JPS63128626A - 半導体集積回路装置のコンタクト形成方法 - Google Patents
半導体集積回路装置のコンタクト形成方法Info
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- JPS63128626A JPS63128626A JP61275909A JP27590986A JPS63128626A JP S63128626 A JPS63128626 A JP S63128626A JP 61275909 A JP61275909 A JP 61275909A JP 27590986 A JP27590986 A JP 27590986A JP S63128626 A JPS63128626 A JP S63128626A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 11
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 2
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 abstract 1
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 abstract 1
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路装置の製造方法、特に相補Ｗ
ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）集積回路装置のコンタクトの形成方
法に関する。
ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）集積回路装置のコンタクトの形成方
法に関する。
従来、ＣＭＯ８集積回路装置の製造において、Ｎチャネ
ル・Ｐチャネルのソース・ドレイン領域に配線コンタク
トをなす際に、層間絶縁膜にコンタクト孔を同一の目合
わせマスクを用いて、Ｎチャネル・Ｐチャネルの区別を
つけず、−回の目合わせ露光ならびにエツチングで形成
していた。
ル・Ｐチャネルのソース・ドレイン領域に配線コンタク
トをなす際に、層間絶縁膜にコンタクト孔を同一の目合
わせマスクを用いて、Ｎチャネル・Ｐチャネルの区別を
つけず、−回の目合わせ露光ならびにエツチングで形成
していた。
上記の従来方法では、コンタクト孔からＮ型領域・Ｐ型
領域へ不純物を、イオン注入もしくは拡散層で導入する
際に、コンタクト孔へ導入する不純物の型が異なるから
、必ず１方のコンタクト孔へは不純物が入らないように
マスクする必要があった。例えば、コンタクト孔を介し
てＮ型領域（ＮチャネルＭＯ８）へのＮ型不純物の導入
のときは、Ｐ型領域（Ｐチャネル間Ｏ８）上のコンタク
トをマスク材で保獲する。逆の型の場合も同様である。
領域へ不純物を、イオン注入もしくは拡散層で導入する
際に、コンタクト孔へ導入する不純物の型が異なるから
、必ず１方のコンタクト孔へは不純物が入らないように
マスクする必要があった。例えば、コンタクト孔を介し
てＮ型領域（ＮチャネルＭＯ８）へのＮ型不純物の導入
のときは、Ｐ型領域（Ｐチャネル間Ｏ８）上のコンタク
トをマスク材で保獲する。逆の型の場合も同様である。
上記の事情から、コンタクト形成のためには、コンタク
ト孔の形成と、Ｎ製・Ｐ型領域へのコンタクト孔を介し
ての不純物導入とで３回の目合わせ露光工程が必要であ
った。
ト孔の形成と、Ｎ製・Ｐ型領域へのコンタクト孔を介し
ての不純物導入とで３回の目合わせ露光工程が必要であ
った。
本発明の目的は、コンタクト形感のための目合わせ露光
工程を２回とする工程の簡易化をはかった製造方法を提
供することにある。
工程を２回とする工程の簡易化をはかった製造方法を提
供することにある。
本発明のコンタクト形成方法は、Ｎ型、Ｐ型領域のうち
の１領域上にコンタクト孔を開口し、該コンタクト孔に
不純物をドーピングした多結晶シリコンを埋設しコンタ
クトを形成する工程と１次に他の領域上にホトレジスト
露光によりコンタクト孔を開口し、ホトレジストをマス
クとして不純物を導入してコンタクトを形成する工程と
を含むものである。
の１領域上にコンタクト孔を開口し、該コンタクト孔に
不純物をドーピングした多結晶シリコンを埋設しコンタ
クトを形成する工程と１次に他の領域上にホトレジスト
露光によりコンタクト孔を開口し、ホトレジストをマス
クとして不純物を導入してコンタクトを形成する工程と
を含むものである。
本発明の方法は、層間絶縁膜にコンタクト孔をＮ型・Ｐ
型領域の同時に行なわず、いずれかの１つの領域にコン
タクト孔を形成することから始める。以下の第１図で示
す実施例ではＮ型領域から始めるものとする。
型領域の同時に行なわず、いずれかの１つの領域にコン
タクト孔を形成することから始める。以下の第１図で示
す実施例ではＮ型領域から始めるものとする。
第１図（ａ）は、半導体素子が、Ｐ型基板１０にすでに
組込まれ層間絶縁膜（９）が成長している状態の断面図
である。ζ〜で１１はＮ型ウェルである。
組込まれ層間絶縁膜（９）が成長している状態の断面図
である。ζ〜で１１はＮ型ウェルである。
１２はＮチャネル領域のＰ＋チャネルストッパ、１３は
フィールド酸化膜である。さらに１４はゲート酸化膜で
、１５はＮチャネルトランジスタのゲートポリシリコン
