JPS5943827B2 - 保護回路 - Google Patents

保護回路

Info

Publication number
JPS5943827B2
JPS5943827B2 JP57049927A JP4992782A JPS5943827B2 JP S5943827 B2 JPS5943827 B2 JP S5943827B2 JP 57049927 A JP57049927 A JP 57049927A JP 4992782 A JP4992782 A JP 4992782A JP S5943827 B2 JPS5943827 B2 JP S5943827B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
electrode
base
circuit
collector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP57049927A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS57176755A (en
Inventor
レスリ・ロナルド・アベリ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of JPS57176755A publication Critical patent/JPS57176755A/ja
Publication of JPS5943827B2 publication Critical patent/JPS5943827B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/87—Thyristor diodes, e.g. Shockley diodes, break-over diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H01L29/749—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action with turn-on by field effect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Details Of Television Scanning (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は集積保護回路に関する。
多くの形式の電気機器が高電圧過渡変化により損傷を受
け易い集積回路装置を含んでいる。
テレビ受像機では映像管の陽極が一般に高電位例えば２
５０００Ｖにバイアスされ、この陽極が低電位点に向つ
て急速に放電するとき高電圧過渡変化が生ずることがあ
る。このような高電圧過渡変化はしばしば１００Ｖを越
える正負のピークを有し、数μ秒続くことがある。高電
圧過渡変化はまた視聴者がテレビ受像機の制御部に接触
したとき静電荷が放電される場合にも生ずることがある
。高電圧過渡変化はテレビ受像機内で映像および音声信
号処理に用いられる集積回路の各端子に印加されて、こ
のためにその集積回路が損傷を受けることがある。テレ
ビ受像機では集積回路に印加される特定信号の正規動作
における正方向の電圧振幅が正の供給電位を超えること
がある。
例えば一般のテレビ用水平垂直レギユレータ集積回路は
映像管の偏向コイルからその入力端子の１つへの帰還回
路を要し、この集積回路に対する電源電圧は一般に＋１
０Ｖであるが、偏向コイルからのピーク帰還電圧は通常
＋２７である。このためこのような集積回路には正規の
信号電圧が電源電圧を超えても動作しないが極端に大き
い過渡変化からその集積回路を保護することのできる正
過渡変化保護回路を設けることが望ましい。この発明は
１対の相補導電型トランジスタとこの半導体構体に集積
されたＭＯＳトランジスタとを含む集積回路保護装置に
実施される。
この１対の相補導電型トランジスタとＭＯＳトランジス
タは２端子間の電位差が所定閾値を超えたとき大電流を
流し得る２端子装置を形成するように接続されている。
この保護回路は一方の端子が保護すべき回路の回路端子
に、他方の端子が基準電位源に接続され、その保護すべ
き回路の回路端子の電位が、好ましくは最大予想信号電
圧より高く設定された所定の閾値を超えたとき、導通し
てその集積回路を損傷から保護する。１実施例において
はＭＯＳトランジスタのゲート電極が基準電位源に接続
され、保護装置の所定閾値がそのＭＯＳトランジスタの
閾値と実質的に相等しくなつている。
また第２の実施例ではＭＯＳトランジスタのゲート電極
が保護すべき回路の回路端子に接続され、ＭＯＳトラン
ジスタが非導通状態に調節されるようになつている。後
者は前者より所定閾値が相当に高い。第１図および第２
図に示すように、Ｐ型シリコン材料の基板１０上に装置
が形成される。
すなわち基板１０上にＮ一型のエピタキシヤル層１２が
形成され、そのＮ一型エピタキシヤル層１２の中にＰ型
領域１４が設けられ、層１２との間にＰＮ接合を形成し
ている。Ｐ型領域１４内にはさらにＰ＋型領域２０が形
成されている。Ｎ一型エピタキシヤル層１２内には他の
Ｐ型領域１６が設けられ、層１２との間にＰＮ接合を形
成している。またこのＰ型領域１６内にＮ＋領域１８が
設けられ、そのＰ型領域１６とＰＮ接合を形成している
。領域１４，２０，１６，１８の下方には埋込みＮ＋型
領域１１が設けられている。このようにしてＮ一型エピ
タキシヤル層１２の内部に形成された構体は第３図に等
価回路を示すような保護回路である。Ｎ一型エピタシヤ
ル層１２はその表面から基板１０まで延びるＰ＋型領域
３２で包囲され、これによつてＮ一型エピタキシヤル層
１２内に形成された保護回路を基板１０上の領域２１ａ
，２１ｂにある他の回路から絶縁している。Ｎ一型エピ
タキシヤル層１２の表面には例えば２酸化シリコンから
成る絶縁層２２があり、この絶縁層２２には領域２０，
１８，２２にそれぞれ電気接触を形成するための開孔が
その各領域上に形成されている。
絶縁層２２には例えばアルミニウムより成る導電層２４
があり、Ｐ＋型領域２０と接触している。絶縁層２２上
には今１つの導電層３０があり、Ｎ＋領域１８とＰ＋領
域３２に接触している。Ｎ一型エピタキシヤル層１２の
Ｐ型領域１４，１６間の部分の上には導電層３０と接続
された他の１つの導電層２６があつて、ＰチヤンネルＭ
ＯＳトランジスタを形成している。Ｐ型領域２０には導
電層２４を介して接合パツド２８が接続され、その接合
パツド２８がさらに領域２１ａ，２１ｂのようなその集
積回路板上のどこかの利用回路の信号端子に接続されて
いる。Ｐ型領域３２とＮ＋型領域１８には導電層３０を
介して端子３４が接続され、この端子３４は接地電位の
