JPS6024645B2 - ガス絶縁送電路 - Google Patents
ガス絶縁送電路Info
- Publication number
- JPS6024645B2 JPS6024645B2 JP3590979A JP3590979A JPS6024645B2 JP S6024645 B2 JPS6024645 B2 JP S6024645B2 JP 3590979 A JP3590979 A JP 3590979A JP 3590979 A JP3590979 A JP 3590979A JP S6024645 B2 JPS6024645 B2 JP S6024645B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transmission line
- metal outer
- power transmission
- gas
- insulated power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Installation Of Bus-Bars (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は絶縁ガスが封入された金属外管内に導体を絶
縁物で支持して構成されたガス絶縁送電略に関するもの
である。
縁物で支持して構成されたガス絶縁送電略に関するもの
である。
電力需要の増大、都市部への電力需要の集中等によって
、送電路等に関しても土地問題、公害対策、環境調和対
策が重要な問題となってきた。
、送電路等に関しても土地問題、公害対策、環境調和対
策が重要な問題となってきた。
このため縮4・形ガス絶縁変電所が多用され、変電所に
接続される送電路もガス絶縁送電路が多用されるように
なってきた。このガス絶縁送電略は、金属外管にSF6
ガス等の絶縁ガスを封入し、この金属外管内に導体を固
体絶縁物で支持して構成されている。従ってガス絶縁送
電路の設計上の主眼は、信頼度の高い絶縁性能を得るこ
と、小型軽量化を図ること、送電路布設をする工事現場
での布設が容易であること、長寿命であること、ガス漏
洩が少ないこと等をいかにして実現するかにある。上記
設計上の主眼において、信頼度の高い絶縁性能を得るこ
と並びに小型軽量化を図ることを実現するためには、絶
縁ガス中の金属粉等の不純物を除く必要がある。すなわ
ちSF6ガスでは、ガス中に金属小片が存在すると絶縁
性能が半減することがある。このため金属外管内部で導
体の謀竜時に発生する静電気力によって不純物が運動す
る最中に不純物の落込み易い場所に低電界部を作り、低
電界部に落込んだ不純物が静電気力不足で捕捉されてし
まう不純物捕捉装置を設ければよい。また布設が容易で
あること、長寿命であること並びにガス漏洩が少ないこ
とを実現するためには、金属外管の接続部を送電路布設
現場において溶接できる溶接構造とすればよい。このよ
うに不純物捕捉装置を備え溶接構造となったガス絶寮粛
送電路において、絶縁設計上最も問題となる点は、金属
外管同志並びに導体同志を接続する接続部分である。こ
の接続部分においては金属外管同志並びに導体同志を接
続する金具が必要であるため、高電界部が出現すること
になる。また不純物捕捉装置もこの部分に設けるため電
界が高くなる。この発明は従来の欠点を改良するために
なされたもので、金属外管同志並びに導体同志の接続部
に、容易に低電界部を形成できるガス絶縁送電路を提供
することを目的としたものである。以下図面によりこの
発明の一実施例について説明する。第1図はこの発明に
係るガス絶暴威送電路の一実施例を示す側断面図である
。第2図は第1図の接続部の部分拡大図である。第3図
は第1図の線m−mにおける断面図である。図中同一部
分は同一符号で示している。以下の図面においても同様
である。第1図ないし第3図において、金属外管la,
lb,lcはSF6等の絶縁ガスが封入されている。導
体2a,2b,2cは金属外管la,lb,lc内に収
納され絶縁物3a,3b,3cで金属外管5a,la,
5bに支持されている。絶縁物3aは金属外管la内の
絶縁ガスと金属外管lb内の絶縁ガスとを区分するもの
で、円推形もしくは円板形に構成されている。絶縁物3
bはその詳細を第3図に示すように、導体2aに固着さ
れると共に金属外管laの内面には摺動体4を介して接
し、金属外管laと導体2aとの熱願彰脹差を逃がす構
成となっている。また金属外管la内の絶縁ガス中の不
純物の移動を妨げぬように、下部に絶縁物のない第3図
に示す三脚形の構造となっている。絶縁物3cは導体2
cに固着されると共に接続環5bの内面に固着されてい
る。接続環5aは金属外管la,lbを接続し、接続環
5bは金属外管lb,lcを接続するもので、接続環5
a,5bの内蓬は金属外管la,lb,lcの外径より
