JPH036218B2 - - Google Patents
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Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光磁気記録材料として最近注目さ
れている希土類金属と遷移金属(鉄族金属)とか
らなる薄膜をスパツタリングにより製造する際に
用いられる焼結複合ターゲツト材に関する。 〔従来の技術〕 光磁気記録用の薄膜をスパツタリングにより製
造するための従来の希土類金属と遷移金属(鉄族
金属)とを構成成分とするターゲツト材として
は、 (1)2種の金属を真空もしくは不活性雰囲気中で
アーク熔解して作つた酸素含有量が0.5〜3.0重量
%である合金ターゲツト材(組成は希土類金属が
30〜50重量%、遷移金属が70〜50重量%)、及び
(2)遷移金属板上に希土類金属のチツプを置いた複
合ターゲツト材あるいは希土類金属板上に遷移金
属チツプを置いた同様ターゲツト材がある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、上記の(1)の合金ターゲツト材に
は、 (a) 靭性がない(抵抗力:2Kg/mm2以下)ため割
れ易く、取り扱いが難しい。 (b) 耐熱衝撃性がないため、スパツタリング中の
熱衝撃により割れることが多い。 (c) ターゲツト材中の酸素含有量が0.5〜3.0重量
%と高いために、この合金ターゲツト材を用い
てスパツタリングにより得られた薄膜は、光磁
気記録のために必要な垂直磁化膜となりにく
い。 (d) ターゲツト材の大きさはアーク熔解炉の大き
さに依存するが、現在の所、せいぜい直径が60
mmのものまでしか得られない。 (e) このターゲツト材を用いた例えばマグネトロ
ンスパツタリング(スパツタリング条件はAr
分圧:1×10-2torr、出力:0.5A、145V、プ
リスパツタリング時間:30分、基板はスライド
ガラス、基板とターゲツト間の距離:70mm、バ
イアス電圧:0V、基板回転:10rpm)のとき
のスパツタリング速度は1000〜2000Å/min.
と遅い。 以上、(a)〜(e)の問題点がある。 そして、上記の(2)の複合ターゲツト材には、 (a) 回転や反転することができないし、チツプを
均一な分布状態として使用することが困難であ
る。 (b) 板内に磁力線が入り易く、板表面に出にく
い。 又、板表面上のチツプの存在により磁界が均
一でなくなる。 (c) このターゲツト材を用した例えばマグネトロ
ンスパツタリング(スパツタリング条件は(1)の
合金ターゲツト材の(e)の条件と同じ)のときの
スパツタリング速度は1000〜2000Å/min.と
遅い。 以上、(a)〜(c)の問題点がある。 したがつて、この発明の目的は、靭性、耐熱衝
撃性共に大きく、取り扱い中やスパツタリングの
熱衝撃により割れることもなく、回転や反転する
こともでき、しかも、酸素含有量が少なくて光磁
気記録に好適な垂直磁化膜を早いスパツタリング
速度で形成することができるターゲツト材を提供
することである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは、先に、次のような複合ターゲツ
ト材の製造方法を出願した(特願昭59−219227
号)。即ち、 希土類金属の1種以上であつて、かつその形状
が粉末、小粒及びチツプのうちの1種以上と、遷
移金属の1種以上の粉末との混合物を真空中、あ
るいは不活性雰囲気中で混合物中に存在する金属
成分系の共融点未満の温度で熱間成形することを
特徴とする製造方法である。 この製造方法により初めて得られた、希土類金
属粒子と遷移金属粒子との界面に反応拡散相が存
在する組織を有する焼結複合ターゲツト材が前記
目的を達成することを本発明者らは種々検討の結
果見い出した。 この発明は、上記知見に基いて発明されたもの
であり、 Tb、Gd、Dy、Ho、Tm及びEr並びにそれら
の合金からなる群より選ばれた希土類金属粒子と
反応拡散相を構成する希土類金属の1種以上:30
〜50%、 Fe、Co及びNi並びにそれらの合金からなる群
より選ばれた遷移金属粒子と反応拡散相を構成す
る遷移金属の1種以上と不可避不純物:残りから
なる組成(以上、重量%)、及び、 希土類金属粒子と遷移金属粒子との界面に反応
拡散相が存在する組織を有することを特徴とする
焼結複合ターゲツト材である。 以下、この発明の構成を説明する。 (i) 組成成分と不可避不純物 この発明の焼結複合ターゲツト材は、希土類
金属の1種以上と遷移金属の1種以上と不可避
不純物からなる組成を有するものである。 この発明の焼結複合ターゲツト材の組成成分
である希土類金属は、Tb、Gd、Dy、Ho、
Tm及びEr並びにそれらの合金からなる群より
1種以上が選ばれる。それらの合金とは、Tb、
Gd、Dy、Ho、Tm及びErのうちの2種以上か
