JPS61140160A - 半導体用リ−ドフレ−ム - Google Patents

半導体用リ−ドフレ−ム

Info

Publication number
JPS61140160A
JPS61140160A JP59262293A JP26229384A JPS61140160A JP S61140160 A JPS61140160 A JP S61140160A JP 59262293 A JP59262293 A JP 59262293A JP 26229384 A JP26229384 A JP 26229384A JP S61140160 A JPS61140160 A JP S61140160A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alloy
lead frame
semiconductor element
resin
fixing part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59262293A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Yoshioka
修 吉岡
Ryozo Yamagishi
山岸　良三
Masaru Watanabe
勝 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP59262293A priority Critical patent/JPS61140160A/ja
Publication of JPS61140160A publication Critical patent/JPS61140160A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48663—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/48664—Palladium (Pd) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/85464—Palladium (Pd) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置用リードフレームに関するものであ
る。
〔従来の技術〕
半導体用に使用されるリードフレーム材として用いられ
る金属基体は鉄系合金としてコバール、４２合金、ステ
ンレスなど、銅または銅合金あるいは鉄材の上に銅を被
覆した材料等が主として使用されている。そして半導体
素子の接合ならびに金属細線のボンディングを容易に行
うようにするため、半導体素子固定部（タブ部）ならび
に金属細線により素子とリードの配線をする内部リード
端部（ポスト部）にＡｕあるいはＡｇの部分貴金属めっ
きを施している。即ち鉄系合金、例えば４２合金をリー
ドフレーム材に使用する場合にはＡｕあるいはＡｇめっ
きが行なわれ、銅合金をリードフレーム材として使用す
る場合にはＡｇめっきが行なわれる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、従来のリードフレームでは次の様な欠点
があった。即ち、部分Ａｕめっきしたリードフレームの
場合、貴金属であるＡｕを部分化したことにより、Ａｕ
の使用量は大巾に減少したが、それでも材料費の半分以
上をＡｕが占めている状況である。一方Ａｇめっきした
リードフレームではＡｇを部分化したことによシ材料費
にしめる割合は少なくなったが、Ａｇめっきにはマイグ
レーノー１ンの欠点がち９、鵬信頼性を要求される分野
には使われていないのが現状である。
また半導体の封止方法には信頼性の高いセラミッり封止
があるがコスト高となる点から近年はシリコーン樹脂、
エポキシ樹脂、７リコー／ポリイミド樹脂等の樹脂封止
が主流となシつつある。しかし樹脂封止の場合、樹脂と
４２合金あるいは銅合金との密着が不充分で隙間から湿
気が浸入して半導体素子を侵す欠点があることから、樹
脂封止性を同上させることが大きな問題となっている。
特に銅合金をリードフレーム材に使用する場合、樹脂と
の密着性が悪いため、４２合金と比較して材料が安価で
あるにもかかわらず、信頼性が低いということから、使
用される半導体装置は限定されている。
本発明の目的は前記した従来技術の欠点を解消し、半導
体装置の信頼性を向上させると同時に安価なリードフレ
ーム材を提供することにある。
〔問題を解決するための手段〕
すなわち、本発明の要旨は金属基体の表面にＢ。
Ｐ、Ｆｅ、Ｃｏのうち１つ以上の元素を含有するＮｉ合
雀層を設けた後、更にその上に、少なくとも半導体素子
を固定する領域および金属細線をボンディングする領域
にＰｄあるいはＮｉを含有するＰｄ合金めっき層を設け
たことにある。
本発明による半導体用リードフレームの構成を従来のリ
ードフレームとの対比で図によって説明する。第２図は
ＩＣ用リードフレームの一例を示す平面図、第３図は従
来法の要部断面図である。
第２図において１は金属基体、いわゆるリードフレーム
材で、鉄系合金としてコバール、４２合金、ステンＶス
など、銅または銅合金あるいは鉄材の上に銅を被覆した
材料等が主として使用されている。４は半導体素子固定
部（タブ部）でこの上に半導体素子であるＳｉベレット
を固定する領域であり、８は内部リード端子部で半導体
素子とリードの配線である金属細線５をボンディングす
る領域である。１０は外部リード部でるる。
第３図において、４２合金からなる基体９の半導体素子
固定部４と内部リード端子部８上に部分的にＡｕめっき
層２を設けている。この様なリードフレームを用いてＩ
Ｃパッケージを作るには、その半導体素子固定部４に、
