JPS5928772A - 固体撮像装置の駆動方法 - Google Patents
固体撮像装置の駆動方法Info
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- JPS5928772A JPS5928772A JP57139341A JP13934182A JPS5928772A JP S5928772 A JPS5928772 A JP S5928772A JP 57139341 A JP57139341 A JP 57139341A JP 13934182 A JP13934182 A JP 13934182A JP S5928772 A JPS5928772 A JP S5928772A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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- H04N25/587—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired sequentially, e.g. using the combination of odd and even image fields
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本弛明は、固体IM fオ装置の駆Nib方法、特に先
に本出願人が提案した固体撮像装置において、その受光
部としてPN接合型センサを用いた場合にも残像を出来
るだけ減少させるようにした駆動方法に関する。
に本出願人が提案した固体撮像装置において、その受光
部としてPN接合型センサを用いた場合にも残像を出来
るだけ減少させるようにした駆動方法に関する。
固体撮像装置においては、その受光部として短波長の感
度が良いPN接合型センサを用いる場合、残像が発生し
、固体撮像装置としての%徴が損うことが知られている
。従来PN接合型セン?な使用して残像を発生させない
ようにするには、センサ領域を完全に壁之化して読み出
す方法が知られている。しかし5表面近傍を空乏化する
ことは、5t−8i02界面準位による暗電流が増加す
ることや。
度が良いPN接合型センサを用いる場合、残像が発生し
、固体撮像装置としての%徴が損うことが知られている
。従来PN接合型セン?な使用して残像を発生させない
ようにするには、センサ領域を完全に壁之化して読み出
す方法が知られている。しかし5表面近傍を空乏化する
ことは、5t−8i02界面準位による暗電流が増加す
ることや。
酸化膜中及び膜上のび遊゛m荷の影響を受けやすく、信
頼性に問題があった。又、それを抑制するために表面の
浅い領域をホール(Nチャンネルの場合)で’L’lh
旨こして安定化することも報告されているが、知波長の
感度を低下させることも光分考慮する必委がある。
頼性に問題があった。又、それを抑制するために表面の
浅い領域をホール(Nチャンネルの場合)で’L’lh
旨こして安定化することも報告されているが、知波長の
感度を低下させることも光分考慮する必委がある。
上記提案の固体撮像装置において、受光部としてPNf
i合型センツーを用いた場合の残像が発生する原因の一
つには、読み出しゲート部のチャンネル長が短がい場合
(2〜3μm以下)、所謂ショートチャンネル変調に起
因することが考えられる。
i合型センツーを用いた場合の残像が発生する原因の一
つには、読み出しゲート部のチャンネル長が短がい場合
(2〜3μm以下)、所謂ショートチャンネル変調に起
因することが考えられる。
1尺に、読み出しゲート部のチャンネル長が短かい場合
の残像発生の機1’:Iについて述るも、まず上記固体
撮像装置の概要について説明する。
の残像発生の機1’:Iについて述るも、まず上記固体
撮像装置の概要について説明する。
この固体撮像装置は、狗′↓1図に示すよ5 K *
(Wr転送装置α例えばCCD構成による複数列の垂直
シフトレジスタ(])の群及びこれら各垂直シフトレジ
スタ(1)間にあって′I′Ii荀の蓄積可能な光If
変換部u1ノち各絵素にダ」応する受光部(2)を自す
る感光領域(3)と、感光領域(3)の各垂直シフトレ
ジスタHの一端に電気的に結合されたIi’fJ様のC
CDJf&成による垂直シフトレジスタ(4)の群から
なる記憶部(5)と、この記憶g++ (!5+に結合
された同様にCOD 4g成による水平シフトレジスタ
(6)とを備えて成るU感光領域(3)においては各受
光部(2)の−側即ち対lもする垂直シフトレジスタ(
11(tillに受光部(2)からの信号電荷な垂直/
フトレジスタ(1)へ転送するためのi=hみ11」シ
ゲート部(7)が形成され、また各受光部(2)の曲1
