JPS6086480A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
- Publication number
- JPS6086480A JPS6086480A JP58194040A JP19404083A JPS6086480A JP S6086480 A JPS6086480 A JP S6086480A JP 58194040 A JP58194040 A JP 58194040A JP 19404083 A JP19404083 A JP 19404083A JP S6086480 A JPS6086480 A JP S6086480A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scintillator
- thin film
- ray detector
- metal thin
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は、放射線検出器たとえばコンピュータ断層撮
影装置に使用される放射線検出器に関する。
影装置に使用される放射線検出器に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
従来、コンピュータ断層撮影装置における放射線検出器
たとえばＸ線ＣＴ装置におけるＸ線検出器は、たとえば
、次のようにして構成される。すなわち、第１図に示す
ように、Ｘ線検出器は、螢光物質を、長さ乏が２０ｍｍ
、幅Ｗが０．ｇｍｍ、高さｔが２１１１１１１である直
方体に成型してなるシンチレータ１と、半導体光検出素
子５とを有し、支持部材６の上面に、その長手方向に沿
って、前記シンチレータ１の底面とほぼ同じ有感部分を
有する半導体光検出素子５の多数を所定ピッチをもって
平行に配置し、前記シンチレータ１の底面と半導体光検
出素子５とを、たとえばレンズ用透明接着剤７で固着す
ることにより、多数の前記シンチレータ１を配列し、前
記シンチレータ１の相互間に【ま、アルミニウムや鉛等
の金属箔２およびシンチレータ１の表面に塗布された接
着剤層４を介して前記金属箔２とシンチレータ１との間
に充填される、二酸化チタン等を主成分とする光反射層
３を介装し、また、各シンチレータ１の上面およびその
配列方向に直交する側面に前記光反射層３を塗布してな
る構成を有する。そして、第１図に示すように、図示し
ないＸ線管より曝射されたＸ線束Ｘがシンチレータ１の
上面に入射すると、シンチレータ１はＸ線を光に変換し
、シンチレータ１による発光は、半導体光検出素子５で
検知、光電変換され、半導体光検出素子５より入射Ｘ線
量に比例する電流信号が出力されるように構成される。
たとえばＸ線ＣＴ装置におけるＸ線検出器は、たとえば
、次のようにして構成される。すなわち、第１図に示す
ように、Ｘ線検出器は、螢光物質を、長さ乏が２０ｍｍ
、幅Ｗが０．ｇｍｍ、高さｔが２１１１１１１である直
方体に成型してなるシンチレータ１と、半導体光検出素
子５とを有し、支持部材６の上面に、その長手方向に沿
って、前記シンチレータ１の底面とほぼ同じ有感部分を
有する半導体光検出素子５の多数を所定ピッチをもって
平行に配置し、前記シンチレータ１の底面と半導体光検
出素子５とを、たとえばレンズ用透明接着剤７で固着す
ることにより、多数の前記シンチレータ１を配列し、前
記シンチレータ１の相互間に【ま、アルミニウムや鉛等
の金属箔２およびシンチレータ１の表面に塗布された接
着剤層４を介して前記金属箔２とシンチレータ１との間
に充填される、二酸化チタン等を主成分とする光反射層
３を介装し、また、各シンチレータ１の上面およびその
配列方向に直交する側面に前記光反射層３を塗布してな
る構成を有する。そして、第１図に示すように、図示し
ないＸ線管より曝射されたＸ線束Ｘがシンチレータ１の
上面に入射すると、シンチレータ１はＸ線を光に変換し
、シンチレータ１による発光は、半導体光検出素子５で
検知、光電変換され、半導体光検出素子５より入射Ｘ線
