JPS586128A - フォトマスクの欠落欠陥修正装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はフォトマスクの白点欠陥（欠落欠Ｍ）修正方法
とその装置に関するものである。

フォトマスクに発生する欠陥のうち黒点欠陥（残留欠１
ｉｉｌＩ）についてはレーザによる修正（特公昭５２−
９５０８　）で大巾な工程短縮が実現できている。一方
欠落欠陥、即ち正常なノくターンの一部が欠落する様な
欠陥についてはリフトオフ法が用いられている。このり
７トオフ法は（１）欠落欠陥を有するフォトマスク全面
にポジ減レジストを塗布する工程。

（２）部分露光法を用いて欠落欠陥部のみに露光を行う
工程、 （５）　　現偉処理により欠落欠陥部Ｋｊ！ｌをあける
工程、 （４）　　真空蒸着技術により欠落欠陥部とその周辺あ
るいはフォトマスク全面に金属膜を形成する工程、 （５）　　レジスト除去を行い、同時にレジスト上に形
成されてｉる金属膜も除去する工程、とかうなっており
、非常に多くの工程シよび時間を要する欠点があった。

ｔた、シーずによる部分蒸着を用い良方法も提案されて
いるが、精ｆ＃膜強度、膜の均一性など実用上の問題点
が多い。

これら欠点をなくシ、少ない１楊９時間で、しかも精度
よく均一な膜を形成する欠落欠陥修正方法として、欠落
欠陥を有するフォトマスク全面あるいは欠落欠陥部とそ
の周辺部のみに金属錯体を塗布し、欠落欠陥部のみにレ
ーザな照射することにより金属を析出させて欠陥を修正
する方法が提案されている。本発明はこの金属錯体を利
用した欠落欠陥修正方法の改良に関するものである。

即ち本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなくしフ
ォトマスク欠陥の修正を高品質に行うための方法および
装置を提供する忙ある。

ところで塗布された金属錯塩にシーず光を照射して金属
を析出させて欠陥（正常パターンの一部が欠落した欠陥
）を修正する場合、シーず照射領域の大きさく即ち欠陥
の大きさ）Ｋより最適なシーず照射パワー密度が異なる
。

そこで本発明はレーザ照射領域の火車さを検出し、その
大きさに最適な条件に設定できる機構を備えるととｋよ
り、高品質な欠陥修正な行うものである。

以下本発明を図に従りて詳細ｋｗｉ明する。まず、金属
錯体にレーザを照射して金属金属酸化物を析出させ、欠
陥を修正する工場を第１図に示す。

（ａ）　　ガラス基板１上にり四ム、酸化クロムあるい
はそれらの多層で形成されたマスクパターン２に生じた
欠落欠陥部を覆う様に金属錯体を塗布乾燥し、金属錯体
膜４を形成する。

＜ｈ）　　少なくとも欠落欠陥部を含む領域の金属錯。

体膜４にレーザ光５を照射し、シー望光５の照射された
領域に金属、金属酸化物あるいはその混合物の析出膜６
を析出させる。

（Ｃ）　　レーザ照射後、未析出部の金属錯体を除去す
る。その後必要に応じて洗浄、熱処理等を行う。

ここで用いる金属錯体材料としては有機溶媒に硝酸銀、
カルボン酸および添加剤を加え九溶液が用いられる。こ
の時溶液中でカルボン酸銀塩が溶解した状態で形成され
る。銀塩の中でもカルボン酸銀塩が好ましく用いられる
のは有機溶媒によ〈溶解し、有機溶媒を蒸発させて４１
Ｌ好な膜を形成するためである。カルボン酸としてハ各
種のものが使用可能であるが、カルボン酸基を２つもつ
ジカルボン酸、その中でもシトラコン酸が特に成膜性に
すぐれている。ｔた有機＋１＃、！−してアルコール系
、七日ソルプ系、カルピトール系、グリコール系の有機
溶媒の他ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアンド
、ジメチルホルムアミド等が使用可能であるが、メチル
セロソルブ、アセトニトリル、アセチルアセトン、およ
びジメチルスルホキシドの混合液が最適である。

