JPS5870688A - 二次元半導体画像センサおよびその駆動方法 - Google Patents

二次元半導体画像センサおよびその駆動方法

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JPS5870688A
JPS5870688A JP57165961A JP16596182A JPS5870688A JP S5870688 A JPS5870688 A JP S5870688A JP 57165961 A JP57165961 A JP 57165961A JP 16596182 A JP16596182 A JP 16596182A JP S5870688 A JPS5870688 A JP S5870688A
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row
terminal
image sensor
sensor
pulse
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JP57165961A
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ハンスイエルク・プフライデラ−
ハイナ−・ヘルプスト
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Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
Original Assignee
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50Control of the SSIS exposure
    • H04N25/53Control of the integration time
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体基板上にセンサ素子が行と列(−配置
され、一つの垂直シフトレジスタの並列出力端を通して
制御可能の行導体がセンサ素子の〕ど択に使用され、選
択されたセンサ素子の出力端は列導体に結合され、列導
体上を並列に伝送されるセンサ素子の信号を順次に読み
出すセンサ出力端が設けられている二次元半導体画像セ
ンサK t;jする。
この棟の画像センサの一例は文献(IEEEJourn
al of 5olid −’5tate C1rcu
its、  5C−15[4,)、  A、ugust
 1980.  P 、 747−752 )に記載さ
れ公知である。この発明の目的はこの種の画イヲセンサ
においてセンサ素子の積分時間を制御又は調整可能にす
ることである。この目的は特許請求の範囲第1項に特徴
として挙けた構成とすることによって達成される。
この発明によって得られる利点はセンサ素子の積分時間
が広い範囲に亘って小さいスデツブをもって変えること
ができることにより画像センサの精確な’dii制御又
は調整が可能となることである。
この発明の有利な実施形態は特許請求の範囲第2項以下
に示されている。
図面を参照してこの発明を更に詳細に説明する。
第1図にフォトダイオードから成るセンナ素子が行と列
に配置され半導体基板に集積されているこの発明によ木
二次元半導体画像センサの原理的結線図を示す。最下の
第−行に属するフォトダイオードはDll乃至Dlmと
して示され、これらの7万トダイオードに直列に選択ト
ランジスタTjl乃至’1) 1 mの開閉区間が接続
されそのゲートは共通の行導体L1に結ばれている。行
導体L1は行芝択トランジスタZT1の開閉区間を通し
て端子1に結ばれ、この端子に一定電圧、■DDが加え
られる。トランジスタZTIのゲートは別の行選択トラ
ンジスタZ、、、T1′の開閉区間を通して一つの垂直
/7トレジスタVAの並列出力端の一つA1に結4−r
れている。このシフトレジスタVAは信号入力’s偏2
とクロックパルス入力端3および4を備えている。行導
体L】は更にリセット・トランジスタH,’l” 1の
開閉区間を通して規準電位に置かれた接続点4aに結ば
れている。トランジスタRT1のゲートは電圧UltR
が加えられる端子5に結ばれている。その他のフォトダ