らなる合金を意味する。 又、この発明の焼結複合ターゲツト材の組成
成分である遷移金属は、Fe、Co及びNi並びに
それらの合金からなる群より1種以上が選ばれ
る。それらの合金とは、Fe、Co及びNiのうち
の2種以上からなる合金を意味する。 そして、不可避不純物としては、元素周期律
表の3a族元素、Si、Ca、Al、C、P、S、
Ta、Mn酸素等が挙げられる。 (ii) 組 成 この発明の焼結複合ターゲツトは、(i)項で述
べた希土類金属、すなわちTb、Gd、Dy、Ho、
Tm、及びEr、並びにそれらの合金からなる群
より選ばれた希土類金属の1種以上と、Fe、
Co及びNi、並びにそれらの合金からなる群よ
り選ばれた遷移金属の1種以上とで構成された
光磁気記録用薄膜をスパツタリングにより形成
するのに用いられるものであり、前記希土類金
属の1種以上:30〜50重量%を含有し、残りが
前記遷移金属の1種以上と不可避不純物からな
る組成を有するが、前記希土類金属が30重量%
未満でも50重量%を超えても、この焼結複合タ
ーゲツト材を用いてスパツタリングにより得ら
れる膜の磁化特性は垂直とはならずにすべて面
内磁化特性を有し、さらに保磁力も小さくな
り、実用上使用できない特性であるから、希土
類金属の含有量を30〜50重量%と定めた。 次に、不可避不純物は、原料等の製法上、元
素周期律表の3a族、Si、Ca及びAlがそれぞれ
0.1重量%以下、C、P及びSがそれぞれ0.1重
量%以下、Ta及びMnがそれぞれ0.3重量%以
下含んでいる。 (iii) 酸素含有量 この発明の焼結複合ターゲツト材中に不可避
不純物として含まれる酸素の量は、従来の合金
ターゲツト材と比較して、大巾に低減されてお
り、0.3重量%以下である。したがつて、この
発明の焼結複合ターゲツト材を用いてスパツタ
リングにより得られた膜は光磁気記録に必要な
垂直磁化特性を示すのである。 (iv) 組 織 この発明の焼結複合ターゲツト材は、第3図
の顕微鏡写真にも示されるように、希土類金属
粒子と遷移金属粒子との界面に反応拡散相が存
在する組織を有する。反応拡散相は上記第3図
の顕微鏡写真に示すように層を形成する場合も
あり、又、層を形成しないで例えば分散(点
在)状態で存在する場合もある。接合強度の面
からは、反応拡散相(希土類金属と遷移金属と
の固相拡散及び反応により生じた相)は層状で
存在するのが好ましい。 この反応拡散相の含有割合(但し、空隙を除
いた含有割合)は、0.2〜80容量%が望ましい。
その含有割合が0.2容量%未満では、粒子同志
の結合力が弱くなり、取り扱い及び加工中に破
損し易くなるため、取り扱いや加工が困難乃至
不可能となり、一方、80容量%を超えると、靭
性が低下し、取り扱い中に簡単に砕けたり、ス
パツタリング中の熱衝撃などにより表面に微小
クラツクが入つたり割れたりするようになるか
らである。より望ましくは、反応拡散相の含有
割合は1〜50容量%である。 〔実施例〕 以下、実施例により、この発明の焼結複合ター
ゲツト材を詳しく説明する。 実施例 1 平均粒径が100μmのTb粉末(純度:99.9%)
とFe粉末(純度99.99%)とを用意し、Tb粉末:
49重量%、Fe粉末:51重量%の配合割合で配合
し、ボールミルを用いて30分間トルエン中で混合
し、その後、取り出し乾燥し、内径が127mmのホ
ツトプレスモールド内に160g充填し、昇温速度
800℃/hr.で昇温し、800℃に達したら、真空度
10-3torr、加圧圧力400Kg/cm2及び保持時間15分
の条件でホツトプレスを行ない、加熱終了後炉冷
し、取り出した後表面を研摩し、配合組成と実質
的に同じ組成を有し、かつ第1図のa及びbに示
す組織、即ち、Tb粒子とFe粒子との界面に平均
層厚1μmのTb2Feなどの金属間化合物からなる反
応拡散層が存在し、しかもTb粒子とFe粒子と反
応拡散層とがそれぞれ44容量%、48容量%、及び
8容量%である組織を有し、直径が127mmで厚さ
1.5mmの焼結複合ターゲツト材を得た。この焼結
複合ターゲツト材の酸素含有量は0.1重量%であ
る。反応拡散層が金属間化合物からなつているこ
とは、XMAライン分析で確認した。 この焼結複合ターゲツト材の抗折力は13Kg/mm2
であり、耐熱衝撃性も良好であつた。 マグネトロンスパツタリング(スパツタリング
条件は(1)の合金ターゲツト材の問題点(e)の条件と
同じ)に、この焼結複合ターゲツト材を用いたと
きのスパツタリング速度は5000Å/min.であつ
た。 実施例 2 平均粒径が20μmのFe粉末(純度:99.99%)と
Co粉末(純度:99.99%)とTb粉末(純度:99.9
%)とGd粉末(純度:99.9%)とを用意し、Fe
粉末:39.4重量%、Co粉末:36.4重量%、Tb粉
末:12.5重量%、Gd粉末:11.7重量%の配合割合
で配合し、以下、ホツトプレスモールド内径を
203mm、充填量を770g及びホツトプレス温度を
600℃とすることを除いて、実施例1と同様に行