例えばＡｕ−８ｉ共晶うう材６を介してＳ１ペレツト３
を配設（ダイポンディング）シ、このＳｉベレット３と
リードフレームの内部リード端子部８のＡｕめつき層２
とをＡｕ金属細線５で接続配線（ワイヤボンディング）
シ、これをモールド樹脂２１で封止する。
第４図は従来のリードフレームの他の例を示す要部断面
図であって、銅合金リードフレーム１１上の半導体素子
固定部４、内部リード端子部８上に部分的にＡｇめつき
層１２を設けている。この場合Ａｇペーストろう材７を
介してＳｉベレット３を配設する。他は前記と同様にＩ
Ｃパッケージを構成する。このような従来技術において
、前記の如き、材料費が高いということと、樹脂封止の
場合、樹脂と４２合金あるいは銅合金との密着が不充分
で隙間から湿気が浸入して半導体素子を侵す等の欠点が
あった。
これらの欠点を解決するための本発明の一実施例を第１
図に示す。
第１図において、銅又は銅合金あるいは４２合金又は鉄
−クロムなどの鉄系合金からなる基体１１（１６）上に
耐酸化性が良好でかつ樹脂との密着性の良好なり　、Ｐ
　＊　Ｆ　ｅ　ｐ　Ｃｏのうち一つ以上の元素を含有す
る。Ｎｉ合金層１３を下地層として設は更にその上に少
なくとも半導体素子を固定する領域である半導体素子固
定部４と金属側ｉＨ５をボンディングする領域すなわち
、内部リード端子部８、上に部分的に、ＰｄあるいはＰ
ｄ−Ｎｉ合金めっき層１４１！：設けることにより低コ
スト化のみならず樹脂封止性を向上させることが出来た
のである。
〔作　用〕 本発明において、金属基休出にＢ　、　Ｐ　、　Ｆｅ、
Ｃ。
のうち一つ以上の元素を肩するＮｉ合金層を設けたこと
が金属基体の耐酸化性を良好にしかつ樹脂との密着性向
上させ、従来の湿気の浸入を解決し、従来半導体素子固
定部と内部リード端子部にＡｕめっき層を設けていたの
が、ＰｄあるいはＰｄ−Ｎｉ合金めっき層に代へること
により低コストが可能になったのである。
〔実泥例〕
厚さ０．２５４ＥＩの銅条を打抜いた基体上に電気めっ
き法によｐＮｉ−Ｆｅ合金めつき層を下地層として基体
全体に０．２ｍ設ける・さらにその上に半導体素子固定
部及び内部リード端子部を含む機磯部上に電気めっき法
によ、９Ｐｄめつき層を１μの厚で部分的に設けた（基
体としてＦｅ−Ｃｒ合金を用いた場合も同様にて作成す
る）、そして半導体素子固定部上にＳ１ベレツトをＡｇ
ペーストろう材を用いてＰｄめつき層上にろう接し、Ｓ
ｉベレットとリードフレームの内部リード端子部と金Ａ
ｕｉ［により配線する。その後全体を樹脂で封止してＩ
Ｃパッケージを構成する。
ここで上記のように作成した本発明リードフレームと従
来列リードフレームについて、それぞれ大気中４００℃
×２分の加熱劣化を行ない、外部リードに形成させた酸
化膜の密着性を粘着テープビーリング法によ）調べた。
判定は○：剥離なしＸ：剥離あり。
また大気中４００ＣＸＺ分加熱劣化後それぞれのリード
フレームをモールド樹脂により封止した後、樹脂封止性
を３０気圧の水中に室温で３０時間放置して、水の浸入
距離によシ判定した。
○：水浸人がリード長の１７３未満 Δ：水浸人がリード長の１７３〜２／３×：水挺入がリ
ード長の２７３を越える。
同、各リードフレームのコストはリードフレーム素材と
めつき代にｇ判断した０＠フレ一ムＡｇスポットと比較
して ○：はぼ同様、Δ：若干高価、Ｘ：数倍以上高価この辰
から判るＬうに、本発明のリード７し／−ムは樹脂と密
着性を改善しプラスチックパッケージの欠点である樹脂
封止性を向上させると同時に、Ａｇめっきに比較してマ
イグレーシヨンの不安もなく、コストの面からも有利で
あることが認められる。
本発明によると、金属基体上にＢ　、　Ｐ　、　Ｆｅ、
Ｃ。
のうち一つ以上の元素を含有するＮｉ合金層を設ける目
的は実施例に示した如く樹脂との密着性を付与するため
に設けるものであって、金属基体とかかる合金めっき層
との密着性、あるいは耐蝕性向上のため、Ｎｉめつきあ
るいはＣｕ又は銅合金をめっきした金属基体を使用する
場合も本発明と同様な効果が得られる。
〔発明の効果〕 本発明の効果は、高信頼性が要求されるプラスチック封
止の半導体装置には、４２合金のリードフレーム上に部
分Ａｕめっきした高価なものが使用されていたがＰｄを
使用することにより低コスト化を図ると同時にＡｇめつ
きと比較してマイグレーシヨンの不安がなくなった。
一方モールド樹脂を接する部分をＢ、Ｐ、Ｆｅ。
ＣＯのうち一つ以上の元素を含有するＮｉ合金めっきし
たことによシ、樹脂との密着性が向上し樹脂封止性の面
から信頼性も向上した。この結果高価な４２合金でない
安価な銅合金あるいはＦｅ−ＣｒなどのＦｅ合金を適用
することも可能となり、低コスト化を図ることができる
。以上のように本発明は半導体装置の低コスト化および
信頼性向上を図ることが出来る新規な構成の半導体用リ
ードフレームを提供したものであり、その工業的価値は
きわめて大きい。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に係るリードフレームの要部
断面図である◇第２図はＩＣ用リードフレームの一例を
示す平面図、第３図は従来のＩＣ用リードフレームの第
１図Ａ−Ａ“断面の要部断面図、第４図は従来のＩＣ用
リードフレームの他の実施例に係る要部断面図。 １；金属基体、２　：Ａｕめっき層、３：Ｓｉベレット
、４；半導体素子固定部（タブ部）、５：金属細線、６
：Ａｕ−８ｔ共晶ろう材、ｌＡｇペーストろう材、８：
内部リード端子部、９：４２合金リードフレーム、１０
：外部リード部、１１：銅合金リードフレーム、１２：
Ａｇめっき！、１３：Ｎｉ−Ｆｅ合金めっき層、１４：
Ｐｄめっき層、１６：Ｆｅ−Ｃｒ合金リードフレーム、
第　１　旧 茅３　旧