イオードと選択トランジスタも同様にして行導体L2乃
至Lzに配属され、これらの行導体は行選択トランジス
タZT2乃至ZTzを通して同じく端子1に結ばれてい
る。トランジスタZ ’II’ 2乃至ZTzのゲート
は別の行選択トランジスタZ’、[’2’乃至ZTh’
の開閉区間を通して/フトレンスタVAの並列出力端A
2乃至A−zK結ばれている。更にリセットトランジス
タR’J”2乃至RTzが行導体L2乃至Lzに配属さ
れそのゲートが端子1に結ばれる。
一つの列を形成するフオイタ“イオードに所属する選択
トランジスタTll乃至TZxは一つの共通列導体SP
Iに接続され、この列導体は列選択トランジスタSTI
を通して読出し線ALに結ばれる。トランジスタS T
 1のゲートは水平シフトレジスタHの並列出力端の一
つHlに結ばれている。別の列に設けられた選択トラン
ジスタ例えばTzmも同様にして列導体例えばSPmに
結ばれ、所属列選択トランジスタ例えばSTmを通して
読出し線ALに結ばれる。この選択トランジスタのゲー
トは水平シフトレジスタHの別の並列出力端例えばHm
に接続されている。シフトレジスタHは信号入力端6と
クロックパルス入力端7および8を備える。読出し線A
Lは抵抗Rとそれに直列に接続された電源UAを通して
規準電位に置かれた接続点9に結ばれる。抵抗Rはトラ
ンジスタへの開閉区間に並列に接続され、このトランジ
スタのゲートはクロックパルスφVが導かれる端子10
に結ばれ℃いる。ALとRの結合点は同時にセンサの出
力端Aとなっている。
奇数番号の行導体例えばLl、L3等に所属する第2の
行選択トランジスタZT+’、ZT3’等のゲートは共
通の端子11Uに結ばれている。他方偶数番号の行導体
に属する行選択トランジスタ例えばZT2’およびZT
z’は別の共通端子1[)に結ばれる。最後に列選択ト
ランジスタST1乃至SS’l’mのゲートはスイッチ
ングトランジスタTVI乃至Thmの開閉区間を通して
クロックパルスφVが導かれる端子15に結ばれ、トラ
ンジスタTvl乃至Tvmのゲートは同じくクロックパ
ルスφVがシフトレジスタVAとHは例えば2相式ダイ
ナミック・シフトレジスタとして構成される。VAの信
号入力端2には電圧PAが導かれ、入力端3と4にはク
ロックパルス電圧φA1とφA2が導かれる。他方シフ
トレジスタHの信号入力端6には電圧PHが導かれ、入
力端7と8にはクロックパルス電圧φH1とφH2が導
かれる。接続端11Uと11Gにはそれぞれクロックパ
ルス電圧TUおよびTGが加えられる。
上記の各電圧とクロックパルス電圧の時間経過を第2図
に示す。シフトレジスタVAの信号入力端2にクロック
パルスφA1と時間的に一致するパルス電圧PA(この
電圧は第2図に17とに示され例えば論理″1#を表わ
す)を導くと出力端Alには次のクロックパルスφA2
と時間的に一致して18とに示されているパルスFAI
が現われる。このパルスおよび同時に発生するクロック
パルスTUによシ行導体L1は導通状態のトランジスタ
ZTlを通して電圧VDDが加えられている端子lに結
ばれ、選択トランジスタTll乃至、T1mの総てが導
通状態6なシ、センサ素子Dll乃至Dimが光照射さ
れ2そこに集められた電荷が対応する列導体(SPI乃
至SPm)に送られる。これに続く一つの期間中(Hの
並列出力端Hl乃至HmにパルスPH1乃至PHmが急
速パルス列として発生する。このパルス列は入力端6に
導かれている論理’1”を表わすパルスPHからクロッ
クパルスφH1とφH2を使用して導出されたもので、
列選択トランジスタSTI乃至STmはこれによって順
次に短時間導通状態となる。列導体に送られた電荷は順
次に読出し線ALを通して抵抗Rに送られ、出力端Aに
はそれに対、応する電圧が現われる。この電圧はセンサ
信号・uBの行Dll乃至D1mK対応する部分を構成
する。第2図に19として示したパルス電圧URRによ
り行導体L1はリセット・トランジスタRT1を通して
規準電位に接続され、Tll乃至Tlntl:再び唄止
状態となる。クロックパルスφA1の開始からクロック
パルスTUの終結までの期間は第2図に水平帰線期間H
ALIとに示されφA1の開始からPIgの終結までの
時間間隔は行継続時間tzlとに示されている。
第2図に20として示されている次のクロックパルスφ
A2により出力端A2にパルスPA2が現われ、このパ