1111にオーバーフローコントロールゲート部(8)
を介してオーバーフロードレイ/領域(9)が1ヒ成さ
れる。チャンイ・ルストップ領域OQは各垂直う・イン
間及び各受光部(2)間を分離するように形成される。
(Wr転送装置α例えばCCD構成による複数列の垂直
シフトレジスタ(])の群及びこれら各垂直シフトレジ
スタ(1)間にあって′I′Ii荀の蓄積可能な光If
変換部u1ノち各絵素にダ」応する受光部(2)を自す
る感光領域(3)と、感光領域(3)の各垂直シフトレ
ジスタHの一端に電気的に結合されたIi’fJ様のC
CDJf&成による垂直シフトレジスタ(4)の群から
なる記憶部(5)と、この記憶g++ (!5+に結合
された同様にCOD 4g成による水平シフトレジスタ
(6)とを備えて成るU感光領域(3)においては各受
光部(2)の−側即ち対lもする垂直シフトレジスタ(
11(tillに受光部(2)からの信号電荷な垂直/
フトレジスタ(1)へ転送するためのi=hみ11」シ
ゲート部(7)が形成され、また各受光部(2)の曲1
1111にオーバーフローコントロールゲート部(8)
を介してオーバーフロードレイ/領域(9)が1ヒ成さ
れる。チャンイ・ルストップ領域OQは各垂直う・イン
間及び各受光部(2)間を分離するように形成される。
受光部(2)以外の各部分に全て遮光が施される。第2
図A(第1図のA−A線上の断面に相当する)は受光H
+s (2)の信号電荷を垂直シフトレジスタ(1)に
転送する部分の具体的構造の一例を示す。これは例えば
P形の半導体基体αυの主面にN+形領領域0を形成し
てPN接げ型の受光部(2)が形成され、この受光部(
2)に隣り合ってN影領域α3を形成して所謂埋込みチ
ャンネル型となした垂直シフトレジスタ(1)が設けら
れ、垂直シフトレジスタ(1)は基体αυ上の絶縁j模
圓を介して例えば2相駆動の転送電極0ωが祖着される
。
図A(第1図のA−A線上の断面に相当する)は受光H
+s (2)の信号電荷を垂直シフトレジスタ(1)に
転送する部分の具体的構造の一例を示す。これは例えば
P形の半導体基体αυの主面にN+形領領域0を形成し
てPN接げ型の受光部(2)が形成され、この受光部(
2)に隣り合ってN影領域α3を形成して所謂埋込みチ
ャンネル型となした垂直シフトレジスタ(1)が設けら
れ、垂直シフトレジスタ(1)は基体αυ上の絶縁j模
圓を介して例えば2相駆動の転送電極0ωが祖着される
。
この転送電極Q51は受光部(2)と垂直シフトレジス
タ(1)間のルノ”じみ出しゲート部(7)上に延長さ
れる。受光部(2) (1) fli+ ’[1111
ニm’するオーバーフローコントロールゲート部(8)
は基体(1υ上に絶縁膜−を介してコントロールゲート
電極(161が被着されて構成され、このオーバーフロ
ーコントロールゲート部+8)に接してN+形領領域1
71によるオーバーフロードレイン領域(9)が形成さ
れる。チャンネルストップ領域α@はP+ル領域にて形
成される。
タ(1)間のルノ”じみ出しゲート部(7)上に延長さ
れる。受光部(2) (1) fli+ ’[1111
ニm’するオーバーフローコントロールゲート部(8)
は基体(1υ上に絶縁膜−を介してコントロールゲート
電極(161が被着されて構成され、このオーバーフロ
ーコントロールゲート部+8)に接してN+形領領域1
71によるオーバーフロードレイン領域(9)が形成さ
れる。チャンネルストップ領域α@はP+ル領域にて形
成される。
ILIrる固体撮像装置において、受光ル」間に受光部
(2)に后わfされた信号型ti7iは垂直帰線期間に
受光部(2)から也1σシフトレジスタ(1)に転送さ
れると共に、之より高速で記憶部(5)に転送されて一
旦記憶される。その後、l水平走青期fIJJ毎に1水
平ライン分ずつ信号電荷が記1.L部から水平シフトレ
ジスタ(6)に転送され、出力端子より順次1絵水分ず
つ読み出される。この固体撮像装置においては受光部(
2)にて得られる16号電荷を遮光の施された垂11シ
フトレジスタ(1)に読み出し、垂直シフトレジスタ(
IJから記1.は部(5)へ信号uL荷を高速転送し、
記憶部(5)に一旦記憶されている信号電荷を1水平ラ
インずつ水平シフトレジスメ(6)を介して出力するの
で、スメアによる画質の劣化を防止し得る利点がある。
(2)に后わfされた信号型ti7iは垂直帰線期間に
受光部(2)から也1σシフトレジスタ(1)に転送さ
れると共に、之より高速で記憶部(5)に転送されて一
旦記憶される。その後、l水平走青期fIJJ毎に1水
平ライン分ずつ信号電荷が記1.L部から水平シフトレ
ジスタ(6)に転送され、出力端子より順次1絵水分ず
つ読み出される。この固体撮像装置においては受光部(
