JPH11340400A - 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム - Google Patents
半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレームInfo
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- JPH11340400A JPH11340400A JP15540898A JP15540898A JPH11340400A JP H11340400 A JPH11340400 A JP H11340400A JP 15540898 A JP15540898 A JP 15540898A JP 15540898 A JP15540898 A JP 15540898A JP H11340400 A JPH11340400 A JP H11340400A
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止体の平面面積が大きくなっても放熱
性能を高める。 【解決手段】 ＨＱＦＰ・ＩＣ１９は、タブ１１に固着
のペレット１２にワイヤ１４で電気接続された複数本の
インナリード７と、各インナリード７に連結されたアウ
タリード８と、タブ１１の４箇所のコーナー部に連設さ
れた放熱フィンリード１０と、各放熱フィンリード１０
に連結され樹脂封止体１６の各コーナー部において外部
に突出された各放熱フィン９とを備えており、樹脂封止
体１６のコーナー部には切欠部１７が形成され、各切欠
部１７には放熱フィンリード１０および放熱フィン９が
配設されている。 【効果】 樹脂封止体の大きさにかかわらず放熱フィン
をタブに接近できるため、インナリードの本数が多いパ
ッケージであっても所期の放熱性能を得ることができ
る。
性能を高める。 【解決手段】 ＨＱＦＰ・ＩＣ１９は、タブ１１に固着
のペレット１２にワイヤ１４で電気接続された複数本の
インナリード７と、各インナリード７に連結されたアウ
タリード８と、タブ１１の４箇所のコーナー部に連設さ
れた放熱フィンリード１０と、各放熱フィンリード１０
に連結され樹脂封止体１６の各コーナー部において外部
に突出された各放熱フィン９とを備えており、樹脂封止
体１６のコーナー部には切欠部１７が形成され、各切欠
部１７には放熱フィンリード１０および放熱フィン９が
配設されている。 【効果】 樹脂封止体の大きさにかかわらず放熱フィン
をタブに接近できるため、インナリードの本数が多いパ
ッケージであっても所期の放熱性能を得ることができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特
に、表面実装形パッケージを備えている半導体装置にお
ける放熱性能を向上させる技術に関し、例えば、放熱フ
ィンを備えている低熱抵抗形半導体装置に利用して有効
なものに関する。
に、表面実装形パッケージを備えている半導体装置にお
ける放熱性能を向上させる技術に関し、例えば、放熱フ
ィンを備えている低熱抵抗形半導体装置に利用して有効
なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】表面実装形パッケージを備えている低熱
抵抗形半導体装置として、例えば、特開昭６１−１５２
０５１号公報に記載されているように、タブに幅の広い
放熱フィンが一体的に形成されているとともに、この放
熱フィンが樹脂封止体の側面に配設されてガル・ウイン
グ形状に屈曲されているものがある。
抵抗形半導体装置として、例えば、特開昭６１−１５２
０５１号公報に記載されているように、タブに幅の広い
放熱フィンが一体的に形成されているとともに、この放
熱フィンが樹脂封止体の側面に配設されてガル・ウイン
グ形状に屈曲されているものがある。
【０００３】この表面実装形パッケージを備えている低
熱抵抗形半導体装置においては、半導体ペレットの発熱
がタブを経由して放熱フィンに熱伝導され、放熱フィン
によって外部に放出されるため、低熱抵抗形パッケージ
を実現することができる。
熱抵抗形半導体装置においては、半導体ペレットの発熱
がタブを経由して放熱フィンに熱伝導され、放熱フィン
によって外部に放出されるため、低熱抵抗形パッケージ