ない、配合組成と実質的に同じ組成を有し、かつ
Tb粒子やGd粒子とFe粒子やCo粒子との界面に
層厚が1〜5μmの範囲である反応拡散層が存在
し、しかも、Tb粒子、Gd粒子、Fe粒子、Co粒
子及び反応拡散層がそれぞれ23容量%、12容量
%、32容量%、28容量%及び5容量%である組織
を有し、直径が203mmで厚さ3mmの焼結複合ター
ゲツト材を得た。この焼結複合ターゲツト材の酸
素含有量は0.2重量%である。 この焼結複合ターゲツト材の抗折力は12Kg/mm2
であり、耐熱衝撃性も良好であつた。実施例1と
同じスパツタリング条件のマグネトロンスパツタ
リングに用いたときのスパツタリング速度は6200
Å/min.であつた。 実施例 3 平均幅0.2mm×平均厚0.05mm×平均長さ2mmの
Tb片(純度:99.9%)とFe−5重量%Co合金片
を用意し、Tb片:49重量%、Fe合金片:51重量
%の配合割合で配合し、以下、充填量を170g及
びホツトプレス温度を600℃とすることを除いて、
実施例1と同様に行ない、配合組成と実質的に同
じ組成を有し、かつ第2図に示す組織、即ち、片
状のTb粒子と片状のFe合金粒子との界面に反応
拡散層が存在し、Tb粒子、Fe合金粒子及び反応
拡散層がそれぞれ21容量%、55容量%及び24容量
%である組織を有し、直径が127mmで厚さ2mmの
焼結複合ターゲツト材を得た。この焼結複合ター
ゲツト材の酸素含有量は0.01重量%である。 この焼結複合ターゲツト材の抗折力は17Kg/mm2
であり、耐熱衝撃性も良好であつた。実施例1と
同じスパツタリング条件のマグネトロンスパツタ
リングに用いたときのスパツタリング速度は4700
Å/min.であつた。 実施例 4 平均粒径100μmのCo粉末(純度:99.99%)に
平均層厚1μmでFeをメツキする。この結果得ら
れた粉末の組成は、Co:97重量%、Fe:3重量
%からなる。 別に、平均粒径100μmのTb−20重量%Ho合金
粉末をも用意し、FeメツキCo粉末:58.4重量%、
Tb合金粉末:41.6重量%の配合割合で配合し、
以下、充填量を310g及びホツトプレス温度を600
℃とすることを除いて、実施例1と同様に行な
い、配合組成と実質的に同じ組成を有し、反応拡
散層がFeメツキ層とTb合金粒子との界面に存在
し、Tb合金粒子とFe層とCo粒子と反応拡散層が
それぞれ44容量%、2.8容量%、53容量%及び0.2
容量%である組織を有し、直径が127mmで厚さ3
mmの焼結複合ターゲツト材を得た。この焼結複合
ターゲツト材の酸素含有量は0.18重量%である。 この焼結複合ターゲツト材の抗折力は9Kg/mm2
であり、耐熱衝撃性も良好であつた。実施例1と
同じスパツタリング条件のマグネトロンスパツタ
リングに用いたときのスパツタリング速度は4500
Å/min.であつた。 実施例 5 平均粉径10μmのTb−5重量%Tm合金粉末、
平均粒径10μmのDy−5重量%Ho合金粉末及び
平均粒径200μmのFeシヨツト(純度:99.99%)
を用意し、Tb合金粉末:20重量%、Dy合金粉
末:23重量%及びFeシヨツト:57重量%の配合
組成で配合し、以下、ホツトプレスモールド内径
を203mm、充填量を750g及びホツトプレス温度を
600℃とすることを除いて、実施例1と同様に行
ない、配合組成と実質的に同じ組成を有し、かつ
第3図に示す組織、即ち、反応拡散層がTb合金
粒子やDy合金粒子とFe粒子との界面に存在し、
Tb合金粒子:Dy合金粒子:Fe粒子:反応拡散層
=17容量%:17容量%:17容量%:17容量%:49
容量%の組織を有し、直径が203mmで厚さ4mmの
焼結複合ターゲツト材を得た。この焼結複合ター
ゲツト材の酸素含有量は0.24重量%である。 この焼結複合ターゲツト材の抗折力は10Kg/mm2
であり、耐熱衝撃性も良好であつた。実施例1と
同じスパツタリング条件のマグネトロンスパツタ
リングに用いたときのスパツタリング速度は5800
Å/min.であつた。 実施例 6 原料粉末として、いずれも100μmの平均粒径
を有するTb粉末(純度:99.9%)、Fe−Co合金
粉末(Co:25原子%含有)、およびFe粉末(純
度:99.99%)を用意し、これら原料粉末を、
Tb:48.5重量%、Fe−Co合金:27.64重量%、
Fe:23.86重量%の割合に配合し、高純度Arガス
雰囲気中で20分間乾式混合し、この混合粉末:
270gを、1.2mm厚のステンレス鋼板で成形され、
真空引きパイプを側面に有し、かつ内径:125mm
×深さ:4mm、すなわち外形:127.4mm×厚さ:
6.4mmの寸法を有する缶体の中に充填し、前記真
空引きパイプを通して、前記缶体内を1×
10-6torrの真空度まで真空引きし、真空封入を行
なつた後、この缶体に対して、2段圧延機を用
い、加熱温度:600℃、圧下率:7%の条件での
熱間圧延を繰り返し10回施して、その厚さを4mm