2)にて得られる16号電荷を遮光の施された垂11シ
フトレジスタ(1)に読み出し、垂直シフトレジスタ(
IJから記1.は部(5)へ信号uL荷を高速転送し、
記憶部(5)に一旦記憶されている信号電荷を1水平ラ
インずつ水平シフトレジスメ(6)を介して出力するの
で、スメアによる画質の劣化を防止し得る利点がある。
この固体撮像装置における従来の駆動方法は、第3図の
タイミングチャート図に示すように、受光後、ん′6み
出すべき奇数フィールド又は偶数フィールドにおいてそ
の対応する垂直帰線Ju1間Toの最初の期間で垂直シ
フトレジスタ(1)を転送用クロック信号φAllφB
lにて駆動して垂直シフトレジスタ(11内の工費電荷
のはぎ出し転送を行ってのち、垂lαシフトレジスタ(
1)の一方の転送電極に読み出しノくルスP1を与えて
ん“しみ出しゲート部(7)を開き受jls部(2)か
ら垂直シアトンジス:pfl)への信り電荷の転送を行
い1次に垂直シフトレジスタ(1)に転送用クロック信
号φA2及びφB2を与えて垂直シフトレンスタ(1)
から記憶部(5)へ信号電荷を転送し1次で受光期間に
入る方法であった。
タイミングチャート図に示すように、受光後、ん′6み
出すべき奇数フィールド又は偶数フィールドにおいてそ
の対応する垂直帰線Ju1間Toの最初の期間で垂直シ
フトレジスタ(1)を転送用クロック信号φAllφB
lにて駆動して垂直シフトレジスタ(11内の工費電荷
のはぎ出し転送を行ってのち、垂lαシフトレジスタ(
1)の一方の転送電極に読み出しノくルスP1を与えて
ん“しみ出しゲート部(7)を開き受jls部(2)か
ら垂直シアトンジス:pfl)への信り電荷の転送を行
い1次に垂直シフトレジスタ(1)に転送用クロック信
号φA2及びφB2を与えて垂直シフトレンスタ(1)
から記憶部(5)へ信号電荷を転送し1次で受光期間に
入る方法であった。
しかして、このような固体撮像装置での残像発生の機構
は次の如くである。すなわち、受光Bus F2)がP
N接合型の場合、第2図Bに示すように受光部(2)の
基準となる電位は、前のフレームで信号旺荷をMc、み
出した時の読み出(7ゲ一ト部(7)の表面電位φSが
次のフレームの・1置号It荷Qsigを蓄積する際の
基準電位となるから、當に受光部のリセット11位が一
定でなくてはならない。なお、(21)は垂直ンフトレ
ジスタ(1)の記1.ば部(5)への電荷転送時のボテ
ンシャル、 (22)は受光部(2)から画面シフトレ
ジスメ(1)への′成荷Rノシみ出し時のポテンシャル
である。
は次の如くである。すなわち、受光Bus F2)がP
N接合型の場合、第2図Bに示すように受光部(2)の
基準となる電位は、前のフレームで信号旺荷をMc、み
出した時の読み出(7ゲ一ト部(7)の表面電位φSが
次のフレームの・1置号It荷Qsigを蓄積する際の
基準電位となるから、當に受光部のリセット11位が一
定でなくてはならない。なお、(21)は垂直ンフトレ
ジスタ(1)の記1.ば部(5)への電荷転送時のボテ
ンシャル、 (22)は受光部(2)から画面シフトレ
ジスメ(1)への′成荷Rノシみ出し時のポテンシャル
である。
しかし乍も、第2図C(受光部から垂直シフトレジスタ
への読み出し時のポテンシャル図)に示すようにm n
feみ出しゲート部(7)の表面電位はそのチャンネル
長Cが短かくなると垂直シフトレジスタ(1)の′Ii
J、位によって変調を受ける。つまり前のフレームの信
号゛電荷によって垂直シフトレジスタ(1)の電位が決
定され、その電位によって絖み出しゲート部(7)の表
面電位が変調され次のフレームの受光部(2)の基準電
位を決定しているので、次のフレームの1言号屯りI革
に前のフレームの影響が出て残像として表われる。例え
ば第2 II Cにおいて、(n−2)番目のフレーム
の信号電荷QS(n−2)=0でその垂直シフトレジス
タの電位をVD、読み出しゲート部の表面電位をφSと
した場合、この表面電位φSによって次の(n−1)
番目のフレームの受光部の基準電位が決定される。次に
、この(n−1)番目のフレームの信号電荷Qs(n−
i ) = Qsが当直シフトレジスタに転送されてそ
の電位が■bになると、この電位■6によって読み出し
ゲート部(力の表面11位がφSからφgK変調され、
受光部(2)KはΔφSに相当f ル(n−1) 番目
フレームのtIL荷の一部が取り残される。従って、こ
のMtみ川しゲート部(7)の表面電位φKが次のn番
目のフレームの受光部(2)の基準電位となるため、と
のΔφSに相当する取り残された電荷が残像の発生にか
かわってくる。
への読み出し時のポテンシャル図)に示すようにm n
feみ出しゲート部(7)の表面電位はそのチャンネル
長Cが短かくなると垂直シフトレジスタ(1)の′Ii
