JPS63290272A - 希土類元素−遷移金属元素タ−ゲット材の製造方法 - Google Patents

希土類元素−遷移金属元素タ−ゲット材の製造方法

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JPS63290272A
JPS63290272A JP12458487A JP12458487A JPS63290272A JP S63290272 A JPS63290272 A JP S63290272A JP 12458487 A JP12458487 A JP 12458487A JP 12458487 A JP12458487 A JP 12458487A JP S63290272 A JPS63290272 A JP S63290272A
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JP
Japan
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powder
rare earth
transition metal
earth element
metal element
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Pending
Application number
JP12458487A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunichiro Matsumoto
俊一郎 松本
Tsutomu Inui
乾 勉
Mutsuo Kazuyasu
一安 六夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
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Publication date
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Publication of JPS63290272A publication Critical patent/JPS63290272A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録媒体として用いられる希土類元素
−遷移金属元素系スパッタリング用ターゲット材の製造
方法に関するものである。
〔従来の技術〕
最近、ガラスあるいは樹脂基板上にスパッタリング法を
用いて所望組成の希土類元素−遷移金属元素系の薄膜を
形成し、これを記録媒体として用いた書き換え可能で高
密度記録が可能な光磁気記録ディスクの開発が行なわれ
ている。このスパッタリングに用いられるターゲットは
、所望組成の合金粉や希土類元素粉末と遷移金属元素粉
末を所望組成に混合した粉体をホットプレスや熱間静水
圧プレスなどで加圧焼結することで製造されてい7一 る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、ホットプレスで加圧焼結を行なう場合、
焼結温度が固相温度以下では、得られる焼結体の相対密
度は94〜95%にしか達せず、このため焼結体中の空
孔にとりこまれている不活性ガスや酸素が成膜時に膜表
面に吸着したり、膜中にとりこまれて希土類元素を選択
的に酸化して磁気特性を劣化させる。一方焼結温度が固
相温度以上の場合は、焼結体の相対密度は、はぼ99%
以上にまで達するが、液相が生ずるため焼結体が酸化し
てしまうなどの問題点がある。
また、熱間静水圧プレスで加圧焼結を行なう場合は、高
密度な焼結体の製造が可能であるが、ホットプレスのよ
うな一軸圧縮ではないため、ターゲット材に適した薄板
の製造が困建であるという問題点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者らは、ホットプレス、熱間静水圧プレスのそれ
ぞれの特徴と希土類元素−遷移金属元素合金粉末、希土
類元素粉末および遷移金属元素粉末の焼結性を冶金学的
に検討した結果、以下に示す知見を得るに至った。すな
わち。
(1)熱間静水圧プレスでは、予備成形体の密度が70
%以上であれば、成形体は均一収縮し、固相温度範囲内
で薄板を寸法精度良くかつ高密度に熱開成形することが
可能である。
(2)希土類元素−遷移金属元素合金粉末は硬くて脆い
金属間化合物よりなり、冷間での予備成形は困鎧である
が、ホットプレスで加圧焼結すれば密度85−95%の
予備成形体が得られる。
(3)希土類元素粉末と遷移金属元素粉末の混合物は、
構成粒子自体が可塑性を有するため、常温、かつ成形圧
350)cgf/d以上で密度70%以上の予備成形体
が得られる。
(4)同相焼結の場合、Tb等の希土類元素の酸化を極
力防止することが可能であり、熱間静水圧プレス後の焼
結体の酸素量を2000ppm以内に抑えることができ
ること等である。
本発明は、上記知見に基づいて発明されたものであり、
希土類元素−遷移金属元素合金粉末、希土類元素−遷移
金属元素合金粉末と遷移金属元素粉末の混合粉、希土類
元素粉末と遷移金属元素粉末との混合粉または希土類元
素粉末と希土類元素−遷移金属元素合金粉末との混合粉
を熱間あるいは冷間で予備成形し、密度比を70%以上
とした後該予備成形体をカプセルに真空封入し、熱間静
水圧プレスにより同相温度範囲内で加圧成形することを
特徴とする希土類元素−遷移金属元素ターゲット材の製
造方法である。
〔実施例〕
以下、実施例により、本発明のターゲット材製造方法を
詳しく説明する。
実施例1 52.5%T b−44%Fe−3,5%Go(重量%
)の組成を有する合金粉末を32メツシユ以下に分級し
た後、この合金粉末450 gを内径130mmのホッ
トプレスモールド内に充填し、加圧圧力200kg/c
d、温度1000℃、真空度1O−4torrで30分
保持して仮焼結を行なった。
前記焼結体の密度は、この時点で90%にまで達してい
る。この仮焼結体を第1図に示す軟鋼製缶体内に8枚重
ねて挿入した。
なお、仮焼結体間および仮焼結体と缶体の間は、加熱焼
結時の反応防止および圧力媒体として作用するアルミナ
粉によって分離されている。前記缶体を1O−4tor
r、温度250℃で真空加熱して封止した後、熱間静水
圧プレス機中で、温度1100℃、圧力1200気圧で
1時間保持して焼結を行なった。前記焼結体の密度は、
相対密度100%に達しており、また焼結体の寸法も板
厚4±0.1mmという非常に寸法精度の良好な薄板が
成形できた。
この薄板をターゲットに加工した後、スパッタ装置に装
着して酸化膜付Si上に膜厚1000人のTb−Fe−
Go膜を成膜し、さらにその上に保護膜として膜厚10
00人のSiNを成膜した。
前記スパッタ膜を温度65℃、相対湿度95%の環境下
で加速寿命試験を行なった。なお本試験では比較品とし
て、同組成で相対密度が94%の焼結ターゲットを用い
て作成したスパッタ膜も同時に評価した。
第3図にこの加速寿命試験の評価結果を示す。
本発明ターゲットで成膜したスパッタ膜の保磁力は、長
時間にわたって安定しているのに対して、低密度ターゲ
ットで成膜したスパッタ膜はTbの選択酸化進行が原因
と思われる保磁力低下が早期に生ずることがわかる。
実施例2 32メツシユに分級した88%Tb−12%Fe(重量
%)合金粉末と純Fe、純Co粉を52.5%T b−
44%Fe−3,5%Coになるよう秤量した後、V型
混合器で均一な混合粉体になるよう混合した。次に該混
合粉末450gをホットプレス温度および熱間静水圧プ
レス温度を680℃にすること以外は、実施例1と同様
な条件で加圧焼結を行なった。得られた焼結体の相対密
度は100%を示し、板厚も4±0.1nmであった。
実施例3 32メツシユに分級した純Tb、純Fe、純Co粉を5
2.5%T b−44%Fe−3,5%Coになるよう
秤量し、V型混合器で均一に混合した。前記混合粉45
0gを内径130mφの金型に充填し、加圧圧力350
kg/d、常温で予備成形した。予備成形体の密度はこ
の時点で70%に達している。この予備成形体を第2図
に示す軟鋼製缶体内に5枚重ねて装入した。
予備成形体間は、板厚2■の薄いスペーサーを設置した
。また予備成形体とスペーサーおよび缶体の間には、加
圧焼結時の反応防止用としてNbiを設置した。前記缶
体を10−’ torr、温度250℃で真空加熱して
封止した後、熱間静水圧プレス機中で、温度680℃、
圧力1200気圧で1時間保持して焼結を行ない、板厚
精度および平坦度はやや劣るものの、他はほぼ実施例1
と同等な薄板を得た。
実施例4 32メツシユに分級した純Tb粉と88%Tb−12%
Fe(重量%)合金粉末と純Fe、純CO粉を、52.
5%Tb−44%Fe−3,5%Coになるよう秤量し
た後、■型混合器で均一な混合粉体になるよう混合し、
実施例2と同条件でホットプレス予備成形および熱間静
水圧プレス焼結した。得られた焼結体の密度は、100
%を示し、板厚は4±0.1nmであった。
〔発明の効果〕
以上述べたように、希土類元素−遷移金属元素合金粉末
、希土類元素−遷移金属元素合金粉末と遷移金属元素粉
末の混合粉、希土類元素粉末と遷移金属元素粉末との混
合粉または希土類元素粉末と希土類元素−遷移金属元素
合金粉末との混合粉を熱間あるいは冷間で予備成形し、
前記予備成形体を熱間静水圧プレスにより固相温度範囲
内で加圧成形することで、相対密度9g%以上の光磁気
記録用高密度ターゲット材の製造が可能となり、これは
、工業上大きな効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係わる熱間静水圧プレス用缶体の一
実施例を示す断面図、第2図は本発明による他の実施例
を示す断面図である。第3図は本発明ターゲットの薄膜
評価結果である。 1:軟鋼製缶体、2:メツシュ、3:脱気パイプ、4:
予備成形体、5:アルミナ粉、7:スペ第1図 7 2N−ブーlひ・ 屑11j防d(Nb)    第2図 、3,2