とし、ついで昇温速度:700℃/hr、加熱温度:
680℃、保持時間:10時間の条件で加熱し、冷却
した後、外側の缶材を旋盤にて除去することによ
つて、焼結複合ターゲツト材を製造した。 この結果得られた焼結複合ターゲツト材の金属
顕微鏡による組織(倍率:200倍)を第4図に示
したが、図示されるように、Tb粒子(黒い部分)
とFeまたはFe−Co合金粒子(白い部分)との界
面に金属間化合物からなる反応拡散層が形成され
ていることが明らかである。 また、この焼結複合ターゲツト材は、抗折力:
13Kg/mm2を示し、かつ実施例1におけると同一の
条件でのマグネトロンスパツタリングでは、4800
Å/minのスパツタリング速度を示した。 実施例 7 原料粉末として、いずれも平均粒径が80μmの
Tb粉末(純度:99.9%)およびFe粉末(純度:
99.99%)を用い、これら原料粉末を、Tb:48.68
重量%、Fe:51.32重量%の割合に配合し、かつ
熱間圧延に代つて、200ton鍛造機を用い、700℃
の温度で熱間鍛造を行ない、さらに加熱条件を、
昇温速度:700℃/hr、加熱温度:780℃、保持時
間:4時間とする以外は実施例7におけると同一
の条件で焼結複合ターゲツト材を製造した。 この結果得られた焼結複合ターゲツト材の金属
顕微鏡による組織(倍率:200倍)を第5図に示
したが、同様に、Tb粒子とFe粒子との界面には
反応拡散層が存在することが示されている。 また、この焼結複合ターゲツト材は、抗折力:
8Kg/mm2を示し、かつ実施例1におけると同一の
条件で、5200Å/minのスパツタリング速度を示
した。 実施例 8 実施例1において、第1表に示す配合組成の配
合物を用いる他は、ほぼ同様にして、配合組成と
実質的に同じ組成であつて第1表記載の酸素含有
量を有し、かつ、希土類金属粒子と遷移金属粒子
との界面に第1表に示す含有量の反応拡散相が存
在する組織を有する焼結複合ターゲツト材(直径
127mm、厚さ5mm)を得た。 これらの焼結複合ターゲツト材の抗折力及び実
施例1と同じ条件でのマグネトロンスパツタリン
グにおけるスパツタリング速度を測定し、その結
果を第1表に示した。 〔発明の総括的効果〕 実施例1〜7及び第1表からわかるように、こ
の発明の焼結複合ターゲツト材は、抗折力が約7
〜20Kg/mm2と靭性が大きく、耐熱衝撃性も良好な
ので、取り扱い中やスパツタリングの熱衝撃によ
り割れることがない。そして、一体的に形成され
た物であり靭性も大きいので、回転や反転するこ
ともできるものである。又、この発明の焼結複合
ターゲツト材の酸素含有量は、0.3重量%以下で
あるので、この発明の焼結複合ターゲツト材を用
いてスパツタリングすれば、光磁気記録に好適な
垂直磁化膜を簡単に製造することができる。しか
も、その際に、スパツタリング速度が4000〜7000
Å/min.と、従来のターゲツト材に比べて2〜
7倍も大きいので、1/2〜1/7の短時間で所望の膜
厚の薄膜を製造することができるものであり、し
たがつて、この発明の焼結複合ターゲツト材は、
スパツタリング法の欠点であつた小さ
れている希土類金属と遷移金属(鉄族金属)とか
らなる薄膜をスパツタリングにより製造する際に
用いられる焼結複合ターゲツト材に関する。 〔従来の技術〕 光磁気記録用の薄膜をスパツタリングにより製
造するための従来の希土類金属と遷移金属(鉄族
金属)とを構成成分とするターゲツト材として
は、 (1)2種の金属を真空もしくは不活性雰囲気中で
アーク熔解して作つた酸素含有量が0.5〜3.0重量
%である合金ターゲツト材(組成は希土類金属が
30〜50重量%、遷移金属が70〜50重量%)、及び
(2)遷移金属板上に希土類金属のチツプを置いた複
合ターゲツト材あるいは希土類金属板上に遷移金
属チツプを置いた同様ターゲツト材がある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、上記の(1)の合金ターゲツト材に
は、 (a) 靭性がない(抵抗力:2Kg/mm2以下)ため割
れ易く、取り扱いが難しい。 (b) 耐熱衝撃性がないため、スパツタリング中の
熱衝撃により割れることが多い。 (c) ターゲツト材中の酸素含有量が0.5〜3.0重量
%と高いために、この合金ターゲツト材を用い
てスパツタリングにより得られた薄膜は、光磁
気記録のために必要な垂直磁化膜となりにく
い。 (d) ターゲツト材の大きさはアーク熔解炉の大き
さに依存するが、現在の所、せいぜい直径が60
mmのものまでしか得られない。 (e) このターゲツト材を用いた例えばマグネトロ
ンスパツタリング(スパツタリング条件はAr
分圧:1×10-2torr、出力:0.5A、145V、プ
リスパツタリング時間:30分、基板はスライド
ガラス、基板とターゲツト間の距離:70mm、バ
イアス電圧:0V、基板回転:10rpm)のとき
のスパツタリング速度は1000〜2000Å/min.
