JPWO2017013904A1 - メタルマスク基材、メタルマスク基材の管理方法、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
上記構成によれば、ガラス基板の線膨張係数とインバーの線膨張係数とが同じ程度であるため、メタルマスク基材から形成されるメタルマスクをガラス基板に対する成膜に適用すること、すなわち、形状の精度が高められたメタルマスクをガラス基板に対する成膜に適用することが可能である。
図1から図4を参照して、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の構成を説明する。
(反射率)(%)=
{(正反射における光の光量)/(入射光の光量)}×100 …(1)
メタルマスク基材11の第1面11aにおける反射率のうち、第1面11aに垂直な第1平面であって、圧延方向と直交する第1平面内での正反射における反射率が第1反射率である。また、第1面11aに垂直な方向であって、幅方向と直交する第2平面内での正反射における反射率が第2反射率である。第1面11aにおいて、第2反射率が第1反射率よりも大きく、第1反射率が45.2%以上である。
三次元表面粗さSa、および、三次元表面粗さSzは、ISO 25178に準拠する方法によって測定された値である。三次元表面粗さSaは、所定の面積を有する定義領域中の算術平均高さSaであり、三次元表面粗さSzは、所定の面積を有する定義領域中の最大高さSzである。
図2が示すように、金属層21は、第1面11aとは反対側の面である第2面11bを備えている。第1面11aは、第1ドライフィルムレジスト12が貼り付けられるように構成された金属製の表面であり、第2面11bは、レジストが配置されるように構成された金属製の表面、詳細には、第2ドライフィルムレジスト13が貼り付けられるように構成された金属製の表面である。メタルマスク形成用中間体10は、金属層21、第1ドライフィルムレジスト12、および、第2ドライフィルムレジスト13から構成されている。
図3が示すように、メタルマスク基材11は、金属層21と、金属層21に対して第1ドライフィルムレジスト12とは反対側に位置する樹脂層22とを備えてもよい。樹脂層22の線膨張係数と、金属層21の線膨張係数とは、温度の依存性として互いに同じ傾向を示し、かつ、線膨張係数の値が同じ程度であることが好ましい。金属層21は、例えばインバーから形成されたインバー層であり、樹脂層22は、例えばポリイミドから形成されたポリイミド層である。このメタルマスク基材11によれば、金属層21の線膨張係数と、樹脂層22の線膨張係数との差によって、メタルマスク基材11に反りが生じることが抑えられる。
図4が示すように、メタルマスク基材11は、金属層21と樹脂層22とに加えて、メタルマスク基材11の厚さ方向において、樹脂層22に対して金属層21とは反対側に位置する他の金属層23をさらに備えてもよい。このメタルマスク基材11では、メタルマスク基材11における第1面11aとは反対側の面であって、金属層23の含む面が第2面11bである。
図5を参照して、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法を説明する。
図6および図7を参照して、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法を説明する。
図8から図14を参照して、メタルマスクの製造方法を説明する。なお、以下では、メタルマスクを製造するために使用されるメタルマスク基材11が、1つの金属層21から構成される例、すなわち、図2を参照して説明された第1の形態を用いて説明する。また、図8から図13では、図示の便宜上から、メタルマスクに形成される複数の貫通孔のうち、1つの貫通孔のみを含む部分に対する工程図が示されている。
図15から図22を参照して、実施例を説明する。以下では、メタルマスク基材が1つの金属層から構成される例を説明する。
[正反射における反射率の最小値]
実施例1から実施例4、および、比較例1のメタルマスク基材の各々における反射率を以下の測定方法を用いて測定した。
なお、光源としてハロゲンランプを用い、受光部には、受光素子としてサイドオン型光電子増倍管を含む受光部を用いた。
実施例5のメタルマスク基材と比較例2のメタルマスク基材との各々において、4枚の試験片を準備した。このとき、実施例1と同様、実施例5のメタルマスク基材、および、比較例2のメタルマスク基材において、430mmの幅を有するメタルマスク基材の原反を準備し、原反の一部を500mmの長さで切り出した。そして、切り出したメタルマスク基材のうちの任意の4つの位置の各々から、1つの試験片を切り出した。なお、各試験片は、実施例1と同様、メタルマスク基材における幅方向に沿う長さが5cmであり、圧延方向に沿う長さが5cmである正方形形状を有する試験片とした。
各試験片において、第1反射率および第2反射率は、表2に示される値であった。
実施例1から実施例4、および、比較例1のメタルマスク基材の各々について、三次元表面粗さSa、および、三次元表面粗さSzを以下の測定方法を用いて測定した。
なお、三次元表面粗さSaおよび三次元表面粗さSzは、ISO 25178に準拠する方向によって測定した。
図15は、実施例1のメタルマスク基材を用いたメタルマスクの製造工程において、第1面に第1凹部を形成した後に、第1面に対して照射光を照射して、第1面にて反射された反射光を撮像した画像である。
[反射率と三次元表面粗さSa]
正反射における反射率の最小値と、三次元表面粗さSaの最大値との相関関係を回帰分析による解析結果として以下に示す。なお、回帰分析には、実施例1から実施例4、および、比較例1の測定結果を用いた。また、説明変数を三次元表面粗さSaとし、被説明変数を正反射における反射率とし、最小二乗法を用いて、正反射における反射率の最小値と三次元表面粗さSaの最大値との間における回帰式を算出した。
正反射における反射率の最小値と、三次元表面粗さSzの最大値との相関関係を回帰分析による解析結果として以下に示す。なお、回帰分析には、実施例1から実施例4、および、比較例1の測定結果を用いた。また、説明変数を三次元表面粗さSzとし、被説明変数を正反射における反射率とし、最小二乗法を用いて、正反射における反射率の最小値と三次元表面粗さSzの最大値との間における回帰式を算出した。
・金属層21の形成材料は、表面に金属光沢を有する純粋な金属、あるいは、合金であれば、インバー以外の材料であってもよい。また、金属層21の形成材料がインバー以外の材料であるとき、金属層21に接する樹脂層として、金属層21の形成材料との間における線膨張係数の差が、金属層21の形成材料における線膨張係数と、ポリイミドにおける線膨張係数との差よりも小さい樹脂が用いられてもよい。
