JPS63215987A - 高解像シンチレ−シヨンフアイバ−プレ−ト - Google Patents
高解像シンチレ−シヨンフアイバ−プレ−トInfo
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- JPS63215987A JPS63215987A JP4976987A JP4976987A JPS63215987A JP S63215987 A JPS63215987 A JP S63215987A JP 4976987 A JP4976987 A JP 4976987A JP 4976987 A JP4976987 A JP 4976987A JP S63215987 A JPS63215987 A JP S63215987A
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Landscapes
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明はＸＭ像を高解像度で観察するためのシンチレー
ションファイバープレートに関する。
ションファイバープレートに関する。
従来、２次元Ｘ線像（数ＫｅＶ〜百ＫｅＶ）を高解像度
で観察するシンチレーションファイバープレートは、第
４図に示すように、通常のファイバープレート上にその
ファイバープレートの持つファイバー径と等しく、柱状
結晶を互いに独立にわずかな隔たりをもたせて配列した
ものである。
で観察するシンチレーションファイバープレートは、第
４図に示すように、通常のファイバープレート上にその
ファイバープレートの持つファイバー径と等しく、柱状
結晶を互いに独立にわずかな隔たりをもたせて配列した
ものである。
図中、１はシンチレータ、２はタララドガラス、３はフ
ァイバープレート、４はコアガラス、５はＸ線である。
ァイバープレート、４はコアガラス、５はＸ線である。
通常のファイバープレートのファイバー径は５〜６μｍ
であるから柱状結晶シンチレータ１も同等のサイズであ
る。柱状結晶の材料は使用対象のＸ線の線質によるが、
通常Ｃｓ ｒ、Ｎａ Ｉが使われる。
であるから柱状結晶シンチレータ１も同等のサイズであ
る。柱状結晶の材料は使用対象のＸ線の線質によるが、
通常Ｃｓ ｒ、Ｎａ Ｉが使われる。
第５図は第４図のシンチレーションファイバープレート
の使用例を示す図であり、６は試料である。
の使用例を示す図であり、６は試料である。
例えば、試料６を透過してプレートに投影されたＸ線像
は、上記柱状結晶から成るセグメントに分割され、第４
図に示すように各々のセグメントでシンチレーション光
を生じる。このシンチレーション光の一部はまず柱状結
晶シンチレータｌ中をファイバープレート３側に反射を
繰り返しながら伝わり、ファイバープレート３の端部で
一部反射ロスを受けながらファイバープレート３に入射
し、最終的にファイバープレート３の出力端に現われる
。このシンチレーションファイバープレートは第４図に
示すように、一本一本の柱状結晶と対応するファイバー
が各々独立してセグメントを形成することから、非常に
高い空間解像度を示すこととなる。
は、上記柱状結晶から成るセグメントに分割され、第４
図に示すように各々のセグメントでシンチレーション光
を生じる。このシンチレーション光の一部はまず柱状結
晶シンチレータｌ中をファイバープレート３側に反射を
繰り返しながら伝わり、ファイバープレート３の端部で
一部反射ロスを受けながらファイバープレート３に入射
し、最終的にファイバープレート３の出力端に現われる
。このシンチレーションファイバープレートは第４図に
示すように、一本一本の柱状結晶と対応するファイバー
が各々独立してセグメントを形成することから、非常に
高い空間解像度を示すこととなる。
ところで、シンチレーションファイバープレートの柱状
結晶部に用いられるシンチレータ材料としては前述した
ようにＣｓ １％ Ｎａ Ｉなどがあるが、いずれも潮
解性を持っている。そして図示したような構造では、一
本一本の柱状結晶は６μｍ以下と非常に細く、従って、
全体を構成する柱状結晶の本数は膨大な数になる０例え
ば、１インチ径の場合で結晶本数は約６００万本程度に
なる。
結晶部に用いられるシンチレータ材料としては前述した
ようにＣｓ １％ Ｎａ Ｉなどがあるが、いずれも潮
解性を持っている。そして図示したような構造では、一
本一本の柱状結晶は６μｍ以下と非常に細く、従って、
全体を構成する柱状結晶の本数は膨大な数になる０例え
ば、１インチ径の場合で結晶本数は約６００万本程度に
なる。
全体は一本一本が独立し、空間的に分離していることか