ルスとクロックパルスTGとKよって行導体L2に所属
する総てのフォトダイオードが選出されその電荷がそれ
ぞれの列導体SPl乃至SPmに送られる。パルスPH
1乃至PHmから成るパルス列21によってこれらの電
荷が順次に読み出され、端子Aにセンサ信号usの別の
部分が現われる。この読出し過程は最後に期間tzz内
にパルスPAZと同時にクロックパルスTGが端子11
Gに現われ行導体Lzに接続されているフォトダイオー
ドが/: k 7 PH1乃至り廂のパルス列21aに
よってセンサ信号時sの一部として読出されるまで行毎
に繰シ返される。期間〜2の後に垂直帰線期間VALと
して示されている時間が続き、HAL 1の開始からV
ALの終結までの時間が画像時間71BD1どなる。こ
の後に続く画像時間BD2ではまず水平帰線期間HAL
 1 ’があシ、この期間内にフォトダイオードDll
乃至D1mから列導体への次の電荷送り込みが行なわれ
る。
上記の説明によれば行導体L1に接続されたフォトダイ
オードDll乃至Dimはリセットパルス19の開始時
からパルスPAI/l、α終結時までに相当する積分時
間を持つことになる。しかしこのシフトレジスタVAの
入力端2にクロックパルスφA1と時間的に一致するパ
ルスPA(このパルスは例えば論理61”を表わすもの
で第2図に22として示されている)が導かれると次の
クロックパルスφA2によシ端子A1にパルスPA1が
現われ、クロックパルスTUと協動して行導体L1にz
Tlと端子1を通して再び電圧■DDを印加する。それ
までの時間内にDll乃至Dlmに集められた電荷はこ
れによって列導体SPI乃至SPmに送られる。
第2図に24として示したりaツクパルスφVはTvl
乃至−およびSTt乃至STmを導電状態に接続し、R
をTVによってバイパスするからこれらの電荷は同時に
電圧UAにリセットされたセンサ出力端Aにも送られ出
力信号uBを作ることなく消滅する。この期間II(A
LZ中にパルス22の作用によって行われた電荷の消滅
はパルス24およびそれと同時に発生したパルスTUに
斜線を引くことによって暗示されている。偶数番号の帰
線期間HAL2乃至HAL(2N)の経過中に最後が2
7で示されている全体でN個のパルスPAが■AK書き
込まれるとパルス19の開始後にDll乃至Dlmに光
作用で集められた電荷が再び消滅する。この消滅はそれ
ぞれ水平帰線期間HAL2乃至HAL (2N )中に
起る。帰線期間HAL(2N)中にパルスTUが終結し
てからパルスFAI’が終結するまでの時間内にDll
乃至Dimに光照射に関係する乱されなシミ荷が集まシ
、この電荷はパルスFAI’が到着すると列導体SPl
乃至8Pmに移され、続いて新しいセンサ信号1u s
の一部として読み出される。これによってフォトダイオ
ードDll乃至D1mにはHAL(2N)中に生じたパ
ルスTU(これは第2図に28として示されている)の
終結からPAL’の終結までの積分時間が与えられる。
パルス18の終結からパルス28の終結までの時間はリ
セット時間tRと呼ばれこの時間中江上記のフォトダイ
オードの電荷が繰り返し消去される。
このようにして行導体L1に接続されたフォトダイオー
ドの積分時間の長さを時間間隔BDI中に発生するパル
スPAの個数Nによって決めあるいは制御することが可
能となる。Nが大きい程tRも大きくなり積分時間tI
はそれに対応して短くなる。パルスPAはシフトレジス
タVA内を歩動的に進むから他の行導線L2乃至Lzに
接続されたフォトダイオードも同様に制御されそれぞれ
一つの行走査時間だけずれて対応するリセット時間と積
分時間が与えられ、それらはBDIに対応するπつの期
間を構成する。原理的には総てのセンサ素子の積分時間
を0から画像継続時間例えばBDIまでの間で二倍行走
査時間例えばtZl + tz2に対応するステップを
もって変化させることができる。
画像センサ上の照射強度Eが異る場合にも人には常に平
均振幅が一定でちるセンサ信号が現われるようにするた
めにはパルス数Nをその時のEの値に関係して選定しな
ければならない。行の総数2が偶数であり行走査時間を
tzとするとリセット時間tBは垂直帰線期間VALを
無視してt、=(zN−1)−tz        (