量に比例する電流信号が出力されるように構成される。
しかしながら、前記Ｘ線検出器には次のような問題点が
ある。すなわち、■シンチレータ１と光反ｉｅ層３との
間に介装される接着剤＠４が、シンチレータ１で発する
光を一部吸収してしまい、シンチレータ１で発する光全
部を半導体光検出素子５に有効に導くことができない。
ある。すなわち、■シンチレータ１と光反ｉｅ層３との
間に介装される接着剤＠４が、シンチレータ１で発する
光を一部吸収してしまい、シンチレータ１で発する光全
部を半導体光検出素子５に有効に導くことができない。
したがって、Ｘ線検出器の感度が低下し、前記構成のＸ
線検出器を右するＸ線ＣＴ装置では５、良好なＸ線断層
像を得ることができない。■光反射層３に使用する塗料
は、一般に有機高分子の結合剤を含んでいるので、シン
チレータ１との充分な接着力が発揮されへい。したがっ
て、Ｘ線検出器は、機械的な堅牢性に欠ける。■Ｘ線の
クロストークを防止するために、金属箔２に鉛、タング
ステン、あるいはモリブデン等の金属材料が使用される
が、鉛は剛性が小さく、また、反繭層３との剥離を生じ
やすい、また、タングステン、モリブデンは、剛性が大
きすぎ、シンチレータ１との剥離を生じやすい。■また
、接着工程を含んでいるので、作業性が悪い。
線検出器を右するＸ線ＣＴ装置では５、良好なＸ線断層
像を得ることができない。■光反射層３に使用する塗料
は、一般に有機高分子の結合剤を含んでいるので、シン
チレータ１との充分な接着力が発揮されへい。したがっ
て、Ｘ線検出器は、機械的な堅牢性に欠ける。■Ｘ線の
クロストークを防止するために、金属箔２に鉛、タング
ステン、あるいはモリブデン等の金属材料が使用される
が、鉛は剛性が小さく、また、反繭層３との剥離を生じ
やすい、また、タングステン、モリブデンは、剛性が大
きすぎ、シンチレータ１との剥離を生じやすい。■また
、接着工程を含んでいるので、作業性が悪い。
■シンチレータ１は潮解性を有するために、光反ＩＦＩ
層を塗布する際、シンチレータ１が一部潮解し、その寸
法が狂い、正確なＸ線検出を達成できな（Ｘことがある
。
層を塗布する際、シンチレータ１が一部潮解し、その寸
法が狂い、正確なＸ線検出を達成できな（Ｘことがある
。
し発明の目的］
この発明は、前記事情に基いてなされたものであり、シ
ンチレータ内で発光した光を全て有効に半導体光検出素
子に導くことのできる、機械的堅牢な、寸法に狂いがな
くて検出精度の高い、放射線検出器を提供することを目
的とするものである。
ンチレータ内で発光した光を全て有効に半導体光検出素
子に導くことのできる、機械的堅牢な、寸法に狂いがな
くて検出精度の高い、放射線検出器を提供することを目
的とするものである。
［発明の概要］
前記目的を達成するためのこの発明の概要は、放射線に
より発光可能なシンチレータと前記シンチレータの光を
電気信号に変換可能な半導体光検出素子とを有する放１
１ｉＦＡ検出器において、前記半導体検出素子に光を導
く面を除く前記シンチレータの各面に、イオンブレーテ
ィング法、プラズマ蒸着法、真空蒸着法、およびスパッ
タリング法のいずれかにより金属薄膜を形成してなるこ
とを特徴とするものである。
より発光可能なシンチレータと前記シンチレータの光を
電気信号に変換可能な半導体光検出素子とを有する放１
１ｉＦＡ検出器において、前記半導体検出素子に光を導
く面を除く前記シンチレータの各面に、イオンブレーテ
ィング法、プラズマ蒸着法、真空蒸着法、およびスパッ
タリング法のいずれかにより金属薄膜を形成してなるこ
とを特徴とするものである。
［発明の実施例］
この発明の一実施例について第２図を参照しながら説明
する。
する。
放射線検出器たとえばＸ線ＣＴ装置に使用されるＸ線検
出器は、第２図に示すように、前記第１図に示すのと同
様の寸法に成型されたシンチレータ８と、半導体光検出
器１１とを有し、前記第１図に示す従来のＸ線検出器と
同様に、支持部材１３の上面に、その長手方向に沿って