さらに析出された金属Ｊ［または金属酸化物膜あるいは
その混合物膜と基板の密着性を向上させるＫＦｉチタン
アルコレートを添加することで目的を達せられるがチタ
ンテトラブチラードが最適である。前Ｆ）１！１１を塗
布液として塗布乾燥し０．１〜１μ馬の錯体膜を形成し
、所定部分にレーダを照射する。レーザ照射により金属
ｌ／／＆ま危は金属酸化物膜あるいはその混合物膜を析
出させた後、メチルセロソルブま九はアセトニトリルあ
るいは両者の混合液で洗浄するととにより析出した部分
以外の錯体膜を完全に除去することができる。その後紫
外線炉で３０秒〜５分間ベーキングすることＫより析出
膜強度および基板への接着強度を向上することができる
。

こζでし〜ザ照射はｆｓ２図に示す様にシー簀発振器（
図示せず）より発振されたレーザ光５を任意の寸法に変
化できる可変スリット７により矩形に成形され対物レン
ズ８により、可変スリット７の実儂が結ぶ位置に置かれ
た欠＠？を有するフォトマスク１０上に対物レンズ８０
倍率の逆数の大きさでシー望光が矩形に集光される第２
図に示した光学系により、前記錯体膜を約（１，２１ｍ
の厚さに形成した試料に照射領域の火車さと照射部にお
けるパワー密度を変えて析出させた結果をｔｓＳ図に示
す。図中において実線の上の領域はパワー密度が高すぎ
て、析出した膜がレーザにより損傷を受け、破線の下側
の領域はパワー密度が低すぎて洗浄により析出膜が脱落
する恐れの大きい領域である。即ち、実線と破線で８★
れた領域が適正な条件範囲であり。

一点鎖線で示した条件が最適であったにζで横軸は照射
領域の寸法（正方形に照射し九場合の一辺の長さ）、縦
軸は照射部のレープパワー書度である。照射領域の寸法
（５））が２μ講〜ｓｏｓｗ＊の範囲にお−てはレーダ
パワー重度ψ）の間に５ｘｐ−一定 の関係を満す条件が最適であった。

篤５図に示したのは正方形の領域に照射した場合の結果
であるが、照射領域が長方形の場合には照射領域の面積
の平方根を寸法（５）とした場合のパワー密度が最適で
ありた。九だし照射領域の短辺と長辺が１：５以上の長
方形の場合には数ケ所に分割して頴に照射した方が良好
であった。

第５図は有機溶ＩＫ硝酸＃１．カルボン酸および添加剤
を加えた溶液を厚さ昭μｍの膜に形成して用ｉた場合の
結果であり、適正パワー密度は錯体の組成および膜厚に
より変化する。

また金属錯体溶液として有機溶媒に硝酸銀。

カルボン酸および添加剤を加えたＩＩＩＩＫついて説明
して来危が本方法はそれに＠定されるものではなく狭義
の意味での金属錯体、即ち１つあるいはそれ以上の金属
を中心原子としてそれに他の原子ｆ＆は原子団、つ★り
配位子が結合して１′）の原子集団を作りている時の原
子集団以外に、通常の溶液反応で生成する金属塩な含む
概念のものにも適用で自る。

