JPS60149154A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60149154A JPS60149154A JP592984A JP592984A JPS60149154A JP S60149154 A JPS60149154 A JP S60149154A JP 592984 A JP592984 A JP 592984A JP 592984 A JP592984 A JP 592984A JP S60149154 A JPS60149154 A JP S60149154A
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- Japan
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- tab
- lead
- lead frame
- semiconductor chip
- frame
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49537—Plurality of lead frames mounted in one device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するもの
である。
である。
樹脂封止型半導体装置は一般に単一メタルのリードフレ
ームのタブ部に半導体チップが搭載され、ワイヤーボン
ディングされ、樹脂封脂されて製造されているもので、
該リードフレームは半導体チップが何着されるタブ部の
周囲に外部端子と導通ずるリードが伸びていて、単一メ
タルをプレス加工またはエツチング加工により形成され
ているものであった。また、パッケージの構成材料が０
．１〜０．３ ｍｍの厚さのリードフレームメタルと大
半が封止用の樹脂であるためにセラミック封止形のもの
と比べて半導体チップの熱放散性が悪いものであり、該
熱放散性はリードフレームの熱伝導度に大きく依存して
いるものであった。しかし、熱伝導度の良い金属はＣｕ
、Ａｇ及びＡＩのように強度的に弱いものであり、半導
体装置リードとしては使用できないものであった。また
、高熱伝導度メタルに不純物を添加して合金化すること
により高強度にすることも行なわれているが、今度は熱
伝導度が低下するもので、充分な熱放散性を得ることは
困難であった。
ームのタブ部に半導体チップが搭載され、ワイヤーボン
ディングされ、樹脂封脂されて製造されているもので、
該リードフレームは半導体チップが何着されるタブ部の
周囲に外部端子と導通ずるリードが伸びていて、単一メ
タルをプレス加工またはエツチング加工により形成され
ているものであった。また、パッケージの構成材料が０
．１〜０．３ ｍｍの厚さのリードフレームメタルと大
半が封止用の樹脂であるためにセラミック封止形のもの
と比べて半導体チップの熱放散性が悪いものであり、該
熱放散性はリードフレームの熱伝導度に大きく依存して
いるものであった。しかし、熱伝導度の良い金属はＣｕ
、Ａｇ及びＡＩのように強度的に弱いものであり、半導
体装置リードとしては使用できないものであった。また
、高熱伝導度メタルに不純物を添加して合金化すること
により高強度にすることも行なわれているが、今度は熱
伝導度が低下するもので、充分な熱放散性を得ることは
困難であった。
さらに、単一メタルで構成されているリードフレームは
半導体チップの搭載の際にもリードフレーム全体がダイ
ボンダーを通加し、Ａｕ −８ｉ共晶ダイボンディング
では４００〜５００℃に加熱されるものでアシ、リード
フレームの変形、及び汚れ付着また、熱による材料特性
の変化の原因となうていた。
半導体チップの搭載の際にもリードフレーム全体がダイ
ボンダーを通加し、Ａｕ −８ｉ共晶ダイボンディング
では４００〜５００℃に加熱されるものでアシ、リード
フレームの変形、及び汚れ付着また、熱による材料特性
の変化の原因となうていた。
本発明は、従来の欠点である樹脂封止型半導体装置の熱
放散性を向上させると共に、半導体チップのダイボンデ
ィングの際にリード変形、汚れ付着、材料特性変化を無
くすことを目的としたものである。
放散性を向上させると共に、半導体チップのダイボンデ
ィングの際にリード変形、汚れ付着、材料特性変化を無
くすことを目的としたものである。
本発明は、リードフレームのタブ部をリードフレームか
ら分割し、独立させて、タブ部メタルに熱伝導度の良い
ものを使用し、インナーリード及び外部リードには強度
の高いメタルを使用して、該タブ部に半導体チップをダ
イボンディングした後にリードフレームとタブ部を接続
するもので、ダイボンディングの際にはリードフレーム
がダイボンダーを通らないように製造することを特徴と
するものである。
ら分割し、独立させて、タブ部メタルに熱伝導度の良い
ものを使用し、インナーリード及び外部リードには強度
の高いメタルを使用して、該タブ部に半導体チップをダ
イボンディングした後にリードフレームとタブ部を接続
するもので、ダイボンディングの際にはリードフレーム
がダイボンダーを通らないように製造することを特徴と
するものである。
本発明によれば、半導体装置の熱放散性を高熱伝導度の
タブを使用することで改善し、リードフレームの変形や