1)で与えられ、積分時間tIは t =[z−(2N−x))tz     (2)■ で与えられる。画像センサ信号の平均振幅’uBはEと
tIに比例し U8= C,°E ” ”I           (
3)で与えられる。C1は定数である。u8が一定であ
るためには第二の定数C2を使用して tl・E=へ            (4)でなけれ
ばならない。関係式(3)、 (4)から3 2N−1=Z−百 が導かれる。C3は第三の定数である。
センサ信号の平均振幅dsを画像センサの光照弾強度E
に無関係に一定に保持する制御装置を第3図に示す。こ
の装置の主要部はコンパレータ26、逆進カウンタ30
および前進カウンタ31である。凸ンパレータ29の第
一入力端には参照電圧■几が印加され、第二人力端は緩
衝増幅器32の出力端と結ばれている。この増幅器の入
力−一一端はフォトダイオード33の一極に結ばれ、こ
のフォトダイオードには電圧VDDに接続された端子3
4を通して逆バイアスが加えられている。緩衝消1−器
32とフォトダイオード33の結合点ESTSは一方で
は容量Cに結ばれ他方ではトランジスタTrの開閉区間
を通して回路の基準電位に接続されている。コンパレー
タ29の出力端はRSフリップフロップFFのS入力端
に結ばれ、このフリラグフロッグの出力端QはOR回路
35の第一入力端に結ばれている。OR回路35の出力
端はトランジスタTrのゲートに接続され、その第二の
入力端は画像周波数パルス37が導かれる端子36に結
ばれている。このパルスは常に垂直帰線期間VAL(第
2図)中に発生する。端子36は更にFFのR入力端に
結ばれ、又二つのインバータ38と39の直列接続を通
してカウンタ30のセット入力端40に結ばれている。
FPのQ出力端はカウンタ30のエネイブル入力端40
aに接」」きた5゜カウンタ30はその入力端41の一
つを通して画像センサの行数2に調節することができる
。そのカウント入力端42は行周波数パルス44が導か
れる端子43に結ばれている。これらのパルスはそれぞ
れ水平帰線期間(HALIその他)中に生ずる。逆進カ
ウンタのカウント状態は導線45を通して前進カウンタ
31の入力端46に伝えることができる。カウンタ31
はカウント入力端47を備え端子43に結ばれている。
カウント状隼伝送用の出力端48はインバータ49を通
してAND回路50aの第一入力端50に導かれ、この
回路の出力端50bは制御回路STSの出力端となって
いる。インバータ49の出力端は前進カウンタ31のエ
ネイブル入力端51に結ばれる。
回路50aの第二人力端はクロックパルス発生器50C
と結ばれ、このりρツクパルス発生器ハパルス37によ
ってトリガされてパルス22で始まるクロックパル22
人を送り出す。このパルスは第2図に示すように常に帰
線期間HAL2. HAL4等の開始時に置かれている
。各垂直帰線期間Wuにおいて容量Cは回路35を通し
てトランジスタTrを導通状態にするパルス37によっ
て規準電位に戻される。フォトダイオード33を画像セ
ンサをも照射する光ビーム33aで照射するとフォトダ
イオードの光照射隼度Eに比例する電流Iが流れ、容量
Cを充電してその電FEVcが上昇す□る。
−コンパレータ29の下の入力端に導かれる電圧Vcが
、と−入力端の電圧■Bよシも高くなるとコンパレータ
29の出力端は論理“0”から論理”1″に切り換えら
れる。容1cのリセット即チパ/l/ス37の発生から
コンパレータ29の切シ換えまでの時間t9♂次の式: で与えられる。C1とC6は定数である。(4)と(6
)を比較するとtuとtiが共に照射強度Eに逆比例す
ることが分る。コンパレータ29が論理“1#を送シ出
すとFFが操作され端子Qが論理Oから論理″1″に切
シ換えられ、回路35を通してトランジスタTrを導通
させ容量Cを放電させる。同時にそれまで論理@1”が
入れられていたカウンタ30のエネイブル端子40aが
′0#に切ぬ換えられ、始めパルス37によって設定数
2に置かれ後から到着した行周波数パルス44を数えた
カウンタ30がそのまま保持される。ここで30が到達
した計数状態zaoは次式: %式%(7) で与えられる。計数状態230は次の垂直帰線期間の開
始時に前進カウンタ31の操作端子31aに導かれるパ
ルス37によシその入力端46に導がれる。カウンタ3
1は到着した石川波数パルス44の故をOから始めて受
