SE461428B - Foerfarande foer att paa ett underlag av halvledarmaterial framstaella en bipolaer transistor eller en bipolaer transistor och en faelteffekttransistor eller en bipolaer transistor och en faelteffekttransistor med en komplementaer faelteffekttransistor och anordningar framstaellda enligt foerfarandena - Google Patents

Description

461 1D 15 20 25 428_ _ -. segment hos fälteffekttransistorn. Härigenom utnyttjas det gemensamma underlaget effektivt och anordningen tar liten plats men har nackdelen att den är relativt komplicerad att framställa.

Vid framställningen av fälteffekttransistorer kan s k komplementära förfaran- den utnyttjas såsom beskrives i en konferensrapport IEEE 1986 International Electron Devices Meeting Technical Digest, Los Angeles 7-10 Dec, sid 244-247, L. C. Parillo m.fl: "A Versatile, High-Performance, Double-Level-Poly Double- Level.Metal, 1.2 Micron CMOS Technology". Pa ett gemensamt underlag framställes tva fälteffekttransistorer, den ena i ett positivt dopat och den andra i ett negativt dopat omrâde. F örfarandet har fördelen att de tva transistorerna kan tillverkas genom ett relativt litet antal förfarandesteg.

Transistorerna visas emellertid inte sammankopplade i en Darlington-krets och det framgar inte om fälteffekttransistorerna under förfarandet kan förbindas med ytterligare nagon komponent pa underlaget.

REDOGÖRELSE FÖR UPPFINNINGEN En Darlington-krets med en fälteffekttransistor och en bipolär transistor anslutna till varandra framställes enligt uppfinningen genom ett förfarande med ett relativt litet antal förfarandesteg. Det uppfinningsenliga förfarandet har fördelar gentemot känd teknik särskilt vid ett kornplementärt tillverknings- förfarande för tva fälteffekttransistorer, varav den ena ingar i en Darlington- krets. Även en bipolär transistor kan framställas enligt det uppfinningsenliga för- farandet med ett relativt litet antal förfarandesteg.

Uppfinningen har de kännetecken som framgar av bifogade patentkrav.

FIGURFÖRTECKNING Ett utföringsexempel av uppfinningen skall beskrivas närmare nedan i anslutning till ritningar pa vilka figur 1 schematiskt visar en fälteffekttransistor och en bipolär transistor anslutna till varandra, figurerna 2-17 var och en visar ett tvärsnitt av ett halvledarunderlag vilket i de skilda figurerna är belagt med ett 10 15 20 25 30 461 428 3 antal skikt av skilda material, figur 18 visar i närmare detalj ett tvärsnitt av skikten hos transistorerna, figurerna 19 och 20 visar varsin perspektivvy snett ovanifran av en halvledaranordning med tvärsnitt genom anordningen för en alternativ utföringsform och figur 21 visar i närmare detalj ett tvärsnitt av skikten hos anordningen enligt den alternativa utföringsformen.

FÖREDRAGEN UTFÖRING SF ORM En fälteffekttransistor FET och en bilpolär transistor BIP sammankopplade till en s k Darlington-krets visas schematiskt i figuren 1. Den bipolära transistorns BlP kollektor och emitter är förbundna med yttre anslutningar K respektive E.

Dess bas är förbunden med emíttern hos fälteffekttransistorn FET vars kol- lektor är ansluten till en yttre anslutning B. Vid ett känt förfarande framställes tva fälteffekttransistorer pà ett gemensamt underlag, den ena transistorn i ett positivt dopat skikt och den andra i ett negativt dopat skikt. Förfarandet benämnes vanligen CMOS-process (Complementary Metal Oxide Semiconduc- tor). Det förfarande som skall beskrivas nedan utnyttjar delvis detta kända förfarande. Genom att pa uppfinningsenligt sätt förändra det kända förfarandet kan en Darlington-krets med den bipolära transistorn BIP och fälteffekttransis- torn F ET framställas. l figur l visas ett monokristallint underlag l, enligt exemplet av kisel, vilket är kraftigt negativt dopat. Pa underlaget har odlats ett svagt negativt dopat epitaxiellt skikt 2 av kisel, vars yta oxiderats till ett kíseldioxidskikt 3. Pâ detta oxidskikt har i sin tur ett skikt 4 av kiselnitrid deponerats, vars högra hälft enligt figur 3 belagts med ett skikt 5 av fotoresistivt material. Pa den återstående delen av underlaget, figurens vänstra hälft, har kiselnitridskiktet 4 etsats bort. Genom jonimplantation har denna vänstra hälft 2a av det epi- taxiella skiktet 2 dopats negativt med fosforjoner 6. Dessa joner tränger igenom oxidskiktet 3 och in i ett ytskikt 7 i det epitaxiella skiktet 2a, varvid det fotoresistiva skiktet 5 och nitridskiktet 4 skyddar den högra delen 2b av det epitaxiella skiktet Z mot jonerna 6. Oxidskiktet 3 medverkar till att sprida jonerna 6 sa att dessa fördelas jämnt i ytskiktet 7. Den vänstra delen 2a av det epitxiella skiktet 2 oxideras vid förhöjd temperatur till ett tjockt kisel- dioxidskikt 8 såsom visas i figuren 4. Jonerna 6 i skiktet 7 diffunderar härvid in i det epitaxiella skiktet Za till ett negativt dopat skikt 7a. Kiselnitridskiktet 4 461 428_ 10 15 20 25 30 35 la förhindrar att det epitaxiella skiktets högra del 2b härvid oxideras. Det fotoresistiva skiktet 5 och kiselnitridskiktet 4 bortetsas därefter såsom visas i figuren S. Positivt dopande borjoner 9 implanteras i ett ytskikt lIJ i det epitaxiella 2 högra del Zb. Jonerna 9 sprides i detta skikt av kiseldioxidskiktet 3 och kiseldioxidskiktet 8 skyddar det negativt dopade skiktet 7a mot de positiva jonerna 9 vid denna jonimplantation. Vid förnyad oxidation tillväxer tjockleken hos kiseldioxidskiktet 3 över det epitaxiellaskiktets 2 högra del 2b. Härvid bildas ett tjockt oxidskikt 11 såsom visas i figuren 6 och även skiktet 8 över det epitaxiella skiktets vänstra del 2a tillväxer i tjocklek. Vid denna oxidation drives borjonerna 9 i skiktet 10 in så att ett positivt dopat skikt lila bildas, varefter oxidskikten 8 och ll bortetsas. Ytan av skikten 7a och 10a oxideras härefter på nytt till ett tunt kiseldioxidskikt 12 på vilket ett kiselnitridskikt 13 deponeras såsom framgår av figuren 7. En fotoresistiv mask llia anbringas över kíselnitridskiktet 13 och delar av detta skikt etsas bort såsom framgår av figuren 8. Av skiktet 13 återstår delar l3a och Db vilka täcker de aktiva områdena hos de blivande transistorerna. En fotoresistiv mask llib anbringas över det negativt dopade området 7a i figurens vänstra hälft, varefter joner 15 implanteras i skiktet l0a. Jonerna 15 är dels positiva joner med låg energi, dels negativa joner med hög energi vilka tränger igenom nitridskiktet l3b. Det negativt dopade skiktet 7a skyddas under denna jonimplantation av masken llib.

