正特性サーミ
スタ３１を説明するためのもので、（１）は正特性サー
ミスタ３１の斜視図、（２）は正特性サーミスタ３１の
正面図、（３）は正特性サーミスタ３１の発熱初期に現
れる側面３５での温度分布を示す。
スタ３１を説明するためのもので、（１）は正特性サー
ミスタ３１の斜視図、（２）は正特性サーミスタ３１の
正面図、（３）は正特性サーミスタ３１の発熱初期に現
れる側面３５での温度分布を示す。
【図３】この発明にとって興味ある第１の従来例による
正特性サーミスタ１を説明するためのもので、（１）は
正特性サーミスタ１の斜視図、（２）は正特性サーミス
タ１の正面図、（３）は正特性サーミスタ１の発熱初期
に現れる側面５での温度分布を示す。
正特性サーミスタ１を説明するためのもので、（１）は
正特性サーミスタ１の斜視図、（２）は正特性サーミス
タ１の正面図、（３）は正特性サーミスタ１の発熱初期
に現れる側面５での温度分布を示す。
【図４】この発明にとって興味ある第２の従来例による
正特性サーミスタ１１を説明するためのもので、（１）
は正特性サーミスタ１１の斜視図、（２）は正特性サー
ミスタ１１の正面図、（３）は正特性サーミスタ１１の
発熱初期に現れる側面１５での温度分布を示す。
正特性サーミスタ１１を説明するためのもので、（１）
は正特性サーミスタ１１の斜視図、（２）は正特性サー
ミスタ１１の正面図、（３）は正特性サーミスタ１１の
発熱初期に現れる側面１５での温度分布を示す。
２１，３１ 正特性サーミスタ ２２，３２ 素子本体 ２３，３３ 第１の主面 ２４，３４ 第２の主面 ２５，３５ 側面 ２６，３６ 第１の電極 ２７，３７ 第２の電極 ２８ ギャップ ３８ 第１の領域 ３９ 第２の領域
Claims (5)
- 【請求項１】 相対向する第１および第２の主面ならび
にこれら第１および第２の主面の各周縁間を連結するよ
うに厚み方向に延びる側面を有する素子本体と、前記第
１および第２の主面上にそれぞれ形成される第１および
第２の電極とを備え、 前記第１および第２の電極間へ電圧を印加したとき、前
記素子本体の発熱初期に現れる前記側面での温度分布
が、前記厚み方向の中央部に関して非対称となるととも
に、前記素子本体の発熱初期に現れる前記側面での発熱
ピーク位置が、前記第１および第２の主面間距離を２等
分する厚み方向の中央部からずれるような発熱挙動を示
すようにされていることを特徴とする、正特性サーミス
タ。 - 【請求項２】 前記発熱挙動を得るため、前記第１の電
極の周縁と前記第１の主面の周縁との間の距離と、前記
第２の電極の周縁と前記第２の主面の周縁との間の距離
とが、互いに異ならされている、請求項１に記載の正特
性サーミスタ。 - 【請求項３】 前記第１の電極の周縁と前記第１の主面
の周縁との間には、所定のギャップが形成され、前記第
２の電極は、前記第２の主面の周縁まで届くように形成
される、請求項２に記載の正特性サーミスタ。 - 【請求項４】 前記発熱挙動を得るため、前記素子本体
には、前記厚み方向に関して異ならされた比抵抗分布が
与えられる、請求項１ないし３のいずれかに記載の正特
性サーミスタ。 - 【請求項５】 前記素子本体の、前記厚み方向に関して
２分割される第１および第２の領域は、互いに異なる比
抵抗を有する、請求項４に記載の正特性サーミスタ。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9293090A JPH11135302A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 正特性サーミスタ |
| TW087116155A TW388035B (en) | 1997-10-27 | 1998-09-29 | PTC thermistor with improved flash pressure resistance |
| US09/170,882 US6133821A (en) | 1997-10-27 | 1998-10-13 | PTC thermistor with improved flash pressure resistance |
| EP98119523A EP0911838B1 (en) | 1997-10-27 | 1998-10-15 | PTC thermistor with improved flash pressure resistance |
| DE69805731T DE69805731T2 (de) | 1997-10-27 | 1998-10-15 | PTC-Thermistor mit verbessertem Wärmestosswiderstand |
| KR1019980044497A KR100318253B1 (ko) | 1997-10-27 | 1998-10-23 | 개선된플래시압력저항을갖는ptc서미스터 |
| CN98120480A CN1127096C (zh) | 1997-10-27 | 1998-10-26 | 提高抗脉冲强度的正温度系数的热敏电阻 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9293090A JPH11135302A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 正特性サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135302A true JPH11135302A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17790311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9293090A Pending JPH11135302A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 正特性サーミスタ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6133821A (ja) |
| EP (1) | EP0911838B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11135302A (ja) |
| KR (1) | KR100318253B1 (ja) |
| CN (1) | CN1127096C (ja) |
| DE (1) | DE69805731T2 (ja) |
| TW (1) | TW388035B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5500307B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2014-05-21 | 株式会社村田製作所 | 正特性サーミスタ素子 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008017269A1 (de) * | 2008-04-04 | 2009-10-15 | Epcos Ag | Kaltleiter-Widerstandselement |
| US8896410B2 (en) * | 2010-06-24 | 2014-11-25 | Tdk Corporation | Chip thermistor and method of manufacturing same |
| CN105041587B (zh) * | 2015-08-25 | 2018-03-27 | 华中科技大学 | 一种适用于山体的太阳能热气流冷风复合发电*** |
