JPS61124159A - 半導体パツケ−ジとその製造方法 - Google Patents
半導体パツケ−ジとその製造方法Info
- Publication number
- JPS61124159A JPS61124159A JP59245236A JP24523684A JPS61124159A JP S61124159 A JPS61124159 A JP S61124159A JP 59245236 A JP59245236 A JP 59245236A JP 24523684 A JP24523684 A JP 24523684A JP S61124159 A JPS61124159 A JP S61124159A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- aluminum
- wirings
- metal frame
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
- H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
- H01L2224/48624—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
- H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48717—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
- H01L2224/48724—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85417—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/85424—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は広範な電子機器に用いられる半導体パッケージ
とその製造方法に関するものである。
とその製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、半導体技術の技術的進歩はめざましいものがあり
、その利用分野は電子機器分野のみならず他の産業分野
へと広範に波及し、その需要は飛躍的な増加をたどって
いる。この半導体のパッケージ形態は半導体素子(チッ
プ)の集積度や接続端子数、さらにはその用途に応じて
従来から様々な形状や構造を有するものが用いられてい
るが、現在もっとも一般的に広く用いられているものは
樹脂モールドタイプのデュアルインラインパッケージで
ある。
、その利用分野は電子機器分野のみならず他の産業分野
へと広範に波及し、その需要は飛躍的な増加をたどって
いる。この半導体のパッケージ形態は半導体素子(チッ
プ)の集積度や接続端子数、さらにはその用途に応じて
従来から様々な形状や構造を有するものが用いられてい
るが、現在もっとも一般的に広く用いられているものは
樹脂モールドタイプのデュアルインラインパッケージで
ある。
このパッケージは鉄や銅などの金属箔を金型を用いて所
望の形状に打抜き、部分的に金などの貴金属をメッキし
て作ったメタルフレームに、半導3べ一7′ 体ICやLSiなどの半導体チップをダイスボンドして
固定し、この半導体チップの外部接続端子トメタルフレ
ームの金めつき部分とを金線やアルミニウム線などの金
属細Z線を使用して、ボンディングを行ない、最終的に
半導体チップを粉末状のエポキシ樹脂を用いてトランス
ファーモールド法によって封止したものである。
望の形状に打抜き、部分的に金などの貴金属をメッキし
て作ったメタルフレームに、半導3べ一7′ 体ICやLSiなどの半導体チップをダイスボンドして
固定し、この半導体チップの外部接続端子トメタルフレ
ームの金めつき部分とを金線やアルミニウム線などの金
属細Z線を使用して、ボンディングを行ない、最終的に
半導体チップを粉末状のエポキシ樹脂を用いてトランス
ファーモールド法によって封止したものである。
ところが、このような構成から成る半導体パッケージで
は、メタルフレームに半導体チップと安定な接続を与え
るために必要な部分に金などの高価な金属を部分的にメ
ッキする必要があり、またそのメッキプロセスが煩雑で
あるためにコストが高くつくことはもとより、半導体チ
ップと金属細線で接続する場合、特にアルミニウム線を
使用してワイヤーボンディングを行う場合に金とアルミ
ニウム間のボンデング強度が十分に得られにくいために
、信頼性テストにおいてアルミニウム線が金めつき層か
らはぐり離、断線する不良が発生しやすいこと、さらに
は、高温熱処理を行なうと、金とアルミニウムの接合部
にパープルブレイクと称する金属間化合物が生成し、と
れがアルミニウムと金との接合不良をもたらすなど、ボ
ンディングの信頼性をそこなうなどの不都合があった。
は、メタルフレームに半導体チップと安定な接続を与え
るために必要な部分に金などの高価な金属を部分的にメ
ッキする必要があり、またそのメッキプロセスが煩雑で
あるためにコストが高くつくことはもとより、半導体チ
ップと金属細線で接続する場合、特にアルミニウム線を
使用してワイヤーボンディングを行う場合に金とアルミ
ニウム間のボンデング強度が十分に得られにくいために
、信頼性テストにおいてアルミニウム線が金めつき層か
らはぐり離、断線する不良が発生しやすいこと、さらに
は、高温熱処理を行なうと、金とアルミニウムの接合部
にパープルブレイクと称する金属間化合物が生成し、と
れがアルミニウムと金との接合不良をもたらすなど、ボ
ンディングの信頼性をそこなうなどの不都合があった。
発明の目的
本発明の目的は、コストが安価でしかも半導体チップと
のワイヤーボンディングにおいて、メタルフレームと金
属細線とのボンディング強度にすぐれかつ接続の信頼性
が極めてすぐれた半導体パッケージと、その製造方法を