以上述べて来た修正方法をＩＩ施するための修正装置の
一例を示す。

ｌｓ４図に示される実施例の欠陥修正装置はＡｙレシー
発振器１１、シレず光５０光路を−げる九めのにツー１
２．シヤツタ１５、ズーム光学系１４とその駆動装置５
１．レーザ光を対物レンズ８の方向へ曲げるメイク四イ
ックミラー１５、対物レンズ８に向うレーザ光５の光路
上に配置され九矩形開ロスリット７とそＯ駆−装置１６
およびスリット位置を検出するための検出値Ｒ１７、ノ
・−７電ツー１８．対物レンズ８．フォトマスク１０の
マスクパターン２を観察および位置合せを行う照明光源
１９とノ・−７ミラー２０と観察光学系２１とレーザカ
ットフィルタ２２、スリット照明“光源２５と干渉フィ
ルタ２４．フォトマスク１０のパターン２゛と矩形開口
スリット７０投影−を観察し表示するハーフミラー２５
とシレずカットラ４ルタ２６と撮像装置２７と峰二りＴ
ｉ２Ｂ、７オトマ哀り１０を載置するＸ−Ｙテーブル２
９とその駆−装置ｇｏ、Ｘ−Ｙテーブル２９の駆動装置
５０とクヤツタ１５の制御をし、かつ矩形開口スリット
７の駆動装置１６を制御してその時の矩形開口の寸法を
検出する検出装置１７からの信号によりレーザ照射領域
の寸法を判定し、×−ム光学系１４の駆動装置を制御し
て最適パリ−密度が得られるビーム径に制御する制御装
置５２を備えて構成されてｉる。　　。

そして前記ｊｒシレー発振器１１から発振されたレーダ
光５はメイク四イックミラー１５により光路な曲げられ
、Ｘ−１両方向の巾を独立に設定で―る矩形開ロスリッ
）７に達し、任意の大ｍ−ａの矩形に成形される。

前記矩形間６スリツト７により任意の矩形に成形された
レーザ光５はノー−フンクー２５．１８を透過し、対物
レンズ８により集光されて欠落欠陥を有するフォトマス
クＩＯＫ照射される。ζζでフォトマスク１０および矩
形開口スリット７は矩形開口スリット７の儂が対物レン
゛ズ６により対物レンズ８０倍率の逆数の火車さ、即ち
対物レンズ８０倍率を１倍とすると／ＨＫ縮少されて投
影される位置関係に置かれる。

フォトマスク１０のバタ゛−ン２の観察および位置合せ
は照明光源１９からの光を／Ｓ−フ々ツー２０１８で結
合することＫより観察光学系２１により行うことができ
る。また観察光学系２１には作業者の安全のためシレず
光カットフィルタ２２が配置されている。

さらに、スリット照明光源２５の光は干渉フィルタ２４
により特定の波長のみ透過し、メイク闘イックンラ″−
１５を透過し、矩形開ロ°スリット７０投影儂として対
物レンズ８によりフォトマスり１０上に結偉される。こ
こでグイクロイックミ１）−１５はシーず光５の波長の
み反射し、スリット照明光の特定波長を透過する特性を
有する。

そしてこのスリット照明光による矩形開口スリット７の
像も観察光学系旧により観察することができる。

さらにま九、ハーフミ９−２５．レーずカットフィルタ
２６．および撮像装ｄｉ！２７によりフォトマスク１０
のパターン２や矩形開口スリット・７の投影像をモニタ
Ｉ〆２８により鋪察することもできる・欠幡欠ｐｉ５５
を有するフォトマスク１０の上には金属錯体溶液が塗布
され、乾燥により金属錯体ＪＩ［４が形成されている。

欠落欠陥部５５が矩形スリット７０投影儂と一致する様
にＸ−Ｙテーブル２９で調整てきる様になりている。ま
た、　Ｘ−Ｙテーブル２９は手動および駆動装置５０に
より駆動できる。

観察光学系２１ある−は峰二りＴＦ２８により観察しな
がら矩形開口スリット７の巾を調整し、投影像を欠落欠
陥部５Ｍの大きさに一致させる。この時スリット位置検
出装置１７によりＸ−Ｙ両方向のスリット中を検出し、
その巾ＫＴｈける最適パワー密度を制御装置５２を算出
しズーム光学系１４の駆動装置３１を駆動して最適パワ
ー密度が得られるビーム径にする。

全ての設定が終了するとジャツメ１ｓを開−てシーず光
５を欠落欠陥部ＳＳＫ照射する。この時レーザ光５はス
リット照明光による矩形開口スリット７０投影像と全く
同一〇領域に照射される。

ここでシーず光５をＯＮ　、ＯＦＦする九めにシャッタ
１５を使用しているが、電気光学ある鱒は音響光学効果
による変調！によっても同様の動作が行なえるし、さら
ＫＡｒレーシー振器１１の電源を制御することにより行
なうむ、ともできる。