取った計数状態230に達するまで数える。この計数過
程中カウンタ31の出力端48は論理t′o”に置かれ
、それによってAND回路5aが開かれ50Cから与え
られたクロックパルスPAはパルス22を最初にして8
TSの出力端50bから送シ出される。カウンタ31が
46を通して与えられた計数状態■3oに到達すると4
8を通して論理11mが送り出され、49において処理
された後一方では回路50aを阻止し、他方ではカウン
タ31を自身の入力端51においてブロックする。最後
の計算過程の継続時間はりセット時間1Rに対応する。
次の垂直帰線期間VAL中にカウンタ31はパルス37
によって再び0に戻される。カウンタ31の計数過程に
無関係に逆進カウンタ30も動作し次の画像継続時間B
D−に対するリセット時間を決定する。
第3図の回路の一部を変更した回路を第4図に示す。こ
の回路ではセンサ信号ILIsの平均振幅を規定値[J
sollに調整することができる。そのためには第3図
に示した制御回路STSの入力端ESTSを一つのトラ
ンジスタTriのソース會ドレン区間と高抵抗R1を通
して電圧VDDが印加される端子52に結ぶ、抵抗R1
はトランジスタTrが内部抵抗の高い可制御電源として
機能するようにするためのものである。Triのゲート
は差動増幅器53の出力端に結ばれ、この増幅器の負側
の入力端には規定電圧Uso、llが印加され、正側の
入力端は抵抗R2を通してセンサ出力端子Aに結ばれて
いる。更に53の正入力端は容量CIを通して回路の規
準電位に接続される。
第4図の回路において容量C1と抵抗R2が構成する低
域フィルタによシセンサ信号の多数の画像時間に亘りた
平均値が作られる。この平均値は差動増幅器53におい
て規定電圧値Uso l Iと比較され、その差が定電
流源として接続されているトランジスタTriの電流量
1を制御する。この電流18は第3図のフォトダイオー
ド33の電流iに対応する。制御回路8TSのその他の
機能は既に第3図について説明した通シである。第4図
の回路によりセンサ信号の平均値は調整偏差限度をもつ
で規準値Usollに等しくされ、センサ信号は極めて
精確にコントロールされる。
この発明による半導体画像センサを電子カメラに使用し
たときの結線図を第5図に示す。第1図による画像セン
サは集積半導体回路54として対物レンズ56を備える
電子カメラ55の画像面に置かれる。この画像センサが
必要とする電圧とクロックパルスは経過制御装置58か
ら導lIM57を通して供給され、センサ信号は出力端
Aを通して回路59に伝えられ石用波パルスと画像周波
パルスを含むビデオ信号に変えられる。このビデオ信号
は出力端60からビデオレコーダ又はテレビジョン装置
61に送られる。制御回路STSの前には第3図に示し
たフォトダイオード33が接続され補助光学系62を通
して光照射される。更に制御回路S’l’Sの入力端E
STSは第4図について説明したように出力端Aと結ぶ
ことができるがこれは第5図に破線をもって暗示されて
いる。制御回路の出力端50bから送シ出されたパルス
PAは導線63と経過制御装置58を通して画像センサ
54に導かれ、回路STSの動作に必要なパルス37お
よび44は経過制御装置58内で作られ導線64を通し
て制御回路S’I’8に送られる。
電子カメラ55はムービーカメラであってもステイール
カメラであってもよいが後者の場合にはセンサ信号u5
の詩聖回路に対して時間スイッチ65をその出力端60
の後に挿入してカメラが特定の対象に向けられたとき最
初に起る過渡振動が消滅したとき始めてビデオ信号の送
り出しが可能になるようにすると効果的である。第5図
において画像センサ54のセンサ素子の積分時間を制御
−又は調整することは従来電子カメラで行われていた機
械的又は電気機械的の絞りの操作等による露出制御の代
シとなるものである。
画像継続時間例えばBDIはテレビジョン規格に従い2
0m5とするのが合理的である。この場合水平帰線期間
例えばI(ALIは12μSとなシ行時間例えばtzl
は64μsとなり垂直帰線期間例えば■AL1は約12
m5となる。
センサ素子としてはフォトダイオードD11等の外にC
IDセンサ素子も使用することができる。
この素子は並べて設けられた一対のMISコンデンサか
ら構成され、一方のコンデンサの外側電極が行導体に、