と遅い。 以上、(a)〜(e)の問題点がある。 そして、上記の(2)の複合ターゲツト材には、 (a) 回転や反転することができないし、チツプを
均一な分布状態として使用することが困難であ
る。 (b) 板内に磁力線が入り易く、板表面に出にく
い。 又、板表面上のチツプの存在により磁界が均
一でなくなる。 (c) このターゲツト材を用した例えばマグネトロ
ンスパツタリング(スパツタリング条件は(1)の
合金ターゲツト材の(e)の条件と同じ)のときの
スパツタリング速度は1000〜2000Å/min.と
遅い。 以上、(a)〜(c)の問題点がある。 したがつて、この発明の目的は、靭性、耐熱衝
撃性共に大きく、取り扱い中やスパツタリングの
熱衝撃により割れることもなく、回転や反転する
こともでき、しかも、酸素含有量が少なくて光磁
気記録に好適な垂直磁化膜を早いスパツタリング
速度で形成することができるターゲツト材を提供
することである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは、先に、次のような複合ターゲツ
ト材の製造方法を出願した(特願昭59−219227
号)。即ち、 希土類金属の1種以上であつて、かつその形状
が粉末、小粒及びチツプのうちの1種以上と、遷
移金属の1種以上の粉末との混合物を真空中、あ
るいは不活性雰囲気中で混合物中に存在する金属
成分系の共融点未満の温度で熱間成形することを
特徴とする製造方法である。 この製造方法により初めて得られた、希土類金
属粒子と遷移金属粒子との界面に反応拡散相が存
在する組織を有する焼結複合ターゲツト材が前記
目的を達成することを本発明者らは種々検討の結
果見い出した。 この発明は、上記知見に基いて発明されたもの
であり、 Tb、Gd、Dy、Ho、Tm及びEr並びにそれら
の合金からなる群より選ばれた希土類金属粒子と
反応拡散相を構成する希土類金属の1種以上:30
〜50%、 Fe、Co及びNi並びにそれらの合金からなる群
より選ばれた遷移金属粒子と反応拡散相を構成す
る遷移金属の1種以上と不可避不純物:残りから
なる組成(以上、重量%)、及び、 希土類金属粒子と遷移金属粒子との界面に反応
拡散相が存在する組織を有することを特徴とする
焼結複合ターゲツト材である。 以下、この発明の構成を説明する。 (i) 組成成分と不可避不純物 この発明の焼結複合ターゲツト材は、希土類
金属の1種以上と遷移金属の1種以上と不可避
不純物からなる組成を有するものである。 この発明の焼結複合ターゲツト材の組成成分
である希土類金属は、Tb、Gd、Dy、Ho、
Tm及びEr並びにそれらの合金からなる群より
1種以上が選ばれる。それらの合金とは、Tb、
Gd、Dy、Ho、Tm及びErのうちの2種以上か
らなる合金を意味する。 又、この発明の焼結複合ターゲツト材の組成
成分である遷移金属は、Fe、Co及びNi並びに
それらの合金からなる群より1種以上が選ばれ
る。それらの合金とは、Fe、Co及びNiのうち
の2種以上からなる合金を意味する。 そして、不可避不純物としては、元素周期律
表の3a族元素、Si、Ca、Al、C、P、S、
Ta、Mn酸素等が挙げられる。 (ii) 組 成 この発明の焼結複合ターゲツトは、(i)項で述
べた希土類金属、すなわちTb、Gd、Dy、Ho、
Tm、及びEr、並びにそれらの合金からなる群
より選ばれた希土類金属の1種以上と、Fe、
Co及びNi、並びにそれらの合金からなる群よ
り選ばれた遷移金属の1種以上とで構成された
光磁気記録用薄膜をスパツタリングにより形成
するのに用いられるものであり、前記希土類金
属の1種以上:30〜50重量%を含有し、残りが
前記遷移金属の1種以上と不可避不純物からな
る組成を有するが、前記希土類金属が30重量%
未満でも50重量%を超えても、この焼結複合タ
ーゲツト材を用いてスパツタリングにより得ら
れる膜の磁化特性は垂直とはならずにすべて面
内磁化特性を有し、さらに保磁力も小さくな
り、実用上使用できない特性であるから、希土
類金属の含有量を30〜50重量%と定めた。 次に、不可避不純物は、原料等の製法上、元
素周期律表の3a族、Si、Ca及びAlがそれぞれ
0.1重量%以下、C、P及びSがそれぞれ0.1重
量%以下、Ta及びMnがそれぞれ0.3重量%以
下含んでいる。 (iii) 酸素含有量 この発明の焼結複合ターゲツト材中に不可避
不純物として含まれる酸素の量は、従来の合金
ターゲツト材と比較して、大巾に低減されてお
り、0.3重量%以下である。したがつて、この
発明の焼結複合ターゲツト材を用いてスパツタ
リングにより得られた膜は光磁気記録に必要な
垂直磁化特性を示すのである。 (iv) 組 織 この発明の焼結複合ターゲツト材は、第3図
の顕微鏡写真にも示されるように、希土類金属
粒子と遷移金属粒子との界面に反応拡散相が存
在する組織を有する。反応拡散相は上記第3図
の顕微鏡写真に示すように層を形成する場合も
あり、又、層を形成しないで例えば分散(点
在)状態で存在する場合もある。接合強度の面
からは、反応拡散相(希土類金属と遷移金属と
の固相拡散及び反応により生じた相)は層状で
存在するのが好ましい。 この反応拡散相の含有割合(但し、空隙を除
いた含有割合)は、0.2〜80容量%が望ましい。
その含有割合が0.2容量%未満では、粒子同志
の結合力が弱くなり、取り扱い及び加工中に破
損し易くなるため、取り扱いや加工が困難乃至
不可能となり、一方、80容量%を超えると、靭
性が低下し、取り扱い中に簡単に砕けたり、ス
パツタリング中の熱衝撃などにより表面に微小
