JPS5856417A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シリコン基体中にイオン注入法によって導入
した硼素イオン注入層の改良された低温活性化方法に関
する。
した硼素イオン注入層の改良された低温活性化方法に関
する。
シリコン集積回路等を中心とする半導体集積回路は高密
度化、高速化する目的で、回路を構成する種々の能動素
子や受動素子の微細化が進められている。シリコン集積
回路の製造工程においては、種々の熱処理工程（最高温
度１０００〜１１００℃）を必要とするが、熱処理温度
管できるだけ下げて基体中のドーピング不純物の移動乃
至再分布を抑制することは、上記微細化を図ってゆく場
合に重要である。近年、シリコン等の半導体基体中への
不純物精密ドーピング万法として、イオン注入法が広範
に用いられるようになった０通常、イオン注入工程を経
た基体には熱処理工程が加えられ、ドーピング不純物の
電気的活性化とイオン注入時基体結晶中に生じた結晶損
傷の回復とが同時に図られる。この場合の熱処理温度と
しては、通常、９００〜１０００℃程度が必要とされる
。このような温度領域では、硼素（Ｂ）ｔはじめとする
ドーピング不純物の殆どはシリコン基体中で拡散してし
まい、よツ一層の微細素子の製造は困難である。
度化、高速化する目的で、回路を構成する種々の能動素
子や受動素子の微細化が進められている。シリコン集積
回路の製造工程においては、種々の熱処理工程（最高温
度１０００〜１１００℃）を必要とするが、熱処理温度
管できるだけ下げて基体中のドーピング不純物の移動乃
至再分布を抑制することは、上記微細化を図ってゆく場
合に重要である。近年、シリコン等の半導体基体中への
不純物精密ドーピング万法として、イオン注入法が広範
に用いられるようになった０通常、イオン注入工程を経
た基体には熱処理工程が加えられ、ドーピング不純物の
電気的活性化とイオン注入時基体結晶中に生じた結晶損
傷の回復とが同時に図られる。この場合の熱処理温度と
しては、通常、９００〜１０００℃程度が必要とされる
。このような温度領域では、硼素（Ｂ）ｔはじめとする
ドーピング不純物の殆どはシリコン基体中で拡散してし
まい、よツ一層の微細素子の製造は困難である。
微細素子実現のためには、イオン注入によって基体中に
ドーピングされた不純物の再分布が殆ど生じない様な、
低温度領域での不純物の電気的活性化の方法が強く望ま
れる。
ドーピングされた不純物の再分布が殆ど生じない様な、
低温度領域での不純物の電気的活性化の方法が強く望ま
れる。
シリコン基体中にイオン注入された硼素不純物の低温活
性化を図る場合に、従来、硼素イオン注入とシリコン等
のイオン注入とｔ重！Ｌ嘔せる方法が知られている。こ
の方法によると、硼素イオン注入層管形成後、シリコン
等硼素原子よシも大きい質量数含有する元素をシリコン
基体中に高濃度に注入して、非晶質シリコン層を硼素イ
オン注入層を内包するが如く形成しておく仁とによって
、６００℃程度の熱処理で硼素イオン注入層’ｋ１２）
１００％近く活性化できる。
性化を図る場合に、従来、硼素イオン注入とシリコン等
のイオン注入とｔ重！Ｌ嘔せる方法が知られている。こ
の方法によると、硼素イオン注入層管形成後、シリコン
等硼素原子よシも大きい質量数含有する元素をシリコン
基体中に高濃度に注入して、非晶質シリコン層を硼素イ
オン注入層を内包するが如く形成しておく仁とによって
、６００℃程度の熱処理で硼素イオン注入層’ｋ１２）
１００％近く活性化できる。
ところが、シリコン集積囲路等の製造工程においては、
硼素等の不純物をイオン注入した後・例えば５００℃以
下の温度下で熱処理をしなければ力らない場合がしばし
ばある。斯様な場合に上記従来の方法を其侭用いると熱
処理温度が５００℃以下に制限されるために、硼素イオ
ン注入後のシリコンイオン注入によりて生ぜしめた非晶