を実現することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開昭６１−
１５２０５１号公報に記載されているような低熱抵抗形
半導体装置においては、リード本数が多いパッケージで
は放熱フィンの放熱経路が長くなるため、放熱性能が所
期の通りに向上しないという問題点があることが本発明
者によって明らかにされた。つまり、樹脂封止体の大き
さはリード本数によって規定され、放熱フィンリードの
長さは樹脂封止体の大きさによって規定されるため、リ
ード本数が多いパッケージでは放熱フィンの放熱経路が
長くなってしまう。
１５２０５１号公報に記載されているような低熱抵抗形
半導体装置においては、リード本数が多いパッケージで
は放熱フィンの放熱経路が長くなるため、放熱性能が所
期の通りに向上しないという問題点があることが本発明
者によって明らかにされた。つまり、樹脂封止体の大き
さはリード本数によって規定され、放熱フィンリードの
長さは樹脂封止体の大きさによって規定されるため、リ
ード本数が多いパッケージでは放熱フィンの放熱経路が
長くなってしまう。
【０００５】本発明の目的は、樹脂封止体の平面面積が
大きくなっても放熱性能を高めることができる半導体装
置を提供することにある。
大きくなっても放熱性能を高めることができる半導体装
置を提供することにある。
【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【０００８】すなわち、半導体ペレットがボンディング
されているタブと、前記半導体ペレットに電気的にそれ
ぞれ接続されている複数本のインナリードと、これらイ
ンナリードにそれぞれ一体的に連結されているアウタリ
ードと、前記タブに連結されている複数本の放熱フィン
リードと、これらの放熱フィンリードにそれぞれ一体的
に連結されている複数個の放熱フィンと、前記タブ、前
記ペレット、前記インナリード群および前記放熱フィン
リード群を樹脂封止する樹脂封止体とを備えており、前
記各放熱フィンは樹脂封止体からそれぞれ側方に突出さ
れている半導体装置において、前記樹脂封止体における
前記各放熱フィンリードの部分に切欠部が形成されてお
り、この切欠部には前記放熱フィンが配設されているこ
とを特徴とする。
されているタブと、前記半導体ペレットに電気的にそれ
ぞれ接続されている複数本のインナリードと、これらイ
ンナリードにそれぞれ一体的に連結されているアウタリ
ードと、前記タブに連結されている複数本の放熱フィン
リードと、これらの放熱フィンリードにそれぞれ一体的
に連結されている複数個の放熱フィンと、前記タブ、前
記ペレット、前記インナリード群および前記放熱フィン
リード群を樹脂封止する樹脂封止体とを備えており、前
記各放熱フィンは樹脂封止体からそれぞれ側方に突出さ
れている半導体装置において、前記樹脂封止体における
前記各放熱フィンリードの部分に切欠部が形成されてお
り、この切欠部には前記放熱フィンが配設されているこ
とを特徴とする。
【０００９】前記した手段によれば、放熱フィンリード
および放熱フィンが樹脂封止体の切欠部に配設されてい
る分だけ放熱経路が短くなるため、樹脂封止体の平面面
積が大きくなっても放熱性能を向上することができ、リ
ード数の多いパッケージであっても所期の低熱抵抗形パ
ッケージを実現することができる。
および放熱フィンが樹脂封止体の切欠部に配設されてい
る分だけ放熱経路が短くなるため、樹脂封止体の平面面
積が大きくなっても放熱性能を向上することができ、リ
ード数の多いパッケージであっても所期の低熱抵抗形パ
ッケージを実現することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態である
低熱抵抗形ＱＦＰ・ＩＣの実装状態を示す斜視図であ
る。図２以降はその製造方法を示す各説明図である。
低熱抵抗形ＱＦＰ・ＩＣの実装状態を示す斜視図であ
る。図２以降はその製造方法を示す各説明図である。
【００１１】本実施形態において、本発明に係る半導体
装置は、低熱抵抗を実現するための半導体集積回路装置
（以下、ＩＣという。）である低熱抵抗の樹脂封止形ク
ワッド・フラット・パッケージ（以下、ＨＱＦＰとい
う。）を備えているＩＣ（以下、ＨＱＦＰ・ＩＣとい
う。）として構成されている。
装置は、低熱抵抗を実現するための半導体集積回路装置
（以下、ＩＣという。）である低熱抵抗の樹脂封止形ク
ワッド・フラット・パッケージ（以下、ＨＱＦＰとい