ような基準電位源に接続される。第３図は第１図および
第２図の構体の等価回路を示す。
この保護回路はＰＮＰトランジスタＱｌ，ＮＰＮトラン
ジスタＱ２，ＰチヤンネルＭＯＳトランジスタＰ１およ
び抵抗Ｒ１を含み、トランジスタＱ１のエミツタ電極１
１４、ベース電極１１２、コレクタ電極１１６がそれぞ
れ第１図および第２図の領域１４，１２，１６に対応す
る。Ｐ＋領域２０はトランジスタＱ１のエミツタ領域１
４の注入効率を増大し、このため通常トランジスタのβ
と呼ばれる共通エミツタ順方向電流利得が向上する。ト
ランジスタＱ２のエミツタ電極１１８、ベース電極１１
６、コレクタ電極１１２はそれぞれ第１図および第２図
の領域１８，１６，１２に対応する。トランジスタＰ１
のソース電極、ドレン電極およびゲート電極はそれぞれ
第１図および第２図の領域１４，１６および導体２６に
対応し、抵抗Ｒ１はＰ型領域１６のＮ＋型領域１８とＰ
＋型領域３２の間の部分プラスそのＰ型領域１６のＮ＋
型領域１８の下の部分によつて形成されるピンチ抵抗に
対応する。抵抗Ｒ１の値はＰ型領域１６の固有抵抗とＰ
型領域１６に対するＮ＋型領域１８の寸法形状（第２図
参照）によつて決まる。
例えば抵抗Ｒ１の値はＰ型領域１６がＮ＋型領域１８か
ら遠く延びるほど、またその延伸部が狭いほど大きい。
また当業者に公知のようにこの抵抗Ｒ１の値はＮ＋型領
域１８の下のピンチ抵抗に依存し、そのＮ＋型領域１８
のＰ型領域１６への拡散を深くすることにより増大する
こともできる。埋込みＮ＋型領域１１はエピタキシヤル
層１２の下部の導電度を上昇し、これによつてこの保護
装置が高電圧過渡変化により付勢されたときトランジス
タＱｌ，Ｑ２が電流を流す能力を向上させる。第３図に
示すようにトランジスタＱｌ，Ｑ２はシリコン制御整流
器（ＳＣＲ）を形成するように接続されている。
すなわちＱ１のベース電極がＱ２のコレクタ電極に、Ｑ
２のベース電極がＱ１のコレクタ電極に接続され、Ｑ２
のベース、エミツタ間に抵抗Ｒ１が挿入されている。ト
ランジスタＰ１のソース電極はトランジスタＱ１のエミ
ツタ電極に、トランジスタＰ１のドレン電極はトランジ
スタＱ１のコレクタ電極にそれぞれ接続され、Ｐ１の導
電チヤンネルがトランジスタＱ１の主導電路と並列に接
続されるようになつている。トランジスタＰ１のゲート
電極１２６はトランジスタＱ２のエミツタ電極に接続さ
れている。このように構成された保護装置は保護すべき
テレビ利用回路１０１の信号端子（入力または出力信号
用）である接合パツド２８と、接地電位点に接続された
端子３４の間に接続されている。この発明の構体は集積
ＭＯＳトランジスタとそのトランジスタＱｌ，Ｑ２への
接続によつて３端子ＳＣＲ装置が２端子間の電圧が所定
閾値を超えると導通する２端子装置に変換されている点
で通常のＳＣＲ装置と異つている。
トランジスタＰ１のゲートおよびソース電極が信号端子
２８と接地端子３４の間に接続されているため、保護装
置の所定閾値はそのトランジスタＰ１のゲート・ソース
間閾値電圧すなわちトランジスタＰ１を導通させるゲー
ト電圧に実質的に等しい。動作時にはトランジスタＱｌ
，Ｑ２が最初非導通と考えると、抵抗Ｒ１はそのトラン
ジスタＱｌ，Ｑ２が電気的または熱的ノイズによつて無
用の導通を起すのを防止し、接合バツド２８の印加信号
の電位がトランジスタＰ１のゲート・ソース間閾値電圧
より低い限り、両トランジスタＱｌ，Ｑ２は非導通を維
持する。
トランジスタＰ１のゲート・ソース間閾値電圧より高い
電位の高電圧過渡変化が接合パツド２８に生じてトラン
ジスタＰ１のゲート・ソース間電圧がその閾値を超える
と、トランジスタＰ１にチヤンネル電流が流れ、トラン
ジスタＰ１の導通のためにトランジスタＱ２にベース電
流が供給される。
これによつて生ずるトランジスタＱ２のコレクタ電流に
よりそのトランジスタは導通する。トランジスタＱｌ，
Ｑ２のコレクタ電極とエミツタ電極間の導通は再生的で
、これによつて両トランジスタＱｌ，Ｑ２は高度に導通
する。このトランジスタＱｌ，Ｑ２の導通によつて高電
圧過度エネルギは大地に分流され、これによつてテレビ
信号処理用利用回路１０１の損傷が防止される。高電圧
過渡変化によつて接合パツド２８から電力供給端子３４
に供給される電流が最小保持電流以下に低下すると、ト
ランジスタＱ２はベース電流が不足して導通が維持でき
なくなり、遮断される。このためトランジスタＱ１のベ
ース電流が絶えてＱ１も遮断され、従つてこの保護回路
は非導通になる。抵抗Ｒ１は保護回路が無用に動作しな
いように安定化する外、それ以下でＱｌ，Ｑ２が非導通
になる最小保持電流を決める働らきもする。抵抗Ｒ１の
値が高いほど最小保持電流が低く、逆もまた同様である
。保護回路の所定の閾値電圧はトランジスタＰ１の閾値
電圧と実質的に相等しい。
当業者に公知のように、ＭＯＳトランジスタの閾値電圧
はそのゲート電極の下の酸化物の厚さとチヤンネル材料
の導電度に関係する。Ｐ１のようなＭＯＳトランジスタ
の閾値電圧の代表的は２０〜３０のため、ＭＯＳトラン
ジスタＰ１を適当に設計すると、保護回路の所定閾値電
圧を電源電圧の正の最大値例えば１０Ｖより一般に遥か
に高い値例えば３０Ｖに設定することができる。第１図
、第２図および第３図の保護装置より実質的に高い所定
閾値電圧を持つこの発明の他の実施例を第４図、第５図
および第６図に示す。
この第４図ないし第６図に示す保護回路の構造は第１図
ないし第３図のものと同じであるが、トランジスタＰ１
のゲート電極が第１の実施例のように接地電位点に接続
されず、導電層２６，２４間の接続によつて接合パツド
２８に接続されている。このトランジスタＰ１のゲート
、ソース間の接続のため、このトランジスタは接合パツ
ド２８のあらゆる正電圧に対して非導通を維持する。こ
の実施例では保護装置の所定閾値電圧がトランジスタＰ
１の閾値電圧の代りにトランジスタＱｌ，Ｑ２のコレク
タ、ベース間の逆バイアス降伏電圧に依存する。トラン
ジスタはコレクタ、ベース間電流が過大にならない限り
導通するが、損傷を生じない。トランジスタＰ１の目的
はトランジスタＱｌ，Ｑ２の逆バイアス降伏電圧を上昇
することで、これによつてそのトランジスタＰ１のゲー
ト電極の下に誘起される電界が集積回路の表面近傍でト
ランジスタＱｌ，Ｑ２のコレクタ、ベース間降伏が起る
のを防ぐ働らきをすると考えられる。この結果コレクタ
、ベース間降伏現象が半導体ウエハのさらに深いところ
で起るようになり、コレクタ、ベース間降伏電圧を上昇
する作用をする。このようにトランジスタＰ１のゲート
電極を正の過渡電圧が印加される接合パツド２８に接続
すると、トランジスタＱｌ，Ｑ２で形成されるＳＣＲの
所定の閾値電圧が上昇する。逆バイアス降伏は領域１２
，１６の接合で起る。
従つてこの保護装置の所定の閾値電圧はトランジスタＱ