Denna mask avlägsnas och det tunna kiseldioxidskiktet 12 oxideras ytterligare till ett tjockt kiseldioxidskikt 16 såsom framgår av figuren 9. Härefter bortetsas nitridskikten 13a och 13b varvid även oxidskiktet 12 under nitrid- skikten angripes. Ett tunt kiseldioxidskikt 17 oxideras på nytt över de aktiva områdena där kiselnitridskikten 13a och Db var belägna, såsom framgår av figuren 10. Kiseldioxidskiktet 17 utnyttjas för att sprida joner vid en förnyad joninplantation med positiva joner 18 som utföres i dessa områden för att erhålla önskade dopningsgrader. Det tunna oxidskiktet 17 etsas därefter bort och ett nytt skikt 19 av kiseldioxid anbringas i dess ställe. Detta skikt kommer att utgöra en del i de slutliga transistorerna och det är viktigt att kiseldioxiden är ren och skiktet 19 har en jämn tjocklek av omkring 250 ångström. Ovanpå det tjocka kiseldioxidskiktet 16 och det tunna kiseldioxidskiktet 19 deponeras ett skikt 20 av polykristallint kisel, vilket antyds med streckade linjer i figuren 11.

Skiktet 20 dopas kraftigt och belägges med en mask av fotoresistivt material.

Med hjälp av denna i figuren icke visade mask etsas delar av skiktet 20 bort så att det endast återstår delar 20a och ZOb på kiseldioxidskiktet 19 samt delar '10 15 2D 25 30 35 461 428 5 20c och 20d på kiseldioxidskiktet 16. Denna etsning sker med anisotropt etsförfarande så att områdena 20a, 20b, 2Uc och 20d får raka och välbestämda kanter. De återstående delarna 20a och 20b av det polykristallina skiktet uppdelar härigenom de båda aktiva områdena i vars två aktiva_ delområden. Den fotoresistiva masken avlägsnas och en tunn skyddshinna av-kiseldioxid alstras på skikten 20a, 20b, 20c och 20d av polykristallint kisel. Negativa joner 21 implanteras till låg koncentration kring skikten 20a och 20b. Härvid utjämnas dopningskoncentrationen vid övergången mellan det kraftigt dopade omradet 20b och underlaget l0a. Denna dopning benämnes LDD-dopning (Lightly Doped Drain). Även kring omradet 20a sker denna dopning, vilken emellertid ökar koncentrationsskillnaderna mellan detta område och underlaget 7a. För att motverka denna dopning kring omradet 20a anbringas en i figuren icke visad fotoresistiv mask över skiktet lÛa och omrâdet kring det polykristallina skiktet 20a motdopas svagt med positiva joner 22, vilka utgör LDD-dopningen i skiktet 7a. Den fotoresistiva masken avlägsnas och kiseldioxid deponeras i ett jämn- tjockt skikt 23 över hela underlaget såsom antydes i högra delen av figuren 12.