前記制御装置５２は、りぎの機能を持つ。すなわち、欠
陥検査装置で検出された位置情報を磁気媒体などから読
み取り、　Ｘ−Ｙテーブル２９の駆能と、スリット位置
検出装置１７からの信号な受けとり矩形開口スリット７
０寸法（すなわちフォトマスク１０上に投影された矩形
形状のＩ倍二Ｍは対物レンズの倍率）を算出しその寸法
から最適なパワー密度を算出する機能と、その最適パワ
ー密度を得るのく必要なビーム径を算出して、ズーム光
学系１４の駆動装置５１を駆動して所定のビーム径に調
整する機能と、適正な条件でシャッタ１ｉＴｏるいは変
調器、電源を制御することによりレーザ光５をＯＮ、Ｏ
ＦＦする機能とを有する。ｉ九欠落欠陥部Ｓ３の火車さ
があらかじめわかりている場合には、矩形開口スリット
７の巾を変化させるための駆動装置１ｉ２７１に：駆動
してスリット中を設定することも可能である。

ここでレーザ光５をＯＮ、ＯＦＦする適正な条件とは例
えば照射されたレーザ光５のフォトマスク１０を透過す
る光量を検出し、その透過光量の変化から金属等、の析
出状態を判定して得られる条件を含むｔのである。

次に前記第４１に示される欠陥修正装置を使用してフォ
トマスク１０の欠落欠陥Ａ５を修正する方法の一態様を
説明する。欠落欠陥ｓ５′６を有するフォトマスク１０
の全面あるｉは欠落欠陥！墨とその周辺１１に銀錯体溶
液等の金属錯体溶液を塗布、乾燥し、金属錯体膜４を形
成した後、Ｘ−Ｙテーブル２９上に載置し、欠陥検査装
置からの位置情報をもとに制御−置！２によりテーブル
駆動装置５０を駆動して少なくともｔｔａｓ光学系２１
あるいは撮像装置２７の視野内に欠落欠陥部が入る様に
する。ついでスリット照明光源２ｉＳＫよる矩形開口ス
リット７０投影像を観察しなからｘ−Ｙテーブル２９に
よる稽位置決めおよびスリット駆動装置１６を駆動して
スリット中の設定を行う。この時、矩形開口スリット７
の投影像が正常パターンからはみ出ない様に１かつ欠落
欠陥部ＳＳを十分に覆うように調整する。ここで、スリ
ット位置検出装置１７により１例えば光軸（光学系の中
心）を原点としたスリット先端位置までの距離に押当す
る信号を制御装、置ｓ２へ送り、Ｘ方向の２信号、Ｙ方
向の２信号から、矩形開゛口の寸法を算出する。ついで
制御装置ｓ２においてこの寸　、法における最適パワー
密度を近似式あるいはメモリ部忙記憶しであるテーブル
から判定して決定する。即ち第５図に示した例では最適
パワー密度Ｐとスリット寸法（投影面上での寸法）Ｓの
間でＰｘＳ　ｗ一定の関係があることから、　１０μ罵
口におけるパワー密度が４００　ｏＷＡとなる−に設定
しておけば、スリット寸法が２０μ鷹口（１０μ肩口の
２倍）の場合にはパワー密度は２０００Ｗ／１１１　、
即ちズーム駆動装置ｓｉを駆動してビーム径をｆ倍忙広
ければ良い。（パワー密度はビーム径の２乗に反比例す
る）全ての設定が完了し九後、自動的にあるいは作業者
の指示によりシャッタ１５を開いてＡｒレーザ発振器１
１から発振されたレーザ光５を欠落欠陥部ｓ３に照射す
る。次に一定時間、あるいは金属等の析出状態をモニタ
しながら照射した後適正条件でシャッタ１５へ信号を送
りレーザ光５の照射を停止させる。