Claims (11)
- レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備え、
前記表面に入射した光の正反射における反射率が、45.2%以上である
メタルマスク基材。 - 前記メタルマスク基材の圧延方向と直交する方向が幅方向であり、
前記表面に垂直な第1平面であって、前記圧延方向と直交する前記第1平面内での前記正反射における反射率が第1反射率であり、
前記表面に垂直な第2平面であって、前記幅方向と直交する前記第2平面内での前記正反射における反射率が第2反射率であり、
前記第2反射率が前記第1反射率よりも大きく、
前記第1反射率が、45.2%以上である
請求項1に記載のメタルマスク基材。 - 前記表面は、前記第2反射率から前記第1反射率を引いた差が10.2%以上である部分を含む
請求項2に記載のメタルマスク基材。 - 前記表面において、
三次元表面粗さSaが0.11μm以下であり、
三次元表面粗さSzが3.17μm以下である
請求項1から3のいずれか一項に記載のメタルマスク基材。 - 前記表面が第1面であり、
前記レジストが第1レジストであり、
前記第1面とは反対側の面であって、第2レジストが配置されるように構成された金属製の第2面をさらに備え、
前記第2面に入射した光の正反射における反射率が、45.2%以上である
請求項1から4のいずれか一項に記載のメタルマスク基材。 - 前記表面は、インバー製である
請求項1から5のいずれか一項に記載のメタルマスク基材。 - 前記レジストが、ドライフィルムレジストであり、
前記表面が、前記ドライフィルムレジストが貼り付けられるように構成されている
請求項1から6のいずれか一項に記載のメタルマスク基材。 - レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備えるメタルマスク基材を準備することと、
前記表面に光を入射させることと、
前記表面に入射した光のうち、前記表面にて正反射した光の光量を測定することと、
前記表面に入射した光の光量に対する前記正反射した光の光量の比として、前記正反射における反射率を算出することと、
前記正反射における反射率が、45.2%以上であるか否かを判断することと、を備える
メタルマスク基材の管理方法。 - 前記レジストが、ドライフィルムレジストであり、
前記表面が、前記ドライフィルムレジストが貼り付けられるように構成されている
請求項8に記載のメタルマスク基材の管理方法。 - 金属製の表面を有したメタルマスク基体を備えるメタルマスクであって、
前記メタルマスク基体は、前記メタルマスク基体の厚さ方向に沿って前記メタルマスク基体を貫通するとともに、前記表面に開口を有した複数の貫通孔を備え、
前記表面と対向する平面視での前記開口の寸法における平均値をAとし、前記寸法の標準偏差に3を掛けた値をBとするとき、(B/A)×100(%)が10%以下である
メタルマスク。 - レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備え、前記表面の三次元表面粗さSaが0.11μm以下であり、前記表面の三次元表面粗さSzが3.17μm以下であるメタルマスク基材を準備することと、
前記表面にレジストを配置することと、
前記メタルマスク基材に前記メタルマスク基材の厚さ方向に沿って窪み、かつ、前記表面に開口を有した複数の凹部を形成するための貫通孔を前記レジストに形成することと、
前記レジストを介して、前記メタルマスク基材に複数の前記凹部を形成することと、を備え、
前記メタルマスク基材に複数の前記凹部を形成することでは、前記表面と対向する平面視での前記開口の寸法における平均値をAとし、前記寸法の標準偏差に3を掛けた値をBとするとき、(B/A)×100(%)が10%以下となるように前記メタルマスク基材に複数の前記凹部を形成する
メタルマスクの製造方法。
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KR20220009499A (ko) * | 2015-07-17 | 2022-01-24 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 메탈 마스크 기재, 메탈 마스크, 및 메탈 마스크의 제조 방법 |
KR102330373B1 (ko) * | 2017-03-14 | 2021-11-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 금속판, 증착용 마스크 및 이의 제조방법 |
KR102595424B1 (ko) * | 2017-09-07 | 2023-10-30 | 엘지이노텍 주식회사 | Oled 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크의 제조방법 |
WO2019054462A1 (ja) | 2017-09-15 | 2019-03-21 | 凸版印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、表示装置の製造方法、および、蒸着マスク |
WO2019098168A1 (ja) * | 2017-11-14 | 2019-05-23 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクを製造するための金属板、金属板の検査方法、金属板の製造方法、蒸着マスク、蒸着マスク装置及び蒸着マスクの製造方法 |
KR20200056525A (ko) * | 2018-11-14 | 2020-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 및 마스크 제조 방법 |
TWI707965B (zh) * | 2019-09-27 | 2020-10-21 | 旭暉應用材料股份有限公司 | 金屬遮罩 |
CN112825348A (zh) * | 2019-11-20 | 2021-05-21 | 旭晖应用材料股份有限公司 | 用于蒸镀制程形成微小图案镀膜的金属遮罩及其制法 |
CN113259569A (zh) | 2021-05-25 | 2021-08-13 | 昆山联滔电子有限公司 | 摄像头遮蔽器 |
TWI777614B (zh) * | 2021-06-11 | 2022-09-11 | 達運精密工業股份有限公司 | 金屬遮罩及其製造方法 |