前記シンチレータ８の底面とほぼ同じ有感部分を有する
半導体光検出器１１の多数が所定ピッチをもって平行に
配置され、さらに、前記シンチレータ８の底面と半導体
光検出器とを、たとえばレンズ用透明接着剤１２で固着
することにより、多数のシンチレータ８が配列されてい
る。そして、前記シンチレータ８の、前記半導体光検出
器１１に対向する面以外の各面には、金属薄膜９が形成
され、また、配列する各シンチレータ８の間隙には、各
シンチレータ８を結合するための接着剤１０が介在する
。
出器は、第２図に示すように、前記第１図に示すのと同
様の寸法に成型されたシンチレータ８と、半導体光検出
器１１とを有し、前記第１図に示す従来のＸ線検出器と
同様に、支持部材１３の上面に、その長手方向に沿って
前記シンチレータ８の底面とほぼ同じ有感部分を有する
半導体光検出器１１の多数が所定ピッチをもって平行に
配置され、さらに、前記シンチレータ８の底面と半導体
光検出器とを、たとえばレンズ用透明接着剤１２で固着
することにより、多数のシンチレータ８が配列されてい
る。そして、前記シンチレータ８の、前記半導体光検出
器１１に対向する面以外の各面には、金属薄膜９が形成
され、また、配列する各シンチレータ８の間隙には、各
シンチレータ８を結合するための接着剤１０が介在する
。
前記金属３１１１３！９は、アルミニウム、銀、鉛、タ
ングステン、およびモリブデンよりなる群より選択され
る金属材料の１種または２種以上を、真空蒸着法、プラ
ズマ蒸着法（ｐｌａｓｍａ ｃｈｅＩＩｌｉｃａｌ ｖ
ａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 、イオンブレー
ティング法、スパッタリング法等により、シンチレータ
８の表面に形成される。前記金属薄膜９の金ｆ１月料と
しては、可視光域の分光反射率の大きい銀、アルミニウ
ムが特に好ましい、また、Ｘ線にＪ：るクロス１ヘーク
を有効に防止するためには、シンチレータ８の表面に、
第１層として銀、あるいはアルミニウムの薄膜を形成し
、次いｒ、前記第１層の表面に第２層として、Ｘ線遮弊
力の大きい鉛、タングステン、あるいはモリブデン薄膜
を形成するのが好ましい。
ングステン、およびモリブデンよりなる群より選択され
る金属材料の１種または２種以上を、真空蒸着法、プラ
ズマ蒸着法（ｐｌａｓｍａ ｃｈｅＩＩｌｉｃａｌ ｖ
ａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 、イオンブレー
ティング法、スパッタリング法等により、シンチレータ
８の表面に形成される。前記金属薄膜９の金ｆ１月料と
しては、可視光域の分光反射率の大きい銀、アルミニウ
ムが特に好ましい、また、Ｘ線にＪ：るクロス１ヘーク
を有効に防止するためには、シンチレータ８の表面に、
第１層として銀、あるいはアルミニウムの薄膜を形成し
、次いｒ、前記第１層の表面に第２層として、Ｘ線遮弊
力の大きい鉛、タングステン、あるいはモリブデン薄膜
を形成するのが好ましい。
次にイオンブレーティング法による、シンチレータ８へ
の金属薄膜の形成について、さらに詳述する。
の金属薄膜の形成について、さらに詳述する。
第３図はイオンブレーティング装置を示す概略図である
。
。
イオンブレーティング装置は、たとえば、底部に流母調
節バルブ１５ａを介して排気装置と、流量調節バルブ１
６ａを介してアルゴン等の希ガスを充填したボンベ１６
とを結合した、開閉可能な真空容器１４内に、内部の上
方°に、外部の直流電源１９により直流電圧が印加され
る電極１７を配置し、また、前記電極１７の下方に、外
部の高周波電源２１により高周波たとえば１３．５６Ｍ
Ｈ２の高周波が印加される高周波コイル２０を配置し、
また、真空容器１４の底面に、蒸発させるべき所望の金
属材料を収容するルツボ２２およびこのルツボ２２を加
熱する図示しない加熱装置を配置して、構成される。
節バルブ１５ａを介して排気装置と、流量調節バルブ１
６ａを介してアルゴン等の希ガスを充填したボンベ１６
とを結合した、開閉可能な真空容器１４内に、内部の上