Detta kiseldioxidskikt 23 etsas sedan med en anisotropt verkande etsvätska så att endast kantområden 23a och 23b av kiseldioxid återstår kring de poly- kristallina skikten, såsom visas i figurens vänstra del. Vid denna anisotropa etsning angripes det tunna skyddsskikten av kiseldioxid på de polykristallina skikten. Dessa oxiderasgdärför på nytt så att de täckes av ett mycket tunt skyddande skikt 24 av kiseldioxid. Kantområdena Z3b utmed kanterna hos de polykristallina skikten 20a och 20b har till uppgift att skydda den ovan beskrivna LDD-dopningen vid en kraftig jonimplantation, vilken skall beskrivas nedan. Före denna kraftiga jonimplantation deponeras ett skikt 25a av kisel- nitrid över hela anordningen såsom visas i figuren 13. Kiselnitridskiktet 2Sa belägges med en fotoresistiv. mask 25b så att önskade delar av nitridskiktet 25a kan etsas bort. Enligt uppfinningen täcker den fotoresistiva masken 25b endast den del av anordningens yta över det negativt dopade skiktet 7a, vilken ligger intill det positivt dopade skiktet lüa, det första av de ovannämnda aktiva delområdena. Den fotoresistiva masken 25b täcker omkring hälften av det polykristallina skiktet 20a. Kiselnitridskiktet 25a etsas bort utanför masken så att endast en del 25c av kiselnitridskiktet 25a återstår såsom visas i figuren 14.

En kraftig jonimplantation med negativa joner 26 utföres härefter. Härvid dopas kollektor/emitter området hos fälteffekttransistorn i det positivt dopade om- rådet l0a. Kiselnitridskiktet 2Sc förhindrar vid denna jonimplantation joner att 461 428- 10 15 20 25 30 35 6 tränga in i det första aktiva delomradet hos den andra fälteffekttransistorn i det negativt dopade omradet 7a. Det andra aktiva delomradet hos den andra fälteffekttransistorn, vilket är oskyddat av kiselnitridskiktet 2Sc, blir vid joninplantationen också kraftigt negativt dopat. Efter jonimplantationen odlas ett kiseldioxidskikt 27 över de områden som omger kiselnitridskiktet 250 såsom visas hfiguren 15. Kiselnitridskiktet 250 etsas bort och en kraftig dopning utföres genom implantation av positiva joner 28 i det härvid frilagda första aktiva delomradet hos fälteffekttransistorn i det negativt dopade skiktet 7a.

Kiseldioxidskiktet 27 etsas bort och anordningens yta belägges med ett el- ektriskt isolerande skikt 29 av fosforglas såsom framgår av figur 16. Med hjälp av en fotoresístiv mask etsas hal 30 i detta glasskikt för elektriska anslutningar.

Ett skikt 31 av metall, exempelvis aluminium med kisel och koppar, deponeras över fosforglasskiktet 29. Metallskiktet 31 etsas till ett ledningsmönster med hjälp av en i figuren icke visad fotoresistiv mask. Ytterligare ett elektriskt iso- lerande skikt 32 av fosforglas deponeras över metallskiktet 31 sasom visas i figuren 17. Med hjälp av en i figuren icke visad fotoresistiv mask etsas häl i fosforglasskiktet 32, i vilka yttre elektriska anslutningar 33 av metall utföres.

Genom det ovan beskrivna förfarandet åstadkommas en bipolär transistor kopplad till en fälteffekttransistor. Denna krets, vilken har schematiskt visats i figur 1, är visad'i närmare detalj i figur 18. För tydlighets skull har de isolerande fosforglasskikten 29 ooh 32 samt metallskiktet 33 och de yttre metalliska anslutningarna 33 ej utritats i figur 18. Pa underlaget 1 år beläget det epitaxiella skiktet 2a vilket dopats negativts såsom beskrivits i anslutning till figur 2 och figur 3. Denna negativa dopning har i figur 18 betecknats med symbolen n pa skiktet 7a. Kiseldioxidskiktet 16 har beskrivits i anslutning till figur 8 och kiseldioxidskiktet 19 i anslutning till figur 9. I anslutning till figur 10 har beskrivits dels de polykristallina skikten 20a och 2Uc, dels LDD-dopningen av skiktet 7a. Denna dopning har givit upphov till positivt dopade områden vilka i figur 18 betecknats med symbolen p. Kantomradena 23b har beskrivit i anslutning till figur ll. Enligt det uppfinníngsenliga förfarandet åstadkommas dels ett kraftigt positivt dopet omrâde p+ dels ett kraftigt negativt dopat omrâde n+ pa ömse sidor om det polykristallina skiktet ZOa såsom beskrivits i anslutning till figurerna 13, 14 och 15. Darlington-kretsen har hârigenom dels den bipolära npn-transistorn BIP, dels fälteffekttransistorn FET. Dessa transis- torer har markerats med 'streckade linjer i figuren 18 och omnämnts i samband 'IO 15 20 25 30 35 - 461 428 , 7 med figuren 1. Fälteffekttransistorns FET kollektor/emitter B utgöres av det kraftigt positivt dopade området p+. Den bipolära transistorns BIP emitter E utgöres av det kraftigt negativt dopade området n+ och dess kollektor K av det negativt dopade området 7a. Detta område är elektriskt förbundet med det kraftigt dopade polykristallina skiktet 2Üc. Emittern E kollektorn K och kollektorn/emittern B hos fälteffekttransistorn F ET är försedd med metal- liska anslutningar såsom visats i figuren 16. Genom det ovan beskrivna uppfinningsenliga förfarandet har åstadkommits en bipolär npn-transistor och en fälteffekttransistor anslutna till varandra. Det är möjligt enligt uppfinningen att ansluta en bipolär pnp-transistor med en fälteffekttransistor. I anslutning till figur lll beskrives hur kiselnitridskiktet 25a etsas bort så att endast delen 25c av skiktet återstår. På motsvarande sätt kan skiktet 25 etsas så att endast en del 25d över skiktet lUa återstår, såsom antytts med streckade linjer i figuren 14. Dopning och beläggning med kiseldioxid sker därefter på mot- svarande sätt som beskrivits i anslutning till figuren 14 och 15 så att en pnp- transistor ansluten till en fälteffekttransistor åstadkommas.