TWI772066B (zh) * | 2021-06-16 | 2022-07-21 | 達運精密工業股份有限公司 | 金屬遮罩基材的製備方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09209176A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-12 | Hitachi Metals Ltd | エッチング加工性に優れたFe−Ni系合金薄板 |
JPH11140667A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-05-25 | Dainippon Printing Co Ltd | エッチング用基材、エッチング加工方法およびエッチング加工製品 |
JP2004289110A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-10-14 | Hoya Corp | 擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス及びその製造方法、擬似欠陥を有する反射型マスク及びその製造方法、並びに擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス又は反射型マスクの製造用基板 |
JP2005076068A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Canon Components Inc | 電鋳法による薄膜部材の製造方法 |
WO2005074347A1 (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 電磁波シールドフィルム、及びその製造方法 |
JP2006233285A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Toray Ind Inc | 蒸着マスク及び蒸着マスクを用いた有機el素子の製造方法 |
JP2008041553A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Sony Corp | 蒸着用マスク及び蒸着用マスクの製造方法 |
JP2011166018A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | プリント配線板用銅箔 |
JP5641462B1 (ja) * | 2014-05-13 | 2014-12-17 | 大日本印刷株式会社 | 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法 |
JP2015129334A (ja) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | 大日本印刷株式会社 | 積層マスクの製造方法、積層マスクおよび保護フィルム付き積層マスク |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2534589B2 (ja) | 1991-01-21 | 1996-09-18 | 東洋鋼鈑株式会社 | 薄肉化深絞り缶用ポリエステル樹脂被覆鋼板および原板 |
JP2853069B2 (ja) * | 1991-12-26 | 1999-02-03 | 日本鋼管株式会社 | Fe−Ni系シャドウマスク用薄板およびその製造方法 |
JP3749083B2 (ja) * | 2000-04-25 | 2006-02-22 | 株式会社ルネサステクノロジ | 電子装置の製造方法 |
JP2002151841A (ja) | 2000-11-13 | 2002-05-24 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板の製造方法 |
JP4390418B2 (ja) | 2001-02-14 | 2009-12-24 | Hoya株式会社 | Euv露光用反射型マスクブランクおよびeuv露光用反射型マスク並びに半導体の製造方法 |
JP4429539B2 (ja) | 2001-02-16 | 2010-03-10 | 古河電気工業株式会社 | ファインパターン用電解銅箔 |
TW583688B (en) * | 2002-02-21 | 2004-04-11 | Dainippon Printing Co Ltd | Electromagnetic shielding sheet and method of producing the same |
KR100813832B1 (ko) | 2002-05-31 | 2008-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 증착용 마스크 프레임 조립체와 이의 제조방법 |
US20040017563A1 (en) * | 2002-07-25 | 2004-01-29 | James Lawrence H. | Method and apparatus for volume and density measurements |
US7314688B2 (en) * | 2002-09-11 | 2008-01-01 | Hoya Corporation | Method of producing a reflection mask blank, method of producing a reflection mask, and method of producing a semiconductor device |
JP3809531B2 (ja) | 2003-03-17 | 2006-08-16 | 太陽化学工業株式会社 | メタルマスク及びレーザ加工法によるメタルマスクの製造方法 |
TWI297045B (en) * | 2003-05-07 | 2008-05-21 | Microfabrica Inc | Methods and apparatus for forming multi-layer structures using adhered masks |
JP2007187952A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 防眩フィルム、その製造方法、そのための金型の製造方法、及び表示装置 |
US8532984B2 (en) * | 2006-07-31 | 2013-09-10 | Qualcomm Incorporated | Systems, methods, and apparatus for wideband encoding and decoding of active frames |