方°に、外部の直流電源１９により直流電圧が印加され
る電極１７を配置し、また、前記電極１７の下方に、外
部の高周波電源２１により高周波たとえば１３．５６Ｍ
Ｈ２の高周波が印加される高周波コイル２０を配置し、
また、真空容器１４の底面に、蒸発させるべき所望の金
属材料を収容するルツボ２２およびこのルツボ２２を加
熱する図示しない加熱装置を配置して、構成される。
そして、前記ルツボ２２内に所定の金属材料を収容し、
前記電極１７にシンチレータ８を配置した後、真空容器
１４内を排気して高減圧にし、ボンベ１６より真空容器
１４内に１０″２〜数Ｔｏｒｒの圧力となるように希ガ
スを供給する。また、真空容器１４内の図示しない加熱
装置によりルツボ′２２を所定温度に加熱しておく。高
周波コイル２０に高周波を通じると、真空容器１４内で
、希ガスがプラズマ状態となり、また、ルツボ２２内の
金属材料を加熱することにより発生した金属蒸気中の金
属中の金属原子がプラズマ状態の希ガスイオンと電荷の
交換を行ない、電荷を得た金属イオンが、直流の印加に
より電極１７に生じた直流電界に吸引され、電極１７上
のシンチレータ８に到達し、これによってシンチレータ
８の表面に金属薄膜が形成されることになる。このよう
にして得られた金属薄膜は、鏡面を形成して光反射力が
大きく、しかも、シンチレータ８０表面との密着力が大
きく、シンチレータ８の光反射膜として好適である。
前記電極１７にシンチレータ８を配置した後、真空容器
１４内を排気して高減圧にし、ボンベ１６より真空容器
１４内に１０″２〜数Ｔｏｒｒの圧力となるように希ガ
スを供給する。また、真空容器１４内の図示しない加熱
装置によりルツボ′２２を所定温度に加熱しておく。高
周波コイル２０に高周波を通じると、真空容器１４内で
、希ガスがプラズマ状態となり、また、ルツボ２２内の
金属材料を加熱することにより発生した金属蒸気中の金
属中の金属原子がプラズマ状態の希ガスイオンと電荷の
交換を行ない、電荷を得た金属イオンが、直流の印加に
より電極１７に生じた直流電界に吸引され、電極１７上
のシンチレータ８に到達し、これによってシンチレータ
８の表面に金属薄膜が形成されることになる。このよう
にして得られた金属薄膜は、鏡面を形成して光反射力が
大きく、しかも、シンチレータ８０表面との密着力が大
きく、シンチレータ８の光反射膜として好適である。
次に、プラズマ蒸着法による、シンチレータ８への金属
薄膜の形成について、ざらに詳述する。
薄膜の形成について、ざらに詳述する。
第４図はプラズマ蒸着装置を示す概略図である。
プラズマ蒸着装置は、たとえば、流最調節バルブ３１ａ
を介して排気装置３１ど、流量調節バルブ２７ａを介し
て希ガスを充填した希ガスボンベ２７と、流量調節バル
ブ２６ａを介して有機金属化合物たとえばトリメチルア
ルミニウム、塩化アルミニウム、テトラエチル鉛等を収
容したボンベ２６とを結合した真空容器２３内に、シン
チレータ８を配置する支持台３０を有し、また、外部の
高周波電源２５により高周波が印加される一対の容量性
結合の電１ｉ！ｉ ２４を備えて構成される。
を介して排気装置３１ど、流量調節バルブ２７ａを介し
て希ガスを充填した希ガスボンベ２７と、流量調節バル
ブ２６ａを介して有機金属化合物たとえばトリメチルア
ルミニウム、塩化アルミニウム、テトラエチル鉛等を収
容したボンベ２６とを結合した真空容器２３内に、シン
チレータ８を配置する支持台３０を有し、また、外部の
高周波電源２５により高周波が印加される一対の容量性
結合の電１ｉ！ｉ ２４を備えて構成される。
そして、真空容器２３内を高減圧に排気した後、真空容
器２３内に有機金属化合物のガスおよび希ガスを供給し
、これらのガスの混合物を電極２４間の高周波放電によ
りプラズマ状態を形成し、プラズマ状態の金属原子を、
支持台３０上のシンチレータ８に接触させることにより
金ａ薄膜が形成される。この場合、数Ｔ ｏｒｒのガス
圧で金属薄膜を形成するので、複雑な形状のシンチレー