J、位によって変調を受ける。つまり前のフレームの信
号゛電荷によって垂直シフトレジスタ(1)の電位が決
定され、その電位によって絖み出しゲート部(7)の表
面電位が変調され次のフレームの受光部(2)の基準電
位を決定しているので、次のフレームの1言号屯りI革
に前のフレームの影響が出て残像として表われる。例え
ば第2 II Cにおいて、(n−2)番目のフレーム
の信号電荷QS(n−2)=0でその垂直シフトレジス
タの電位をVD、読み出しゲート部の表面電位をφSと
した場合、この表面電位φSによって次の(n−1)
番目のフレームの受光部の基準電位が決定される。次に
、この(n−1)番目のフレームの信号電荷Qs(n−
i ) = Qsが当直シフトレジスタに転送されてそ
の電位が■bになると、この電位■6によって読み出し
ゲート部(力の表面11位がφSからφgK変調され、
受光部(2)KはΔφSに相当f ル(n−1) 番目
フレームのtIL荷の一部が取り残される。従って、こ
のMtみ川しゲート部(7)の表面電位φKが次のn番
目のフレームの受光部(2)の基準電位となるため、と
のΔφSに相当する取り残された電荷が残像の発生にか
かわってくる。
本発明は、上述の点に鑑み受光部にPN接合型センサを
用いた場合に簡単な方法によって残像を出来るだけ減少
させるようにした固体撮像装置の駆動方法を提供するも
のである。
用いた場合に簡単な方法によって残像を出来るだけ減少
させるようにした固体撮像装置の駆動方法を提供するも
のである。
以下、本発明を説明する。
本発明の固体撮像装置dは、第1図と同様にCCD構成
による似数列の垂直シフトレジスタ(1)の群、各垂直
シフトレジスタ(11間において互にチャンネルストノ
ブ領域aαによって分離された1に荷の#槓が可能な光
′F#L変換部すなわち複数の受光部(2)、受光、q
li (2)の信号電荷を垂直シフトレジスタ(11に
転送する読み出しゲート部(力、オーバーフローコント
ロールゲートl1l(8)及びオーバーフロードレイン
領域(9)からなる感光領域(3)と、この感光領域(
3)の各垂直シフトレジスタ(IJの一端に電気的に結
合されたCCD @″6成による垂直シフトレジスタ(
4)の列群からなる記憶部(5)と、この記憶部(5)
に結合されて信号電荷を読み出すためのCCD構成によ
る水平シフトレジスタ(6)を具備して成る1、受光部
(2)の信号奄イ1を丁を垂直シフトレジスタ+1)に
転送する部分の具体的構造の一例も第2図Aに示すと同
様の構成をとりイuるものであり、l峙にこの場合受光
部(2丹まPN接合型に構成する。
による似数列の垂直シフトレジスタ(1)の群、各垂直
シフトレジスタ(11間において互にチャンネルストノ
ブ領域aαによって分離された1に荷の#槓が可能な光
′F#L変換部すなわち複数の受光部(2)、受光、q
li (2)の信号電荷を垂直シフトレジスタ(11に
転送する読み出しゲート部(力、オーバーフローコント
ロールゲートl1l(8)及びオーバーフロードレイン
領域(9)からなる感光領域(3)と、この感光領域(
3)の各垂直シフトレジスタ(IJの一端に電気的に結
合されたCCD @″6成による垂直シフトレジスタ(
4)の列群からなる記憶部(5)と、この記憶部(5)
に結合されて信号電荷を読み出すためのCCD構成によ
る水平シフトレジスタ(6)を具備して成る1、受光部
(2)の信号奄イ1を丁を垂直シフトレジスタ+1)に
転送する部分の具体的構造の一例も第2図Aに示すと同
様の構成をとりイuるものであり、l峙にこの場合受光
部(2丹まPN接合型に構成する。
本発明は、かかる構成の固体撮像装置において、垂直帰
線ルj間中に、感光領域の垂1αシフトレジスタ(1)
内の工費’tl イ’=rrのはき出し転送と、受光部
(2)から垂直シフトレジスタ(1)への信号屯イdf
の転送と、垂直シフトレジスタ(1)から記1.は部(
5)の信号電荷の転送を行った後、前記信号電荷で決ま
る受光部(2)の残留電荷を再度受光部(2)から垂直
シフトレジスタ(1)へ転送し5残像を可及的に減少す
るようになす。第4図はそのタイミングチャート図を示
す。
線ルj間中に、感光領域の垂1αシフトレジスタ(1)
内の工費’tl イ’=rrのはき出し転送と、受光部
(2)から垂直シフトレジスタ(1)への信号屯イdf
の転送と、垂直シフトレジスタ(1)から記1.は部(
5)の信号電荷の転送を行った後、前記信号電荷で決ま
る受光部(2)の残留電荷を再度受光部(2)から垂直
シフトレジスタ(1)へ転送し5残像を可及的に減少す
るようになす。第4図はそのタイミングチャート図を示
す。
また、第5図はその原理図を示すもので、この場合クロ
ック電圧のタイミング期間をTA −1)Fに分割し、
夫々の期間における垂1uシフトレジスタ(1)、読み