、１６はＰチャネルトランジスタのゲートポリシリコン
である。１７はＮチャネルトランジスタのソース・ドレ
インを形成する？拡散層、 １８はＰチャネルトランジ
スタのソース・ドレインを形成するＰ＋拡散層であシ、
加は層間絶縁膜である。ここまでは、通常のＣＭＯ８集
積回路装置の製造方法と同様である。
フィールド酸化膜である。さらに１４はゲート酸化膜で
、１５はＮチャネルトランジスタのゲートポリシリコン
、１６はＰチャネルトランジスタのゲートポリシリコン
である。１７はＮチャネルトランジスタのソース・ドレ
インを形成する？拡散層、 １８はＰチャネルトランジ
スタのソース・ドレインを形成するＰ＋拡散層であシ、
加は層間絶縁膜である。ここまでは、通常のＣＭＯ８集
積回路装置の製造方法と同様である。
以下）ソース・ドレイン領域へのコンタクト形成を本発
明の工程順に行なう。先ず第１図中）に示すように、Ｎ
チャネル領域上のコンタクト４を目合わせ露光およびエ
ツチングにょシ開口する。次に第１図（ｅ）に示すよう
に多結晶シリコン！１２２を層間絶縁膜全面に成長し、
リン拡散によりリンを導入する。さらに異方性のドライ
エツチング法により多結晶シリコン膜ｎを除去すると、
第１図（ｄ）に示すように、Ｎチャネル領域上のコンタ
クト孔４がリンを含む多結晶シリコン器で埋めこまれた
構造になる。
明の工程順に行なう。先ず第１図中）に示すように、Ｎ
チャネル領域上のコンタクト４を目合わせ露光およびエ
ツチングにょシ開口する。次に第１図（ｅ）に示すよう
に多結晶シリコン！１２２を層間絶縁膜全面に成長し、
リン拡散によりリンを導入する。さらに異方性のドライ
エツチング法により多結晶シリコン膜ｎを除去すると、
第１図（ｄ）に示すように、Ｎチャネル領域上のコンタ
クト孔４がリンを含む多結晶シリコン器で埋めこまれた
構造になる。
次に、第１図（ｅｌに示すように、全面にホトレジス）
２４を塗布した後、目合わせ露光工程によりホトレジス
ト寓にＰチャネル領域上のコンタクト孔予定部位に開口
を形成し、引続きエツチングして層間絶縁膜加にコンタ
クト孔加を開口する。そしてホトレジスト寓をマスクト
シテーＰ盤不純物ｎをコンタクト孔謳を介してＰ＋拡散
層１８中に導入する。さらに、通常の方法で第１図（ｆ
ｌに示すように、アルミニウム電極脂をとシ出して、Ｃ
ＭＯ８集積回路装置が完成する。
２４を塗布した後、目合わせ露光工程によりホトレジス
ト寓にＰチャネル領域上のコンタクト孔予定部位に開口
を形成し、引続きエツチングして層間絶縁膜加にコンタ
クト孔加を開口する。そしてホトレジスト寓をマスクト
シテーＰ盤不純物ｎをコンタクト孔謳を介してＰ＋拡散
層１８中に導入する。さらに、通常の方法で第１図（ｆ
ｌに示すように、アルミニウム電極脂をとシ出して、Ｃ
ＭＯ８集積回路装置が完成する。
以上、説明したように、ＣＭＯ８集積回路装置における
層間絶縁膜を介してコンタクトを形成＋ふ際に、従来の
ようにＮ影領域、Ｐ影領域にコンタクト形成のためコン
タクト孔を同時に形成することなく、先ずいずれかの領
域にのみコンタクト孔を設けて不純物を含む多結晶シリ
コンを埋設してコンタクト形成後、層間絶縁膜全面にホ
トレジストを被覆し、このホトレジストをマスクとして
、他の領域にコンタクト孔を設け、このコンタクト孔を
介して不純物を導入することで、他の領域のコンタクト
を形成する。
層間絶縁膜を介してコンタクトを形成＋ふ際に、従来の
ようにＮ影領域、Ｐ影領域にコンタクト形成のためコン
タクト孔を同時に形成することなく、先ずいずれかの領
域にのみコンタクト孔を設けて不純物を含む多結晶シリ
コンを埋設してコンタクト形成後、層間絶縁膜全面にホ
トレジストを被覆し、このホトレジストをマスクとして
、他の領域にコンタクト孔を設け、このコンタクト孔を
介して不純物を導入することで、他の領域のコンタクト
を形成する。
したがって、目合わせ露光工程は２回ですみ、従来方法
の３回よ）工程を簡素化できる。
の３回よ）工程を簡素化できる。
第１図は、本発明の一実施例の断面図で１工糧順に示し
たものである。 ｍ・・・層間絶縁膜、 ４・・・Ｎ型領域（Ｎチャネルのソース・ドレイン）の
コンタクト孔Ａ ｎ・・・多結晶シリコン膜、 る・・・多結晶シリコン、 ス・・・ホトレジスト、 加・・・Ｐ型領域のコンタクト孔、 ！・・・Ｐ型不純物、 ３・・・アルミニウム電極。
たものである。 ｍ・・・層間絶縁膜、 ４・・・Ｎ型領域（Ｎチャネルのソース・ドレイン）の
コンタクト孔Ａ ｎ・・・多結晶シリコン膜、 る・・・多結晶シリコン、 ス・・・ホトレジスト、 加・・・Ｐ型領域のコンタクト孔、 ！・・・Ｐ型不純物、 ３・・・アルミニウム電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）半導体集積回路装置におい
て、層間絶縁膜にコンタクトを形成する方法として、 Ｎ型，Ｐ型領域のうちの１領域上にコンタクト孔を開口
し、該コンタクト孔に不純物をドーピングした多結晶シ
リコンを埋設しコンタクトを形成する工程と、次に他の
領域上にホトレジスト露光によりコンタクト孔を開口し
、ホトレジストをマスクとして不純物を導入してコンタ