タたとえば第５図に示すようにくし形のシンチレータの
表面に金属薄膜を好適に形成することができる。
器２３内に有機金属化合物のガスおよび希ガスを供給し
、これらのガスの混合物を電極２４間の高周波放電によ
りプラズマ状態を形成し、プラズマ状態の金属原子を、
支持台３０上のシンチレータ８に接触させることにより
金ａ薄膜が形成される。この場合、数Ｔ ｏｒｒのガス
圧で金属薄膜を形成するので、複雑な形状のシンチレー
タたとえば第５図に示すようにくし形のシンチレータの
表面に金属薄膜を好適に形成することができる。
以上実施例のＸ線検出器は、シンチレータの表面に接着
剤を形成しているので、シンチレータで発光した光をロ
スすることなくすべて半導体光検出器に導くこととなる
ので、検出効率を著しく高めることができる。しかも、
金属簿膜は直接にシンチレータ表面に結合しているので
、金属薄膜は容易にシンチレータ表面より剥ｌｌ！ｉｔ
！ず、堅牢なＸ線検出器とすることができる。また、金
属簿膜を２層構造にすると、光クロストーク、′Ｘ線ク
ロストークのないＸ線検出器とすることができる。接石
工程がないので、組立作業の簡単化、時間の短縮を図る
ことができる。
剤を形成しているので、シンチレータで発光した光をロ
スすることなくすべて半導体光検出器に導くこととなる
ので、検出効率を著しく高めることができる。しかも、
金属簿膜は直接にシンチレータ表面に結合しているので
、金属薄膜は容易にシンチレータ表面より剥ｌｌ！ｉｔ
！ず、堅牢なＸ線検出器とすることができる。また、金
属簿膜を２層構造にすると、光クロストーク、′Ｘ線ク
ロストークのないＸ線検出器とすることができる。接石
工程がないので、組立作業の簡単化、時間の短縮を図る
ことができる。
以」−１この発明の一実施例について詳述したが、この
発明は前記実施例に限定されるものではなく、′この発
明の要旨の範囲内で適宜に変形して実施することができ
るのはいうまでもない。
発明は前記実施例に限定されるものではなく、′この発
明の要旨の範囲内で適宜に変形して実施することができ
るのはいうまでもない。
「発明の効果］
この発明によると、シンチレータが発光した完全部を伯
に吸収されることなく半導体光検出器に導くことがで、
きるので、感度の良好な放射線検出器を提供することが
できる。したがって、この発明に係る放射線検出器をコ
ンピュータ断層撮影装置に応用すると、良好な断層像を
得ることができる。また、金属薄膜をシンチレータ表面
に直接に結合、形成しているので、金属薄膜の剥落のな
い、堅牢な放１２Ｊ ｌ！ｉ！検出器を提供づ°ること
ができる。金属薄膜の形成により、光クロストーク、放
射線クロストークのない放射線検出器を提供り゛ること
ができる。さらに、金属薄膜はシンチレータの潮解の８
３それがある反則層の塗布によらず、真空熱着等により
形成するので、寸法の正確なシンチレータ素子とするこ
とができる。
に吸収されることなく半導体光検出器に導くことがで、
きるので、感度の良好な放射線検出器を提供することが
できる。したがって、この発明に係る放射線検出器をコ
ンピュータ断層撮影装置に応用すると、良好な断層像を
得ることができる。また、金属薄膜をシンチレータ表面
に直接に結合、形成しているので、金属薄膜の剥落のな
い、堅牢な放１２Ｊ ｌ！ｉ！検出器を提供づ°ること
ができる。金属薄膜の形成により、光クロストーク、放
射線クロストークのない放射線検出器を提供り゛ること
ができる。さらに、金属薄膜はシンチレータの潮解の８
３それがある反則層の塗布によらず、真空熱着等により
形成するので、寸法の正確なシンチレータ素子とするこ
とができる。
第１図は従来の放射線検出器を示す斜視図、第２図はこ
の発明の一実施例を示す斜視図、第３図はイオンブレー
ティング装置を示す説明図、第４図はプラズマ蒸着装置
を示す説明図、および第５図はこの発明に６【ブる放射
線検出器の一例を示す斜視図である。 ８・・・・・・シンチレータ、９・・・・・・金属薄膜
、１１・・・・・・半導体光検出器。
の発明の一実施例を示す斜視図、第３図はイオンブレー