出しゲート部(7)及び受光部(2)の電位と信号電荷
の様子を示す。同図中、1゛oは奇数フィールド又は偶
数フィールド・に対応する垂直帰線期間、Vφ(■φ人
、■φB)は垂直シフトレジスタ(1)の転送電極に与
るクロック電圧(2相駆動)である。
ック電圧のタイミング期間をTA −1)Fに分割し、
夫々の期間における垂1uシフトレジスタ(1)、読み
出しゲート部(7)及び受光部(2)の電位と信号電荷
の様子を示す。同図中、1゛oは奇数フィールド又は偶
数フィールド・に対応する垂直帰線期間、Vφ(■φ人
、■φB)は垂直シフトレジスタ(1)の転送電極に与
るクロック電圧(2相駆動)である。
第4図及び第5図に示すよ5置、ある7レームの受光ル
j間TAに受光部(2)においてQslという信号電荷
を蓄積する(第5図の(A)参照)。この受光期間TA
の後、読み出すべきフィールドの対応する垂直帰線期間
To内の最初の期間TB (この期間TBも実質的には
受光期間に入る)で、まづ垂直シフトレジスタ(1)を
転送用クロック信号φAl及びφB1にて駆動し、第5
図の(B)に示すように垂直シフl・レジスタ(1)内
の不要電荷を例えば垂直/フトシ・ジスタ(1)から記
憶部((う)、記憶部(5)から水平7フトし/ジスタ
(6)へと空転送してはき出す。
j間TAに受光部(2)においてQslという信号電荷
を蓄積する(第5図の(A)参照)。この受光期間TA
の後、読み出すべきフィールドの対応する垂直帰線期間
To内の最初の期間TB (この期間TBも実質的には
受光期間に入る)で、まづ垂直シフトレジスタ(1)を
転送用クロック信号φAl及びφB1にて駆動し、第5
図の(B)に示すように垂直シフl・レジスタ(1)内
の不要電荷を例えば垂直/フトシ・ジスタ(1)から記
憶部((う)、記憶部(5)から水平7フトし/ジスタ
(6)へと空転送してはき出す。
この不11狂向のはき出し7転送後の次の期間′J″C
で車1劇シフトレジスタ(1)の一方の転送電極に読み
出しパルスPlを与えてル゛Lみ出しゲート部(7)を
開き、第5図の(C)に示すように受光部(2)から垂
直ノットレジスタ(11に信号電荷(兆′1を転送する
。このとき転送されたイト号屯荷Qs’+によるM<
ia: /7 +−レンスタ(1)の電位■S1でル°
しみ出し2ゲ一ト部(7)の表jGl >ii位がi
ii”Wを受け、受光tilt (2] KはΔQs
1(=QS I Qs’l)の電イト□Iが残る・ 次のJυJ l+jl ′J讃において、圧]tiシフ
トレジスタfl+に転送用クロック信号φA2及びφB
2を与えて第5図の(D)に示すように垂直/フトレジ
スタ(1)から記i、[2+lI (5)へ16号市電
!i Qs’1を転送する。
で車1劇シフトレジスタ(1)の一方の転送電極に読み
出しパルスPlを与えてル゛Lみ出しゲート部(7)を
開き、第5図の(C)に示すように受光部(2)から垂
直ノットレジスタ(11に信号電荷(兆′1を転送する
。このとき転送されたイト号屯荷Qs’+によるM<
ia: /7 +−レンスタ(1)の電位■S1でル°
しみ出し2ゲ一ト部(7)の表jGl >ii位がi
ii”Wを受け、受光tilt (2] KはΔQs
1(=QS I Qs’l)の電イト□Iが残る・ 次のJυJ l+jl ′J讃において、圧]tiシフ
トレジスタfl+に転送用クロック信号φA2及びφB
2を与えて第5図の(D)に示すように垂直/フトレジ
スタ(1)から記i、[2+lI (5)へ16号市電
!i Qs’1を転送する。
6己IM BB f5) ヘ信I′−18′電夕Iを転
送した後、ル1間′1゛Eにおいて再び垂直ノットレジ
スタ(])の上記一方の伝送゛電極にT’leみ出し/
: /l/l/スケ与えて第5図σつ(Ii、)に示す
ように読み出しゲート部(7)を[8目き、受光部(2
)K残っているTli荷を垂直シフトレジスタ(1)に
転送する。P!l]ち、このとき、垂面ノットレジスタ
(1)の電位vS′lKよってチャンネル変調を受けた
信号電荷が読み出され、受光部(2)に取り残された電
荷量はΔQS’lとなる。これが残像となるが、ΔQs
+>ΔQstであるから、この残像は極めて減少する。
送した後、ル1間′1゛Eにおいて再び垂直ノットレジ
スタ(])の上記一方の伝送゛電極にT’leみ出し/
: /l/l/スケ与えて第5図σつ(Ii、)に示す
ように読み出しゲート部(7)を[8目き、受光部(2
)K残っているTli荷を垂直シフトレジスタ(1)に
転送する。P!l]ち、このとき、垂面ノットレジスタ
(1)の電位vS′lKよってチャンネル変調を受けた
信号電荷が読み出され、受光部(2)に取り残された電
荷量はΔQS’lとなる。これが残像となるが、ΔQs
+>ΔQstであるから、この残像は極めて減少する。