２の逆バイアスコレクタ・ベース間降伏電圧に実質的に
等しい。トランジスタＱ２の降伏電圧はある程度抵抗Ｒ
１の値によつて決まる。
すなわち抵抗Ｒ１の値が低下するとトランジスタＱ２の
逆バイアスコレクタ、ベース間降伏電圧が上昇し、逆も
また同様である。トランジスタＱ２の逆バイアス降伏電
圧はまたトランジスタＰ１の特定の因子に影響される。
例えばトランジスタＰ１のゲート電極２６の下の酸化物
絶縁層が薄いほど各コレクタ・ベース間降伏が深く起る
ため、降伏電圧が潜在的に高くなる。４０〜６０Ｖの範
囲の降伏電圧が得られる。
動作時には接合パツド２８に信号が印加され、トランジ
スタＱｌ，Ｑ２は最初非導通である。接合パツド２８に
高電圧過渡変化が生じるとその電位が急激に上昇する。
この正の電位は実質的にトランジスタＱｌ，Ｑ２のコレ
クタ・ベース接合に生ずるが、この電位がトランジスタ
Ｑ２の逆バイアス降伏電圧を超えると、トランジスタＱ
１にベース電流が供給され、さらにそのトランジスタＱ
１がトランジスタＱ２にベース電流を供給するから、両
トランジスタは再生的に高度に導通する。この高電圧過
渡変化により接合パツド２８から電源端子３４に供給さ
れる電流が最小保持電流以下に低下すると、トランジス
タＱｌ，Ｑ２が遮断されて保護回路は非導通になる。こ
のようにして保護回路の閾値電圧を超える正の電圧を接
合パツド２８に生ずる高電圧過渡変化のエネルギがトラ
ンジスタＱｌ，Ｑ２の導通により電源端子３４に放散さ
れる。その上この保護装置の所定閾値電圧は４０Ｖ以上
のため、入力信号の振れは保護回路を作動させることな
く一般に＋１０Ｖ程度の正の電源電位を相当に超えるこ
とができる。以上この説明を特定の構造について説明し
たが、特許請求の範囲の項に記載したこの発明の技術的
範囲内において種々の改変を行うことができる。
例えばＰ型とＮ型の半導体領域を交換して負の過渡電圧
変化により導通する保護回路を形成することもできる。
またＭＯＳトランジスタＰ１のゲート電極を形成する導
電層２６はアルミニウム以外の導体でもよく、ゲート電
極の下の絶縁材料は２酸化シリコン以外の絶縁体でもよ
い。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の１実施例による集積回路保護装置の
平面図、第２図は第１図の保護装置の細部構造を示す半
導体構体の断面図、第３図は第１図および第２図の半導
体保護装置の等価回路図、第４図はこの発明の他の実施
例による集積回路保護装置の平面図、第５図は第４図の
保護装置の細部構造を示す半導体構体の断面図、第６図
は第４図および第５図の半導体保護装置の等価回路図で
ある。 Ｑ１・・・・・・第１のトランジスタ、Ｑ２・・・・・
・第２のトランジスタ、Ｐ１・・・・・・ＭＯＳトラン
ジスタ、Ｒ１・・・・・・抵抗、２８・・・・・・信号
端子、３４・・・・・・基準端子、１１４，１１６，１
２６・・・・・・ＭＯＳトランジスタのソース、ドレン
、ゲート電極、１０１・・・・・・利用回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ それぞれエミッタ、ベースおよびコレクタの各電極
    を有する互いに反対の導電型の第１および第２のトラン
    ジスタと、上記第１のトランジスタのベース電極と上記
    第２のトランジスタのコレクタ電極との間の接続と、上
    記第１のトランジスタのコレクタ電極と上記第２のトラ
    ンジスタのベース電極との間の接続と、上記第１のトラ
    ンジスタのエミッタ電極が接続された信号端子と、上記
    第２のトランジスタのエミッタ電極が接続された基準端
    子と、ソース、ドレンおよびゲートの各電極を有する金
    属酸化物半導体（以後ＭＯＳと呼ぶ）トランジスタとを
    含み、上記ＭＯＳトランジスタのソース電極は上記信号
    端子に接続され、上記ＭＯＳトランジスタのドレン電極
    は上記第２のトランジスタのベース電極に接続され、上
    記ＭＯＳトランジスタのゲート電極は上記信号端子およ
    び基準端子の一方に接続されて成る保護回路。 ２ それぞれエミッタ、ベースおよびコレクタの各電極
    を有する互いに反対の導電型の第１および第２のトラン
    ジスタと、上記第１のトランジスタのベース電極と上記
    第２のトランジスタのコレクタ電極との間の接続と、上
    記第１のトランジスタのコレクタ電極と上記第２のトラ
    ンジスタのベース電極との間の接続と、上記第１のトラ
    ンジスタのエミッタ電極が接続された信号端子と、上記
    第２のトランジスタのエミッタ電極が接続された基準端
    子と、ソース、ドレンおよびゲートの各電極を有する金
    属酸化物半導体（以後ＭＯＳと呼ぶ）トランジスタとを
    含み、上記ＭＯＳトランジスタのソース電極は上記信号
    端子に接続され、上記ＭＯＳトランジスタのドレン電極
    は上記第２のトランジスタのベース電極に接続され、上
    記ＭＯＳトランジスタのゲート電極は上記信号端子およ
    び基準端子の一方に接続され、上記第２のトランジスタ
    のベース電極とエミッタ電極の間に抵抗が接続され、上
    記信号端子に利用回路が接続されて成る保護回路。
JP57049927A 1981-03-31 1982-03-26 保護回路 Expired JPS5943827B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/249,612 US4400711A (en) 1981-03-31 1981-03-31 Integrated circuit protection device
US249612 1981-03-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57176755A JPS57176755A (en) 1982-10-30
JPS5943827B2 true JPS5943827B2 (ja) 1984-10-24

Family

ID=22944257

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57049927A Expired JPS5943827B2 (ja) 1981-03-31 1982-03-26 保護回路

Country Status (10)

Country Link
US (1) US4400711A (ja)
JP (1) JPS5943827B2 (ja)
KR (1) KR860000712B1 (ja)
CA (1) CA1170785A (ja)
DE (1) DE3210743A1 (ja)
ES (2) ES510729A0 (ja)