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）金属基体上にＢ、Ｐ、Ｆｅ、Ｃｏのうち一つ以上
    の元素を含有するＮｉ合金層を設けた後、更にその上に
    少なくとも半導体素子を固定する領域および金属細線を
    ボンディングする領域にＰｄあるいはＮｉを含有するＰ
    ｄ合金メッキ層を設けたことを特徴とする半導体用リー
    ドフレーム。
JP59262293A 1984-12-12 1984-12-12 半導体用リ−ドフレ−ム Pending JPS61140160A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59262293A JPS61140160A (ja) 1984-12-12 1984-12-12 半導体用リ−ドフレ−ム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59262293A JPS61140160A (ja) 1984-12-12 1984-12-12 半導体用リ−ドフレ−ム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61140160A true JPS61140160A (ja) 1986-06-27

Family

ID=17373768

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59262293A Pending JPS61140160A (ja) 1984-12-12 1984-12-12 半導体用リ−ドフレ−ム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61140160A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04162461A (ja) * 1990-10-24 1992-06-05 Hitachi Cable Ltd 半導体装置用リードフレーム
US5134459A (en) * 1989-05-01 1992-07-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Lead frame for semiconductor device
JPH04211153A (ja) * 1990-02-26 1992-08-03 Hitachi Ltd 半導体パッケージ及びそれに用いるリードフレーム
DE4311872A1 (de) * 1993-04-10 1994-10-13 Heraeus Gmbh W C Leiterrahmen für integrierte Schaltungen
US5889317A (en) * 1997-04-09 1999-03-30 Sitron Precision Co., Ltd. Leadframe for integrated circuit package
KR100231826B1 (ko) * 1996-12-31 1999-12-01 유무성 멀티칩 패키지 및 그 제조방법
EP1126520A3 (en) * 2000-02-18 2002-11-20 Hitachi, Ltd. IC device and method of manufacturing the same