JP4869129B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-02-08 | Hoya株式会社 | パターン欠陥検査方法 |
JP2009127105A (ja) | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Seiko Instruments Inc | 電鋳部品の製造方法 |
JP5294072B2 (ja) | 2009-03-18 | 2013-09-18 | 日立金属株式会社 | エッチング加工用素材の製造方法及びエッチング加工用素材 |
JP2011034681A (ja) | 2009-07-29 | 2011-02-17 | Hitachi Displays Ltd | 金属加工方法、金属マスク製造方法及び有機el表示装置製造方法 |
ES2430641T3 (es) | 2010-10-22 | 2013-11-21 | Hydro Aluminium Rolled Products Gmbh | Banda litográfica para desbastado electroquímico y método para su fabricación |
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CN104247054A (zh) * | 2011-11-04 | 2014-12-24 | 普林斯顿大学 | 具有纳米结构和纳米金属光学腔和天线的发光二极管,快光子-电子源和光电探测器,以及其制造方法 |
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CN103205680A (zh) * | 2012-01-16 | 2013-07-17 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 用镍铁合金制备的蒸镀用金属掩模板 |
TWI596385B (zh) * | 2012-02-13 | 2017-08-21 | 東麗股份有限公司 | 反射膜 |
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WO2014038510A1 (ja) | 2012-09-04 | 2014-03-13 | 新日鐵住金株式会社 | ステンレス鋼板およびその製造方法 |
JP5382259B1 (ja) * | 2013-01-10 | 2014-01-08 | 大日本印刷株式会社 | 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法 |
JP6403969B2 (ja) | 2013-03-29 | 2018-10-10 | Jx金属株式会社 | キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法 |
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JP5780350B2 (ja) | 2013-11-14 | 2015-09-16 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法 |
JP6357777B2 (ja) | 2014-01-08 | 2018-07-18 | 大日本印刷株式会社 | 積層マスクの製造方法 |
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09209176A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-12 | Hitachi Metals Ltd | エッチング加工性に優れたFe−Ni系合金薄板 |
JPH11140667A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-05-25 | Dainippon Printing Co Ltd | エッチング用基材、エッチング加工方法およびエッチング加工製品 |
JP2004289110A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-10-14 | Hoya Corp | 擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス及びその製造方法、擬似欠陥を有する反射型マスク及びその製造方法、並びに擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス又は反射型マスクの製造用基板 |
JP2005076068A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Canon Components Inc | 電鋳法による薄膜部材の製造方法 |
WO2005074347A1 (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 電磁波シールドフィルム、及びその製造方法 |
JP2006233285A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Toray Ind Inc | 蒸着マスク及び蒸着マスクを用いた有機el素子の製造方法 |
JP2008041553A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Sony Corp | 蒸着用マスク及び蒸着用マスクの製造方法 |
JP2011166018A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | プリント配線板用銅箔 |
JP2015129334A (ja) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | 大日本印刷株式会社 | 積層マスクの製造方法、積層マスクおよび保護フィルム付き積層マスク |
JP5641462B1 (ja) * | 2014-05-13 | 2014-12-17 | 大日本印刷株式会社 | 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
WEAR, vol. 109, JPN6020000121, 1986, pages 69 - 78, ISSN: 0004335941 * |
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