Ett alternativt uppfinningsenligt förfarande för att framställa en Darlington- krets skall kortfattat beskrivas nedan i anslutning till figurerna 2 tom 17.

Förfarandet omfattar endast figurernas vänstra hälft i vilken Darlington- kretsen framställes. Pâ det enkristallina kiselunderlaget l odlas det svagt negativt dopade epitaxiella skiktet 2, vars yta oxideras till kiseldioxidskiktet 3 enligt figur 2. De negativa fosforjonerna 6 implanteras genom oxidskiktet 3 så att det kraftigt dopade ytskiktet 7 bildas såsom visas i figur 3. Det tunna kiseldioxidskiktet 3 oxideras ytterligare till det tjocka kiseldioxidskiktet 8 varvid fosforjonerna diffunderar i det epitaxiella skiktet 2a och bildar det dopade skiktet 7a enligbfigur li. Såsom visas i figur 7 bortetsas kisel- dioxidskiktet 8 och skiktet 7a belägges med det tunna kiseldioxidskiktet 12.

Kiselnitridskitet 13 deponeras ovanpå kiseldioxidskiktet 12 och det fotoresistiva skiktet 14a lägges på nitridskiktet 13. Detta nitridskikt bortetsas kring det fotoresistiva skiktet 14 a, vilket därefter avlägsnas. Kring den återstående delen 13a av nitridskiktet 13 oxideras kiseldioxidskiktet 12 ytterligare till det tjocka kiseldioxidskiktet 16 såsom visas i figur 9. Nitridskiktet 13a bortetsas varvid även kiseldioxidskiktet 12 angripes. Den härvid frilagda ytan av det epitaxiella skiktet 7a oxideras på nytt till det tunna jämntjocka kiseldioxid- skiktet 19 såsom visas i figur 11. På oxidskikten 16 och 19 deponeras det 461 428 _ 10 15 20 25 30 8 kraftigt dopade polykristallina kiselskíktet 20 vilket delvis bortetsas med fotolitografiskt förfarande så att endast delarna 20a och 20:: återstår. Delen 20a av det polykristallina skiktet 20 uppdelar det aktiva omrâdet i de två aktiva ' delområdena. LDD-dopningen med de positiva jonerna 22 utföres. Såsom visas i figuren 12 deponeras kiseldioxidskiktet 23, vilket därefter till större delen bortetsas så att endast kantområdena 23a och 23b återstår. Hela anordningens yta belägges med kiselnitridskiktet 25a såsom visas i figur 13. Kiselnítridskiktet 25a belägges med en fotoresistiv mask 2Sb vilken enligt uppfinningen täcker endast ena hälften av kiselnitridskiktet 25a över det första aktiva delområdet.

Detta skikt 25a bortetsas i omrâdet omkring det fotoresistiva skiktet 25b så att endast delen 250 av kíselnitridskiktet återstår, såsom visas i figur 14. l det härvid frilagda andra aktiva delområdet på ena sidan om det polykristallina skiktet 20a irnplanteras de negativa jonerna 26. Detta område utgör den bipolära transistorns BIP emitterområde E. Området omkring kiselnitridskiktet 25c oxideras till oxidskiktet 27 och kiselnitridskiktet 250 bortetsas såsom visas i figur 15. i den härvid frilagda ytan av det första aktiva delområdet implanteras de positiva jonerna 28. Detta positivt dopade område utgör kollektor/emitter omradet B för fäiteffektransistorn FET. Såsom visas i figur 16 belägges an- ordningen med fosforglasskiktet 29 vilket förses med hålen 30 för de elektriska anslutningarna. Ovanpå fosforglasskiktet 29 deponeras metallskiktet 31 vilket genom etsning uppdelas i ett önskat ledningsmönster. Ovanpå det metalliska ledningsmönstret depoeras fosforglasskiktet 32, i vilket hål etsas för de elektriska anslutningarna 33 enligt figur 17.

Ytterligare ett alternativt förfarande enligt uppfinningen skall beskrivas nedan i anslutning till figurerna 19, 20 och 21.

