JPH0344145B2 - - Google Patents
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- JPH0344145B2 JPH0344145B2 JP23992383A JP23992383A JPH0344145B2 JP H0344145 B2 JPH0344145 B2 JP H0344145B2 JP 23992383 A JP23992383 A JP 23992383A JP 23992383 A JP23992383 A JP 23992383A JP H0344145 B2 JPH0344145 B2 JP H0344145B2
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- pressure
- tellurium
- sintering
- powder
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- Expired
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
この発明は、スパツタリング用ターゲツト板に
関する。 電子工業、電気工業等の分野で用いられるBi，
Se、Te、Sb、In、Sn等の金属または半金属ある
いはこれらの合金の薄膜は、一般に真空蒸着法ま
たはスパツタリング法によつて基板上へ形成され
る。ところで、上記スパツタリングに用いられる
テルルもしくはテルル合金等のターゲツト板は、
従来前記金属等を真空中や不活性ガス中で溶融
し、鋳型に鋳造する鋳造法や前記金属等の粉末を
押型で高い成形圧下で加圧成形後、加熱して焼結
する、コールドプレス法で製造されている。 しかし、鋳造法では、上記金属等の蒸気圧が高
いため製造中、蒸発量が多く歩留りが低下する問
題、及び、これら蒸気は有毒なので、除害や安全
上に問題がある。また、鋳造した金属等は、ガラ
ス質のため製造時の冷却やスパツタリング時の発
熱に伴つて割れやガス発生が生じ易い問題があ
る。 さらに、コールドプレス法は、高密度焼結体を
得るには高い成形圧が必要であり圧縮性の悪い粉
体に対しては押型より取り出す際に圧縮割れやス
プリングバツグによつて割れる危険性が高い。そ
して、蒸気圧の高い金属等を焼結させるには、表
面積が大きいので蒸発ロスが多いなどの問題があ
る。 この発明は、以上の点に鑑みてなされたもので
あつて、すなわちテルル粉末あるいはテルル合金
粉末を加圧下で成形焼結し、密度比を70〜90％に
調整することにより強い曲げ強さを有して割れに
くいテルルもしくはテルル合金よりなるスパツタ
リング用ターゲツト板を提供するものである。 ここで、密度比とは、金属の真比重に対する焼
結体の見掛密度の百方比をいう。 加圧成形および焼結は通常行われる粉末冶金的
方法で良いが、比較的低い成形圧で粉体を加圧成
形したのちに、加圧下で焼結する方が一般に好結
果が得られる。 加圧下焼結のためには、圧縮焼結法あるいはホ
ツトプレス法があるが、粉体を充填した押型を加
熱する際の熱膨脹や熱歪みを利用して加圧下焼結
を実施する方法も簡便な方法である。 焼結温度は原料の融点の0.75〜0.95倍、好まし
くは0.9倍がよく、テルルターゲツト板製造の際
の焼結温度は340〜430℃、好ましくは410℃とす
る。 焼結時の雰囲気は水素あるいはアルゴン雰囲気
とすることが望ましい。 以下、実施例に基づいてこの発明を説明する。 市販されているテルルシヨツトを−60meshで
あり、かつ−325meshの比率が40％程度となるよ
うに粉砕したテルル粉末を、所定の形状たとえば
薄肉厚の円盤状に成形圧力10〜500Kg／cm2好まし
くは150〜250Kg／cm2において加圧成形したのち、
加圧下で焼結することにより密度比70〜90％の焼
結体とした。密度比を70〜90％とする理由は、密
度比70％以下では曲げ強さが弱く、90％以上では
気孔が少なくなるのでクラツクが発生し易く、且
つ気孔が閉鎖されたものとなり通気孔とならない
のでスパツタリング時に割れやガスが発生しやす
くなるからである。本発明に係るターゲツト板
は、強い曲げ強さを有し、割れにくいものとなつ
ているので、スパツタリング時に急熱されても割
れやガスの発生がなく、ターゲツト板として良好
な性状を有している。 次に、本発明に係るスパツタリング用ターゲツ
トと、高圧圧縮成形常圧焼結したターゲツト板の
物性値の測定比較を表−１に示す。 本発明に係るターゲツト板においては、押型に
装填された粉末を158Kg／cm2の成形圧で圧縮成形
したのち、水素雰囲気中で410℃において加圧焼
結することによつて製造した。一方、従来法によ