ら結晶の示す表面積は非常に大きなものとなり、１イン
チ径単結晶の場合に比して約４０倍にもなる。そのため
、空気中に放置したとき、潮解性による発光効率の劣化
が問題となる。
ら結晶の示す表面積は非常に大きなものとなり、１イン
チ径単結晶の場合に比して約４０倍にもなる。そのため
、空気中に放置したとき、潮解性による発光効率の劣化
が問題となる。
第６図は不活性ガス中と大気中における発光効率の経時
変化の実験結果を示す図である。
変化の実験結果を示す図である。
図において、不活性ガスとして窒素雰囲気中に保管した
場合には殆ど変化はなく、大気中に保管した場合には２
４時間で１５％程に低下することが分かる。これは各々
の柱状結晶間に空気が入り込み結晶を潮解させて、発光
効率が低下することによるものである。
場合には殆ど変化はなく、大気中に保管した場合には２
４時間で１５％程に低下することが分かる。これは各々
の柱状結晶間に空気が入り込み結晶を潮解させて、発光
効率が低下することによるものである。
そこでシンチレータ全体をＸ線透過性の良い被膜で完全
に覆い、空気を完全に遮断して潮解性はもとより、空気
と結晶表面の接触による発光効率劣化の防止、さらには
取り扱い昌さの向上を図ることが考えられるが、高解像
シンチレーションファイバープレートの場合、結晶一本
一本が径６μｍ以下で、長さが数ｌＯ〜数１００μｍと
非常に細く、従って機械的に極めて弱い結晶の集合体で
あるため、アルミフォイルによる被膜とかＢｅ板を直接
押しつけるような形の保護はできず、また真空容器に収
納するものも提案されているが、柱状結晶の先端を確実
に固定することができないために機械的強度の点で問題
があった。
に覆い、空気を完全に遮断して潮解性はもとより、空気
と結晶表面の接触による発光効率劣化の防止、さらには
取り扱い昌さの向上を図ることが考えられるが、高解像
シンチレーションファイバープレートの場合、結晶一本
一本が径６μｍ以下で、長さが数ｌＯ〜数１００μｍと
非常に細く、従って機械的に極めて弱い結晶の集合体で
あるため、アルミフォイルによる被膜とかＢｅ板を直接
押しつけるような形の保護はできず、また真空容器に収
納するものも提案されているが、柱状結晶の先端を確実
に固定することができないために機械的強度の点で問題
があった。
本発明は上記問題点を解決するためのもので、シンチレ
ータの潮解性による発光効率の低下を防止すると共に、
機械的強度を向上させ取り扱いを容易にすることが可能
な高解像シンチレーションファイバープレートを提供す
ることを目的とする。
ータの潮解性による発光効率の低下を防止すると共に、
機械的強度を向上させ取り扱いを容易にすることが可能
な高解像シンチレーションファイバープレートを提供す
ることを目的とする。
そのために本発明の高解像シンチレーションファイバー
プレートは、ファイバープレートと、１亥フアイバープ
レート上に形成された柱状結晶シンチレータ群から成る
シンチレータ３ンフアイバープレートにおいて、柱状結
晶シンチレータをフィルムで被覆し固定支持したことを
特徴とする。
プレートは、ファイバープレートと、１亥フアイバープ
レート上に形成された柱状結晶シンチレータ群から成る
シンチレータ３ンフアイバープレートにおいて、柱状結
晶シンチレータをフィルムで被覆し固定支持したことを
特徴とする。
本発明の高解像シンチレーションファイバープレートは
、柱状結晶シンチレータ群をフィルムで被覆して固定す
ることにより、シンチレータを空気から遮断して潮解す
るのを防止すると共に、ファイバープレート基板方向へ
はストレスを与えずにシンチレータを固定支持すること
ができる。
、柱状結晶シンチレータ群をフィルムで被覆して固定す
ることにより、シンチレータを空気から遮断して潮解す
るのを防止すると共に、ファイバープレート基板方向へ
はストレスを与えずにシンチレータを固定支持すること
ができる。
以下、実施例を図１を参照して説明する。
第１図は本発明による高解像シンチレーションファイバ
ープレートの一実施例を示す図で、第３図と同一番号は
同一内容を示している。なお図中、７は反射膜コーティ
ング、８は有機フィルムである。
ープレートの一実施例を示す図で、第３図と同一番号は
同一内容を示している。なお図中、７は反射膜コーティ
ング、８は有機フィルムである。
図において、有機フィルム８は各々の柱状結晶からなる
シンチレータｌが空気に触れないようにＣＶＤ （Ｃｈ
ｅ＋ｗｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）法によって形成した被膜で、ＸＳＳ透過性が高（、