クラツクが入つたり割れたりするようになるか
らである。より望ましくは、反応拡散相の含有
割合は1〜50容量%である。 〔実施例〕 以下、実施例により、この発明の焼結複合ター
ゲツト材を詳しく説明する。 実施例 1 平均粒径が100μmのTb粉末(純度:99.9%)
とFe粉末(純度99.99%)とを用意し、Tb粉末:
49重量%、Fe粉末:51重量%の配合割合で配合
し、ボールミルを用いて30分間トルエン中で混合
し、その後、取り出し乾燥し、内径が127mmのホ
ツトプレスモールド内に160g充填し、昇温速度
800℃/hr.で昇温し、800℃に達したら、真空度
10-3torr、加圧圧力400Kg/cm2及び保持時間15分
の条件でホツトプレスを行ない、加熱終了後炉冷
し、取り出した後表面を研摩し、配合組成と実質
的に同じ組成を有し、かつ第1図のa及びbに示
す組織、即ち、Tb粒子とFe粒子との界面に平均
層厚1μmのTb2Feなどの金属間化合物からなる反
応拡散層が存在し、しかもTb粒子とFe粒子と反
応拡散層とがそれぞれ44容量%、48容量%、及び
8容量%である組織を有し、直径が127mmで厚さ
1.5mmの焼結複合ターゲツト材を得た。この焼結
複合ターゲツト材の酸素含有量は0.1重量%であ
る。反応拡散層が金属間化合物からなつているこ
とは、XMAライン分析で確認した。 この焼結複合ターゲツト材の抗折力は13Kg/mm2
であり、耐熱衝撃性も良好であつた。 マグネトロンスパツタリング(スパツタリング
条件は(1)の合金ターゲツト材の問題点(e)の条件と
同じ)に、この焼結複合ターゲツト材を用いたと
きのスパツタリング速度は5000Å/min.であつ
た。 実施例 2 平均粒径が20μmのFe粉末(純度:99.99%)と
Co粉末(純度:99.99%)とTb粉末(純度:99.9
%)とGd粉末(純度:99.9%)とを用意し、Fe
粉末:39.4重量%、Co粉末:36.4重量%、Tb粉
末:12.5重量%、Gd粉末:11.7重量%の配合割合
で配合し、以下、ホツトプレスモールド内径を
203mm、充填量を770g及びホツトプレス温度を
600℃とすることを除いて、実施例1と同様に行
ない、配合組成と実質的に同じ組成を有し、かつ
Tb粒子やGd粒子とFe粒子やCo粒子との界面に
層厚が1〜5μmの範囲である反応拡散層が存在
し、しかも、Tb粒子、Gd粒子、Fe粒子、Co粒
子及び反応拡散層がそれぞれ23容量%、12容量
%、32容量%、28容量%及び5容量%である組織
を有し、直径が203mmで厚さ3mmの焼結複合ター
ゲツト材を得た。この焼結複合ターゲツト材の酸
素含有量は0.2重量%である。 この焼結複合ターゲツト材の抗折力は12Kg/mm2
であり、耐熱衝撃性も良好であつた。実施例1と
同じスパツタリング条件のマグネトロンスパツタ
リングに用いたときのスパツタリング速度は6200
Å/min.であつた。 実施例 3 平均幅0.2mm×平均厚0.05mm×平均長さ2mmの
Tb片(純度:99.9%)とFe−5重量%Co合金片
を用意し、Tb片:49重量%、Fe合金片:51重量
%の配合割合で配合し、以下、充填量を170g及
びホツトプレス温度を600℃とすることを除いて、
実施例1と同様に行ない、配合組成と実質的に同
じ組成を有し、かつ第2図に示す組織、即ち、片
状のTb粒子と片状のFe合金粒子との界面に反応
拡散層が存在し、Tb粒子、Fe合金粒子及び反応
拡散層がそれぞれ21容量%、55容量%及び24容量
%である組織を有し、直径が127mmで厚さ2mmの
焼結複合ターゲツト材を得た。この焼結複合ター
ゲツト材の酸素含有量は0.01重量%である。 この焼結複合ターゲツト材の抗折力は17Kg/mm2
であり、耐熱衝撃性も良好であつた。実施例1と
同じスパツタリング条件のマグネトロンスパツタ
リングに用いたときのスパツタリング速度は4700
Å/min.であつた。 実施例 4 平均粒径100μmのCo粉末(純度:99.99%)に
平均層厚1μmでFeをメツキする。この結果得ら
れた粉末の組成は、Co:97重量%、Fe:3重量
%からなる。 別に、平均粒径100μmのTb−20重量%Ho合金
粉末をも用意し、FeメツキCo粉末:58.4重量%、
Tb合金粉末:41.6重量%の配合割合で配合し、
以下、充填量を310g及びホツトプレス温度を600
℃とすることを除いて、実施例1と同様に行な
い、配合組成と実質的に同じ組成を有し、反応拡
散層がFeメツキ層とTb合金粒子との界面に存在
し、Tb合金粒子とFe層とCo粒子と反応拡散層が
それぞれ44容量%、2.8容量%、53容量%及び0.2
容量%である組織を有し、直径が127mmで厚さ3
mmの焼結複合ターゲツト材を得た。この焼結複合
ターゲツト材の酸素含有量は0.18重量%である。 この焼結複合ターゲツト材の抗折力は9Kg/mm2
であり、耐熱衝撃性も良好であつた。実施例1と
同じスパツタリング条件のマグネトロンスパツタ
リングに用いたときのスパツタリング速度は4500
Å/min.であつた。 実施例 5 平均粉径10μmのTb−5重量%Tm合金粉末、
平均粒径10μmのDy−5重量%Ho合金粉末及び
平均粒径200μmのFeシヨツト(純度:99.99%)
を用意し、Tb合金粉末:20重量%、Dy合金粉
末:23重量%及びFeシヨツト:57重量%の配合
組成で配合し、以下、ホツトプレスモールド内径
を203mm、充填量を750g及びホツトプレス温度を
600℃とすることを除いて、実施例1と同様に行
ない、配合組成と実質的に同じ組成を有し、かつ
第3図に示す組織、即ち、反応拡散層がTb合金