う。）を備えているＩＣ（以下、ＨＱＦＰ・ＩＣとい
う。）として構成されている。
【００１２】このＨＱＦＰ・ＩＣ１９は略正方形平板形
状のシリコン半導体ペレット（以下、ペレットとい
う。）１２と、ペレット１２の四方に配設されている複
数本のインナリード７と、これらインナリード７にそれ
ぞれ一体的に連結されているアウタリード８と、ペレッ
ト１２の各電極パッド１２ａおよび各インナリード７に
その両端部をそれぞれボンディングされて橋絡されてい
るワイヤ１４と、ペレット１２がボンディングされた相
似形のタブ１１と、これらを樹脂封止した略正方形平盤
形状の樹脂封止体１６とを備えている。ペレット１２が
ボンディングされたタブ１１の４箇所のコーナー部には
各放熱フィンリード１０がそれぞれ連設されており、４
本の放熱フィンリード１０には樹脂封止体１６の各コー
ナー部においてそれぞれ外部に突出された各放熱フィン
９が一体的に連設されている。そして、樹脂封止体１６
におけるコーナー部には切欠部１７がそれぞれ形成され
ており、各切欠部１７には放熱フィンリード１０および
放熱フィン９が配設されている。
状のシリコン半導体ペレット（以下、ペレットとい
う。）１２と、ペレット１２の四方に配設されている複
数本のインナリード７と、これらインナリード７にそれ
ぞれ一体的に連結されているアウタリード８と、ペレッ
ト１２の各電極パッド１２ａおよび各インナリード７に
その両端部をそれぞれボンディングされて橋絡されてい
るワイヤ１４と、ペレット１２がボンディングされた相
似形のタブ１１と、これらを樹脂封止した略正方形平盤
形状の樹脂封止体１６とを備えている。ペレット１２が
ボンディングされたタブ１１の４箇所のコーナー部には
各放熱フィンリード１０がそれぞれ連設されており、４
本の放熱フィンリード１０には樹脂封止体１６の各コー
ナー部においてそれぞれ外部に突出された各放熱フィン
９が一体的に連設されている。そして、樹脂封止体１６
におけるコーナー部には切欠部１７がそれぞれ形成され
ており、各切欠部１７には放熱フィンリード１０および
放熱フィン９が配設されている。
【００１３】以下、本発明の一実施形態であるＨＱＦＰ
・ＩＣの製造方法を説明する。この説明により、前記し
たＨＱＦＰ・ＩＣの構成の詳細が共に明らかにされる。
・ＩＣの製造方法を説明する。この説明により、前記し
たＨＱＦＰ・ＩＣの構成の詳細が共に明らかにされる。
【００１４】本実施形態において、ＨＱＦＰ・ＩＣの製
造方法には、図２に示されている多連リードフレーム１
が使用されている。この多連リードフレーム１は、鉄−
ニッケル合金や燐青銅等の比較的大きい機械的強度を有
するばね材料からなる薄板が用いられて、打ち抜きプレ
ス加工またはエッチング加工等の適当な手段により一体
成形されており、この多連リードフレーム１の表面には
銀（Ａｇ）等を用いためっき処理が、後述するワイヤボ
ンディングが適正に実施されるように施されている（図
示せず）。この多連リードフレーム１には複数の単位リ
ードフレーム２が横方向に１列に並設されている。但
し、一単位のみが図示されている。以下、他の構成要素
についても同様である。
造方法には、図２に示されている多連リードフレーム１
が使用されている。この多連リードフレーム１は、鉄−
ニッケル合金や燐青銅等の比較的大きい機械的強度を有
するばね材料からなる薄板が用いられて、打ち抜きプレ
ス加工またはエッチング加工等の適当な手段により一体
成形されており、この多連リードフレーム１の表面には
銀（Ａｇ）等を用いためっき処理が、後述するワイヤボ
ンディングが適正に実施されるように施されている（図
示せず）。この多連リードフレーム１には複数の単位リ
ードフレーム２が横方向に１列に並設されている。但
し、一単位のみが図示されている。以下、他の構成要素
についても同様である。
【００１５】単位リードフレーム２は位置決め孔３ａが
開設されている外枠３を一対備えており、両外枠３は所
定の間隔で平行になるように配されて一連にそれぞれ延
設されている。隣合う単位リードフレーム２、２間には
一対のセクション枠４が両外枠３、３間に互いに平行に
配されて一体的に架設されており、これら外枠、セクシ
ョン枠によって形成される略正方形の枠体（フレーム）
内に単位リードフレーム２が構成されている。
開設されている外枠３を一対備えており、両外枠３は所
定の間隔で平行になるように配されて一連にそれぞれ延