この後、受光期間TF において第5図の(F)に示す
ように次のフレームの信号電荷QS2が、#積され、以
下同様に繰返えされる。
ように次のフレームの信号電荷QS2が、#積され、以
下同様に繰返えされる。
残1象が減少する状態を第6図に示す。同図中、破線(
■)は従来の駆動方法による残像、実線(11)は本発
明の駆動方法による残像を夫々示す。従来方法の残像は
1番目フンーム、2番目フンームと指数関数的に減少す
るが、本発明方法の残1象は。
■)は従来の駆動方法による残像、実線(11)は本発
明の駆動方法による残像を夫々示す。従来方法の残像は
1番目フンーム、2番目フンームと指数関数的に減少す
るが、本発明方法の残1象は。
2回読み出しと同じ罠考えられるので、従来方法の2番
目フレームの残像荒が1番目フレームに表われ、4番目
フレームの残e frtが2番目フレームに表われるよ
うになり、見かけ上かなり減少する。
目フレームの残像荒が1番目フレームに表われ、4番目
フレームの残e frtが2番目フレームに表われるよ
うになり、見かけ上かなり減少する。
上述せる如く、本発明によれは受光部に蓄積された信号
電荷を垂直ノットレジスタによって記憶=l(7\転送
したのち、4L+度、受光期Ill前において読み出し
ゲート部(7)を開いて取り残し電荷を垂直シフトレジ
スタ(1)へ改元み出すので、受光部における実liQ
的な取り残し電荷h[が(夕めで少なくなり、受光部と
して感度の良いIIN接合型セン丈を用いる場合にも残
像を可及的に減少させることが出来る。
電荷を垂直ノットレジスタによって記憶=l(7\転送
したのち、4L+度、受光期Ill前において読み出し
ゲート部(7)を開いて取り残し電荷を垂直シフトレジ
スタ(1)へ改元み出すので、受光部における実liQ
的な取り残し電荷h[が(夕めで少なくなり、受光部と
して感度の良いIIN接合型セン丈を用いる場合にも残
像を可及的に減少させることが出来る。
第1図は本発明に適用しf:する固体撮像装置の概略図
、第2図は残負;の発生架構のhiトリ]に9(−J−
るボデノンヤル図、第3図は従来の1114動方法を示
すタイミングチャート図、第4図は本発明の駆動方法を
示すタイミングチャート図、第51g1は残再を減少さ
せる原理的説明図、第6図は従来方法と本発明方法との
残斂用の比較図である。 (1)は里直ンフトレジスタ、(2)は光1托変換部、
(3)は感光領域、(6)は水平シフトレジスタ、(力
は抗み出しゲート部である。 第1図 第2図 第6図 7レー4→
、第2図は残負;の発生架構のhiトリ]に9(−J−
るボデノンヤル図、第3図は従来の1114動方法を示
すタイミングチャート図、第4図は本発明の駆動方法を
示すタイミングチャート図、第51g1は残再を減少さ
せる原理的説明図、第6図は従来方法と本発明方法との
残斂用の比較図である。 (1)は里直ンフトレジスタ、(2)は光1托変換部、
(3)は感光領域、(6)は水平シフトレジスタ、(力
は抗み出しゲート部である。 第1図 第2図 第6図 7レー4→
Claims (1)
- 袂数列のT(L荷転送装置からなる第1の垂直シフトレ
ジスタ群、これら間にチャンネル−X )ツブ手吐よっ
て互いに電気的に分離され電荷の蓄積が可能な光電変換
部及び該光電変換部の信号電荷を対応する前記第1の垂
直シフトレジスタに転送する装置からなる感光領域と、
前記各組1の垂直シフトレジスタの一端に′電気的に結
合された第2の垂直シフトレジスタ列群からなる記憶部
と、前記第2の垂直シフトレジスメの一端に電気的に結
合された′重荷転送水平シフトレジスタを具備して成る
固体撮像装置において、受光期間後の垂直帰線期間に前
記8g1の垂直シフトレジスタ内の不快電荷のはぎuj
L伝送と、前記光電変換部から前記第1の垂直シフト
レジスタへの信号電荷の転送と、前記第1の垂直シフト
レジスタから前記第2の垂面シフトレジスタ群への信号
電荷の転送を行った後、前記信錦電荷で決まる残留電荷
を再度前記光電変換部から前記第1の垂直シフトレジス
タへ転送するようKしたことを%徴とする固体撮像装置
の駆動方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57139341A JPS5928772A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | 固体撮像装置の駆動方法 |
CA000433836A CA1193711A (en) | 1982-08-11 | 1983-08-03 | Solid state image sensor |
NL8302791A NL8302791A (nl) | 1982-08-11 | 1983-08-08 | Halfgeleider beeldvoeler. |