粒子やDy合金粒子とFe粒子との界面に存在し、
Tb合金粒子:Dy合金粒子:Fe粒子:反応拡散層
=17容量%:17容量%:17容量%:17容量%:49
容量%の組織を有し、直径が203mmで厚さ4mmの
焼結複合ターゲツト材を得た。この焼結複合ター
ゲツト材の酸素含有量は0.24重量%である。 この焼結複合ターゲツト材の抗折力は10Kg/mm2
であり、耐熱衝撃性も良好であつた。実施例1と
同じスパツタリング条件のマグネトロンスパツタ
リングに用いたときのスパツタリング速度は5800
Å/min.であつた。 実施例 6 原料粉末として、いずれも100μmの平均粒径
を有するTb粉末(純度:99.9%)、Fe−Co合金
粉末(Co:25原子%含有)、およびFe粉末(純
度:99.99%)を用意し、これら原料粉末を、
Tb:48.5重量%、Fe−Co合金:27.64重量%、
Fe:23.86重量%の割合に配合し、高純度Arガス
雰囲気中で20分間乾式混合し、この混合粉末:
270gを、1.2mm厚のステンレス鋼板で成形され、
真空引きパイプを側面に有し、かつ内径:125mm
×深さ:4mm、すなわち外形:127.4mm×厚さ:
6.4mmの寸法を有する缶体の中に充填し、前記真
空引きパイプを通して、前記缶体内を1×
10-6torrの真空度まで真空引きし、真空封入を行
なつた後、この缶体に対して、2段圧延機を用
い、加熱温度:600℃、圧下率:7%の条件での
熱間圧延を繰り返し10回施して、その厚さを4mm
とし、ついで昇温速度:700℃/hr、加熱温度:
680℃、保持時間:10時間の条件で加熱し、冷却
した後、外側の缶材を旋盤にて除去することによ
つて、焼結複合ターゲツト材を製造した。 この結果得られた焼結複合ターゲツト材の金属
顕微鏡による組織(倍率:200倍)を第4図に示
したが、図示されるように、Tb粒子(黒い部分)
とFeまたはFe−Co合金粒子(白い部分)との界
面に金属間化合物からなる反応拡散層が形成され
ていることが明らかである。 また、この焼結複合ターゲツト材は、抗折力:
13Kg/mm2を示し、かつ実施例1におけると同一の
条件でのマグネトロンスパツタリングでは、4800
Å/minのスパツタリング速度を示した。 実施例 7 原料粉末として、いずれも平均粒径が80μmの
Tb粉末(純度:99.9%)およびFe粉末(純度:
99.99%)を用い、これら原料粉末を、Tb:48.68
重量%、Fe:51.32重量%の割合に配合し、かつ
熱間圧延に代つて、200ton鍛造機を用い、700℃
の温度で熱間鍛造を行ない、さらに加熱条件を、
昇温速度:700℃/hr、加熱温度:780℃、保持時
間:4時間とする以外は実施例7におけると同一
の条件で焼結複合ターゲツト材を製造した。 この結果得られた焼結複合ターゲツト材の金属
顕微鏡による組織(倍率:200倍)を第5図に示
したが、同様に、Tb粒子とFe粒子との界面には
反応拡散層が存在することが示されている。 また、この焼結複合ターゲツト材は、抗折力:
8Kg/mm2を示し、かつ実施例1におけると同一の
条件で、5200Å/minのスパツタリング速度を示
した。 実施例 8 実施例1において、第1表に示す配合組成の配
合物を用いる他は、ほぼ同様にして、配合組成と
実質的に同じ組成であつて第1表記載の酸素含有
量を有し、かつ、希土類金属粒子と遷移金属粒子
との界面に第1表に示す含有量の反応拡散相が存
在する組織を有する焼結複合ターゲツト材(直径
127mm、厚さ5mm)を得た。 これらの焼結複合ターゲツト材の抗折力及び実
施例1と同じ条件でのマグネトロンスパツタリン
グにおけるスパツタリング速度を測定し、その結
果を第1表に示した。 〔発明の総括的効果〕 実施例1〜7及び第1表からわかるように、こ
の発明の焼結複合ターゲツト材は、抗折力が約7
〜20Kg/mm2と靭性が大きく、耐熱衝撃性も良好な
ので、取り扱い中やスパツタリングの熱衝撃によ
り割れることがない。そして、一体的に形成され
た物であり靭性も大きいので、回転や反転するこ
ともできるものである。又、この発明の焼結複合
ターゲツト材の酸素含有量は、0.3重量%以下で
あるので、この発明の焼結複合ターゲツト材を用
いてスパツタリングすれば、光磁気記録に好適な
垂直磁化膜を簡単に製造することができる。しか
も、その際に、スパツタリング速度が4000〜7000
Å/min.と、従来のターゲツト材に比べて2〜
7倍も大きいので、1/2〜1/7の短時間で所望の膜
厚の薄膜を製造することができるものであり、し
たがつて、この発明の焼結複合ターゲツト材は、
スパツタリング法の欠点であつた小さ
【表】
【表】
な薄膜形成速度を大巾に改良することができるも
のである。その原因は明らかではないが、1つに
は、この発明の焼結複合ターゲツト材はもれ磁束
が広く、かつ大きいためとも考えられる。
のである。その原因は明らかではないが、1つに
は、この発明の焼結複合ターゲツト材はもれ磁束
が広く、かつ大きいためとも考えられる。
第1図のaは、この発明の焼結複合ターゲツト
材の金属組織を示す顕微鏡写真、第1図のbは、
第1図のaの顕微鏡写真を説明するための一部拡
大模式図、第2図は、この発明の別の焼結複合タ
ーゲツト材の金属組織を示す顕微鏡写真、第3
図、第4図、および第5図は、それぞれこの発明
の更に別の焼結複合ターゲツト材の金属組織を示
す顕微鏡写真である。
材の金属組織を示す顕微鏡写真、第1図のbは、
第1図のaの顕微鏡写真を説明するための一部拡
大模式図、第2図は、この発明の別の焼結複合タ
ーゲツト材の金属組織を示す顕微鏡写真、第3
