KR960012288A - 반도체 소자 제조용 웨이퍼 및 그 제작방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조용 웨이퍼 및 그 제작방법에 관한 것으로, 웨이퍼 내부에 존재하는 금속성 불순물 또는 결정결함을 제거하며 인(P)에 의한 반응로의 튜브 오염을 방지하기 위하여 웨이퍼 후면의 소정깊이에 버리드 형태(Buried Type)의 산화층(Oxide Layer)을 형성하고 고 에너지(High Energy)에 의한 이온주입(Implantation)공정을 실시하여 상기 산화층 보다 깊게 인-도프영역(P-doped region)을 형성한 다음 열처리(Annealing)하므로써 무결점의 웨이퍼를 제작하여 소자의 수율을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 소자 제조용 웨이퍼 및 그 제작방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 제1E도는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 웨이퍼의 제작방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (8)
- 반도체 소자 제조용 웨이퍼에 있어서, 웨이퍼의 후면으로부터 소정깊이에 버리드 형태의 산화층이 형성되며, 게터링을 위한 열처리 공정시 웨이퍼내에 존재하는 결정결함등이 포획도록 상기 산화층보다 깊게 인-도프 영역이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 웨이퍼.
- 반도체 소자 제조용 웨이퍼의 제작방법에 있어서, 웨이퍼 후면에 산소이온을 주입한 후 1 열처리 공정을 실시하여 상기 웨이퍼 후면의 소정깊이에 산화층을 형성시키는 단계와 상기 단계로부터 인(P)이온을 주입하여 상기 산화층보다 깊게 인-도프 영역을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 웨이퍼 내부에 존재하는 금속성 불순물 또는 결정결함을 상기 인-도프 영역으로 확산시켜 포획되도록 2차 열처리 공정을 실시하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 웨이퍼의 제작방법.
- 제2항에 있어서, 상기 산소이온 주입시 이온주입량은 1×1017내지 1×1018이온/㎤이며, 이온주입에너지는 50 내지 250KeV인 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 웨이퍼의 제작방법.
- 제2항에 있어서, 상기 1차 열처리공정은 1200 내지 1300℃ 온도 및 소정의 가스 분위기하에서 5 내지 8시간 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 웨이퍼의 제작방법.
- 제4항에 있어서, 상기 1차 열처리 공정시 분위기 가스는 N2가스 또는 Ar 가스에 O2가스가 소정비율로 혼합된 가스된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 웨이퍼의 제작방법.
- 제5항에 있어서, 상기 O2가스는 N2가스 또는 Ar 가스에 1 내지 3%정도 혼합된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 웨이퍼의 제작방법.
- 제2항에 있어서, 상기 인(P)-이온 주입시 이온주입량은 1×1014내지 1×1016이온/㎤이며, 이온주입에너지는 50 내지 2MeV인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 웨이퍼의 제작방법.
- 제2항에 있어서, 상기 2차 열처리 공정을 900 내지 1000℃ 온도 및 N2가스 분위기하에서 1 내지 2시간동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 웨이퍼의 제작방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR1019940022550A KR960012288A (ko) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 반도체 소자 제조용 웨이퍼 및 그 제작방법 |
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KR1019940022550A KR960012288A (ko) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 반도체 소자 제조용 웨이퍼 및 그 제작방법 |
Country Status (1)
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KR (1) | KR960012288A (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030032448A (ko) * | 2001-10-18 | 2003-04-26 | 주식회사 실트론 | 게터링 수단을 가진 단결정 실리콘 웨이퍼 및 그제조방법 |
KR100423754B1 (ko) * | 2001-12-03 | 2004-03-22 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼의 고온 열처리 방법 |
KR20040031877A (ko) * | 2002-10-07 | 2004-04-14 | 한종휘 | 터널용 표시장치 |
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1994
- 1994-09-08 KR KR1019940022550A patent/KR960012288A/ko not_active Application Discontinuation
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KR100423754B1 (ko) * | 2001-12-03 | 2004-03-22 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼의 고온 열처리 방법 |
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