FI (1) FI78581C (ja)
FR (1) FR2503456A1 (ja)
GB (1) GB2095909B (ja)
IT (1) IT1150338B (ja)

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4441137A (en) * 1982-08-30 1984-04-03 Rca Corporation High voltage protection for an output circuit
JPS5948951A (ja) * 1982-09-14 1984-03-21 Toshiba Corp 半導体保護装置
US4484244A (en) * 1982-09-22 1984-11-20 Rca Corporation Protection circuit for integrated circuit devices
SE435436B (sv) * 1983-02-16 1984-09-24 Asea Ab Tvapoligt overstromsskydd
US5276346A (en) * 1983-12-26 1994-01-04 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device having protective/output elements and internal circuits
US5610089A (en) * 1983-12-26 1997-03-11 Hitachi, Ltd. Method of fabrication of semiconductor integrated circuit device
DE3586268T2 (de) * 1984-05-03 1993-02-25 Digital Equipment Corp Eingangs-schutzanordnung fuer vlsi-schaltungsanordnungen.
DE3422132C1 (de) * 1984-06-14 1986-01-09 Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising Schutzschaltungsanordnung
JPS6153761A (ja) * 1984-08-24 1986-03-17 Hitachi Ltd 半導体装置
DE3443770A1 (de) * 1984-11-30 1986-06-05 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Monolithisch integrierte, verpolungsgeschuetzte schaltung
JPS61158175A (ja) * 1984-12-28 1986-07-17 Toshiba Corp プレ−ナ型トランジスタ装置
US4633283A (en) * 1985-03-11 1986-12-30 Rca Corporation Circuit and structure for protecting integrated circuits from destructive transient voltages
US4972247A (en) * 1985-10-28 1990-11-20 Silicon Systems, Inc. High energy event protection for semiconductor devices
JPS62110435A (ja) * 1985-11-04 1987-05-21 シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト 加入者線の過電圧保護用集積回路装置
US4786961A (en) * 1986-02-28 1988-11-22 General Electric Company Bipolar transistor with transient suppressor
US5012317A (en) * 1986-04-11 1991-04-30 Texas Instruments Incorporated Electrostatic discharge protection circuit
US5077591A (en) * 1986-09-30 1991-12-31 Texas Instruments Incorporated Electrostatic discharge protection for semiconductor input devices
JPH0716005B2 (ja) * 1988-04-08 1995-02-22 株式会社東芝 半導体装置
US5181091A (en) * 1988-04-29 1993-01-19 Dallas Semiconductor Corp. Integrated circuit with improved protection against negative transients
SE461428B (sv) * 1988-06-16 1990-02-12 Ericsson Telefon Ab L M Foerfarande foer att paa ett underlag av halvledarmaterial framstaella en bipolaer transistor eller en bipolaer transistor och en faelteffekttransistor eller en bipolaer transistor och en faelteffekttransistor med en komplementaer faelteffekttransistor och anordningar framstaellda enligt foerfarandena
US4875130A (en) * 1988-07-06 1989-10-17 National Semiconductor Corporation ESD low resistance input structure
US4896243A (en) * 1988-12-20 1990-01-23 Texas Instruments Incorporated Efficient ESD input protection scheme
US5210846B1 (en) * 1989-05-15 1999-06-29 Dallas Semiconductor One-wire bus architecture
GB8911360D0 (en) * 1989-05-17 1989-07-05 Sarnoff David Res Center Electronic charge protection devices