も大きく構成されている。摺動接触子6a,6bは導体
2a,2b,2cの端部の細く突出した凸部同志を摺動
可能に導電的に接続するもので、金属外管la,lb,
lcと導体2a,2b,2cとの熱膨脹差を逃がす構造
となっている。環状ばね7は摺動援触子6a,6bを導
体2a,2b,2cに圧接するものである。シールド導
体8a,8bは摺動験触子6a,6bの部分を覆い、導
体2a,2b,2cの外表面に接触して摺動接触子6a
,6bの部分が高電界となるのを防止している。突起部
9及び押え部10は接続環6aの内周面に形成され、突
起部9に設けられた溝内に挿入されたパッキン1 1を
介して絶縁物3aの外周部を固着するものである。パッ
キン12は接続壕5a,5bの内周面に設けられた溝内
に挿入され、溶接部A,Bにおいて接続環5a,5bと
金属外管la,lb,lcとを溶接する際に生じるバッ
ターが、金属外管la,lb,lc内に入るのを防止す
るものである。孔明き電極13aは円筒状の金属で構成
され押え部101こ取付けられている。その外表面は接
続環5aの内面に対向して設置され、下部には孔である
切込み14aが設けられている。孔明き電極13bは円
筒状の金属で構成され、突起部9に取付けられている。
その外表面は接続環6aの内面に対向して設置され、下
部には孔である切込み14bが設けられている。孔明き
電極13cは円筒の金属で構成され絶縁物で支持されて
いる。その外表面は接続環5bの内面に対向して設置さ
れ、下部には孔である切込み14cが設けられている。
不純物捕捉装置15は金属外管la,lb,lcの端面
と接続環5a,5bの内面と孔明き電極3a,3b,3
cの下部外表面とで囲まれシールドされた空間、及び金
属外管la,lb,lcの端面と孔明き電極13a,1
3b,13cの側端面と接続環5a,5bの内面とでシ
ールドされた空間に形成された低電界部である。次にこ
の動作を説明する。
接続される送電路もガス絶縁送電路が多用されるように
なってきた。このガス絶縁送電略は、金属外管にSF6
ガス等の絶縁ガスを封入し、この金属外管内に導体を固
体絶縁物で支持して構成されている。従ってガス絶縁送
電路の設計上の主眼は、信頼度の高い絶縁性能を得るこ
と、小型軽量化を図ること、送電路布設をする工事現場
での布設が容易であること、長寿命であること、ガス漏
洩が少ないこと等をいかにして実現するかにある。上記
設計上の主眼において、信頼度の高い絶縁性能を得るこ
と並びに小型軽量化を図ることを実現するためには、絶
縁ガス中の金属粉等の不純物を除く必要がある。すなわ
ちSF6ガスでは、ガス中に金属小片が存在すると絶縁
性能が半減することがある。このため金属外管内部で導
体の謀竜時に発生する静電気力によって不純物が運動す
る最中に不純物の落込み易い場所に低電界部を作り、低
電界部に落込んだ不純物が静電気力不足で捕捉されてし
まう不純物捕捉装置を設ければよい。また布設が容易で
あること、長寿命であること並びにガス漏洩が少ないこ
とを実現するためには、金属外管の接続部を送電路布設
現場において溶接できる溶接構造とすればよい。このよ
うに不純物捕捉装置を備え溶接構造となったガス絶寮粛
送電路において、絶縁設計上最も問題となる点は、金属
外管同志並びに導体同志を接続する接続部分である。こ
の接続部分においては金属外管同志並びに導体同志を接
続する金具が必要であるため、高電界部が出現すること
になる。また不純物捕捉装置もこの部分に設けるため電
界が高くなる。この発明は従来の欠点を改良するために
なされたもので、金属外管同志並びに導体同志の接続部
に、容易に低電界部を形成できるガス絶縁送電路を提供
することを目的としたものである。以下図面によりこの
発明の一実施例について説明する。第1図はこの発明に
係るガス絶暴威送電路の一実施例を示す側断面図である
。第2図は第1図の接続部の部分拡大図である。第3図
は第1図の線m−mにおける断面図である。図中同一部
分は同一符号で示している。以下の図面においても同様
である。第1図ないし第3図において、金属外管la,
lb,lcはSF6等の絶縁ガスが封入されている。導
体2a,2b,2cは金属外管la,lb,lc内に収
納され絶縁物3a,3b,3cで金属外管5a,la,
5bに支持されている。絶縁物3aは金属外管la内の
絶縁ガスと金属外管lb内の絶縁ガスとを区分するもの
で、円推形もしくは円板形に構成されている。絶縁物3
bはその詳細を第3図に示すように、導体2aに固着さ
れると共に金属外管laの内面には摺動体4を介して接
し、金属外管laと導体2aとの熱願彰脹差を逃がす構
成となっている。また金属外管la内の絶縁ガス中の不
純物の移動を妨げぬように、下部に絶縁物のない第3図
に示す三脚形の構造となっている。絶縁物3cは導体2
cに固着されると共に接続環5bの内面に固着されてい