かつ空気を遮断することができる被膜からなっている。
シンチレータｌが空気に触れないようにＣＶＤ （Ｃｈ
ｅ＋ｗｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）法によって形成した被膜で、ＸＳＳ透過性が高（、
かつ空気を遮断することができる被膜からなっている。
この場合、有機フィルム８の内部に空気が入り込まない
ように真空あるいは不活性ガス中においてフィルム形成
を行う。なおプレートの出力面は高解像が得られるよう
に有機フィルムのコーティングは行わない。この被膜形
成により、シンチレーションファイバープレートを空気
中に放置したときに問題となる潮解性による発光効率の
劣化を防ぐことができる。
ように真空あるいは不活性ガス中においてフィルム形成
を行う。なおプレートの出力面は高解像が得られるよう
に有機フィルムのコーティングは行わない。この被膜形
成により、シンチレーションファイバープレートを空気
中に放置したときに問題となる潮解性による発光効率の
劣化を防ぐことができる。
またこの有機フィルムは、完全には面一ではない全ての
シンチレータ先端部に固着するので、ファイバープレー
ト基板の方へはストレスを与えずにこれを固定支持し、
極めて細いシンチレータの強度を向上させる働きも兼ね
ている。
シンチレータ先端部に固着するので、ファイバープレー
ト基板の方へはストレスを与えずにこれを固定支持し、
極めて細いシンチレータの強度を向上させる働きも兼ね
ている。
なお有機フィルム８として、例えばポリパラキシレン、
ポリモノクロロキシレン、ポリジクロロキシレン等のキ
シレン系樹脂が望ましく、１０μｍ厚のキシレン系樹脂
フィルムであれば、水蒸気透過率が非常に低いと共にＸ
ｖＡ透過率が高く、数百ｅＶ程度の低エネルギー領域ま
で使用可能である。ただしこの場合、有機フィルム８が
透明薄膜であるため、シンチレータ１で発光した光が入
力側に戻り、そこから外に射出されてしまい発光量の損
失を生ずる。また、シンチレーションファイバープレー
トに直接光が入射したりすることも生ずる。そこで有機
フィルム８の外面あるいは内面に反射膜７等をコーティ
ングし、再度シンチレータ側に光を反射させたり、或い
は光吸収膜を設けて外部からの直接光を遮断したりする
ことが望ましい。
ポリモノクロロキシレン、ポリジクロロキシレン等のキ
シレン系樹脂が望ましく、１０μｍ厚のキシレン系樹脂
フィルムであれば、水蒸気透過率が非常に低いと共にＸ
ｖＡ透過率が高く、数百ｅＶ程度の低エネルギー領域ま
で使用可能である。ただしこの場合、有機フィルム８が
透明薄膜であるため、シンチレータ１で発光した光が入
力側に戻り、そこから外に射出されてしまい発光量の損
失を生ずる。また、シンチレーションファイバープレー
トに直接光が入射したりすることも生ずる。そこで有機
フィルム８の外面あるいは内面に反射膜７等をコーティ
ングし、再度シンチレータ側に光を反射させたり、或い
は光吸収膜を設けて外部からの直接光を遮断したりする
ことが望ましい。
第２図はキシレン系樹脂のＣＶＤ蒸着方法を示す図で、
図中、１１は加熱室、１２は分解炉、１３は蒸着室、１
４は冷却装置である。
図中、１１は加熱室、１２は分解炉、１３は蒸着室、１
４は冷却装置である。
図において、加熱室１１でキシレン系樹脂材料を１５０
〜２００℃程度に加熱して昇華蒸発させ、分解炉１２で
５５０〜７００℃程度に加熱昇温しで分子化する０分子
化された状態の蒸気は蒸着室１３を室温にすることによ
り蒸着する。なお冷却装置１４は真空ポンプ側に分子が
行くのを防止するために設けられているものである。
〜２００℃程度に加熱して昇華蒸発させ、分解炉１２で
５５０〜７００℃程度に加熱昇温しで分子化する０分子
化された状態の蒸気は蒸着室１３を室温にすることによ
り蒸着する。なお冷却装置１４は真空ポンプ側に分子が
行くのを防止するために設けられているものである。
第３図は第２図の方法により柱状結晶シンチレータ上に
生成されたキシレン系樹脂フィルムを示す図で、第１図
と同一番号は同一内容を示している。
生成されたキシレン系樹脂フィルムを示す図で、第１図
と同一番号は同一内容を示している。
シンチレータ柱状結晶の隙間を窒素等の不活性ガスで満
たすか真空にしてほぼ屈折率を１にしである。こうする
ことによりシンチレータとして使用するＣｓ Ｉ、Ｎａ
Ｉが屈折率がほぼ１．７であるので、シンチレーショ
ン光は柱状結晶の内面で反射されてファイバープレート
に到達する。
たすか真空にしてほぼ屈折率を１にしである。こうする
ことによりシンチレータとして使用するＣｓ Ｉ、Ｎａ
Ｉが屈折率がほぼ１．７であるので、シンチレーショ