汚れ付着や材料特性変化についてはタブを独立させて、
ダイボンディングするととで防止できる。
タブを使用することで改善し、リードフレームの変形や
汚れ付着や材料特性変化についてはタブを独立させて、
ダイボンディングするととで防止できる。
以下実施例を用いて本発明を説明する。
まず、第１図に示すようなリードフレームと第２図に示
すようなタブ部とを準備する。
すようなタブ部とを準備する。
リードフレームｌは０．２５ ｍｍ厚の４２％Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金をプレス打抜き法にて作成し、タブ部（第２図）
は０．２５ ｍｍ厚の無酸素銅をやはりプレス打抜き法
にて作成した。該リードフレーム１のインナーリード先
端部６にはワイヤーボンディングに必要なＡｇメッキを
２〜３ｕ施しである。次に第３図のように、タブ４に半
導体チップ９をＡｇペースト材８を使用してダイボンデ
ィングし、その後ヒータブロックｌＯの上にタブ４を載
せてＡｇペーストベークを実施し、第４図の半導体チッ
プ付きタブとした。続いて、第５図に示すように、リー
ドフレームｌのタブリード・フレーム接続部５と半導体
チップ付きタブのタブリード・フレーム接続部５′とを
スポット溶接法を用いて接続し、半導体チップを載せた
リードフレームとし、その後の製造工程は従来と同様に
、ワイヤーボンディング、樹脂封止を行なう。
ｅ合金をプレス打抜き法にて作成し、タブ部（第２図）
は０．２５ ｍｍ厚の無酸素銅をやはりプレス打抜き法
にて作成した。該リードフレーム１のインナーリード先
端部６にはワイヤーボンディングに必要なＡｇメッキを
２〜３ｕ施しである。次に第３図のように、タブ４に半
導体チップ９をＡｇペースト材８を使用してダイボンデ
ィングし、その後ヒータブロックｌＯの上にタブ４を載
せてＡｇペーストベークを実施し、第４図の半導体チッ
プ付きタブとした。続いて、第５図に示すように、リー
ドフレームｌのタブリード・フレーム接続部５と半導体
チップ付きタブのタブリード・フレーム接続部５′とを
スポット溶接法を用いて接続し、半導体チップを載せた
リードフレームとし、その後の製造工程は従来と同様に
、ワイヤーボンディング、樹脂封止を行なう。
以上述べで来た製造工程の中で、タブリード・フレーム
接続部はスポット溶接法のように簡単に実施したが、こ
れは該接続部の強度についてはワイヤーボンディング工
程〜樹脂封止工程まで耐えられるものであれば良く、ま
た、電気抵抗、及び熱膨徴係数のマツチング等の問題は
まったく考えなくて良いものであるためである。
接続部はスポット溶接法のように簡単に実施したが、こ
れは該接続部の強度についてはワイヤーボンディング工
程〜樹脂封止工程まで耐えられるものであれば良く、ま
た、電気抵抗、及び熱膨徴係数のマツチング等の問題は
まったく考えなくて良いものであるためである。
該半導体装置の製造方法はタブを独立させているために
、高熱伝導度の材料であるＣｕやＡＩ等の採用が可能で
半導体チップの熱放散性を改善することができた。さら
に、ダイボンディング工程が終了するまではリードフレ
ームが使われないために、リード先端部の変形及び、熱
による材料特性の変化及び汚れ付着が防止できた。
、高熱伝導度の材料であるＣｕやＡＩ等の採用が可能で
半導体チップの熱放散性を改善することができた。さら
に、ダイボンディング工程が終了するまではリードフレ
ームが使われないために、リード先端部の変形及び、熱
による材料特性の変化及び汚れ付着が防止できた。
さらに、リードフレームの製造が、タブ部にとられれず
にできるために各種のタブに対応したリードフレームの
製造設備の共用化が可能となり、コストが低下するもの
である。
にできるために各種のタブに対応したリードフレームの
製造設備の共用化が可能となり、コストが低下するもの
である。
本実施例ではリードフレーム材として４２％ｐｅ−Ｎｉ
合金を使用し、タブには無酸素銅を使用したが、これに
限られたものではなくて、例えばリードフレームにリン
青銅、タブには０．１５％ｆ３ｎ入シＣｕ合金を使用す
ることも可能である。また、タブリードフレーム接続に
はスポット溶接法を使用したが、接着材を介して接続す
ることも可能で、例えば半田接合でも良いものである。
合金を使用し、タブには無酸素銅を使用したが、これに
限られたものではなくて、例えばリードフレームにリン
青銅、タブには０．１５％ｆ３ｎ入シＣｕ合金を使用す
ることも可能である。また、タブリードフレーム接続に
はスポット溶接法を使用したが、接着材を介して接続す
ることも可能で、例えば半田接合でも良いものである。
使用材料厚については自由に選択できるもので、タブの
厚さを厚くすることでさらに熱放散性を改善することが
可能である。
厚さを厚くすることでさらに熱放散性を改善することが
可能である。
第１図は本発明の実施例で用いたリードフレームの一部
平面図、第２図は実施例で用いたタブ部の平面図、第３
図は実施例におけるダイボンディング工程を示す断面図
、第４図は第３図の工程を経てできあがった半導体チッ
プが搭載されたタブの平面図、第５図は第１図のリード
フレームに、第４図の半導体チップの搭載されたタブを
接続した状態を示す平面図である。 ｌ・・・・・・フレーム部、２・・・・・・ガイ下ホー