設されている。隣合う単位リードフレーム２、２間には
一対のセクション枠４が両外枠３、３間に互いに平行に
配されて一体的に架設されており、これら外枠、セクシ
ョン枠によって形成される略正方形の枠体（フレーム）
内に単位リードフレーム２が構成されている。
【００１６】各単位リードフレーム２において、外枠３
およびセクション枠４の中間部には吊り部材５が一対ず
つ、互いに離間されて直角方向にそれぞれ突設されてお
り、一対の吊り部材５、５間にはダム部材６がそれぞれ
架設されている。ダム部材６の内側端辺にはインナリー
ド７が複数本、長手方向に等間隔に配されて互いに絶縁
距離を維持するように突設されており、各インナリード
７の先端はペレットをボンディングするためのタブ１１
を取り囲むように配列されている。他方、ダム部材６の
外側端辺にはアウタリード８がインナリード７群と同数
本、各インナリード７とそれぞれ一連になるように形成
されており、各アウタリード８の先端は外枠３およびセ
クション枠４に接続されている。ダム部材６における隣
合うアウタリード８、８間の部分は、後述する樹脂封止
体成形時にレジンの流れをせき止めるダム６ａを実質的
に構成している。
およびセクション枠４の中間部には吊り部材５が一対ず
つ、互いに離間されて直角方向にそれぞれ突設されてお
り、一対の吊り部材５、５間にはダム部材６がそれぞれ
架設されている。ダム部材６の内側端辺にはインナリー
ド７が複数本、長手方向に等間隔に配されて互いに絶縁
距離を維持するように突設されており、各インナリード
７の先端はペレットをボンディングするためのタブ１１
を取り囲むように配列されている。他方、ダム部材６の
外側端辺にはアウタリード８がインナリード７群と同数
本、各インナリード７とそれぞれ一連になるように形成
されており、各アウタリード８の先端は外枠３およびセ
クション枠４に接続されている。ダム部材６における隣
合うアウタリード８、８間の部分は、後述する樹脂封止
体成形時にレジンの流れをせき止めるダム６ａを実質的
に構成している。
【００１７】外枠３とセクション枠４とのコーナー部で
直角をなす２本の吊り部材５、５のそれぞれのコーナー
部側には放熱フィン９が、単位リードフレーム２の対角
線方向外向きに突設されており、各放熱フィン９の外側
端辺は対角線に対して直交するように切り落とされてい
る。
直角をなす２本の吊り部材５、５のそれぞれのコーナー
部側には放熱フィン９が、単位リードフレーム２の対角
線方向外向きに突設されており、各放熱フィン９の外側
端辺は対角線に対して直交するように切り落とされてい
る。
【００１８】４個の放熱フィン９の内側先端部には放熱
フィンリード１０が対角線方向内向きに突設されてお
り、各放熱フィンリード１０の内側先端部には略正方形
平板形状のタブ１１が単位リードフレーム２の枠形状と
相似形に配されて、これら放熱フィンリード１０により
吊持されている。各放熱フィンリード１０はタブ１１と
の接続部付近においてそれぞれクランク形状に屈曲され
ており、この放熱フィンリード１０の屈曲によって、タ
ブ１１はインナリード７およびアウタリード８を含む平
面よりも、ペレットの厚さ分程度下げられている（所謂
タブ下げ。）。
フィンリード１０が対角線方向内向きに突設されてお
り、各放熱フィンリード１０の内側先端部には略正方形
平板形状のタブ１１が単位リードフレーム２の枠形状と
相似形に配されて、これら放熱フィンリード１０により
吊持されている。各放熱フィンリード１０はタブ１１と
の接続部付近においてそれぞれクランク形状に屈曲され
ており、この放熱フィンリード１０の屈曲によって、タ
ブ１１はインナリード７およびアウタリード８を含む平
面よりも、ペレットの厚さ分程度下げられている（所謂
タブ下げ。）。
【００１９】ペレットボンディング工程およびワイヤボ
ンディング工程において、多連リードフレームには接続
作業が実施され、図３に示されている組立体１５が製造
される。接続作業は多連リードフレームが横方向にピッ
チ送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順
次実施される。この際、多連リードフレームの厚さや外
形は従来の多連リードフレームと同一であるため、これ
ら作業の実施には従来のペレットボンディング装置やワ
イヤボンディング装置を使用することができる。