DE19833328607 DE3328607A1 (de) | 1982-08-11 | 1983-08-08 | Festkoerper-bildwandler |
GB08321435A GB2126781B (en) | 1982-08-11 | 1983-08-09 | Solid state image sensor arrangements |
US06/521,969 US4597013A (en) | 1982-08-11 | 1983-08-10 | Solid state image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57139341A JPS5928772A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | 固体撮像装置の駆動方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5928772A true JPS5928772A (ja) | 1984-02-15 |
Family
ID=15243069
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57139341A Pending JPS5928772A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | 固体撮像装置の駆動方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4597013A (ja) |
JP (1) | JPS5928772A (ja) |
CA (1) | CA1193711A (ja) |
DE (1) | DE3328607A1 (ja) |
GB (1) | GB2126781B (ja) |
NL (1) | NL8302791A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07230741A (ja) * | 1994-02-17 | 1995-08-29 | Honda Motor Co Ltd | チェンジスイッチの支持装置 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR900000331B1 (ko) * | 1985-02-20 | 1990-01-25 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 비데오 카메라장치 |
JPS62112491A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-23 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 固体撮像素子の駆動方法 |
US4800435A (en) * | 1985-11-20 | 1989-01-24 | Nec Corporation | Method of driving a two-dimensional CCD image sensor in a shutter mode |
JPH0763090B2 (ja) * | 1986-03-19 | 1995-07-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
DE3750347T2 (de) * | 1986-04-07 | 1994-12-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | Festkörper-Farbbildaufnahmegerät. |
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JPS63177664A (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-21 | Canon Inc | 電子スチルカメラ |
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JPH0262170A (ja) * | 1988-08-27 | 1990-03-02 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
JPH0766961B2 (ja) * | 1988-10-07 | 1995-07-19 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像素子 |