以上により前記金属錯体ｌ［４にレーザ光５を照射し、
金属膜を析出させることＫより、フォトマスク１０の欠
落欠陥５５が修正もれる。

これで−個の欠落欠陥３ｓの修正が終了し、必要に応じ
て観察した後、作業者からの修正完了の信号が出される
と、次の欠陥位置へＸ−Ｙテーブル２９を駆動する。全
ての欠落欠陥部３５に金属膜を析出させた後、フォトマ
スク１０は洗浄により、金属が析出した部分以外の金ｌ
Ｉ４一体膜４を除去し、必要に応じて熱処理を加えた後
、修正作業は終了する。

第５図にフォトマスク欠落欠陥修正装置の別な一例を示
す。この第５図に示される修正装置は第４図に示される
修正装置と比較して次の点が異なる。即ちダイクロイッ
クミノ−Ｓ４の裏側に所定の大きさを有するアバ′−チ
ャ板３５と光量検出器５６を備えている点である。ダイ
クロイックミラー５４はレーザ光５の大部分は反射、一
部分例えば１係を透過し、干渉フィルタ２４で特定の波
長に１択されたスリット照明用光源２５からの光を透過
する特性を有する。ダイクロイックミラー３４を透過し
たシー°東弐の一一分５′は一定の面積を有するアパー
チャを有する敏Ｂ５によりビームの中心部のみが通過し
光検出器５６１ｆｔ受光される。ここでグイクロイツク
ミ２−５４のシー簀光５に対する透過率とアノ（−チャ
３５の面積が既知であればスリット７面上における・〕
（ワー密度即ちフォトマスク１０上における）（ワー密
度が算出できる。このことから、矩形開口スリット７の
スリット寸法を検出し、制御装置３２においてその寸法
における最適）（ワー密度を近似式あるいはメモリに記
憶しであるテーブルより決定した後、光量検出器３６か
らの信号と比較しながら、ズーム駆動装置５１によりズ
ーム光学系１４を駆動してビーム径を変化させ、光量検
出器５６カ１らの信号と最適パワー密度が一致するかあ
るいは一定の誤差内（例えば±５％）に入った−にズー
ム駆動装置ｓ１を停止させれば良い。以上により、フォ
トマスク１０上におけるレーザ光５の照射パワー密度は
最適値に設定することができる。

次に、第４図および第５図に示した修正装置に使用する
ズーム光学系１４について説明する。

Ｗ４６図に示すのはズーム光学系１４の一例で凹しンズ
５８、凸レンズ５９．凹レンズ４０．および凸レンズ４
１から構成されており、アフォーカル・ズーム系（平行
光を入射した場合平行光として出力する）を構成してｉ
る。

第６図（Ａ）Ｋ示す様に凸レンズ３９と凹レンズ４０が
合さっている場合、入射するシー簀光５は最大ビーム径
で出力する。これに対して（＠）ｋ示す様に凸レンズ３
９と凹レンズ４０がそれぞれ凹レンズ５８と凸レンズ４
１と合さりている場合には最小ビーム径で出力する。凸
レンズ６９および凹レンズ４０が第６図ｔ／Ｉ）と（１
）に示し穴位置の間を連続的に変化させることにより、
出力するビーム径は連続的に変化する。当然、各レンズ
の焦点距離を選択することＫよりビーム径を縮小するこ
ともで自る。

上記アフォーカル・ズーム系の他１例えばカー　メツ用
ズームレンズと固定焦点距離の集光レンズを組合せるこ
とにより全く同一の機能を得ることができる。。

また第４図および第５図に示した修正装置において、パ
ワー密度を変化させる手段として、ズーム光学系１４を
用い友場合について説明して来たが第７図に示す様に円
形透明基板４２上にクロム、アルミニウム、ニクロム、
り′ロメル等の金属を局方向く厚さを変えて蒸着等によ
り形成した薄膜により透過率を連続的に変化させるフィ
ルタあるいは第８図に示す様に透明平板４４゜４４′を
光軸に垂直な面４５に対して面対称となる様に設置し、
レーザ光５の入射角が連続的に変化する様（ただし光軸
に喬直な面４５に対して面対称な関係を保り７’Ｅｔｔ
）Ｋ矢印で示した方向に回転させることにより、透過率
を連続的に変化させるフィルタを使用することにより、
目的は達せられる。