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 希土類元素−遷移金属元素合金粉末、希土類元素−
    遷移金属元素合金粉末と遷移金属元素粉末の混合粉、希
    土類元素粉末と遷移金属元素粉末との混合粉または希土
    類元素粉末と希土類元素−遷移金属元素合金粉末との混
    合粉を熱間あるいは冷間で予備成形し、密度比を70%
    以上とした後該予備成形体をカプセルに真空封入し、熱
    間静水圧プレスにより固相温度範囲内で加圧成形するこ
    とを特徴とする希土類元素−遷移金属元素ターゲット材
    の製造方法。 2 原料粉末は、希土類元素−遷移金属元素合金粉末で
    あり、予備成形はホットプレスによるものであることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の希土類元素−遷
    移金属元素ターゲット材の製造方法。 3 原料粉末は、希土類元素粉末と遷移金属元素粉末で
    あり、これらを混合後350kgf/cm^2以上の圧
    力で常温予備成形するものであることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載の希土類元素−遷移金属元素ター
    ゲット材の製造方法。
JP12458487A 1987-05-21 1987-05-21 希土類元素−遷移金属元素タ−ゲット材の製造方法 Pending JPS63290272A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01215972A (ja) * 1988-02-25 1989-08-29 Tokin Corp 光磁気記録媒体用ターゲットの製造方法
JPH02107762A (ja) * 1988-10-15 1990-04-19 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 光磁気記録用合金ターゲット
JPH0422906A (ja) * 1990-05-18 1992-01-27 Hitachi Cable Ltd 希土類元素添加導波路の製造方法
EP1067208A1 (en) * 1999-07-08 2001-01-10 Praxair S.T. Technology, Inc. Method of making sputtering targets

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