JPS6348133A - メモリ用バツクアツプ電源回路 - Google Patents

メモリ用バツクアツプ電源回路

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Publication number
JPS6348133A
JPS6348133A JP61190819A JP19081986A JPS6348133A JP S6348133 A JPS6348133 A JP S6348133A JP 61190819 A JP61190819 A JP 61190819A JP 19081986 A JP19081986 A JP 19081986A JP S6348133 A JPS6348133 A JP S6348133A
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JP
Japan
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power supply
memory device
voltage
battery
memory
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Pending
Application number
JP61190819A
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English (en)
Inventor
治男 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はメモリ用バックアップ電源回路に関し、特に、
メモリ装置の電源断に対応するメモリ用バックアップ電
源回路に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のメモリ用バックアップ電源回路は、その
−例が第2図に示されるように、ダイオード8と乾電池
9とにより構成されており、所定のメモリ装置用電源出
力電圧は、端子103および104を介して端子104
に接続されているメモリ装置に供給されている。前記メ
モリ装置の電源装置における障害により、前記電源出力
電圧が低下する事態においては、ダイオード8は導通状
態になり、乾電池9による電源電圧がダイオード8およ
び端子104を経由して前記メモリ装置に供給される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のメモリ用バックアップ電源回路において
は、メモリ装置の電源装置の障害断時に、乾電池9によ
りメモリ装置に供給される電源電圧が、ダイオード8に
より電圧低下の影響を受けるという欠点があり、また、
バックアップ用電源としての乾電池が充電できないとい
う運用上の欠点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のメモリ用バックアップ電源回路は、所定のメモ
リ装置に対する電源電圧を供給する電源装置において、
前記電源装置の正常動作時においては常時充電状態に保
持されるバックアップ電源用の電池と、前記電源装置よ
りメモリ装置に供給される電源電圧のダウン時において
は前記電源を前記バックアップ電源用の出力電圧に切替
えてメモリ装置に供給するスイッチ回路と、を備えて構
成される。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の回路図である。第1図に示
されるように、本実施例は、I・ランジスタJおよび2
と、バイアス抵抗3および4と、抵抗5と、電池6と、
ツェナーダイオード7と、を備えている。
第1図において、メモリ装置用の電源装置の電源出力電
圧は端子101を介して供給されており、メモリ装置に
対しては、前記電源出力電圧はトランジスタ1および端
子102を経由して供給される。電池6の電圧は、メモ
リ装置が正常に動作する最低電圧に1ヘランジスタ2の
電圧低下分を加算した値よりも高く、叶つ端子101に
供給される前記電源装置の電源出力電圧より低い値に設
定される。
前記電源装置より端子]01を介して所定の電源出力電
圧が供給されると、トランジスタ1は動作状態となる。
ハ5イアス抵抗3および4の抵抗値は、バイアス抵抗3
および4による分圧比により、■・ランジスタ2が非動
作状態となるように選定される。1〜ランジスタ1の動
作状態においては、トランジスタ1のベースを通して抵
抗5に流れる微小電流によって、電池6は常時充電され
る。また、トランジスタ1を介して、端子102に接続
されるメモリ装置には所定の電源電圧が供給される。
メモリ装置用電源装置の電源出力電圧がダウンした場合
には、トランジスタ1には逆バイアス電圧が印加される
なめ非動作状態となり、バイアス抵抗3および4に流入
する電流は零となる。このため、トランジスタ2は順方
向のバイアス電圧が印加されることとなるなめ動作状態
に転移し、電池6からは、トランジスタ2および端子1
02を介して、所定のバックアップ用の電源出力電圧が
メモリ装置に供給される。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、正常動作時においては
、バックアップ用電源としての電池に対する充電作用が
常時保持され、且つ、メモリ装置用電源装置の電源出力
電圧ダウン時においては、電圧低下をともなわない正常
の電源電圧が、バッファ・ツブ用として前記電池よりメ
モリ装置に供給されるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1−図は本発明の一実施例の要部を示す回路図、第2
図は、従来のメモリ用バックアップ電源回路を要部を示
す回路図である。 図において、1.2・・・・・・トランジスタ、3.4
・・・・・・バイアス抵抗、5・・・・・・負荷抵抗、
6・・・・・・電池、7・・・・・・ツェナーダイオー
ド、8・・・・・・ダイオード、6一 印− 7就電池

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 所定のメモリ装置に対する電源電圧を供給する電源装置
    において、前記電源装置の正常動作時においては常時光
    電状態に保持されるバックアップ電源用の電池と、前記
    電源装置よりメモリ装置に供給される電源電圧のダウン
    時においては前記電源電圧を前記バックアップ電源用の
    電池の出力電圧に切替えてメモリ装置に供給するスイッ
    チ回路と、を備えることを特徴とするメモリ用バックア
    ップ電源回路。
JP61190819A 1986-08-13 1986-08-13 メモリ用バツクアツプ電源回路 Pending JPS6348133A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03239130A (ja) * 1990-02-14 1991-10-24 Kimura Denki Kk アナンシエータ装置の電源瞬断補償回路

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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