他方のコンデンサの外側電極が列導体に接続される。C
IDセンサ素子を使用する画像センサの一例は文献(I
EEE Journal of 5olidState
  C1rcuits、  5C−11,Feb、19
76. P。
121−128)に記載されている。この例ではリセッ
ト時間槓中にセンサ素子内に集められた電荷を消去する
ためには列導体と同時に対応する行導体も回路の基準電
位に戻すことが必要である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明による二次元半導体画像センサの原理
的構成を示す結線図、 第2図は第1図の回路に加えられる電圧時間ダイヤグラ
ム、 第3図は第1図の回路に追加される制御回路の結線図、 第4図は第1図と第3図の回路に加えて完結した制御回
路とする補助回路の結線図、 第5図はこの発明の半導体画像センサが使用されている
電子カメラの構成を示す結線図である。 第1図においてH:水平シフトレジスタ、VA:垂直シ
フトレジスタ、Ll乃至Lz:行導体、SPI乃至SP
m:列導体、ZTI乃至ZTz:行選択トランジスタ、
STI乃至STm:列選択トランジスタ、Dll乃至D
lm:フォトダイオード、T11乃至’f l tn 
:フオトダイオード選択トランジスタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)ドープされた半導体板上に行列配置されたセンサ素
    子を含み、一つの垂直シフトレジスフの並列出力端を通
    して制御される行導体がセンサ素子の選択に使用され、
    センサ素子の出力端は選択された状態において列導体に
    結合され、列導体上を並列に伝送されるセンサ素子信号
    の111次読み出しのためのセンサ出力端子が設けられ
    ている画像センサにおいて、行導体(Ll、・・・、 
    Lz )が第一行選択トランジスタ(ZTl、  ・・
    ・、ZTz)を通して、充電圧印加端子(1)に結ばれ
    ること、第一行選択トランジスタの制御端子が第二行選
    択トランジスタ(ZTl’、・・・、  ZT2’)を
    通して垂直シフトレジスタ(VA)の並列出力端(AY
    ;。 ・・・、Az)に結ばれること、その際この第二行選択
    トランジスタは総ての奇数番目の行(Ll。 L3.  ・・・)の第一選択トランジスタ(Z T 
    ]、。 ZT 3.  ・・・)が交替する順序をもって総ての
    偶数番目の行(L2.  L4. ・・・)の第一行選
    択トランジスタ(ZT2.ZT4.・・・)と共にそれ
    らの制御端子を通して垂直シフトレジスタの対応する並
    列出力端に接続されるように制御されること、総ての列
    導体(SPI。 ・・・、SPm)が同時に定電圧印加の接続点(IUに
    接続可能であることを特徴とする二6半導体画像センサ
    。 2)行導体(Ll、  ・・・、l、z)がリセットト
    ランジスタ(RTI、・・・RTz)を通して規準電位
    に置かれた接続点(4a)に結ばれていることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の二次元半導体画像セン
    サ。 3)列導体が列選択トランジスタ(STI、  ・・・
    8Tm)を通してセンサ出力端(8)に導く読出し線(
    AL)に結ばれ、列選択トランジスタの制御端子は一つ
    の水平シフトレジスタ(10の並列出力端に結ばれてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記
    載の二次元半導体画像センサ。 4)列選択トランジスタ(STI、 ・・・、STm)
    の制御端子がスイッチングトランジスタ(Trl。 ・・・T r m )の開閉区間を通してクロックパル
    ス(φV)が印加される端子(15)に結ばれているこ
    と、スイッチングトランジスタの制御端子がクロックパ
    ルスが印加ジれる別の端子(16)に結ばれていること
    を特徴とする特許請求の範囲第3項記載の二次元半導体
    画像センサ。 5)センサ出力端(A)が抵抗(R)を通して電圧源(