る高圧圧縮成形常圧焼結ターゲツト板において
は、粉末を500Kg／cm2の成形圧で常温において圧
縮して成形体を製造し、水素雰囲気中で410℃に
おいて常圧下で焼結した。 なお、焼結する粉末としては、両者とも−
60meshでかつ−325mhshの比率が40％程度とな
るように粉砕されたテルルの粉末を使用した。ま
た、物性値のうち、曲げ強さは、炭素協会規格
JCAS−10−1968−44に従つて測定し、密度比は
JISZ2500−319に準じ測定を行ない評価を行なつ
た。
関する。 電子工業、電気工業等の分野で用いられるBi，
Se、Te、Sb、In、Sn等の金属または半金属ある
いはこれらの合金の薄膜は、一般に真空蒸着法ま
たはスパツタリング法によつて基板上へ形成され
る。ところで、上記スパツタリングに用いられる
テルルもしくはテルル合金等のターゲツト板は、
従来前記金属等を真空中や不活性ガス中で溶融
し、鋳型に鋳造する鋳造法や前記金属等の粉末を
押型で高い成形圧下で加圧成形後、加熱して焼結
する、コールドプレス法で製造されている。 しかし、鋳造法では、上記金属等の蒸気圧が高
いため製造中、蒸発量が多く歩留りが低下する問
題、及び、これら蒸気は有毒なので、除害や安全
上に問題がある。また、鋳造した金属等は、ガラ
ス質のため製造時の冷却やスパツタリング時の発
熱に伴つて割れやガス発生が生じ易い問題があ
る。 さらに、コールドプレス法は、高密度焼結体を
得るには高い成形圧が必要であり圧縮性の悪い粉
体に対しては押型より取り出す際に圧縮割れやス
プリングバツグによつて割れる危険性が高い。そ
して、蒸気圧の高い金属等を焼結させるには、表
面積が大きいので蒸発ロスが多いなどの問題があ
る。 この発明は、以上の点に鑑みてなされたもので
あつて、すなわちテルル粉末あるいはテルル合金
粉末を加圧下で成形焼結し、密度比を70〜90％に
調整することにより強い曲げ強さを有して割れに
くいテルルもしくはテルル合金よりなるスパツタ
リング用ターゲツト板を提供するものである。 ここで、密度比とは、金属の真比重に対する焼
結体の見掛密度の百方比をいう。 加圧成形および焼結は通常行われる粉末冶金的
方法で良いが、比較的低い成形圧で粉体を加圧成
形したのちに、加圧下で焼結する方が一般に好結
果が得られる。 加圧下焼結のためには、圧縮焼結法あるいはホ
ツトプレス法があるが、粉体を充填した押型を加
熱する際の熱膨脹や熱歪みを利用して加圧下焼結
を実施する方法も簡便な方法である。 焼結温度は原料の融点の0.75〜0.95倍、好まし
くは0.9倍がよく、テルルターゲツト板製造の際
の焼結温度は340〜430℃、好ましくは410℃とす
る。 焼結時の雰囲気は水素あるいはアルゴン雰囲気
とすることが望ましい。 以下、実施例に基づいてこの発明を説明する。 市販されているテルルシヨツトを−60meshで
あり、かつ−325meshの比率が40％程度となるよ
うに粉砕したテルル粉末を、所定の形状たとえば
薄肉厚の円盤状に成形圧力10〜500Kg／cm2好まし
くは150〜250Kg／cm2において加圧成形したのち、
加圧下で焼結することにより密度比70〜90％の焼
結体とした。密度比を70〜90％とする理由は、密
度比70％以下では曲げ強さが弱く、90％以上では
気孔が少なくなるのでクラツクが発生し易く、且
つ気孔が閉鎖されたものとなり通気孔とならない
のでスパツタリング時に割れやガスが発生しやす
くなるからである。本発明に係るターゲツト板
は、強い曲げ強さを有し、割れにくいものとなつ
ているので、スパツタリング時に急熱されても割
れやガスの発生がなく、ターゲツト板として良好
な性状を有している。 次に、本発明に係るスパツタリング用ターゲツ
トと、高圧圧縮成形常圧焼結したターゲツト板の
物性値の測定比較を表−１に示す。 本発明に係るターゲツト板においては、押型に
装填された粉末を158Kg／cm2の成形圧で圧縮成形
したのち、水素雰囲気中で410℃において加圧焼
結することによつて製造した。一方、従来法によ
る高圧圧縮成形常圧焼結ターゲツト板において
は、粉末を500Kg／cm2の成形圧で常温において圧
縮して成形体を製造し、水素雰囲気中で410℃に
おいて常圧下で焼結した。 なお、焼結する粉末としては、両者とも−
60meshでかつ−325mhshの比率が40％程度とな
るように粉砕されたテルルの粉末を使用した。ま
た、物性値のうち、曲げ強さは、炭素協会規格
JCAS−10−1968−44に従つて測定し、密度比は
JISZ2500−319に準じ測定を行ない評価を行なつ
た。
【表】
表−１から判るように、この発明に係るターゲ
ツト板は、従来の方法により焼結したターゲツト
板に比べて、成形圧で１／３と低いにもかかわら