ズーム光学系１４と第７図あるいは第８図に示したフィ
ルタを併用することＫより、同様の機能が得られること
も明らかである。第７図および第８図に示したフィルタ
を使用する場合、レーザ光５が照射される最大面積まで
十分に均一なビームのパワー分布が得られる様あらかじ
めビーム径を拡大する等の手段を構じておく必要がある
。

本発明を実施するためのシレずとしては連続発振のレー
ザ光が好ましく、実施例ではＡｙレシー発振器を用いた
場合について説明して来たが近赤外、可視、紫外の波長
を持つレーザであれば良い。この中にはＹＡＧレーザの
基本波、１ｓ２高調波および第３高調波、Ｋｒレーザ、
　Ｉｈ−Ｃｄレーザ、連続発振シレず励起Ｄｙａレーザ
および、４ｒレーザが含まれるが可視の短波長側から近
紫外の領域が望ましい。

以上説明したように本発明によれば従来の９フトオフ法
に比較して少ない工程でかつ／、。の時間で欠落欠陥部
を修正でき、しかも欠落欠陥部に析出された金属膜、金
属酸化物膜ｔたはその混合物膜と基板の接着強度が大き
くかつｍ光性の十分な修正を高精度に行うことができ、
従りて半導体装置の生産歩留を大巾に向上しうる効果が
ある。

さらに本発明の装置によれば、前記欠落欠陥修正方法を
確実に実施化しうる効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の工程を示す図、第２図は本発明方
法を実施するための光学系め説明図第１図は本発明方法
により欠落欠陥を修正する場合のレーザ光照射領の寸法
と最適ノくワー密度の関係を示す図、＃！４図は本発明
方法を実施するための欠落欠陥修正装置の一例を示す系
統図第５図は欠落欠陥修正装置の他の一例を示す系統図
、第６図は本発明方法を実施するためのＩ（ワー密ｔＬ
＠整手段としてのズーム光学系の一例を示す図、第７図
およびｓＩｓ図は同じく）（ワー密度調整手段としての
透過率連続可変フィルタを説明する図である。 ５・・・レーザ光、　　　７・・・矩形開口スリット８
・・・対物レンズ、１０・・・フォトマスク、１１・・
・Ａｒシレー発振器、１３・・・シャツータ、１４・・
・ズーム光学系。 １５・・・グイクロイックミラー。 ２９・・・Ｘ−Ｙテーブル・ １７・・・スリット位置検出装置、 ５２・・・制御装置、 ３６・・・光量検出装置。 才　１　口 才　３ＷＪ ゑ射Ｒ威の１迭Ｓ（μｍ） オキ図 １（ 才５図 オ６図 ＣＢ＞ オフ罠 ３ 才８目 、４４ 第１頁の続き ０発　明　者　奥中牢昭 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 式会社日立製作所生産技術研究 所丙 ０発　明　者　用那部隆夫 ０発　明　者　田辺功 小平市上水本町１４５０番地株式会 社日立製作所武蔵工場内

