JPS6277619A - 定電圧回路 - Google Patents
定電圧回路Info
- Publication number
- JPS6277619A JPS6277619A JP60217262A JP21726285A JPS6277619A JP S6277619 A JPS6277619 A JP S6277619A JP 60217262 A JP60217262 A JP 60217262A JP 21726285 A JP21726285 A JP 21726285A JP S6277619 A JPS6277619 A JP S6277619A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- constant voltage
- circuit
- point
- light
- vdd
- Prior art date
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は集積回路上に作成される定電圧回路に関する。
（概要）
本発明は、集積回路上に作成される定電圧回路において
、光検出手段を付加することにより集積回路上に作成さ
れた定電圧回路の出力を制御し集積回路に光があたった
場合、定電圧回路の出力電圧の絶対値が小さくならない
様にしたものである。
、光検出手段を付加することにより集積回路上に作成さ
れた定電圧回路の出力を制御し集積回路に光があたった
場合、定電圧回路の出力電圧の絶対値が小さくならない
様にしたものである。
（従来技術）
従来、集積回路上に構成される定電圧回路は第４図に示
す様に集積回路に光があたる様な使用方法をされた場合
の考慮が全くなされないのが通例であった。
す様に集積回路に光があたる様な使用方法をされた場合
の考慮が全くなされないのが通例であった。
（解決しようとする問題点）
しかし従来の様に集積回路に元があたる様な使用方法の
考慮がなされない時に定電圧回路のバイアス電流を非常
に小さくした場合、集積回路上の定電圧回路に光があた
ると、トランジスタの光り−り電流又はトランジスタに
寄生するダイオードの光り−ク電流のため回路の動作点
が移動し出力電圧の絶対値が低下し、定電圧回路の出力
を電源として駆動される回路が存在する場合にはこの回
路の動作が停止してしまうという問題点があった。
考慮がなされない時に定電圧回路のバイアス電流を非常
に小さくした場合、集積回路上の定電圧回路に光があた
ると、トランジスタの光り−り電流又はトランジスタに
寄生するダイオードの光り−ク電流のため回路の動作点
が移動し出力電圧の絶対値が低下し、定電圧回路の出力
を電源として駆動される回路が存在する場合にはこの回
路の動作が停止してしまうという問題点があった。
本発明はこの様々問題点を解決するもので、その目的は
集積回路に光があたる様な使用方法下においても、定電
圧回路の出力電圧の絶対値を光があたらない状態の値と
同等かそれ以上にすることにより、定電圧回路の光力を
駆動電源とする回路の動作を、光があたった場合でも保
証しようとするものである・ （手段） 本発明の定電圧回路は、集積回路上に定電圧発生手段と
、少なくとも一つの光検出手段を有し、該光検出手段か
らの信号により、定電圧発生手段の出力電圧を制御する
ことを特徴とする。
集積回路に光があたる様な使用方法下においても、定電
圧回路の出力電圧の絶対値を光があたらない状態の値と
同等かそれ以上にすることにより、定電圧回路の光力を
駆動電源とする回路の動作を、光があたった場合でも保
証しようとするものである・ （手段） 本発明の定電圧回路は、集積回路上に定電圧発生手段と
、少なくとも一つの光検出手段を有し、該光検出手段か
らの信号により、定電圧発生手段の出力電圧を制御する
ことを特徴とする。
（作用）
本発明では、以上の様な構成により光検出手段からの信
号で集積回路に光があてられた場合、定電圧発生手段に
制御を加え定電圧出力電圧の絶対値が小さくならない様
にする。
号で集積回路に光があてられた場合、定電圧発生手段に
制御を加え定電圧出力電圧の絶対値が小さくならない様
にする。
（実施例）
第一図に本発明の実施例を示す。１，５．１０はデプレ
ッション型ＰチャンネルＭＯ８トランジスタ、３，６．
７ｉエンハンスメント型ＰチャンネルＭＯＳトランジス
タ、２，４，８，９，１１゜１２．１−ｉエンハンスメ
ント型ＮチャンネルＭＯ８トランジスタ、１３，１４．
１５は光検出ダイオードである。
ッション型ＰチャンネルＭＯ８トランジスタ、３，６．
７ｉエンハンスメント型ＰチャンネルＭＯＳトランジス
タ、２，４，８，９，１１゜１２．１−ｉエンハンスメ
ント型ＮチャンネルＭＯ８トランジスタ、１３，１４．
１５は光検出ダイオードである。
本回路の動作は、１〜４までで構成される基準電圧源を
５〜１２で構成されるボルテージフォロア回路で受けＶ
ＤＤ−Ｄ間に定電圧出力電圧を出力するものである。本
回路において１，５．１０の各トランジスタによって決
定されるバイアス電流が非常に小さい時、本回路に光が
あたった場合の動作を以下に述べる・ 本回路に光があたった場合、光検出ダイオードの光り−
ク電流とバイアス電流がほぼ同じオーダーの値となるな
らば、Ａ点とｙｓｓ間に接続された１３の光検出ダイオ
ードは光リークを起こしＡ点の電位をＶＳＳ側に引っば
る。同様にＶＤＤとＢ点間に接続された１５の光検出ダ
イオードはＢ点の電位をＶＤＤ側に引っばり、０点とＶ
ＤＤ間に接続した１４の光検出ダイオードは０点の電位
をＶ Ｄ Ｄ ９１Ｑに引っばる。この様な動作により
、０点の電位が光のあたらない時と比較してＶＤＤ側に
近づくことＫなり、Ｄ点の電位Ｉｖｓｓ側に近づける。
５〜１２で構成されるボルテージフォロア回路で受けＶ