På samma sätt som beskrivits i anslutning till figurerna 2-ll har på det monokristallina underlaget 1 odlats det epitaxiella skiktet 2a, vilket har dopats negativt till skiktet 7a. Detta skikt har oxiderats till det tjocka kisel- dioxidskiktet 16, vilket omger det aktiva området. Ytan av det aktiva omradet har oxiderats till det jämntjocka, rena kiseldioxidskiktet 19 och ovanpå detta har det kraftigt dopade polykristallina skiktet 20 deponerats. Enligt det alternativa förfarandet belägges skiktet 20 med en fotoresistiv mask. Denna mask tillåter att delar av skiktet 20 bortetsas, så att endast öar 40a, 40b och 40c återstår av skiktet 20. Avståndet mellan två intill varandra liggande öar 10 15 20 25 30 _. 461 428 9 betecknas med D sa som visas i figur 19. Etsningen sker anisotropt sa att öarna 40a, 40b, 400 far raka och välbestämda kanter. Den fotoresistiva masken avlägsnas och en icke visad skyddshinna av kiseldioxid alstras pa öarna. Positiva joner lll implanteras till lag koncentration i ytan av skiktet 7a, det aktiva omradet, kring öarna 40a, 40b och 400. Denna implantation utgör den ovan- nämnda LDD-dopningen. Ett skikt av kiseldioxid deponeras över hela an- ordningen i motsvarighet till skiktet 23 i figur 12. Kiseldioxidskiktet etsas anisotropt sa att endast kantomraden li2a, li2b av kiseldioxid aterstar kring öarna 40a, 40b och 40c sa som visas i figur 20. Avståndet D mellan öarna är sa litet, mindre än l m, att kantomradena 42b helt täcker områdena mellan öarna 40a, liüb, 40c. Öarna och de mellanliggande kantomradena 42b uppdelar det aktiva omradet i det första och det andra aktiva delomradet sa som beskrivits ovan i anslutning till figur ll. Pa samma sätt som beskrivits ovan, i anslutning till figurerna 13, 14 och 15, implanteras de positiva jonerna 28 i det första aktiva delomradet och de negativa jonerna 26 i det andra aktiva delomradet. Anordningen förses med fosforglasskikten 29 och 32, metallskiktet 31 och de elektriska anslutningarna 33 pa det sätt som beskrivits ovan i anslutning till figurerna 16 och l7.

I figur 21 visas ett tvärsnitt av anordningen i figur 20 genom ett av de mellanliggande kantomradena 42b.

Detta tvärsnitt skiljer sig fran tvärsnittet i figur 18 därigenom att omradet betecknat med p, LDB-omradet, sträcker sig inte endast i de tva aktiva delomradena utan även mellan dessa delomraden under de mellanliggande kantomradena 42b. Detta LDD-omrade utgör basen hos den bipolära transistorn BIP, vilken markerats med streckade linjer i figuren. Basen är ansluten via det kraftigt positivt dopade första delomradet p+. Transistorns BIP emitter utgöres av det kraftigt negativt dopade andra delomradet n+ och kollektorn utgöres av det negativt dopade epitaxiella skiktet 7a, vilket kan elektriskt anslutas via det polykristallina skiktet 20c. Under öarna 40a, liüb, laüc har anordningen det utseende som framgar av figuren 18 och omfattar den bipolära transistorn BIP och fälteffekttransistorn FET. Vid utföringsformen enligt figurerna 19, 20 och 21 utnyttjas emellertid inte fälteffekttransistorn utan endast den bipolära transistorn BIP. 461 428 __ 10 15 10 De enskilda förfarandesteg som beskrivits ovan, exempelvis beläggning med fotoresistiv mask, joninplantation eller deponering av kiselnitrid är alla väl kända för fackmannen och utgör inget föremål för uppfinningen. 'Även de material som nämnts är välkända, exempelvis Underlaget 1 av kisel. Andra kända halvledarmaterial kan ocksa användas vid de uppfinningsenliga för- farandena, exempelvis germanium. En del av de ovan beskrivna förfarandena, fram t o m beläggningen med kiselskiktet Züa i figur 11, är också välkänt för fackmannen och utgör en del av den ineldningsvis nämnda CMOS-processen.

Uppfínningen omfattar att pa ovan beskrivet sätt delvis utnyttja detta kända förfarande för att pa att ett enkelt sätt åstadkomma de två Darlington- kopplade transistorerna BIP och FET i figur 18 vilka har stor förstärkning och är snabba. Uppfinningen omfattar ocksa ett sätt att åstadkomma den bipolära transistorn i figur 21. Denna transistor kan åstadkommas pa ett ekonomiskt fördelaktigt sätt och förfarandet kan genomföras sa att translatorn far relativt goda prestanda.

Claims (6)

10 15 20 25 30 461 428 11 PATENTKRAV

1. Förfarande för att pa ett underlag av halvledarmaterial framställa en bipolär transistor och en fälteffekttransistor vilka är anslutna till varandra, vilket förfarande omfattar följande förfarandesteg: ~ pà underlaget, vilket är av enkristallint material, odlas ett epitaxiellt skikt av halvledarmaterialet; - det epitaxiella skiktet dopas till ett önskat djup och med önskad positiv eller negativ typ hos de dopande ämnena; - ett tjockt halvledaroxidskikt odlas pa det epitaxiella skiktet kring ett omrâde vilket är avsett att utgöra de nämnda transistorernas aktiva område; - ytan av detta aktiva omrâde oxideras till ett tunt oxidskikt pa vilket kraftigt dopat polykristallint halvledarmaterial deponeras i ett skikt vilket delvis täcker det aktiva omradet och uppdelar detta i ett första och ett andra aktivt del- omrâde; -de återstående delarna av det aktiva omradet, de nämnda aktiva delomradena, dopas svagt med ämnen vilka är av motsatt typ mot dopningsämnena för det epitaxiella skiktet; - halvledaroxid deponeras i kantomraden hos det polykristallina skiktet koch det nämnda tunna oxidskiktet bortetsas i de aktiva delornradena utanför dessa kantomraden av halvledaroxid k ä n n e t e c k n a t därav att förfarandet ytterligare omfattar följande förfarandesteg: - det andra av de aktiva delomradena, mellan det nämnda tjocka halv- ledaroxidskiktet (16) och kantomràdet (23b) av halvledaroxid pa ena sidan om det polykristallina skiktet (20a), dopas med dopningsämnen (26) av samma typ som dopningsämnena (6) för. det epitaxiella skiktet (7a) för att utgöra den bipolära transistorns (BIP) emitter (E); - det första aktiva delomradet pa andra sidan om det polykrístallina skiktet (ZDa) dopas med dopningsämnen (28) av motsatt typ mot dopningsämnena (6) för det epitaxiella skiktet (7a) för att utgöra fälteffekttransistorns (FET) kol- lektor/emitter (B). - det epítaxiella skiktet (7a), vilket utgör den bipolära transistorns (BIP) kollektor (K) samt den nämnda kollektor/emittern (B) och emittern (E) anslutas till varsin elektriskt ledande yttre anslutning (33). 461 428 -' 10 15 20 25 3D 35 12