ン光は柱状結晶の内面で反射されてファイバープレート
に到達する。
このようにＣＶＤ法により蒸着されたキシレン系樹脂の
被膜は、高真空に耐え、Ｘ線透過率はほぼ１００％であ
り、また空気や蒸気の透過性が極めて小さいので、シン
チレータ柱状結晶の潮解を防ぐことができ、また柔軟性
に優れ、寸法安定性が良好であるので、シンチレータ柱
状結晶の先端部を安定的に固定支持することができる。
被膜は、高真空に耐え、Ｘ線透過率はほぼ１００％であ
り、また空気や蒸気の透過性が極めて小さいので、シン
チレータ柱状結晶の潮解を防ぐことができ、また柔軟性
に優れ、寸法安定性が良好であるので、シンチレータ柱
状結晶の先端部を安定的に固定支持することができる。
なお、キシレン系樹脂を直接蒸着して被膜を形成する代
わりに、ガラスプレートのような平坦なものの上に成長
させたキシレン系樹脂膜を剥がしてシンチレーションフ
ァイバープレート上にラップし、周辺部を接着剤等で固
定するようにしても樹脂膜が柔軟性に優れているので同
様の効果が得られる。
わりに、ガラスプレートのような平坦なものの上に成長
させたキシレン系樹脂膜を剥がしてシンチレーションフ
ァイバープレート上にラップし、周辺部を接着剤等で固
定するようにしても樹脂膜が柔軟性に優れているので同
様の効果が得られる。
またキシレン系樹脂以外にも、アルミ等を蒸着して形成
してもよく、ただこの場合はキシレン系樹脂に比して柱
状結晶間の隙間が完全に密封されにくいのと、空気（水
分）を通し易いことを考慮する必要がある。
してもよく、ただこの場合はキシレン系樹脂に比して柱
状結晶間の隙間が完全に密封されにくいのと、空気（水
分）を通し易いことを考慮する必要がある。
以上のように本発明によれば、柱状結晶シンチレータ群
をフィルムで被覆して固定することによりシンチレータ
を空気から完全に遮断し、潮解により発光効率が低下す
るのを防止することができる。またファイバープレート
の方へストレスを与えずに全てのシンチレータ柱状結晶
を固定支持することができ、その結果機械的強度を向上
させて取り扱いを容品にすることが可能となる。
をフィルムで被覆して固定することによりシンチレータ
を空気から完全に遮断し、潮解により発光効率が低下す
るのを防止することができる。またファイバープレート
の方へストレスを与えずに全てのシンチレータ柱状結晶
を固定支持することができ、その結果機械的強度を向上
させて取り扱いを容品にすることが可能となる。
第１図は本発明による高解像シンチレーションファイバ
ープレートの一実施例を示す図、第２図はキシレン系樹
脂のＣＶＤ蒸着方法を示す図、第３図は柱状結晶シンチ
レータ上に生成されたキシレン系樹脂フィルムを示す図
、第４図は高解像度用シンチレーションファイバープレ
ートの断面図、第５図はシンチレーションファイバープ
レートの使用例を示す図、第６図は不活性ガス中保管と
大気中保管の発光効率の変化を示す図である。 １・・・シンチレータ、２・・・タララドガラス、３・
・・ファイバープレート、４・・・コアガラス、５・・
・Ｘ＆ｌ。 ６・・・試料、７・・・反射膜コーティング、８・・・
有機フィルム、１１・・・加熱室、１２・・・分解炉、
１３・・・蒸着室、１４・・・冷却装置。 出 願 人 浜松ホトニクス株式会社代 理
人 弁理士 蛭 川 昌 信第１図 第２図
ープレートの一実施例を示す図、第２図はキシレン系樹
脂のＣＶＤ蒸着方法を示す図、第３図は柱状結晶シンチ
レータ上に生成されたキシレン系樹脂フィルムを示す図
、第４図は高解像度用シンチレーションファイバープレ
ートの断面図、第５図はシンチレーションファイバープ
レートの使用例を示す図、第６図は不活性ガス中保管と
大気中保管の発光効率の変化を示す図である。 １・・・シンチレータ、２・・・タララドガラス、３・
・・ファイバープレート、４・・・コアガラス、５・・
・Ｘ＆ｌ。 ６・・・試料、７・・・反射膜コーティング、８・・・
有機フィルム、１１・・・加熱室、１２・・・分解炉、
１３・・・蒸着室、１４・・・冷却装置。 出 願 人 浜松ホトニクス株式会社代 理
人 弁理士 蛭 川 昌 信第１図 第２図
Claims (3)
- （１）ファイバープレートと、該ファイバープレート上
に形成された柱状結晶シンチレータ群から成るシンチレ
ーションファイバープレートにおいて、柱状結晶シンチ
レータをフィルムで被覆し固定支持したことを特徴とす
る高解像シンチレーションファイバープレート。 - （２）前記フィルムがキシレン系樹脂からなる特許請求
の範囲第１項記載の高解像シンチレーションファイバー
プレート。 - （３）前記フィルムは外面または内面に光遮断用の吸収