| JP2022535818A (ja) * | 2019-06-03 | 2022-08-10 | テーデーカー エレクトロニクス アーゲー | コンポーネント及びコンポーネントの使用方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54149856A (en) * | 1978-05-17 | 1979-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of producing heat impacttproof selffexothermic positive temperature coefficient thermistor |
| JPS59135703A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | 株式会社デンソー | 正特性磁器半導体素子 |
| US4904850A (en) * | 1989-03-17 | 1990-02-27 | Raychem Corporation | Laminar electrical heaters |
| JP3018580B2 (ja) * | 1991-06-13 | 2000-03-13 | 松下電器産業株式会社 | 正抵抗温度係数発熱体およびその製造方法 |
| JPH05114461A (ja) * | 1991-10-23 | 1993-05-07 | Chichibu Cement Co Ltd | 正特性サーミスタ発熱体 |
| JPH05135905A (ja) * | 1991-11-13 | 1993-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 正特性サーミスタ |
| JPH05343201A (ja) * | 1992-06-11 | 1993-12-24 | Tdk Corp | Ｐｔｃサーミスタ |
| JP3246003B2 (ja) * | 1992-11-10 | 2002-01-15 | 株式会社村田製作所 | 正特性サーミスタ素子 |
| JPH08181004A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Kyocera Corp | 正特性厚膜サ−ミスタ |
| JP3327444B2 (ja) * | 1995-06-29 | 2002-09-24 | 株式会社村田製作所 | 正特性サーミスタ素子 |
| JPH09162004A (ja) * | 1995-12-13 | 1997-06-20 | Murata Mfg Co Ltd | 正特性サーミスタ素子 |
-
1997
- 1997-10-27 JP JP9293090A patent/JPH11135302A/ja active Pending
-
1998
- 1998-09-29 TW TW087116155A patent/TW388035B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-10-13 US US09/170,882 patent/US6133821A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-15 DE DE69805731T patent/DE69805731T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-15 EP EP98119523A patent/EP0911838B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-23 KR KR1019980044497A patent/KR100318253B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-10-26 CN CN98120480A patent/CN1127096C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5500307B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2014-05-21 | 株式会社村田製作所 | 正特性サーミスタ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0911838B1 (en) | 2002-06-05 |
| EP0911838A1 (en) | 1999-04-28 |
| DE69805731T2 (de) | 2003-03-06 |
| KR19990037327A (ko) | 1999-05-25 |
| KR100318253B1 (ko) | 2002-02-19 |
| TW388035B (en) | 2000-04-21 |
| CN1127096C (zh) | 2003-11-05 |
| CN1215897A (zh) | 1999-05-05 |
| US6133821A (en) | 2000-10-17 |
| DE69805731D1 (de) | 2002-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5077889A (en) | Process for fabricating a positive-temperature-coefficient heating device | |
| JP3175102B2 (ja) | 正特性サーミスタ素体および正特性サーミスタ | |
| JPH11135302A (ja) | 正特性サーミスタ | |
| WO2000024010A1 (fr) | Thermistance a puce ctp | |
| JP2000150204A (ja) | Ｎｔｃサーミスタ及びチップ型ｎｔｃサーミスタ | |
| JP3327444B2 (ja) | 正特性サーミスタ素子 | |
| JPH08203703A (ja) | サーミスタ素子 | |
| JPH11273904A (ja) | 正特性サーミスタ素子 | |
| JPH113805A (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JPH11273903A (ja) | 正特性サーミスタ素子 | |
| JP3837839B2 (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JPH05190303A (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JP3166784B2 (ja) | 正特性サーミスタ素子 | |
| JP2003133031A (ja) | 熱電膜加熱装置 | |
| JPH07169602A (ja) | 正特性サーミスタ装置及びその製造方法 | |
| JPS61284082A (ja) | 正抵抗温度係数発熱体 | |
| JPH05114464A (ja) | 正抵抗温度係数発熱体およびその製造方法 | |
| JPH0613164A (ja) | 発熱体構造 | |
| JPS6010701A (ja) | 正特性サ−ミスタ | |
| JPS5819835Y2 (ja) | 電圧非直線性抵抗素子 | |
| JPH01134902A (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JPH06333704A (ja) | 正特性サーミスタの製造方法 | |
| JPH02135681A (ja) | 正低抗温度係数発熱体 | |
| JPS62143383A (ja) | 正抵抗温度係数発熱体とその製造方法 | |
| JP2003022902A (ja) | 抵抗器 |