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5134459A (en) * 1989-05-01 1992-07-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Lead frame for semiconductor device
JPH04211153A (ja) * 1990-02-26 1992-08-03 Hitachi Ltd 半導体パッケージ及びそれに用いるリードフレーム
JPH04162461A (ja) * 1990-10-24 1992-06-05 Hitachi Cable Ltd 半導体装置用リードフレーム
DE4311872C2 (de) * 1993-04-10 1998-07-02 Heraeus Gmbh W C Leiterrahmen für integrierte Schaltungen
EP0621633A2 (de) * 1993-04-10 1994-10-26 W.C. Heraeus GmbH Leiterrahmen für integrierte Schaltungen
EP0621633A3 (de) * 1993-04-10 1995-01-11 Heraeus Gmbh W C Leiterrahmen für integrierte Schaltungen.
US5486721A (en) * 1993-04-10 1996-01-23 W.C. Heraeus Gmbh Lead frame for integrated circuits
JPH08111484A (ja) * 1993-04-10 1996-04-30 W C Heraeus Gmbh リードフレーム
DE4311872A1 (de) * 1993-04-10 1994-10-13 Heraeus Gmbh W C Leiterrahmen für integrierte Schaltungen
KR100231826B1 (ko) * 1996-12-31 1999-12-01 유무성 멀티칩 패키지 및 그 제조방법
US5889317A (en) * 1997-04-09 1999-03-30 Sitron Precision Co., Ltd. Leadframe for integrated circuit package
EP1126520A3 (en) * 2000-02-18 2002-11-20 Hitachi, Ltd. IC device and method of manufacturing the same
US6891253B2 (en) 2000-02-18 2005-05-10 Renesas Technology Corp. Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same
US7038306B2 (en) 2000-02-18 2006-05-02 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same
US7176056B2 (en) 2000-02-18 2007-02-13 Renesas Technology Corp. Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same
CN1312748C (zh) * 2000-02-18 2007-04-25 株式会社日立制作所 制造半导体集成电路器件的方法
CN100380650C (zh) * 2000-02-18 2008-04-09 株式会社日立制作所 半导体集成电路器件及其制造方法
US7397114B2 (en) 2000-02-18 2008-07-08 Renesas Technology Corp. Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101924407B1 (ko) 리드 프레임 및 반도체 장치
US7329944B2 (en) Leadframe for semiconductor device
US20080014757A1 (en) Leadframes for Improved Moisture Reliability and Enhanced Solderability of Semiconductor Devices
JP2989406B2 (ja) 半導体装置用プリプレーテッドフレーム及びその製造方法
KR100702956B1 (ko) 반도체 팩키지용 리드프레임 및 그 제조 방법
JPS61140160A (ja) 半導体用リ−ドフレ−ム
US20020113322A1 (en) Semiconductor device and method to produce the same
JPH0590465A (ja) 半導体装置
EP0214465B1 (en) Plating process for an electronic part
JPS6149450A (ja) 半導体用リ−ドフレ−ム
JP2858197B2 (ja) 半導体装置用リードフレーム
JP2000068396A (ja) ハーメチックシール用カバー
JPS5916353A (ja) リ−ドフレ−ム
JPS59219948A (ja) プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPH0558259B2 (ja)
JP2654872B2 (ja) 半導体装置
JPS60218863A (ja) 半導体リ−ドフレ−ム
JPS60149154A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH06260577A (ja) 配線電極の被膜構造
JP2972679B2 (ja) リードフレーム並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPS60195953A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH01115151A (ja) 半導体装置用リードフレーム
JPS59144159A (ja) プラスチツク封止型ｉｃ
JPS6178150A (ja) 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム
JP4123719B2 (ja) テープキャリアおよびこれを用いた半導体装置