JPH0279063U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0279063U JPH0279063U JP15804488U JP15804488U JPH0279063U JP H0279063 U JPH0279063 U JP H0279063U JP 15804488 U JP15804488 U JP 15804488U JP 15804488 U JP15804488 U JP 15804488U JP H0279063 U JPH0279063 U JP H0279063U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- step portion
- oxide film
- tunnel oxide
- electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例を示す薄膜メモリ素
子の断面図、第２図は本考案の他の実施例を示す
薄膜メモリ素子の断面図、第３図〜第５図はそれ
ぞれ従来のメモリ素子の断面図である。 ２１……絶縁基板、２２……ゲート電極、２３
……ゲート絶縁膜、２４……トンネル酸化膜、２
４ａ……トンネル領域、２５……半導体層、２６
……ソース電極、２７……ドレイン電極。
子の断面図、第２図は本考案の他の実施例を示す
薄膜メモリ素子の断面図、第３図〜第５図はそれ
ぞれ従来のメモリ素子の断面図である。 ２１……絶縁基板、２２……ゲート電極、２３
……ゲート絶縁膜、２４……トンネル酸化膜、２
４ａ……トンネル領域、２５……半導体層、２６
……ソース電極、２７……ドレイン電極。
Claims (1)
- 絶縁基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と
、半導体層と、ソース、ドレイン電極を積層形成
するとともに、前記ゲート絶縁膜と前記半導体層
または前記ソース、ドレイン電極との間にトンネ
ル酸化膜を形成し、かつ前記トンネル酸化膜のう
ち、このトンネル酸化膜の下の電極または半導体
層の側縁の段差部に対応する段差部分をトンネル
領域としたことを特徴とする薄膜メモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15804488U JPH0279063U (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15804488U JPH0279063U (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0279063U true JPH0279063U (ja) | 1990-06-18 |
Family
ID=31438017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15804488U Pending JPH0279063U (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0279063U (ja) |
-
1988
- 1988-12-06 JP JP15804488U patent/JPH0279063U/ja active Pending