US5274262A (en) * 1989-05-17 1993-12-28 David Sarnoff Research Center, Inc. SCR protection structure and circuit with reduced trigger voltage
US5072273A (en) * 1990-05-04 1991-12-10 David Sarnoff Research Center, Inc. Low trigger voltage SCR protection device and structure
JPH0767055B2 (ja) * 1989-12-05 1995-07-19 三菱電機株式会社 高周波半導体装置
JPH0821840B2 (ja) * 1989-12-07 1996-03-04 富士電機株式会社 パワー半導体装置のスナバ回路
DE4004526C1 (ja) * 1990-02-14 1991-09-05 Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising, De
US5465189A (en) * 1990-03-05 1995-11-07 Texas Instruments Incorporated Low voltage triggering semiconductor controlled rectifiers
US5212618A (en) * 1990-05-03 1993-05-18 Linear Technology Corporation Electrostatic discharge clamp using vertical NPN transistor
EP0477392A1 (de) * 1990-09-24 1992-04-01 Siemens Aktiengesellschaft Eingangsschutzstruktur für integrierte Schaltungen
JP3375659B2 (ja) * 1991-03-28 2003-02-10 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド 静電放電保護回路の形成方法
US5994770A (en) * 1991-07-09 1999-11-30 Dallas Semiconductor Corporation Portable electronic data carrier
US5359211A (en) * 1991-07-18 1994-10-25 Harris Corporation High voltage protection using SCRs
US5225702A (en) * 1991-12-05 1993-07-06 Texas Instruments Incorporated Silicon controlled rectifier structure for electrostatic discharge protection
US5591661A (en) * 1992-04-07 1997-01-07 Shiota; Philip Method for fabricating devices for electrostatic discharge protection and voltage references, and the resulting structures
US5272097A (en) * 1992-04-07 1993-12-21 Philip Shiota Method for fabricating diodes for electrostatic discharge protection and voltage references
US5400202A (en) * 1992-06-15 1995-03-21 Hewlett-Packard Company Electrostatic discharge protection circuit for integrated circuits
US5336908A (en) * 1992-08-26 1994-08-09 Micron Semiconductor, Inc. Input EDS protection circuit
US5440151A (en) * 1993-04-09 1995-08-08 Matra Mhs Electrostatic discharge protection device for MOS integrated circuits
US5343053A (en) * 1993-05-21 1994-08-30 David Sarnoff Research Center Inc. SCR electrostatic discharge protection for integrated circuits
US5369041A (en) * 1993-07-14 1994-11-29 Texas Instruments Incorporated Method for forming a silicon controlled rectifier
KR0166101B1 (ko) * 1993-10-21 1999-01-15 김주용 정전방전 보호회로의 트랜지스터 및 그 제조방법
US5521789A (en) * 1994-03-15 1996-05-28 National Semiconductor Corporation BICMOS electrostatic discharge protection circuit
US5848541A (en) * 1994-03-30 1998-12-15 Dallas Semiconductor Corporation Electrical/mechanical access control systems
US5831827A (en) * 1994-04-28 1998-11-03 Dallas Semiconductor Corporation Token shaped module for housing an electronic circuit
US5604343A (en) * 1994-05-24 1997-02-18 Dallas Semiconductor Corporation Secure storage of monetary equivalent data systems and processes
US5679944A (en) * 1994-06-15 1997-10-21 Dallas Semiconductor Corporation Portable electronic module having EPROM memory, systems and processes