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　欠落欠陥を有するフォトマスクの少なくと４欠落
   欠陥部とその周辺ｗｎｔ＊属錯体Ｓ＊を塗゛布した後、
   欠落欠陥部を含むレーザ照射領域の大さに応じたバ９−
   Ｖ！Ｒ度に設定され九シーず光を前記レーザ照射値域に
   照射して金属膜金属酸化物膜ｔｘはその混合物膜を析出
   させることを特徴とするフォトマスクの欠落欠陥修正方
   法。 ２、金属錯体＃液が有機＃縄に少なくとも硝酸銀、カル
   ボン鹸シよびチタンアルコレートを添加し九＊＊である
   こと＊＊徴とする特許饋求範囲第１項記載のフォトマス
   クの欠落欠陥修正方法。 毛　シーず光を発生する手段と鋏手段より発生したレー
   ザ光を任意の大きさの矩形に成形するための矩形開口ス
   リットと該矩形開口スリットで矩形に成形されたシーず
   光を前記矩形開口スリットの縮少像として集光結像する
   ための対物レンズと、欠落欠陥を有するフォト１スクを
   載置す；６　Ｘ−Ｙテーブルと、前記矩形開口スリット
   の寸法を検出する手段と、前記矩形開口スリットの縮少
   像として集光結像されるレーザ光のパワー密度を任意に
   変化させる手段と、前記シー望光をｏｓ、ｏｉｐｐさせ
   る手段と、欠陥位置の情報により鐘形−ロスリットの縮
   少像と欠落欠陥位置が一歇する様Ｋ　Ｘ−Ｙテーブルの
   位置な制御する機能と前記矩形開口スリットの寸法を検
   出する手段からの情報によりスリットの寸法を判定し、
   その寸法における最適パワー密度を算出する機能と算出
   された最適パワーｆＭＲが得られるＩＩＫ前記レーザ光
   のパワー密度を変化させる手段を制御する機能とシーず
   光をｏｐｉ　、ｏｙｐさせる手段を制御する機能とを有
   する制御装置とを備え九ことを特徴とするフォトマスク
   の欠−欠陥修正装置。 ４、　レーザ光を発生する手段と蚊手段より発生し九レ
   ーザ光を任意の矩形に成形するための矩形開口スリット
   と、該矩形開口スリットで矩形に成形されたレーザ光を
   前記矩形開口スリットの縮少像として集光結儂するため
   の対物レンズと、欠落欠陥を有するフォトマスクを載置
   するＸ−Ｙテーブルと、前記矩形開口スリットの寸法を
   検出する手段と、前記矩形開口スリットの縮少像として
   集光結儂されるレーザ光のパワー密度を任意に変化させ
   る手段と、前記変化されたシーず光のパワー密度を検出
   する手段と、前記レーザ光をＯＮ、ＯＦＦさせる手段と
   、欠陥位置の情報により矩形開口スリットの縮少像と欠
   落欠陥位置が一致する様Ｋ　Ｘ−Ｙテーブルの位置を制
   御する機能と前記矩形開口スリットの寸法を検出する手
   段からの情報によりスリットの寸法を判定しその寸法に
   おける最適パワー密度を算出する機能と前記パワー密度
   を検出する手段からの情報と算出され几最適パワー密度
   とを比較して両者が一致するかあるいは一定誤差範囲内
   に納まる様に前記レーザ光のパラ−密度を変化させる手
   段を制御する機能とレーザ光をＯＮ、ＯＦＦする手段を
   制御する機能とを有する制御装置とを備えたことを特徴
   とするフォトマスクの欠落欠陥修正装置。 ５、　前記制御装置は前記矩形開口スリットの寸法と最
   適パワー密度の関係を近似式として記憶し、前記矩形開
   口スリットの寸法を検出する手段からの情報により判定
   したスリットの寸法におりる最適パワー密度を前記近似
   式かマスクの欠落欠陥修正装置。 ６、　前記制御装置は前記矩形開口スリットの寸法と最
   適パワー密度の関係をテーブル（表）として記憶し、前
   記矩形開口スリットの寸法を検出する手段からの情報に
   より判定したスリットの寸法ニおける最適パワー密度を
   前記テーブルを参照して決定する機能を有することを特
   徴とする特許請求範囲第３項および第４項記載のフォト
   マスクの欠落欠陥修正装置。′７、　前記レーザ光のノ
   （ワー密度を変化させる手の゛ニジ・トーヘクの欠落欠
   陥修正装置。 ８、−記レーザ光のパワー密度を変化させる手第４ＪＪ
   Ｉ記載のフォトマスクの欠落欠陥修正装置。 ９、　前記レーザ光を発生する手段として連続発振ｌｒ
   レシー発掻器を備えたことを特徴とする特許請求の範西
   第３項ト誉ゼ第４項記載のフォトｉスク欠落欠陥修正゛
   装置。