質層が充分に再結晶化せず、特にＰ＋−ｎ接合を形成し
た際には、接合部より深部の領域に存在する。シリコン
イオン注入による残留欠陥のために接合リークが生じ易
く、良好な素子を形成することができなかつ九。
硼素等の不純物をイオン注入した後・例えば５００℃以
下の温度下で熱処理をしなければ力らない場合がしばし
ばある。斯様な場合に上記従来の方法を其侭用いると熱
処理温度が５００℃以下に制限されるために、硼素イオ
ン注入後のシリコンイオン注入によりて生ぜしめた非晶
質層が充分に再結晶化せず、特にＰ＋−ｎ接合を形成し
た際には、接合部より深部の領域に存在する。シリコン
イオン注入による残留欠陥のために接合リークが生じ易
く、良好な素子を形成することができなかつ九。
本発明は上記従来法の欠点を解消した・シリコン基体中
の硼素イオン注入層の低温活性化方法を提供するもので
ある。
の硼素イオン注入層の低温活性化方法を提供するもので
ある。
本発明は、シリコン基体中に硼Ｘをイオン注入して得ら
れる第１のイオン注入層と硼素イオンよシも質量数が大
きく且つシリコン基体の導電型に影響を与えないイオン
管注入して得られる第２のイオン注入層とを、その濃度
分布の極太値の位置を略合致させ、且つその極大値より
深い領域での第２のイオン注入層の濃度分布の広がシが
第１のイオン注入層の濃度分布の広がシを越えない様に
重畳せしめて形成した後、熱処理を行うことにより第１
のイオン注入層、即ち硼素イオン注入層の電気的活性化
管口ることを特徴としている。第２のイオン注入層の注
入量は、イオン種により異なるが少くとも５×１０１４
個／♂以上とすることが好ましい。不発・明によれば、
第１．第２のイオン注入層の濃度分布を規定することに
よりて、その後の熱処理を例えば５００℃以下の低い温
度で行りたとしても、第２のイオン注入層による非晶質
層や残留欠陥の影響が少なく、リーク等の少ないｐｎ接
合を形成することができる。
れる第１のイオン注入層と硼素イオンよシも質量数が大
きく且つシリコン基体の導電型に影響を与えないイオン
管注入して得られる第２のイオン注入層とを、その濃度
分布の極太値の位置を略合致させ、且つその極大値より
深い領域での第２のイオン注入層の濃度分布の広がシが
第１のイオン注入層の濃度分布の広がシを越えない様に
重畳せしめて形成した後、熱処理を行うことにより第１
のイオン注入層、即ち硼素イオン注入層の電気的活性化
管口ることを特徴としている。第２のイオン注入層の注
入量は、イオン種により異なるが少くとも５×１０１４
個／♂以上とすることが好ましい。不発・明によれば、
第１．第２のイオン注入層の濃度分布を規定することに
よりて、その後の熱処理を例えば５００℃以下の低い温
度で行りたとしても、第２のイオン注入層による非晶質
層や残留欠陥の影響が少なく、リーク等の少ないｐｎ接
合を形成することができる。
以下、本発明の具体的実施例について説明する。
〔実施例１〕
比抵抗〜２０Ω・国のｎ型Ｓ１基体に注入エネルギー２
０ ｋｅＶ テ例工ばＩ Ｘ １０” 個／ｃｍ”Ｏ注
入量にて硼素イオン（Ｂ＋：質量数１１）を注入する・
続いてこの硼素イオン注入層に重畳せしめて、注入エネ
に！ −４５ｋ＠Ｖ テＩ Ｘ １０”個／♂、ノ注入
量にてシリコンイオン（ｓｔ” ：質量数２８）を注入
する。この時の注入イオンのＳｉ基体中における濃度分
布は略第１図に示す如く１なる。尚、上記イオン注入は
云わゆるチャネリング現象を生ぜしめない状況下にて行
なりた。上記工程度、８１基体を窒素（Ｎ２）雰囲気中
で熱処理した。
０ ｋｅＶ テ例工ばＩ Ｘ １０” 個／ｃｍ”Ｏ注
入量にて硼素イオン（Ｂ＋：質量数１１）を注入する・
続いてこの硼素イオン注入層に重畳せしめて、注入エネ
に！ −４５ｋ＠Ｖ テＩ Ｘ １０”個／♂、ノ注入
量にてシリコンイオン（ｓｔ” ：質量数２８）を注入
する。この時の注入イオンのＳｉ基体中における濃度分