EP0689248B1 (en) * 1994-06-20 1998-05-13 STMicroelectronics S.r.l. Integrated device with a surface electrical field delimiting structure and relative fabrication process
EP0700089A1 (en) * 1994-08-19 1996-03-06 STMicroelectronics S.r.l. A device for protection against electrostatic discharges on the I/O terminals of a MOS integrated circuit
US5907462A (en) * 1994-09-07 1999-05-25 Texas Instruments Incorporated Gate coupled SCR for ESD protection circuits
KR100372905B1 (ko) * 1994-09-13 2003-05-01 애질런트 테크놀로지스, 인크. 산화물영역보호장치
US5615130A (en) * 1994-12-14 1997-03-25 Dallas Semiconductor Corp. Systems and methods to gather, store and transfer information from electro/mechanical tools and instruments
US5610425A (en) * 1995-02-06 1997-03-11 Motorola, Inc. Input/output electrostatic discharge protection circuit for an integrated circuit
US5528188A (en) * 1995-03-13 1996-06-18 International Business Machines Corporation Electrostatic discharge suppression circuit employing low-voltage triggering silicon-controlled rectifier
US5745323A (en) * 1995-06-30 1998-04-28 Analog Devices, Inc. Electrostatic discharge protection circuit for protecting CMOS transistors on integrated circuit processes
US5751525A (en) * 1996-01-05 1998-05-12 Analog Devices, Inc. EOS/ESD Protection circuit for an integrated circuit with operating/test voltages exceeding power supply rail voltages
EP0803955A3 (en) * 1996-04-25 1998-05-20 Texas Instruments Incorporated An electrostatic discharge protection circuit
US5663860A (en) * 1996-06-28 1997-09-02 Harris Corporation High voltage protection circuits
TW312047B (en) * 1996-07-19 1997-08-01 Winbond Electronics Corp Low voltage triggered electrostatic discharge protection circuit
FR2753006B1 (fr) * 1996-08-27 1998-11-27 Sgs Thomson Microelectronics Pont redresseur protege monolithique
US5781388A (en) * 1996-09-03 1998-07-14 Motorola, Inc. Non-breakdown triggered electrostatic discharge protection circuit for an integrated circuit and method therefor
US5917689A (en) * 1996-09-12 1999-06-29 Analog Devices, Inc. General purpose EOS/ESD protection circuit for bipolar-CMOS and CMOS integrated circuits
US6008508A (en) * 1996-09-12 1999-12-28 National Semiconductor Corporation ESD Input protection using a floating gate neuron MOSFET as a tunable trigger element
US5838146A (en) * 1996-11-12 1998-11-17 Analog Devices, Inc. Method and apparatus for providing ESD/EOS protection for IC power supply pins
US5990520A (en) * 1997-02-07 1999-11-23 Digital Equipment Corporation Method for fabricating a high performance vertical bipolar NPN or PNP transistor having low base resistance in a standard CMOS process
US7327541B1 (en) 1998-06-19 2008-02-05 National Semiconductor Corporation Operation of dual-directional electrostatic discharge protection device
US6365924B1 (en) * 1998-06-19 2002-04-02 National Semiconductor Corporation Dual direction over-voltage and over-current IC protection device and its cell structure