提供することである。
のワイヤーボンディングにおいて、メタルフレームと金
属細線とのボンディング強度にすぐれかつ接続の信頼性
が極めてすぐれた半導体パッケージと、その製造方法を
提供することである。
発明の構成
本発明による半導体パッケージは、金属箔を加工して作
ったメタルフレームの一部分に金属アルばニウム層を設
け、このメタルフレーム上に半導体チップを固定して、
その外部接続端子と金属アルミニウム層とがワイヤーで
接続したものであり、メタルフレームに金属アルミニウ
ム層をポンディングパッドをして設けたことにより、ワ
イヤーとのボンディング強度が向上し、その信頼性が著
しく改善されるものである。
ったメタルフレームの一部分に金属アルばニウム層を設
け、このメタルフレーム上に半導体チップを固定して、
その外部接続端子と金属アルミニウム層とがワイヤーで
接続したものであり、メタルフレームに金属アルミニウ
ム層をポンディングパッドをして設けたことにより、ワ
イヤーとのボンディング強度が向上し、その信頼性が著
しく改善されるものである。
実施例の説明
以下本発明の実施例を図面を参照しながら詳細5ページ
に説明する。
図は本発明の一実施例における半導体パッケージの断面
図である。図において1は金属箔、2は金属アルミニウ
ム層、3は半導体チップ、4は金属細線、6はモールド
樹脂である。
図である。図において1は金属箔、2は金属アルミニウ
ム層、3は半導体チップ、4は金属細線、6はモールド
樹脂である。
以上のように構成された本実施例による半導体パッケー
ジについて以下、その製造方法を詳細に説明する。
ジについて以下、その製造方法を詳細に説明する。
先づ、図に示すように本実施例では鉄−ニッケル合金か
ら成る厚さ約0.2χのフープ上の金属箔1を金型を用
いて連続的に打抜加工を行ない、所望の模様を有するメ
タルフレームを作成した。次に、このメタルフレームの
一部分に金属アルミニウム層2を部分的に形成するが、
この金属アルミニウム層2を形成するにあたっては、真
空蒸着技術を利用し、メタルフレームの必要部分にのみ
選択的に金属アルミニウム層2を析出させるために、ス
テンレススチールで作ったメタルマスク−&使用し、こ
のメタルマスクとメタルフレームを重ね合わせて、真空
蒸着を行ない金属アルミニウム2を6ベーン に、鉄−ニッケル金属箔1の表面にいろいろな金属をメ
ッキし金属アルミニウムとの密着性を評価したが、その
結果、鉄−ニッケル金属箔上にニッケルメッキを薄く施
こし、その表面に部分的にアルばニウムを真空蒸着法に
よって析出させることにより、アルミニウム層2と金属
箔1との密着性が極めてよくなることがわかった。そし
てこのようにして作ったメタルフレームは半導体チップ
3を所定の位置にのせ、導電性ペーストなどを用いてメ
タルフレームと強固に固定する、いわゆるダイスボンド
処理を行ない、この半導体チップ3の外部接続端子と、
メタルフレームの接続を必要とする金属アルミニウム層
2とを金線やアルミニウム線などの金属細線4を用いて
、熱圧着法や超音・減法によって接続し、しかる後に半
導体チップ3を粉末状のエポキシ樹脂などから成るモー
ルド樹脂6を用いてトランスファーモールド法により封
7ペーノ 止し、半導体パッケージを作った。尚、この半導体パッ
ケージを作成するにあたって、本実施例では特に金属細
線9としてアルミニウム線を用い、ポールボンディング
法や超音波ボンディング法によってメタルフレームと接
続させたが、メタルフレームとの接続は極めて強固であ
り、良好な信頼性を得ることができた。
ら成る厚さ約0.2χのフープ上の金属箔1を金型を用
いて連続的に打抜加工を行ない、所望の模様を有するメ
タルフレームを作成した。次に、このメタルフレームの
一部分に金属アルミニウム層2を部分的に形成するが、
この金属アルミニウム層2を形成するにあたっては、真
空蒸着技術を利用し、メタルフレームの必要部分にのみ
選択的に金属アルミニウム層2を析出させるために、ス
テンレススチールで作ったメタルマスク−&使用し、こ
のメタルマスクとメタルフレームを重ね合わせて、真空
蒸着を行ない金属アルミニウム2を6ベーン に、鉄−ニッケル金属箔1の表面にいろいろな金属をメ
ッキし金属アルミニウムとの密着性を評価したが、その
結果、鉄−ニッケル金属箔上にニッケルメッキを薄く施
こし、その表面に部分的にアルばニウムを真空蒸着法に
よって析出させることにより、アルミニウム層2と金属
箔1との密着性が極めてよくなることがわかった。そし
てこのようにして作ったメタルフレームは半導体チップ
3を所定の位置にのせ、導電性ペーストなどを用いてメ
タルフレームと強固に固定する、いわゆるダイスボンド
処理を行ない、この半導体チップ3の外部接続端子と、
メタルフレームの接続を必要とする金属アルミニウム層
2とを金線やアルミニウム線などの金属細線4を用いて
、熱圧着法や超音・減法によって接続し、しかる後に半
導体チップ3を粉末状のエポキシ樹脂などから成るモー
ルド樹脂6を用いてトランスファーモールド法により封
7ペーノ 止し、半導体パッケージを作った。尚、この半導体パッ
ケージを作成するにあたって、本実施例では特に金属細
線9としてアルミニウム線を用い、ポールボンディング
法や超音波ボンディング法によってメタルフレームと接
続させたが、メタルフレームとの接続は極めて強固であ
り、良好な信頼性を得ることができた。
発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明による半導体パッ
ケージはメタルフレーム上に金属アルミニウム層を選択
的に形成し、このアルミニウム層と半導体チップとをワ
イヤーボンド法によって接続したものであるので、従来
例のように金などの貴金属層を設ける必要がないので、
コストが安価につくことや、特にアルミニウム線を使用
してワイヤーポンドを行なう場合には、そのボンディン
グ強度がすぐれ、接続の信頼性にすぐれた半導体パッケ
ージが得られるなどの効果がある。
ケージはメタルフレーム上に金属アルミニウム層を選択