2. F örfarande för att pa ett underlag av halvledarmaterial framställa en bipolär transistor och en fälteffekttransistor vilka är anslutna till varandra samt en till denna fälteffekttransistor komplementär fälteffekttransistor om- fattande följande förfarandesteg: - pa underlaget, vilket är av enkristallint material, odlas ett epitaxiellt skikt av halvledarmaterialet; - ett första omrade i det epitaxiella skiktet dopas med negativt dopande ämnen och ett intilliggande andra omrade dopas med positivt dopande ämnen; - de bada dopade omradenas yta oxideras till ett första tunt oxidskikt och i vardera omradet deponeras ett skikt av halvledarnitrid vilka täcker de ytor av områdena som är avsedda att utgöra aktiva omraden hos de blivande trans- istorerna; - ett tjockt skikt av halvledaroxid odlas kring de bada nitridskikten, vilka därefter bortetsas tillsammans med det första tunna oxidskiktet; - de härvid frilagda ytorna, transistorernas aktiva omraden, hos det epitaxiella skiktet oxideras till ett andra tunt skikt av halvledaroxid; ' - skikt av polykristallint halvledarmaterial deponeras åtminstone över delar av det andra tunna oxidskiktet och uppdelar de aktiva omradena i vars ett första och andra aktivt delomrade; - det första, negativt dopade omradet i det epitaxiella skiktet kring sitt polykristallina skikt dopas svagt med positivt dopande ämnen och det andra, positivt dopade omradet i det epitaxiella skiktet kring sitt polykristallina skikt dopas svagt med negativt dopande ämnen, varvid dopningsämnena förhindras av de polykristallina skikten att tränga in under dessa in i det epitaxiella skiktet; - halvledaroxid deponeras i kantomraden hos skikten av polykristallint material och det andra tunna skiktet av halvledaroxid bortetsas vid dessa kantom- raden k ä n n e t e c k n a t därav att förfarandet ytterligare omfattar följ- ande förfarandesteg: ' - ett dopningsförhindrande skikt (ZSc) av halvledarnitrid deponeras i det första av de aktiva delomradena över det första, negativt dopade omradet (7a) i det epitaxiella skiktet (2), varvid det polykristallina skiktet (20a) i detta omrade (7a) delvis täckes av skiktet (250) av halvledarnitrid; - negativt dopande ämnen (26) implanteras dels i det andra aktiva delomradet för att utgöra emitter (E) hos den bipolära transistorn (BIP), dels i de bada aktiva delomradena âver det andra, positivt dopade omradet (lDa) för att utgöra aktiva områden för den komplentära fälteffekttransistorn varvid det dopnings 10 15 10 15 - 461 428 13 förhindrande skiktet (25c) av halvledarnitrid och de polykristallina skikten (2Ua, 20b) med sina kantomraden (23b) av halvledaroxid förhindrar de dopande ämnena (26) att tränga in under dessa skikt; - ett dopningsförhindrande oxidskikt (27), vilket omger det dopningsförhindran- de nitridskiktet (25c), odlas över det första (7a) och det andra (liJa) omradet i det epitaxiella skiktet (2); - det dopningsförhindrande nitridskiktet (25c) bortetsas och positivt dopande ämnen (28) implanteras i det nämnda första aktiva delomradet över det första omradet (7a) i det epitaxiella skiktet (2) för att utgöra kollektor/emitter (B) hos den nämnda fälteffekttransistorn (FET) vilken är ansluten till den bipolära translatorn (BIP); - det dopningsförhindrande oxidskiktet (27) bortetsas och elektriskt ledande yttre anslutningar (33) anslutes dels till var och en av den nämnda kol- lektor/emittern, emittern (E), samt det första, negativt dopade omradet (7a) i det epitaxiella skiktet (2), dels till vart och ett av de bada aktiva delomradena över det andra positivt dopade omradet (10 a) i det epitaxiella skiktet (2) för att utgöra anslutningar till den komplementära fälteffekttransístorn.