US6063672A (en) * 1999-02-05 2000-05-16 Lsi Logic Corporation NMOS electrostatic discharge protection device and method for CMOS integrated circuit
US6411480B1 (en) * 1999-03-01 2002-06-25 International Business Machines Corporation Substrate pumped ESD network with trench structure
JP4617527B2 (ja) * 1999-04-08 2011-01-26 株式会社デンソー 回路装置
US6538266B2 (en) 2000-08-11 2003-03-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Protection device with a silicon-controlled rectifier
JP4176564B2 (ja) * 2003-06-23 2008-11-05 株式会社東芝 ウェハ移載装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法
US7875933B2 (en) * 2005-03-29 2011-01-25 Infineon Technologies Ag Lateral bipolar transistor with additional ESD implant
US7566914B2 (en) * 2005-07-07 2009-07-28 Intersil Americas Inc. Devices with adjustable dual-polarity trigger- and holding-voltage/current for high level of electrostatic discharge protection in sub-micron mixed signal CMOS/BiCMOS integrated circuits
US7709896B2 (en) * 2006-03-08 2010-05-04 Infineon Technologies Ag ESD protection device and method
US7888704B2 (en) * 2008-08-15 2011-02-15 System General Corp. Semiconductor device for electrostatic discharge protection
TWI478139B (zh) * 2012-09-13 2015-03-21 Au Optronics Corp 靜電放電保護電路及其顯示裝置
US9251839B1 (en) 2013-05-24 2016-02-02 Western Digital Technologies, Inc. Data storage device with overvoltage protection
US9304560B2 (en) 2013-06-19 2016-04-05 Western Digital Technologies, Inc. Backup power for reducing host current transients
US9564796B1 (en) 2014-01-15 2017-02-07 Western Digital Technologies, Inc. Power circuit with overvoltage protection
FR3018390A1 (fr) * 2014-03-10 2015-09-11 St Microelectronics Crolles 2 Dispositif de protection dynamique contre les decharges electrostatiques adapte aux dispositifs electro-optiques

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1439368A1 (de) * 1964-04-29 1969-02-13 Siemens Ag Halbleiterstromtor mit Zuendung durch Feldeffekt
US3403270A (en) * 1965-05-10 1968-09-24 Gen Micro Electronics Inc Overvoltage protective circuit for insulated gate field effect transistor
US3395290A (en) * 1965-10-08 1968-07-30 Gen Micro Electronics Inc Protective circuit for insulated gate metal oxide semiconductor fieldeffect device
US3401319A (en) * 1966-03-08 1968-09-10 Gen Micro Electronics Inc Integrated latch circuit
DE2040657C3 (de) * 1970-08-17 1975-10-02 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Elektronischer Schalter für Halbleiterkoppelpunkte in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen
JPS5135114B1 (ja) * 1970-12-28 1976-09-30
DE2133430A1 (de) * 1971-07-05 1973-01-18 Siemens Ag Planar-vierschichtdiode
BE788874A (fr) * 1971-09-17 1973-01-02 Western Electric Co Module de circuit integre
US4001868A (en) * 1974-11-14 1977-01-04 International Business Machines Corporation Latching driver circuit and structure for a gas panel display
NL176322C (nl) * 1976-02-24 1985-03-18 Philips Nv Halfgeleiderinrichting met beveiligingsschakeling.