的に形成し、このアルミニウム層と半導体チップとをワ
イヤーボンド法によって接続したものであるので、従来
例のように金などの貴金属層を設ける必要がないので、
コストが安価につくことや、特にアルミニウム線を使用
してワイヤーポンドを行なう場合には、そのボンディン
グ強度がすぐれ、接続の信頼性にすぐれた半導体パッケ
ージが得られるなどの効果がある。
図は本発明の一実施例における半導体パッケージの断面
図である。 1・・・・・・金属箔、2・・・・・・金属アルミニウ
ム層、3・・・・・・半導体チップ、4・・・・・・金
属細線、6・・・・・・モールド樹脂。
図である。 1・・・・・・金属箔、2・・・・・・金属アルミニウ
ム層、3・・・・・・半導体チップ、4・・・・・・金
属細線、6・・・・・・モールド樹脂。
Claims (3)
- (1)金属箔を加工して作ったメタルフレームの一部分
に金属アルミニウム層を選択的に設け、上記メタルフレ
ーム上に半導体チップを固定して、その外部接続端子と
、金属アルミニウム層とを金属細線で接続したことを特
徴とする半導体パッケージ。 - (2)金属アルミニウム層がニッケル層を介して金属箔
上に部分的に形成されたメタルフレームを使用したこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体パッケ
ージ。 - (3)金属箔を加工することにより所望の形状を有する
メタルフレームを作り、上記メタルフレームの一部分に
真空蒸着法によって金属アルミニウムを選択的に形成す
るとともに、上記メタルフレームに半導体チップを固定
してその外部接続端子とアルミニウム層とをワイヤーボ
ンド法により接続したことを特徴とする半導体パッケー
ジの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59245236A JPS61124159A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 半導体パツケ−ジとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59245236A JPS61124159A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 半導体パツケ−ジとその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61124159A true JPS61124159A (ja) | 1986-06-11 |
Family
ID=17130679
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59245236A Pending JPS61124159A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 半導体パツケ−ジとその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61124159A (ja) |
-
1984
- 1984-11-20 JP JP59245236A patent/JPS61124159A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5652461A (en) | Semiconductor device with a convex heat sink | |
JPH04280462A (ja) | リードフレームおよびこのリードフレームを使用した半導体装置 | |
JP3036498B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
JP2569400B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JPH0817870A (ja) | 半導体装置 | |
JPS61124159A (ja) | 半導体パツケ−ジとその製造方法 | |
JP2000068396A (ja) | ハーメチックシール用カバー | |
JPS60149154A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS61242051A (ja) | 半導体装置 | |
JPH03274755A (ja) | 樹脂封止半導体装置とその製造方法 | |
JPH04322435A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS62287657A (ja) | 半導体装置 | |
JPS61241954A (ja) | 半導体装置 | |
JPH03206633A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6178150A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
JPS63152160A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
JPH0290662A (ja) | リードフレームのインナーリード | |
JPH09252020A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS6049657A (ja) | 半導体装置 | |
JPH01117052A (ja) | Icリードフレーム | |
JPH03276737A (ja) | 半導体装置 | |
JPS58123744A (ja) | リ−ドフレ−ム及び半導体装置の製造方法 | |
JPS6042853A (ja) | 半導体装置 | |
JPH02298059A (ja) | 半導体素子用リードフレーム | |
JPH04365340A (ja) | 複合回路型半導体装置 |