図、第4図、および第5図は、それぞれこの発明
の更に別の焼結複合ターゲツト材の金属組織を示
す顕微鏡写真である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 Tb、Gd、Dy、Ho、Tm及びEr、並びにそ
れらの合金からなる群より選ばれた希土類金属粒
子と反応拡散相を構成する希土類金属の1種以
上:30〜50%、 Fe、Co及びNi、並びにそれらの合金からなる
群より選ばれた遷移金属粒子と反応拡散相を構成
する遷移金属の1種以上と不可避不純物:残り、 からなる組成(以上、重量%)、及び、 希土類金属粒子と遷移金属粒子との界面に反応
拡散相が存在する組織、 を有することを特徴とする焼結複合ターゲツト
材。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24183184A JPS61119648A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 焼結複合タ−ゲツト材 |
US06/787,529 US4620872A (en) | 1984-10-18 | 1985-10-15 | Composite target material and process for producing the same |
DE19853537191 DE3537191A1 (de) | 1984-10-18 | 1985-10-18 | Verbundtargetmaterial und verfahren zu seiner herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24183184A JPS61119648A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 焼結複合タ−ゲツト材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61119648A JPS61119648A (ja) | 1986-06-06 |
JPH036218B2 true JPH036218B2 (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=17080143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24183184A Granted JPS61119648A (ja) | 1984-10-18 | 1984-11-16 | 焼結複合タ−ゲツト材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61119648A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150037500A (ko) * | 2013-09-30 | 2015-04-08 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 전자 디바이스용 구조체, 플라즈마 cvd 장치, 및 성막 방법 |
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---|---|---|---|---|
JPS62256962A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Mitsubishi Metal Corp | 光磁気記録媒体形成用スパツタリングタ−ゲツト材 |
JPH0768612B2 (ja) * | 1987-04-20 | 1995-07-26 | 日立金属株式会社 | 希土類金属―鉄族金属ターゲット用合金粉末、希土類金属―鉄族金属ターゲット、およびそれらの製造方法 |
JPS63274764A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
JP2744991B2 (ja) * | 1987-11-27 | 1998-04-28 | 松下電器産業株式会社 | スパッタリングターゲット |
JP2988021B2 (ja) * | 1991-06-12 | 1999-12-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 透磁率の低い光磁気記録薄膜形成用高強度ターゲット材 |
-
1984
- 1984-11-16 JP JP24183184A patent/JPS61119648A/ja active Granted
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KR20150037500A (ko) * | 2013-09-30 | 2015-04-08 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 전자 디바이스용 구조체, 플라즈마 cvd 장치, 및 성막 방법 |
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JPS61119648A (ja) | 1986-06-06 |
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---|---|---|
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