ＤＤ−Ｄ間に定電圧出力電圧を出力するものである。本
回路において１，５．１０の各トランジスタによって決
定されるバイアス電流が非常に小さい時、本回路に光が
あたった場合の動作を以下に述べる・ 本回路に光があたった場合、光検出ダイオードの光り−
ク電流とバイアス電流がほぼ同じオーダーの値となるな
らば、Ａ点とｙｓｓ間に接続された１３の光検出ダイオ
ードは光リークを起こしＡ点の電位をＶＳＳ側に引っば
る。同様にＶＤＤとＢ点間に接続された１５の光検出ダ
イオードはＢ点の電位をＶＤＤ側に引っばり、０点とＶ
ＤＤ間に接続した１４の光検出ダイオードは０点の電位
をＶ Ｄ Ｄ ９１Ｑに引っばる。この様な動作により
、０点の電位が光のあたらない時と比較してＶＤＤ側に
近づくことＫなり、Ｄ点の電位Ｉｖｓｓ側に近づける。
従ってＶ Ｄ Ｄ −Ｄ間にあられれる電圧の絶対値は
光があたることにより、あたらない時より同じか大きな
値をとることになる。従って、Ｖ Ｄ Ｄ−］）間の電
圧Ｖ Ｒ＊ ｇで動作する回路が接続されている場合、
これらの回路は光のあたらなり時と同様に動作すること
が可能となる。
光があたることにより、あたらない時より同じか大きな
値をとることになる。従って、Ｖ Ｄ Ｄ−］）間の電
圧Ｖ Ｒ＊ ｇで動作する回路が接続されている場合、
これらの回路は光のあたらなり時と同様に動作すること
が可能となる。
第１図における１３，１４．１５の光検出ダイオードは
、第２図ａ、ｂ、ｅ、ｄに示す様な方法で作成する。第
２図ａけ１３のダイオードに相当するダイオードの作成
方法でありＰ″″ＷＥＬＬ上にＮ＋拡散層を設けＰ−Ｎ
＋ダイオードとしている。
、第２図ａ、ｂ、ｅ、ｄに示す様な方法で作成する。第
２図ａけ１３のダイオードに相当するダイオードの作成
方法でありＰ″″ＷＥＬＬ上にＮ＋拡散層を設けＰ−Ｎ
＋ダイオードとしている。
第２図すは４のトランジスタに寄生するダイオードを光
検出ダイオードとして使用した例である。
検出ダイオードとして使用した例である。
この場合４のＮチャンネルトランジスタのドレインの面
積を通常必要とされるサイズ（最小コンタクトのとれる
サイズ）より大きくとり、Ｐ′″Ｎ＋ダイオードを作成
している。
積を通常必要とされるサイズ（最小コンタクトのとれる
サイズ）より大きくとり、Ｐ′″Ｎ＋ダイオードを作成
している。
第２図Ｃは１４又は１５に相当するダイオードの作成方
法である。Ｎ−基板上にＰ十拡散を設けＰ”Ｎ″″ダイ
オードを作成している。
法である。Ｎ−基板上にＰ十拡散を設けＰ”Ｎ″″ダイ
オードを作成している。
第２図ｄは同様に１４又は１５のダイオードの作成方法
である。これはＮ−基板上にＰ−ＷＥＬＬを作成し、Ｐ
−Ｎ−ダイオードを構成し光検出ダイオードとしている
。また１４，１５のダイオードの作成方法は第２図すと
同様に１０のトランジスタのドレイン面積を通常必要と
されるサイズより大きくとることにより実現することも
可能である。
である。これはＮ−基板上にＰ−ＷＥＬＬを作成し、Ｐ
−Ｎ−ダイオードを構成し光検出ダイオードとしている
。また１４，１５のダイオードの作成方法は第２図すと
同様に１０のトランジスタのドレイン面積を通常必要と
されるサイズより大きくとることにより実現することも
可能である。
第３図には、１３，１４．１５の光検出ダイオードを他
の素子に置き換える例を示しである。
の素子に置き換える例を示しである。
１３に対してはＢ′に示す様なＮチャンネルエンハンス
メントＭＯＳトランジスタのＯＦＦ接続が使用でき、１
４．１５に対しては１４′の様にＰチャンネルエンハン
スメン）ＭＯＳトランジスタノＯＦＦ接続が使用できる
。この場合各トランジスタに光があたるとチャンネル都
な光リーク電流が流れ各点の電位をそれぞれの方向にひ
っばることができる。
メントＭＯＳトランジスタのＯＦＦ接続が使用でき、１
４．１５に対しては１４′の様にＰチャンネルエンハン
スメン）ＭＯＳトランジスタノＯＦＦ接続が使用できる
。この場合各トランジスタに光があたるとチャンネル都
な光リーク電流が流れ各点の電位をそれぞれの方向にひ
っばることができる。
以上述べた様に、全体の消費電流を押えるために定電圧
回路のバイアス電流を非常に小さくした場合、定電圧回
路内に光検出手段を付加することにより、集積回路に光
があたる使用方法をされた場合でも定電圧回路によって
動作する回路の動作を安定に保つことが可能になった。
回路のバイアス電流を非常に小さくした場合、定電圧回
路内に光検出手段を付加することにより、集積回路に光
があたる使用方法をされた場合でも定電圧回路によって
動作する回路の動作を安定に保つことが可能になった。
第１図、本発明の定電圧回路の回路図
第２図（、）〜（ｄ）光検出ダイオードの断面図第３図
（ａ）、 （ｂ）光検出手段としてのオフ接続したＭＯ
Ｓトランジスタの回路図 第４図、従来の定電圧回路の回路図 １３．１４，１５、光検出ダイオード １５’、 １４’、オフ接続したＭＯＳトランジスタ
。 挙上ｒｆＪ ＣＱ） もヰ命」払り゛イア十９通ｈｉ咎り ｌζ ２ り口 ＜Ｊ）２ （即峠票バタ”イオーにの赤’Ｔめ８ 窮λｉに〕 諺３図
（ａ）、 （ｂ）光検出手段としてのオフ接続したＭＯ
Ｓトランジスタの回路図 第４図、従来の定電圧回路の回路図 １３．１４，１５、光検出ダイオード １５’、 １４’、オフ接続したＭＯＳトランジスタ
。 挙上ｒｆＪ ＣＱ） もヰ命」払り゛イア十９通ｈｉ咎り ｌζ ２ り口 ＜Ｊ）２ （即峠票バタ”イオーにの赤’Ｔめ８ 窮λｉに〕 諺３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）集積回路上に作成した定電圧回路において、定電圧
発生手段と少なくとも１つの光検出手段によつて構成さ