布は略第１図に示す如く１なる。尚、上記イオン注入は
云わゆるチャネリング現象を生ぜしめない状況下にて行
なりた。上記工程度、８１基体を窒素（Ｎ２）雰囲気中
で熱処理した。
熱処理温度は４８０℃、熱処理時間は３０分であった。
該熱処理後の上記イオン注入層の層抵抗値は０．２４に
Ω１０でありた・又１この硼素イオン注入層（Ｐ＋層）
と基体（ｎ型）との間の逆方向リーク電流特性（接合リ
ーク）金調べた結果、逆方向印加電圧８ｖに対し〜３×
１０Ａ／ｃｙｒ”程度のリーク電流密度であった。
Ω１０でありた・又１この硼素イオン注入層（Ｐ＋層）
と基体（ｎ型）との間の逆方向リーク電流特性（接合リ
ーク）金調べた結果、逆方向印加電圧８ｖに対し〜３×
１０Ａ／ｃｙｒ”程度のリーク電流密度であった。
比較の友めに１０００℃、１０分間の熱処理な施した場
合には、得られた層抵抗値は０．１３にΩ／口であり、
また、イオン注入層と基体との間のリーク電流密度は〜
１０ Ａ／ｍ”（逆方向電圧８ｖ印加時）であった。
合には、得られた層抵抗値は０．１３にΩ／口であり、
また、イオン注入層と基体との間のリーク電流密度は〜
１０ Ａ／ｍ”（逆方向電圧８ｖ印加時）であった。
１０００℃の熱処理と比較すると活性化の度合が若干少
なく、またリーク電流も若干大きい〃ζ４８０℃という
低温であっても実用的には充分な電気的活性化が行われ
、またリーク電流密度も実用上全く問題にならないレベ
ルに抑、ｔられていることがわかる。
なく、またリーク電流も若干大きい〃ζ４８０℃という
低温であっても実用的には充分な電気的活性化が行われ
、またリーク電流密度も実用上全く問題にならないレベ
ルに抑、ｔられていることがわかる。
〔実施例２〕
比抵抗〜２０Ω・創のｎ型Ｓ１基体に注入エネルギー２
０ｋｅ■でＩ Ｘ １０”個／個３の注入量にて硼素イ
オン（Ｂ＋、質量数１１）を注入する。続いて前記硼素
イオンの注入層に重畳せしめて注入エネルギー１５０
ｋｅＶで、５ Ｘ １０１４個／Ｇ″の注入量にて錫イ
オン（Ｓｎ” 、質量数１１８．７）を注入する。この
時の上記注入イオンのＳｉ基体中における濃度分布は略
第２図に示す如くなる。尚、実施例１と同様上記イオン
注入はチャネリング現象を生せしめない条件下にて行な
った。上記工程後、Ｓｔ基体を窒素（Ｎ２）雰囲気中で
熱処理した。熱処理温度は４８０℃、熱処理時間は３０
分であった。該熱処理後の上記イオン注入層の層抵抗値
は、実施例１の場合よシさらに小さく、０．１９にΩ／
口であった。また、逆方向リーク電流特性を調べ次結果
、逆方向印加電圧８■に対し〜Ｉ Ｘ １０ Ａ／ｍ
”となり、さらに改善が認められた。
０ｋｅ■でＩ Ｘ １０”個／個３の注入量にて硼素イ
オン（Ｂ＋、質量数１１）を注入する。続いて前記硼素
イオンの注入層に重畳せしめて注入エネルギー１５０
ｋｅＶで、５ Ｘ １０１４個／Ｇ″の注入量にて錫イ
オン（Ｓｎ” 、質量数１１８．７）を注入する。この
時の上記注入イオンのＳｉ基体中における濃度分布は略
第２図に示す如くなる。尚、実施例１と同様上記イオン
注入はチャネリング現象を生せしめない条件下にて行な
った。上記工程後、Ｓｔ基体を窒素（Ｎ２）雰囲気中で
熱処理した。熱処理温度は４８０℃、熱処理時間は３０
分であった。該熱処理後の上記イオン注入層の層抵抗値
は、実施例１の場合よシさらに小さく、０．１９にΩ／
口であった。また、逆方向リーク電流特性を調べ次結果
、逆方向印加電圧８■に対し〜Ｉ Ｘ １０ Ａ／ｍ
”となり、さらに改善が認められた。
〔実施例３〕
本実施例では、実施例１．２で述べたシリコンイオン、
錫イオンの代わりにゲルマニウムイオン（Ｇ＠＋、質量
数７３）を硼素イオン注入層に重畳せしめて注入した。
錫イオンの代わりにゲルマニウムイオン（Ｇ＠＋、質量
数７３）を硼素イオン注入層に重畳せしめて注入した。
ゲルマニウムのイオン注入条件は、注入エネルギー１１
０ ｋｅＶ、注入量５ Ｘ １０１４個／ｃｍ”であっ
た。他の条件は実施例１．２と略同様である。窒素雰囲
気中、４８０℃３０分の熱処理後に得られた上記イオン
注入層の層抵抗値は０．２１にΩ１０であった。
０ ｋｅＶ、注入量５ Ｘ １０１４個／ｃｍ”であっ
た。他の条件は実施例１．２と略同様である。窒素雰囲
気中、４８０℃３０分の熱処理後に得られた上記イオン
注入層の層抵抗値は０．２１にΩ１０であった。
又、逆方向の接合リーク特性は、逆方向印加電圧８■に
対し、１．８ Ｘ １０ Ａ／ｃｍ”と実用的に充分
なレベルのリーク電流密度であっ几。
対し、１．８ Ｘ １０ Ａ／ｃｍ”と実用的に充分
なレベルのリーク電流密度であっ几。
上記実施例で明らかな様に、本発明の方法を用いること
によって、実用的に充分なレベルの硼素イオン注入層の
低温活性化全初期の濃度分布を殆ど変えないで図ること
ができる。本発明の特徴は、従来例の様に・硼素イオン
注入後のシリコン基体に単にシリコンイオンを非晶質化
に充分な量注入するだけではなく、硼素イオン注入層に
対するシリコンイオン注入層濃度分布を厳密に駆足して
形成することにある。すなわち、具体的には、シリコン
基体に硼素イオン注入層形成後・前記硼素イオン注入層
の深部において硼素濃度分布の広がりを越えない様に、
且つ深さ方向からみた濃度分布の極太値の位置を略合致
させる様にしてシリコンイオン注入層を形成する。シリ
コンイオン注入濃度分布の極大値位置が硼素イオンの注
入濃度分布の極大値位置より離れると、熱処理時の硼素
不純物の電気的活性化効率が悪くなる。極太値の位置は
注入エネルギーに依って一義的に決定されるので、シリ
コンイオンの注入エネルギーを変え次場合の熱処理後の
硼素イオン注入層々抵抗値を、硼素イオン注入量ｌＸ１
０”個／♂、シリコンイオン注入１１Ｘ１０１′１個／
ｌｙｒ”の組み合わせについて、下表に示す。
によって、実用的に充分なレベルの硼素イオン注入層の
低温活性化全初期の濃度分布を殆ど変えないで図ること
ができる。本発明の特徴は、従来例の様に・硼素イオン
注入後のシリコン基体に単にシリコンイオンを非晶質化
に充分な量注入するだけではなく、硼素イオン注入層に
対するシリコンイオン注入層濃度分布を厳密に駆足して
形成することにある。すなわち、具体的には、シリコン
基体に硼素イオン注入層形成後・前記硼素イオン注入層
の深部において硼素濃度分布の広がりを越えない様に、
且つ深さ方向からみた濃度分布の極太値の位置を略合致
させる様にしてシリコンイオン注入層を形成する。シリ
コンイオン注入濃度分布の極大値位置が硼素イオンの注
入濃度分布の極大値位置より離れると、熱処理時の硼素
不純物の電気的活性化効率が悪くなる。極太値の位置は
注入エネルギーに依って一義的に決定されるので、シリ
コンイオンの注入エネルギーを変え次場合の熱処理後の
硼素イオン注入層々抵抗値を、硼素イオン注入量ｌＸ１
０”個／♂、シリコンイオン注入１１Ｘ１０１′１個／
ｌｙｒ”の組み合わせについて、下表に示す。
注入エネルギー２０ ｋｅＶの硼素イオン注入層の濃度
分布極大値がシリコン基体表面から深さ略６６０Ｘの位
置にあるのに対し、注入エネルギーが（ａ） ２５ ｋ
＠Ｖ 、 （ｂ） ４５ ｋ＠Ｖ 、 （ｅ） １００
ｋｅＶのシリコンイオン注入層の濃度極大値の位置は
、シリコン基体表面からの深さが、夫々略（ａ）３５０
芙、 （ｂ） ６３０ Ｘ 、 （ｅ） １４７０ Ｘ
の位置にある。
分布極大値がシリコン基体表面から深さ略６６０Ｘの位
置にあるのに対し、注入エネルギーが（ａ） ２５ ｋ
＠Ｖ 、 （ｂ） ４５ ｋ＠Ｖ 、 （ｅ） １００
ｋｅＶのシリコンイオン注入層の濃度極大値の位置は
、シリコン基体表面からの深さが、夫々略（ａ）３５０
芙、 （ｂ） ６３０ Ｘ 、 （ｅ） １４７０ Ｘ
の位置にある。
これらイオン注入層の濃度分布状態を第３図に示す。エ
ネルギーが４５ ｋｅＶの場合に層抵抗値が最も小さく
なることが我から分かる。尚、注入エネルギーが１００
ｋｅＶの場合のシリコンイオン注入層の濃度分布の広
がりは基体の深部では硼素イオン注入層の濃度分布領域
から完全にはみ出しておシ、４８０℃程度の熱処理温度
ではシリコンイオン注入による基体シリコン中の残留欠
陥が基体深部に多量に存在するため、逆方向リーク電流
レベルが高＜ （１０Ａ／ａ＋＋”以上）、実用に供し
得ないことは云うまでもない。
ネルギーが４５ ｋｅＶの場合に層抵抗値が最も小さく
なることが我から分かる。尚、注入エネルギーが１００
ｋｅＶの場合のシリコンイオン注入層の濃度分布の広
がりは基体の深部では硼素イオン注入層の濃度分布領域
から完全にはみ出しておシ、４８０℃程度の熱処理温度
ではシリコンイオン注入による基体シリコン中の残留欠
陥が基体深部に多量に存在するため、逆方向リーク電流
レベルが高＜ （１０Ａ／ａ＋＋”以上）、実用に供し
得ないことは云うまでもない。
第４図は、上記硼素イオン注入層（Ｂζ２０ｋｅＶ Ｉ
Ｘ １０”個／ｃｐＩＩ” ）に重畳せしめて、注入
エネルギー４５ ｋｅＶにてシリコンイオンを注入し基
体を窒素芥囲気中で低温処理（４８０℃、３０分）した
場合の、シリコンイオン注入量に対する硼素イオン注入
層の層抵抗値を示したものである。第４図にはまた、上
記シリコンイオン注入の代わシに錫イオンを注入エネル
ギー１５０に・Ｖ（濃度極大値はシリコンイオン表面か
らの深さ〜６４０Ｘの位置）にて注入した場合、および
ゲルマニウムを注入エネルギー１１０ｋｅＶ （濃度極
大値位置はシリコン表面からの深さ〜６５０Ｘ）にて注
入した場合の同様の低温処理による結果も示した。第４
図から明らかな様に、硼素イオン注入層の低温活性化効
果は重畳注入せしめるイオンの質量数が大きい程大きく
、又重畳注入イオンの質量数が大きくなれば、比較的低
い注入量（２〜３ Ｘ １０１４個／♂）で硼素イオン
注入層の低温活性化が実現できる。
Ｘ １０”個／ｃｐＩＩ” ）に重畳せしめて、注入
エネルギー４５ ｋｅＶにてシリコンイオンを注入し基
体を窒素芥囲気中で低温処理（４８０℃、３０分）した
場合の、シリコンイオン注入量に対する硼素イオン注入
層の層抵抗値を示したものである。第４図にはまた、上
記シリコンイオン注入の代わシに錫イオンを注入エネル
ギー１５０に・Ｖ（濃度極大値はシリコンイオン表面か
らの深さ〜６４０Ｘの位置）にて注入した場合、および
ゲルマニウムを注入エネルギー１１０ｋｅＶ （濃度極
大値位置はシリコン表面からの深さ〜６５０Ｘ）にて注
入した場合の同様の低温処理による結果も示した。第４
図から明らかな様に、硼素イオン注入層の低温活性化効
果は重畳注入せしめるイオンの質量数が大きい程大きく
、又重畳注入イオンの質量数が大きくなれば、比較的低
い注入量（２〜３ Ｘ １０１４個／♂）で硼素イオン
注入層の低温活性化が実現できる。
なお、本発明において、第１．第２のイオン注入層の濃
度分布の極大値そのものはいずれが大きくても構わない
。また実施例では、硼素イオン注入層の形成は注入エネ
ルギー２０ｋｅＶ。
度分布の極大値そのものはいずれが大きくても構わない
。また実施例では、硼素イオン注入層の形成は注入エネ
ルギー２０ｋｅＶ。
注入量Ｉ Ｘ １０”個／ｃＩＩＫ”にて行なったが、
注入エネルギー、注入量とも前記値に限定石れるもので
はなく任意で良い、又低温熱処理条件ケ災施例の如く４
８０℃、３０分間に限定されるものではなく、４００℃
以下においても（４８０℃におけるよりも活性化率は劣
るが）本発明の効果は確認できた。一般には、熱処理温
度の上昇や熱処理時間の増加と共に硼素の活性化率が増
力口することも確められた。第２のイオン注入層を本発
明の如く形成し゛て硼素の活性化率が高められる熱処理
温度の領域は、種々の冥験の結果、４００℃〜９００℃
であル、９００℃以上の温度領域の熱処理では、硼素イ
オン注入層単独のは殆どみられなかった・熱処理雰囲気
は窒素ガスに限定されるものではなく、アルゴンや水素
等の不活性ガス、酸化性ガス或いはそれらの混合物であ
っても良い。熱処理方法としては、通常の炉による場合
の他、場合によってはレーザービーム、′＃Ｌ子ビーム
等の高密度、エネルギー蘇照射法を用いても良い。又、
上記実施例では、硼素イオン注入層に重畳せしめて行な
うイオン注入のイオン種としてシリコン（８１”）、錫
（Ｓｎ ）、ゲルマニウム（Ｇ＠”）を用いた力！、シ
＋ リコン基体中に導入して導電型を変イヒさせず、且つシ
リコン基体を非晶質化するために有効なイオンならば何
んでも良い。一般的には硼素イオン二やも質量数が大き
い、第■族元素および・稀ガス元素の中から選ばれる。
注入エネルギー、注入量とも前記値に限定石れるもので
はなく任意で良い、又低温熱処理条件ケ災施例の如く４
８０℃、３０分間に限定されるものではなく、４００℃
以下においても（４８０℃におけるよりも活性化率は劣
るが）本発明の効果は確認できた。一般には、熱処理温
度の上昇や熱処理時間の増加と共に硼素の活性化率が増
力口することも確められた。第２のイオン注入層を本発
明の如く形成し゛て硼素の活性化率が高められる熱処理
温度の領域は、種々の冥験の結果、４００℃〜９００℃
であル、９００℃以上の温度領域の熱処理では、硼素イ
オン注入層単独のは殆どみられなかった・熱処理雰囲気
は窒素ガスに限定されるものではなく、アルゴンや水素
等の不活性ガス、酸化性ガス或いはそれらの混合物であ
っても良い。熱処理方法としては、通常の炉による場合
の他、場合によってはレーザービーム、′＃Ｌ子ビーム
等の高密度、エネルギー蘇照射法を用いても良い。又、
上記実施例では、硼素イオン注入層に重畳せしめて行な
うイオン注入のイオン種としてシリコン（８１”）、錫
（Ｓｎ ）、ゲルマニウム（Ｇ＠”）を用いた力！、シ
＋ リコン基体中に導入して導電型を変イヒさせず、且つシ
リコン基体を非晶質化するために有効なイオンならば何
んでも良い。一般的には硼素イオン二やも質量数が大き
い、第■族元素および・稀ガス元素の中から選ばれる。
或いはζこれ等を組み合わせて使用しても良い・これ等
のイオン稲を用いる場合には、本発明の効果を達成する
友めに・注入エネルギー、注入量（略５×１０１４個／
♂以上）を適宜選択すべきことは云うまでもない、勿論
、硼素イオン注入をはじめ上記した種々のイオン注入を
行なうに際してはチャネリング現象管抑制しなければな
らない・尚、上記実施例では、シリコン基体中に硼素イ
オン注入層を形成した後に選ばれた他のイオンの注入層
を前記硼素イオン注入層に重畳せしめて形成したが、こ
れらの形成順序は逆でも良い。
のイオン稲を用いる場合には、本発明の効果を達成する
友めに・注入エネルギー、注入量（略５×１０１４個／
♂以上）を適宜選択すべきことは云うまでもない、勿論
、硼素イオン注入をはじめ上記した種々のイオン注入を
行なうに際してはチャネリング現象管抑制しなければな
らない・尚、上記実施例では、シリコン基体中に硼素イ
オン注入層を形成した後に選ばれた他のイオンの注入層
を前記硼素イオン注入層に重畳せしめて形成したが、こ
れらの形成順序は逆でも良い。
又実施例ではシリコン基体に其侭イオン注入を行なった
がシリコン基体上に酸化膜や窒化膜を設けた後に行なっ
ても良い。また本発明の方法は、単結晶シリコン基体は
勿論Ｓｏｌ （５ｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ −Ｉｎ５ｕｌａ
ｔｏｒ ）基板上にＭＯ８累子電子？イポの結晶性は単
結晶、非単結晶を問わない。
がシリコン基体上に酸化膜や窒化膜を設けた後に行なっ
ても良い。また本発明の方法は、単結晶シリコン基体は
勿論Ｓｏｌ （５ｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ −Ｉｎ５ｕｌａ
ｔｏｒ ）基板上にＭＯ８累子電子？イポの結晶性は単
結晶、非単結晶を問わない。
第１図および第２図は本発明の詳細な説明するための注
入イオン濃度分布を示す図、第３図は本発明の詳細な説
明するための注入イオン濃度分布を示す図、第４図は同
じくＢ＋注入層抵抗値と重畳イオン注入量の関係管示す
図である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
第２図 第３図 第４図
入イオン濃度分布を示す図、第３図は本発明の詳細な説
明するための注入イオン濃度分布を示す図、第４図は同
じくＢ＋注入層抵抗値と重畳イオン注入量の関係管示す
図である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
第２図 第３図 第４図
Claims (3)
- （１） シリコン基体中に硼素イオンを注入して得ら
れるｉｌのイオン注入層と硼素イオンよシも質量数が大
きく且つ該基体の導電型に影響を与えないイオンを注入
して得られる第２のイオン注入層と管形成し、９００℃
以下の温度で熱、処理先して第１のイオン注入層管活性
化する方法において、前記第１および第２のイオン注入
層ｔ、その濃度分布の極大値、の位置を略合致させ且つ
その極太値の位置よ）深部での第２のイオン注入層の濃
度分布の広が９が第１のイオン注入層の濃度分布の広が
シを越えない様に重畳せしめて形成することｔ−特徴と
するシリコン中の硼素イオン注入層の低温活性化方法。 - （２）［２のイオン注入層の注入量は’５ Ｘ １０”
個／創３以上である特許請求の範囲第１項記載のシリコ
ン中の硼素イオン注入層の低温活性化方法。 - （３）第２ノイオン注入層のイオン種は、シリコン、錫
ま九はｒルマニウムである特許請求の
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15514881A JPS5856417A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15514881A JPS5856417A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856417A true JPS5856417A (ja) | 1983-04-04 |
| JPH0334649B2 JPH0334649B2 (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=15599580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15514881A Granted JPS5856417A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856417A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1985000694A1 (en) * | 1983-07-25 | 1985-02-14 | American Telephone & Telegraph Company | Shallow-junction semiconductor devices |
| JPS63169057A (ja) * | 1985-12-27 | 1988-07-13 | ビユル エス． アー． | 半導体材料へのドーピングによる電気抵抗の形成方法 |
| US4968635A (en) * | 1987-09-18 | 1990-11-06 | Kabushiki Kasiha Toshiba | Method of forming emitter of a bipolar transistor in monocrystallized film |
| JPH04225520A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-14 | Shimadzu Corp | イオン注入により生じたシリコン結晶欠陥の抑制方法 |
| US5298434A (en) * | 1992-02-07 | 1994-03-29 | Harris Corporation | Selective recrystallization to reduce P-channel transistor leakage in silicon-on-sapphire CMOS radiation hardened integrated circuits |
| JPH07142421A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-06-02 | Nec Corp | 半導体装置のシャロージャンクション形成方法および形成装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4673355B2 (ja) | 2007-10-30 | 2011-04-20 | Ｔｍｔマシナリー株式会社 | 交絡装置 |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15514881A patent/JPS5856417A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1985000694A1 (en) * | 1983-07-25 | 1985-02-14 | American Telephone & Telegraph Company | Shallow-junction semiconductor devices |
| JPS63169057A (ja) * | 1985-12-27 | 1988-07-13 | ビユル エス． アー． | 半導体材料へのドーピングによる電気抵抗の形成方法 |
| JPH0558672B2 (ja) * | 1985-12-27 | 1993-08-27 | Bull Sa | |
| US4968635A (en) * | 1987-09-18 | 1990-11-06 | Kabushiki Kasiha Toshiba | Method of forming emitter of a bipolar transistor in monocrystallized film |
| JPH04225520A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-14 | Shimadzu Corp | イオン注入により生じたシリコン結晶欠陥の抑制方法 |
| US5298434A (en) * | 1992-02-07 | 1994-03-29 | Harris Corporation | Selective recrystallization to reduce P-channel transistor leakage in silicon-on-sapphire CMOS radiation hardened integrated circuits |
| JPH07142421A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-06-02 | Nec Corp | 半導体装置のシャロージャンクション形成方法および形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0334649B2 (ja) | 1991-05-23 |
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