US5182622A (en) * | 1989-02-14 | 1993-01-26 | Sony Corporation | Charge coupled device imager having multichannel readout structure |
JPH02309877A (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-25 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP3715353B2 (ja) * | 1995-09-01 | 2005-11-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
KR20080053635A (ko) * | 2006-12-11 | 2008-06-16 | 삼성전자주식회사 | 촬영장치 및 그의 정지영상 촬영방법 |
US8724003B2 (en) | 2012-08-14 | 2014-05-13 | Truesense Imaging, Inc. | Multimode interline CCD imaging methods |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS5651170A (en) * | 1979-10-04 | 1981-05-08 | Toshiba Corp | Inter-line system charge transfer device |
DE2939490A1 (de) * | 1979-09-28 | 1981-04-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Monolithisch integrierter zweidimensionaler bildsensor mit einer differenzbildenden stufe |
EP0026904A3 (en) * | 1979-10-04 | 1981-12-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image pick-up device |
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US4339775A (en) * | 1980-06-16 | 1982-07-13 | Eastman Technology, Inc. | Fast frame rate augmentation |
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-
1982
- 1982-08-11 JP JP57139341A patent/JPS5928772A/ja active Pending
-
1983
- 1983-08-03 CA CA000433836A patent/CA1193711A/en not_active Expired
- 1983-08-08 NL NL8302791A patent/NL8302791A/nl not_active Application Discontinuation
- 1983-08-08 DE DE19833328607 patent/DE3328607A1/de not_active Withdrawn
- 1983-08-09 GB GB08321435A patent/GB2126781B/en not_active Expired
- 1983-08-10 US US06/521,969 patent/US4597013A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07230741A (ja) * | 1994-02-17 | 1995-08-29 | Honda Motor Co Ltd | チェンジスイッチの支持装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL8302791A (nl) | 1984-03-01 |
GB8321435D0 (en) | 1983-09-07 |
DE3328607A1 (de) | 1984-02-16 |
US4597013A (en) | 1986-06-24 |
CA1193711A (en) | 1985-09-17 |
GB2126781B (en) | 1985-09-18 |
GB2126781A (en) | 1984-03-28 |
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