3. Förfarande för att pa ett underlag av halviedarmaterial framställa en bipolär transistor vilket förfarande omfattar följande förfarandesteg: - pa underlaget, vilket är av enkristallint material, odlas ett epitaxiellt skikt av halvledarmaterialet; - det epitaxiella skiktet dopas till önskat djup och med önskad positiv eller negativ typ hos de dopande ämnena; - ett tjockt halvledaroxidskikt odlas pa det epitaxiella skiktet kring ett omrade, vilket är avsett att utgöra den nämnda transistorns aktiva omrade; - ytan av detta aktiva omrade oxideras till ett tunt oxidskikt; - ett skikt av kraftigt dopat, polykristallint halvledarmaterial deponeras över åtminstone en del av det aktiva omradet k ä n n e t e c k n a t därav att förfarandet ytterligare omfattar följande förfarandesteg: - delar av det polykristallina skiktet (20) bortetsas sa att av detta skikt aterstar öar (40a, 40b, 400) pa det aktiva omrâdet, vilka är belägna pa avstand fran det nämnda tjocka halvledaroxidskiktet (16) och är belägna pa avstand (D) fran varandra; - de aterstaende delarna av det aktiva omradet kring de nämnda öarna (IiÛa, 40b, 400) dopas svagt (LDD) med ämnen (lil) vilka är av motsatt typ mot 461 10 15 1D 15 428» lä dopningsämnena (6) för det epitaxiella skiktet (7a); - halvledaroxid deponeras i kantomraden (42a, lt2b) hos öarna (40a, àüb, 4012), varvid halvledaroxiden (42b) helt täcker det aktiva omradet (D) mellan öarna pa sadant sätt att det aktiva omradet uppdelas i ett första och ett andra aktivt delomrade; - det nämnda tunna oxidskiktet (19) bortetsas i de aktiva delomradena utanför kantornradena (42a, 42b) av halvledaroxid; - det andra av de aktiva delomradena, ytan mellan det nämnda tjocka halv- ledaroxidskiktet (16) och kantomradena (42a, 42b) av halvledaroxid pa ena sidan om de polykristallina öarna (40a, 40b, 4Uc), dopas med dopningsämnen (26) av samma typ som dopningsämnena (6) för det epitaxiella skiktet (7a) för att utgöra den bipolärar transistorns (BIP) emitter; - det första aktiva delomradet pa andra sidan om de polykristallina öarna (Åiüa, 4013, 40:) dopas med dopningsämnen (28) av motsatt typ mot dopningsämnena (6) för det epitaxiella skiktet (7a) för att utgöra kontaktomrade för den bipolära transistorns (BIP) bas; - det epitaxiella skiktet (7a), vilket utgör den bipolära transistorns (BIP) kollektor (K), det nämnda kontaktomradet för basen och emittern anslutes till varsin elektriskt ledande yttre anslutning (33).

4. Anordning med en bipolär transistor och en fälteffekttransistor framställd enligt förfarandet i patentkrav 1 omfattande ett underlag av enkristallint halvledarmaterial med ett epitaxiellt skikt av halvledarmaterialet, ett omrade i det epitaxiella skiktet vilket är dopat till önskat djup med dopningsämnen av enligt val positiv eller negativ typ, ett tjockt halvledaroxidskikt vilket omger transistorernas aktiva omrade, ett tunt skikt av halvledaroxid i det aktiva omradet pa vilket är beläget dels ett kraftigt dopat skikt av polykristallint halvledarmaterial som uppdelar det aktiva omradet i ett första och ett andra aktivt delomrade, dels ett kantomrade av halvledaroxid utmed kanter hos det polykristallina skiktet k ä n n e t e c k n a d därav - att svagt dopade omraden (p) sträcker sig i de bada aktiva delomradena i det epitaxiella skiktet (7a) fran undersidan av det nämnda kantomradet (23b) av halvledaroxid ned i det epitaxiella skiktet (7a) och ut till det tjocka halv- ledaroxidskiktet (16), varvid de svagt dopade omradena (p) har motsatt dopning- styp mot det epitaxiella skiktet (7a), - att det andra aktiva delomradet pa ena sidan om det polykrístallina skiktet 10 10 15 20 -' 461 428 15 2Ua, har vid sin övre yta ett omrade med samma dopningstyp (n+) som det epitaxiella skiktet (7a) mellan det nämnda kantomradet (23b) av halvledaroxid och det .tjocka halvledaroxidskiktet (16) och utgör den bipolära transistorns (BlP) emitter (E), - att det första aktiva delomradet pa andra sidan om det polykristallina skiktet (20a) har vid sin övre yta ett omrâde med motsatt dopningstyp (p+) mot det epitaxiella skiktet (7a) pa motsvarande sätt som det andra aktiva delomradet och utgör kollektor/emitter (B) hos fälteffekttransistorn (FET) och - att det epitaxiella skiktet (7a), vilket utgör den bipolära transistorns (BIP) kollektor (K), kollektor/emittern (B) och emittern (E) har varsin elektriskt ledande yttre anslutning (33).