る。接続環5aは金属外管la,lbを接続し、接続環
5bは金属外管lb,lcを接続するもので、接続環5
a,5bの内蓬は金属外管la,lb,lcの外径より
も大きく構成されている。摺動接触子6a,6bは導体
2a,2b,2cの端部の細く突出した凸部同志を摺動
可能に導電的に接続するもので、金属外管la,lb,
lcと導体2a,2b,2cとの熱膨脹差を逃がす構造
となっている。環状ばね7は摺動援触子6a,6bを導
体2a,2b,2cに圧接するものである。シールド導
体8a,8bは摺動験触子6a,6bの部分を覆い、導
体2a,2b,2cの外表面に接触して摺動接触子6a
,6bの部分が高電界となるのを防止している。突起部
9及び押え部10は接続環6aの内周面に形成され、突
起部9に設けられた溝内に挿入されたパッキン1 1を
介して絶縁物3aの外周部を固着するものである。パッ
キン12は接続壕5a,5bの内周面に設けられた溝内
に挿入され、溶接部A,Bにおいて接続環5a,5bと
金属外管la,lb,lcとを溶接する際に生じるバッ
ターが、金属外管la,lb,lc内に入るのを防止す
るものである。孔明き電極13aは円筒状の金属で構成
され押え部101こ取付けられている。その外表面は接
続環5aの内面に対向して設置され、下部には孔である
切込み14aが設けられている。孔明き電極13bは円
筒状の金属で構成され、突起部9に取付けられている。
その外表面は接続環6aの内面に対向して設置され、下
部には孔である切込み14bが設けられている。孔明き
電極13cは円筒の金属で構成され絶縁物で支持されて
いる。その外表面は接続環5bの内面に対向して設置さ
れ、下部には孔である切込み14cが設けられている。
不純物捕捉装置15は金属外管la,lb,lcの端面
と接続環5a,5bの内面と孔明き電極3a,3b,3
cの下部外表面とで囲まれシールドされた空間、及び金
属外管la,lb,lcの端面と孔明き電極13a,1
3b,13cの側端面と接続環5a,5bの内面とでシ
ールドされた空間に形成された低電界部である。次にこ
の動作を説明する。
導体2a,2b,2cに謀電すると、第2図に示すよう
に金属外管lbの下部にある不純物Cは、静電気力によ
って金属外管lbの下部から飛び上り、交流電圧の変動
と、重力と、浮力との関係で複雑な跳躍運動をする。こ
の跳躍運動をしているうちに不純物Cが不純物捕捉装置
15の低電界部に落込むと、静電気力が不足して不純物
Cは飛び上れなくなり捕捉される。なお、不純物Cの捕
捉効果を上げるには、送電路全体を軸万向に極めて少し
傾ければよい。また溶接部Aは工場で溶接され、溶接部
Bは現地で溶接される。第4図はこの発明に係るガス絶
縁送電路の他の実施例を示す側断面図である。
に金属外管lbの下部にある不純物Cは、静電気力によ
って金属外管lbの下部から飛び上り、交流電圧の変動
と、重力と、浮力との関係で複雑な跳躍運動をする。こ
の跳躍運動をしているうちに不純物Cが不純物捕捉装置
15の低電界部に落込むと、静電気力が不足して不純物
Cは飛び上れなくなり捕捉される。なお、不純物Cの捕
捉効果を上げるには、送電路全体を軸万向に極めて少し
傾ければよい。また溶接部Aは工場で溶接され、溶接部
Bは現地で溶接される。第4図はこの発明に係るガス絶
縁送電路の他の実施例を示す側断面図である。
すなわち第1図に示す実施例では単相の場合を示したが
、第4図に示す実施例では3相(図では2相のみを示し
ている)の場合を示しており、この発明は単相送電路に
適応できるばかりでなく、多相送電路にも適応できる。
以上のようにこの発明によれば、簡単な構造で低電界部
の不純物捕捉装置を構成することができる。
、第4図に示す実施例では3相(図では2相のみを示し
ている)の場合を示しており、この発明は単相送電路に
適応できるばかりでなく、多相送電路にも適応できる。
以上のようにこの発明によれば、簡単な構造で低電界部
の不純物捕捉装置を構成することができる。
第1図はこの発明に係るガス絶縁送電路の一実施例を示
す側断面図である。 第2図は第1図の接続部の部分拡大図である。第3図は
第1図の線m−肌こおける断面図である。第4図はこの
発明に係るガス絶縁送電路の他の実施例を示す側断面図
である。図において、各図中同一部分には同一符号を付
しており、la,lb,lcは金属外管、2a,2b,
2cは導体、3a,3b,3cは絶縁物、5a,5bは
接続環、6a,6bは摺動接触子、8a,8bはシール
ド導体、12はパッキン、13a,13b,13cは孔
明き電極、14a,14b,14cは切込み、15は不
純物捕捉装置である。 第2図 第3図 図 舷 第4図
す側断面図である。 第2図は第1図の接続部の部分拡大図である。第3図は
第1図の線m−肌こおける断面図である。第4図はこの
発明に係るガス絶縁送電路の他の実施例を示す側断面図
である。図において、各図中同一部分には同一符号を付