膜または反射膜がコーティングされている特許請求の範
囲第１項記載の高解像シンチレーションファイバープレ
ート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4976987A JPS63215987A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 高解像シンチレ−シヨンフアイバ−プレ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4976987A JPS63215987A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 高解像シンチレ−シヨンフアイバ−プレ−ト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63215987A true JPS63215987A (ja) | 1988-09-08 |
Family
ID=12840376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4976987A Expired - Lifetime JPS63215987A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 高解像シンチレ−シヨンフアイバ−プレ−ト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63215987A (ja) |
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0572344A (ja) * | 1991-09-11 | 1993-03-26 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出装置 |
| WO1999066348A1 (fr) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Panneau de scintillateur, capteur d'image radiologique et procede de production |
| WO1999066347A1 (fr) * | 1998-06-19 | 1999-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Capteur d'image radiologique |
| WO1999066351A1 (fr) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Procede de depot de fil organique |
| WO1999067658A1 (fr) * | 1998-06-23 | 1999-12-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Panneau de scintillateur, capteur d'image de rayonnement et procede de production de ceux-ci |
| WO2000036436A1 (fr) * | 1998-12-14 | 2000-06-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Element optique et detecteur de rayonnement mettant ce dernier en application |
| EP1118879A1 (en) * | 1998-06-18 | 2001-07-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
| US6429430B2 (en) | 1998-06-18 | 2002-08-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, radiation image sensor, and methods of making the same |
| JP2002333480A (ja) * | 2001-05-07 | 2002-11-22 | Hamamatsu Photonics Kk | シンチレータパネルおよびそれを用いた放射線検出器 |
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