ル、３・・・・・・タイバー、４・・・・・・タブ、５
・・・・・・タブリード、フレーム接続部、６・・・・
・・ポンディングメタライズ部、７・・・・・・タブリ
ード、８・・・・・・Ａｇペースト、 ９・・・・・・
半導体チップ、１０・・・・・・ヒータブロック。 ゛・、〜１ 察 １″ｒｆＪ 第２ Ｖ 寮３回 半＋圀
平面図、第２図は実施例で用いたタブ部の平面図、第３
図は実施例におけるダイボンディング工程を示す断面図
、第４図は第３図の工程を経てできあがった半導体チッ
プが搭載されたタブの平面図、第５図は第１図のリード
フレームに、第４図の半導体チップの搭載されたタブを
接続した状態を示す平面図である。 ｌ・・・・・・フレーム部、２・・・・・・ガイ下ホー
ル、３・・・・・・タイバー、４・・・・・・タブ、５
・・・・・・タブリード、フレーム接続部、６・・・・
・・ポンディングメタライズ部、７・・・・・・タブリ
ード、８・・・・・・Ａｇペースト、 ９・・・・・・
半導体チップ、１０・・・・・・ヒータブロック。 ゛・、〜１ 察 １″ｒｆＪ 第２ Ｖ 寮３回 半＋圀
Claims (1)
- 樹脂封止型半導体装置の製造において、リードフレーム
から分割し、独立しているタブ部に半導体チップをダイ
ボンディングする工程と、該半導体チップの搭載されて
いるタブ部の吊りリードの先端とリードフレームの枠部
とを接続する工程を含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP592984A JPS60149154A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP592984A JPS60149154A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60149154A true JPS60149154A (ja) | 1985-08-06 |
Family
ID=11624578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP592984A Pending JPS60149154A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60149154A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6344750A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびこれに用いるリ−ドフレ−ム |
| JPS6447063A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Rohm Co Ltd | Structure of lead frame |
| FR2809868A1 (fr) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Gen Semiconductor Of Taiwan Lt | Assemblage de conditionnement de dispositif a semiconducteurs et procede pour fabriquer un tel assemblage |
| JP2012523685A (ja) * | 2009-04-08 | 2012-10-04 | タイコ エレクトロニクス アンプ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハウツンク | 電子ハウジング用の導体グリッドおよび製造方法 |
-
1984
- 1984-01-17 JP JP592984A patent/JPS60149154A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6344750A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびこれに用いるリ−ドフレ−ム |
| JPS6447063A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Rohm Co Ltd | Structure of lead frame |
| FR2809868A1 (fr) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Gen Semiconductor Of Taiwan Lt | Assemblage de conditionnement de dispositif a semiconducteurs et procede pour fabriquer un tel assemblage |
| JP2012523685A (ja) * | 2009-04-08 | 2012-10-04 | タイコ エレクトロニクス アンプ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハウツンク | 電子ハウジング用の導体グリッドおよび製造方法 |
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