5. Anordning med en bipolär transitor och en fälteffekttransistor vilka är anslutna till varandra samt en till denna fälteffekttransistor komplementär fälteffekttransistor framställd enligt förfarandet i patentkrav 2 omfattande ett underlag av enkristallint halvledarmaterial med ett epitaxiellt skikt av halv- ledarmaterialet, ett första omrade i det epitaxiella skiktet vilket är dopat till önskat djup med negativt dopande ämnen och ett intilliggande andra omrade i det epitaxiella skiktet vilket är dopats till önskat djup med positivt dopande ämnen, ett tjockt halvledaroxidskikt vilket omger var sitt aktivt omrade för transistorerna pa det första respektive det andra omradet i det expitaxiella skiktet, ett tunt skikt av halvledaroxid i de respektive aktiva områdena pa vilka är belägna dels var sitt skikt av kraftigt dopet polykristallint halvledarmaterial vilket uppdelar de aktiva områdena i var sitt första och andra aktivt delomrade, dels kantomràden av halvledaroxid utmed kanter hos de kraftigt dopade polykristallina skikten k ä n n e t e c k n a d därav - att, i de respektive aktiva områdena, svagt dopade områden (p) sträcker sig i de bada aktiva delomradena i det epitaxiella skiktet (7a, 1Ûa) fran undersidan av de nämnda kantomradena (23b) av halvledaroxid ned i det epitaxiella skiktet (7a, lÜa) och ut till det tjocka halvledaroxidskiktet (16), varvid de svagt dopade omradena (p) har motsatt dopningstyp mot det epitaxiella skiktet (7a, 10a), - att, i det aktiva omradet över det första omradet (7a) i det epitaxiella skiktet, det andra aktiva delomradet pa ena sidan om det polykristallina skiktet (20a) har vid sin övre yta ett omrade med samma dopningstyp (m) som det epitaxiella skiktet (7a) mellan det nämnda kantomradet (23b) av halvledaroxid och det tjocka halvledaroxidskiktet (16) och utgör den bipolära transistorns 461 _10 15 1D 15 428- 16 (BIP) emitter (E) och det första ktiva delomradet pa andra sidan om det polykristallina skitet (Züa) har vid sin övre yta ett omrade med motsatt dopningstyp (p+) mot det epitaxiella skiktet (7a) pa motsvarande sätt som det andra aktiva delomradet och utgör kollektor/emitter (B) hos fälteffekttransis- :om (FET), ' ' - att, i det aktiva omrâdet över det andra omrâdet (lüa) i det epitaxiella skiktet, de aktiva delomradena har vid sin respektive övre yta ett omrade med motsatt dopningstyp mot det epitaxiella skiktet (lUa) och utgör aktiva omraden hos den komplementäre fälteffekttransistorn, och - att det första omradet (7a) i det epitaxiella skiktet, vilket utgör den bipolära transistorns (BIP) kollektor (K), kollektor/emittern (B) och emittern (E) har var sin elektriskt ledande yttre anslutning (33) och de bada aktiva delomradena över det andra omradet (lüa) i det expitaxiella skiktet (2) har var sin elektriskt ledande yttre anslutning (33) och utgör anslutningar för den komplementâra fälteffekttransistorn.

6. Anordning med en bipolär translator framställd enligt förfarandet i patent- krav 3 omfattande ett underlag av enkristallint halvledarmaterial med ett epitaxiellt skikt av halvledarmaterialet, ett omrâde i det epitaxiella skiktet vilket är dopat till önskat djup med dopningsämnen av enligt val positiv eller negativ typ, ett tjockt halvledaroxidskikt vilket omger transistorns aktiva omrade och ett tunt skikt av halvledaroxid i det aktiva omradet pa vilket är beläget skikt av kraftigt dopat polykristallint halvledarmaterial som täcker atminstone en del av det aktiva omradet k ä n n e t e c k n a d därav - att det polykristallina skiktet (20) är uppdelat i öar (llüa, 40b, 40c) pa det aktiva omradet, vilka är belägna pa avstand fran det nämnda tjocka halvledar- oxidskiktet (16) och är belägna pa avstand (D) fran varandra, - att öarna (lilla, 40b, 40:) har kantomraden (42a, 42b) av halvledaroxid, varvid kantomradena (lI-Zb) helt täcker det aktiva omradet (D) mellan öarna pa sadant sätt att det aktiva omradet är uppdelat i ett första och ett andra aktivt delomrade, - att det nämnda tunna skiktet av halvledaroxid (19) sträcker sig under öarna (llüa, 40b, llüc) och under kantomradena (42a, 42b), 10 15 - 4'e1 428 17 - att ett svagt dopat omrâde (p) sträcker sig ned i det eptaxiella skiktet (7a) fran undersidan av de nämnda kantomradena (42a, l12b) av halvledaroxid och ut till det tjocka halvledaroxídskiktet (16), varvid det svagt dopade omradet (p) har motsatt dopningstyp mot det epitaxiella skiktet (7a), - att det andra av de aktiva delomradena, ytan mellan det nämnda tjocka halvledaroxidskiktet (16) och kantomradena (42a, âZb) av halvledaroxid på ena sidan om de polykristallina öarna (QDa, lzUb, äUc), är starkt dopat med dopningsärnnen (26) av samma typ som dopningsämnena (6) för det eptiaxiella skiktet (7a) och utgör den bipolära transistorns (BIP) emitter, - att det första aktiva delomradet pà andra sidan om de polykristallina öarna (4Da, læüb, 4012) är starkt dopat med dopningsämnen (28) av motsatt typ mot dopningsämnena (6) i det epitaxiella skiktet (7a) och utgör kontaktomràde för den bipolära transistorns (BIP) bas och - att det epitaxiella skiktet (7a), vilket utgör den bipolära transistorns (BlP) kollektor (K), det nämnda kontaktomkradet för basen samt emittern är anslutna till varsin elektriskt ledande yttre anslutning (33).