しており、la,lb,lcは金属外管、2a,2b,
2cは導体、3a,3b,3cは絶縁物、5a,5bは
接続環、6a,6bは摺動接触子、8a,8bはシール
ド導体、12はパッキン、13a,13b,13cは孔
明き電極、14a,14b,14cは切込み、15は不
純物捕捉装置である。 第2図 第3図 図 舷 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 絶縁ガスが封入された複数本の金属外管、前記金属
外管内の夫々に絶縁物で支持して配設された導体、前記
導体を縦続接続する摺動接触子、前記金属外管を縦続接
続し前記金属外管の外径と等しいかもしくは前記外径よ
りも大きな内径を有する導体からなる接続環、及び前記
接続環の内面部分に設置され、低電界を作る不純物捕捉
装置を備えたことを特徴とするガス絶縁送電路。 2 前記金属外管の中間部に配設された前記絶縁物は前
記絶縁ガス中の不純物の移動を妨げないようその下部に
ガス空間部の存在する形状もしくは取付構造になってい
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のガス絶
縁送電路。 3 前記絶縁物の一部分は、前記導体に固着されると共
に、前記金属外管の内表面に摺動接触することを特徴と
する特許請求の範囲第1項または第2項記載のガス絶縁
送電路。 4 前記摺動接触子は前記導体の端部の細く突出した凸
部同志を摺動可能に接続し、前記摺動接触子の周囲は前
記導体の外表面に接したシールド導体で覆われているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第3項の何
れかに記載のガス絶縁送電路。 5 前記接続環の内面はパツキンを介して前記金属外管
の外表面に取付けられていることを特徴とする特許請求
の範囲第1項ないし第4項の何れかに記載のガス絶縁送
電路。 6 前記接続環は前記金属外管に溶接接続されたことを
特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第5項の何れか
に記載のガス絶縁送電路。 7 前記不純物捕捉装置は、孔を有する外表面が前記接
続環の内面に相対して設置された孔明き電極の外表面と
、前記接続環の内面と、前記金属外管の端面とで囲まれ
て構成されたことを特徴とする特許請求の範囲第1項な
いし第6項の何れかに記載のガス絶縁送電路。 8 前記不純物捕捉装置は、前記孔明き電極の側端面と
前記金属外管の端面と前記接続環の内面とで囲まれて構
成されたことを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし
第7項の何れかに記載のガス絶縁送電路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3590979A JPS6024645B2 (ja) | 1979-03-24 | 1979-03-24 | ガス絶縁送電路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3590979A JPS6024645B2 (ja) | 1979-03-24 | 1979-03-24 | ガス絶縁送電路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55127818A JPS55127818A (en) | 1980-10-03 |
JPS6024645B2 true JPS6024645B2 (ja) | 1985-06-14 |
Family
ID=12455148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3590979A Expired JPS6024645B2 (ja) | 1979-03-24 | 1979-03-24 | ガス絶縁送電路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6024645B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60122509U (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-19 | 川崎重工業株式会社 | 内燃機関の傘形弁冷却構造 |
-
1979
- 1979-03-24 JP JP3590979A patent/JPS6024645B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55127818A (en) | 1980-10-03 |
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