ず曲げ強さは20倍以上となつており、かつ密度比
においても同等以上の値が得られている。 なおターゲツト板の原料としては、テルル粉末
に限らずテルル合金の粉末も用いられる。 以上説明したように、本発明に係るスパツタリ
ング用ターゲツト板は、テルルもしくはテルル合
金の粉末の加圧成形焼結によつて製造され、密度
比70〜90％で強い曲げ強さを有し、スパツタリン
グ時に急熱しても割れやガスの発生がなくスパツ
タリング作業を確実に行なえる効果がある。ま
た、焼結法であるので、溶製法に比して揮発ロス
が少なくてすむ利点がある。
ツト板は、従来の方法により焼結したターゲツト
板に比べて、成形圧で１／３と低いにもかかわら
ず曲げ強さは20倍以上となつており、かつ密度比
においても同等以上の値が得られている。 なおターゲツト板の原料としては、テルル粉末
に限らずテルル合金の粉末も用いられる。 以上説明したように、本発明に係るスパツタリ
ング用ターゲツト板は、テルルもしくはテルル合
金の粉末の加圧成形焼結によつて製造され、密度
比70〜90％で強い曲げ強さを有し、スパツタリン
グ時に急熱しても割れやガスの発生がなくスパツ
タリング作業を確実に行なえる効果がある。ま
た、焼結法であるので、溶製法に比して揮発ロス
が少なくてすむ利点がある。
Claims (1)
- １ テルルもしくはテルル合金の粉末を加圧成形
したのち、加圧焼結して密度比を70〜90％の間に
調整したことを特徴とするスパツタリング用ター
ゲツト板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23992383A JPS60131963A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | スパツタリング用タ−ゲツト板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23992383A JPS60131963A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | スパツタリング用タ−ゲツト板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60131963A JPS60131963A (ja) | 1985-07-13 |
| JPH0344145B2 true JPH0344145B2 (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=17051853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23992383A Granted JPS60131963A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | スパツタリング用タ−ゲツト板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60131963A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6213569A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-22 | Mitsubishi Metal Corp | ＴｅまたはＴｅ合金製スパツタリング用焼結タ−ゲツト |
| JPS62148362A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-02 | 三菱マテリアル株式会社 | スパツタリング用タ−ゲツト材の製造法 |
| JPH0752527B2 (ja) * | 1986-08-18 | 1995-06-05 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
| JPS63143258A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング用タ−ゲツト |
| JP2725331B2 (ja) * | 1988-12-23 | 1998-03-11 | 三菱マテリアル株式会社 | ターゲット材の製造方法 |
-
1983
- 1983-12-21 JP JP23992383A patent/JPS60131963A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60131963A (ja) | 1985-07-13 |
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