FR2358024A1 (fr) * 1976-07-06 1978-02-03 Western Electric Co Structure de thyristor integre
JPS553694A (en) * 1978-06-16 1980-01-11 Motorola Inc Device for triggering monolithic semiconductor
DE2904424C2 (de) * 1979-02-06 1982-09-02 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit Steuerung durch Feldeffekttransistor
JPS55113358A (en) * 1979-02-23 1980-09-01 Hitachi Ltd Semiconductor device
DE2915885C2 (de) * 1979-04-19 1983-11-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit Steuerung durch Feldeffekttransistor

Also Published As

Publication number Publication date
DE3210743A1 (de) 1982-11-11
GB2095909A (en) 1982-10-06
GB2095909B (en) 1985-03-13
FI821036A0 (fi) 1982-03-24
FI78581C (fi) 1989-08-10
FR2503456A1 (fr) 1982-10-08
FI821036L (fi) 1982-10-01
ES521166A0 (es) 1984-04-01
IT8220203A0 (it) 1982-03-16
KR860000712B1 (ko) 1986-06-07
US4400711A (en) 1983-08-23
JPS57176755A (en) 1982-10-30
ES8308156A1 (es) 1983-07-01
ES8404109A1 (es) 1984-04-01
DE3210743C2 (ja) 1989-04-27
FR2503456B1 (ja) 1984-07-13
FI78581B (fi) 1989-04-28
KR830009653A (ko) 1983-12-22
ES510729A0 (es) 1983-07-01
IT1150338B (it) 1986-12-10
CA1170785A (en) 1984-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5943827B2 (ja) 保護回路
US5077591A (en) Electrostatic discharge protection for semiconductor input devices
US4567500A (en) Semiconductor structure for protecting integrated circuit devices
US6538266B2 (en) Protection device with a silicon-controlled rectifier
US8338915B2 (en) Circuit configuration and manufacturing processes for vertical transient voltage suppressor (TVS) and EMI filter
US5646433A (en) Pad protection diode structure
JPS5990120A (ja) 保護回路
US5844280A (en) Device for protecting a semiconductor circuit
EP0103306B1 (en) Semiconductor protective device
US6215135B1 (en) Integrated circuit provided with ESD protection means
CA1179406A (en) Protection circuit for integrated circuit devices
US10199368B2 (en) Stucture for protecting an integrated circuit against electrostatic discharges
JPS61296770A (ja) 絶縁ゲ−ト電界効果型半導体装置
US5109266A (en) Semiconductor integrated circuit device having high breakdown-voltage to applied voltage
US4939564A (en) Gate-controlled bidirectional semiconductor switching device with rectifier
JP3404036B2 (ja) Ｐｉｓｏ静電的放電保護デバイス
CA1289267C (en) Latchup and electrostatic discharge protection structure
US6057577A (en) Component of protection of an integrated MOS power transistor against voltage gradients
JP4838421B2 (ja) アナログ・スイッチ
US6147852A (en) Device for protecting an integrated circuit against electrostatic discharges
JPH1117198A (ja) 集積ｍｏｓパワー・トランジスタを含むコンポーネントのロジック・ウエルの保護
JPS63148671A (ja) 半導体集積回路装置の静電破壊防止装置
JPH0478162A (ja) 集積回路用保護装置
KR100190352B1 (ko) 기생전류에 보호되는 수직형 모놀리식 반도체 전력소자
JP2656045B2 (ja) 静電放電保護回路