れることを特徴とする定電圧回路。 ２）特許請求の範囲第１項において光検出手段が集積回
路上に作成されたＰＮジャンクションダイオードである
ことを特徴とする定電圧回路。 ３）特許請求範囲第１項において光検出手段が定電圧発
生手段を構成する能動、受動素子に寄生するＰＮジャン
クションダイオードであることを特徴とする定電圧回路
。 ４）特許請求範囲第１項において光検出手段がＯＦＦ接
続されたＭＯＳトランジスタであることを特徴とする定
電圧回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217262A JPH0724004B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 定電圧回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217262A JPH0724004B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 定電圧回路 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6196630A Division JP2552253B2 (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 定電圧回路 |
| JP6196631A Division JP2552254B2 (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 定電圧回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6277619A true JPS6277619A (ja) | 1987-04-09 |
| JPH0724004B2 JPH0724004B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=16701382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60217262A Expired - Lifetime JPH0724004B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 定電圧回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0724004B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01204115A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 基準電圧発生回路 |
| JPH05303436A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-11-16 | Brooktree Corp | 出力電圧調整装置 |
| WO1998057375A1 (fr) * | 1997-06-11 | 1998-12-17 | Seiko Epson Corporation | Composant a semi-conducteur, affichage a cristaux liquides et appareil electronique les comprenant |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5019136U (ja) * | 1973-06-16 | 1975-03-04 |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60217262A patent/JPH0724004B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5019136U (ja) * | 1973-06-16 | 1975-03-04 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01204115A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 基準電圧発生回路 |
| JPH05303436A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-11-16 | Brooktree Corp | 出力電圧調整装置 |
| WO1998057375A1 (fr) * | 1997-06-11 | 1998-12-17 | Seiko Epson Corporation | Composant a semi-conducteur, affichage a cristaux liquides et appareil electronique les comprenant |
| US6552712B1 (en) | 1997-06-11 | 2003-04-22 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, liquid crystal display, and electronic equipment including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0724004B2 (ja) | 1995-03-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |