KR960012288A - 반도체 소자 제조용 웨이퍼 및 그 제작방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조용 웨이퍼 및 그 제작방법에 관한 것으로, 웨이퍼 내부에 존재하는 금속성 불순물 또는 결정결함을 제거하며 인(P)에 의한 반응로의 튜브 오염을 방지하기 위하여 웨이퍼 후면의 소정깊이에 버리드 형태(Buried Type)의 산화층(Oxide Layer)을 형성하고 고 에너지(High Energy)에 의한 이온주입(Implantation)공정을 실시하여 상기 산화층 보다 깊게 인-도프영역(P-doped region)을 형성한 다음 열처리(Annealing)하므로써 무결점의 웨이퍼를 제작하여 소자의 수율을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 소자 제조용 웨이퍼 및 그 제작방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자 제조용 웨이퍼 및 그 제작방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1A 내지 제1E도는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 웨이퍼의 제작방법을 설명하기 위한 단면도.

Claims (8)

1. 반도체 소자 제조용 웨이퍼에 있어서, 웨이퍼의 후면으로부터 소정깊이에 버리드 형태의 산화층이 형성되며, 게터링을 위한 열처리 공정시 웨이퍼내에 존재하는 결정결함등이 포획도록 상기 산화층보다 깊게 인-도프 영역이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 웨이퍼.
2. 반도체 소자 제조용 웨이퍼의 제작방법에 있어서, 웨이퍼 후면에 산소이온을 주입한 후 1 열처리 공정을 실시하여 상기 웨이퍼 후면의 소정깊이에 산화층을 형성시키는 단계와 상기 단계로부터 인(P)이온을 주입하여 상기 산화층보다 깊게 인-도프 영역을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 웨이퍼 내부에 존재하는 금속성 불순물 또는 결정결함을 상기 인-도프 영역으로 확산시켜 포획되도록 2차 열처리 공정을 실시하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 웨이퍼의 제작방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 산소이온 주입시 이온주입량은 1×10¹⁷내지 1×10¹⁸이온/㎤이며, 이온주입에너지는 50 내지 250KeV인 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 웨이퍼의 제작방법.
4. 제2항에 있어서, 상기 1차 열처리공정은 1200 내지 1300℃ 온도 및 소정의 가스 분위기하에서 5 내지 8시간 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 웨이퍼의 제작방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 1차 열처리 공정시 분위기 가스는 N₂가스 또는 Ar 가스에 O₂가스가 소정비율로 혼합된 가스된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 웨이퍼의 제작방법.
6. 제5항에 있어서, 상기 O₂가스는 N₂가스 또는 Ar 가스에 1 내지 3%정도 혼합된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 웨이퍼의 제작방법.
7. 제2항에 있어서, 상기 인(P)-이온 주입시 이온주입량은 1×10¹⁴내지 1×10¹⁶이온/㎤이며, 이온주입에너지는 50 내지 2MeV인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 웨이퍼의 제작방법.
8. 제2항에 있어서, 상기 2차 열처리 공정을 900 내지 1000℃ 온도 및 N₂가스 분위기하에서 1 내지 2시간동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 웨이퍼의 제작방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.