    K A ) K接続されていることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項乃至第4項の一つに記載の二次元半導体
    画像センサ。 6)抵抗(R)がクロックパルスで制御される一つのト
    ランジスタの開閉区間によってバイパスされることを特
    徴とする特許請求の範囲第5項記載の二次元半導体画像
    センサ。 7)光電変換器(33)特にフォトダイオードの後に接
    続されているコンデンサ(C)が一つのコンパレータ(
    29)の第一入力端に結ハれ、その第二人力端には参照
    電圧(V、、)が加えられていること、コンパレータの
    出力端は一つの7リノプフロツプ(F F )を通して
    画像センサの行の全数Zに対して設定可能の逆進カウン
    タ(30)のエネイブル端子(40a)に結ばれている
    こと、逆進カウンタの計数状態を移すことができる前進
    カウンタ(31)が設けられていること、両カウンタ(
    30゜31)が行用波数のクロックパルス(44)用の
    入力端を備えていること、前進カウンタの出力端(48
    )がインバータ(49)を辿して一つのAND回路(5
    0a)の第一入力端(50)に結ばれ、その第二人力端
    はクロックパルス電源(SOC,、)に接続されている
    こと、A N 1)回路の出力端(50b)が垂直シフ
    トレジスタの一つの信号入力端に結ばれていることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項乃至第6項の一つに記載
    の二次元半導体画像セ/す。 8)センサ出力端(A)がRC回路(R2,CI)を通
    して差動増幅器(53)の一つの入力端に結ばれ、その
    第二の入力端にはセンナ信号の平均値の規定値に対応す
    る電圧(Usoll)が導かれること、差動増幅器の後
    にはその出力電圧によって制御される内部抵抗の高い電
    源(Tr+)が接続され、光電変換器(33)に代って
    コンパレータ(29)の入力端に結ばれたコンデンサ(
    C)を充電することを特徴とする特許請求の範囲第7項
    記載の二次元半導体画像センサ。 9)各センサ索子において、光学的に作られた読み川す
    警bセンサ素子の奇数行(又は偶数行)が選択された後
    次に伏くN個の偶数行(又は奇数行)のセンサ索子の信
    号の伝送に決めら才した時間内にそれぞれの奇数行(又
    は偶数行)が新たに選択され、この選択が上記の時間内
    に行なわれるN個の偶数行(又は奇数行)のセンサ索子
    の信号の伝送に対して時間をずらして実施されること、
    この最後の選択が今考えている全数行(又は偶数行)の
    センサ素子内に集めちれた光発生電荷の読出しと除去の
    ために実施をれ、続く該当行の読み出し規定する積分時
    間がその間に光発生した電荷のN回目の除去が終った後
    に始めて開始てれることを特徴とする二次元半導体画像
    センサの駆動方法。 10)中間時間中に光発生した電荷の除去に必要な行導
    体の選択が垂直シフトレジスタの並タ;j出力端を通し
    て行なわれ、このシフトレジスタの信号入力端にはこの
    目的でN個のパルスからなるパルス列が導かれ、このパ
    ルス列のパルス間隔は垂直シフトレジスタに導かれるク
    ロックパルスの倍周期に対応することを特徴とする特許
    請求の範囲第9項記載の方法。 】1)電荷除去用の選択回数Nが二次元画像セ/すの光
    照射強度に関係してセ/す信号の平均振幅が一定となる
    ように選定されることを特徴とする特許請求の範囲第9
    項記載の方法。 12)センサ信号の平均値を求め、この平均値と予め定
    められた規定値の間の偏差を利用して電荷除去用の選択
    回数をこの偏差ができるだけ小さくなるよって選ぶこと
    を特徴とする特許請求の範囲第9項記載の方法。
JP57165961A 1981-09-25 1982-09-22 二次元半導体画像センサおよびその駆動方法 Pending JPS5870688A (ja)

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