ティング装置を示す説明図、第４図はプラズマ蒸着装置
を示す説明図、および第５図はこの発明に６【ブる放射
線検出器の一例を示す斜視図である。 ８・・・・・・シンチレータ、９・・・・・・金属薄膜
、１１・・・・・・半導体光検出器。
Claims (2)
- （１）放射線により発光可能なシンチレータと前記シン
チレータの光を電気信号に変換可能な半導体光検出素子
とを有する放射線検出器において、前記半導体検出素子
に光を導（面を除く前記シンチレータの各面に、イオン
ブレーティング法、プラズマ蒸着法、真空蒸着法、およ
びスパッタリング法のいずれかにより金属薄膜を形成し
てなることを特徴とする放射線検出器。 - （２）前記金属薄膜が、アルミニウム、銀、鉛、タング
ステンおよびモリブデンよりなる群より選ばれる１種ま
たは２種以上の金属よりなることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58194040A JPS6086480A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58194040A JPS6086480A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086480A true JPS6086480A (ja) | 1985-05-16 |
Family
ID=16317932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58194040A Pending JPS6086480A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086480A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2628562A1 (fr) * | 1988-03-11 | 1989-09-15 | Thomson Csf | Dispositif d'imagerie a structure matricielle |
| US4870279A (en) * | 1988-06-20 | 1989-09-26 | General Electric Company | High resolution X-ray detector |
| US4982096A (en) * | 1988-01-06 | 1991-01-01 | Hitachi Medical Corporation | Multi-element radiation detector |
| WO2010109344A3 (en) * | 2009-03-25 | 2011-06-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method to optimize the light extraction from scintillator crystals in a solid-state detector |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP58194040A patent/JPS6086480A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4982096A (en) * | 1988-01-06 | 1991-01-01 | Hitachi Medical Corporation | Multi-element radiation detector |
| FR2628562A1 (fr) * | 1988-03-11 | 1989-09-15 | Thomson Csf | Dispositif d'imagerie a structure matricielle |
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