クトを形成する工程と を含むことを特徴とするコンタクト形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61275909A JPS63128626A (ja) | 1986-11-18 | 1986-11-18 | 半導体集積回路装置のコンタクト形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61275909A JPS63128626A (ja) | 1986-11-18 | 1986-11-18 | 半導体集積回路装置のコンタクト形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63128626A true JPS63128626A (ja) | 1988-06-01 |
Family
ID=17562119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61275909A Pending JPS63128626A (ja) | 1986-11-18 | 1986-11-18 | 半導体集積回路装置のコンタクト形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63128626A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0227716A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO1999004427A1 (de) * | 1997-07-15 | 1999-01-28 | Infineon Technologies Ag | Kontaktierung einer halbleiterzone |
| US5888324A (en) * | 1996-05-09 | 1999-03-30 | Sumitomo Wiring Systems, Inc. | Wiring harness a method for producing a wiring harness and a wiring harness producing apparatus |
| US6101695A (en) * | 1996-05-09 | 2000-08-15 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Apparatus for producing a wiring harness |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4948278A (ja) * | 1972-08-30 | 1974-05-10 | ||
| JPS56129364A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-09 | Nec Corp | Complementary field effect transistor |
-
1986
- 1986-11-18 JP JP61275909A patent/JPS63128626A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4948278A (ja) * | 1972-08-30 | 1974-05-10 | ||
| JPS56129364A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-09 | Nec Corp | Complementary field effect transistor |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0227716A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2645088B2 (ja) * | 1988-07-15 | 1997-08-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US5888324A (en) * | 1996-05-09 | 1999-03-30 | Sumitomo Wiring Systems, Inc. | Wiring harness a method for producing a wiring harness and a wiring harness producing apparatus |
| US6101695A (en) * | 1996-05-09 | 2000-08-15 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Apparatus for producing a wiring harness |
| US6230404B1 (en) | 1996-05-09 | 2001-05-15 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Method and apparatus for producing a wiring harness |
| WO1999004427A1 (de) * | 1997-07-15 | 1999-01-28 | Infineon Technologies Ag | Kontaktierung einer halbleiterzone |
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