ンディング工程において、多連リードフレームには接続
作業が実施され、図３に示されている組立体１５が製造
される。接続作業は多連リードフレームが横方向にピッ
チ送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順
次実施される。この際、多連リードフレームの厚さや外
形は従来の多連リードフレームと同一であるため、これ
ら作業の実施には従来のペレットボンディング装置やワ
イヤボンディング装置を使用することができる。
【００２０】半導体装置の製造工程における所謂前工程
において集積回路を作り込まれた半導体集積回路構造物
としてのペレット１２は、ペレットボンディング工程に
おいて、各単位リードフレーム２におけるタブ１１上の
中央部に配されて、タブ１１とペレット１２との間に形
成されたボンディング層１３によって機械的に固着され
る。ボンディング層１３の形成手段としては、金−シリ
コン共晶層、はんだ付け層および銀ペースト接着層等々
によるボンディング法を用いることが可能である。但
し、ボンディング層１３はペレット１２からタブ１１へ
の熱伝達の障壁とならないように形成することが望まし
い。
において集積回路を作り込まれた半導体集積回路構造物
としてのペレット１２は、ペレットボンディング工程に
おいて、各単位リードフレーム２におけるタブ１１上の
中央部に配されて、タブ１１とペレット１２との間に形
成されたボンディング層１３によって機械的に固着され
る。ボンディング層１３の形成手段としては、金−シリ
コン共晶層、はんだ付け層および銀ペースト接着層等々
によるボンディング法を用いることが可能である。但
し、ボンディング層１３はペレット１２からタブ１１へ
の熱伝達の障壁とならないように形成することが望まし
い。
【００２１】次に、ワイヤボンディング工程において、
ペレット１２の電極パッド１２ａとインナリード７との
間にはワイヤ１４が、超音波熱圧着式ワイヤボンディン
グ装置等の適当なワイヤボンディング装置（図示せず）
が使用されて、その両端部をそれぞれボンディングされ
て橋絡される。これにより、ペレット１２に作り込まれ
ている集積回路は、電極パッド１２ａ、ワイヤ１４、イ
ンナリード７およびアウタリード８を介して電気的に外
部に引き出されることになる。
ペレット１２の電極パッド１２ａとインナリード７との
間にはワイヤ１４が、超音波熱圧着式ワイヤボンディン
グ装置等の適当なワイヤボンディング装置（図示せず）
が使用されて、その両端部をそれぞれボンディングされ
て橋絡される。これにより、ペレット１２に作り込まれ
ている集積回路は、電極パッド１２ａ、ワイヤ１４、イ
ンナリード７およびアウタリード８を介して電気的に外
部に引き出されることになる。
【００２２】このようにしてペレットおよびワイヤボン
ディングされた組立体１５には、各単位リードフレーム
２毎に樹脂封止体１６が、図４に示されているトランス
ファ成形装置３０が使用されて、図５に示されているよ
うに、単位リードフレーム群について同時成形される。
ディングされた組立体１５には、各単位リードフレーム
２毎に樹脂封止体１６が、図４に示されているトランス
ファ成形装置３０が使用されて、図５に示されているよ
うに、単位リードフレーム群について同時成形される。
【００２３】図４に示されているトランスファ成形装置
３０は、シリンダ装置等（図示せず）によって互いに型
締めされる一対の上型３１と下型３２とを備えており、
上型３１と下型３２との合わせ面には上型キャビティー
凹部３３ａと下型キャビティー凹部３３ｂとが、互いに
協働して、略正方形中空体形状のキャビティー３３を形
成するようにそれぞれ複数組没設されている。すなわ
ち、上型キャビティー凹部３３ａおよび下型キャビティ
ー凹部３３ｂは略正方形の穴形状にそれぞれ形成されて
いる。上型３１の合わせ面にはポット３４が開設されて
おり、ポット３４にはシリンダ装置（図示せず）により
進退されるプランジャ３５が成形材料としての樹脂（以
下、レジンという。）を送給し得るように挿入されてい
る。
３０は、シリンダ装置等（図示せず）によって互いに型
締めされる一対の上型３１と下型３２とを備えており、
上型３１と下型３２との合わせ面には上型キャビティー
凹部３３ａと下型キャビティー凹部３３ｂとが、互いに
協働して、略正方形中空体形状のキャビティー３３を形
成するようにそれぞれ複数組没設されている。すなわ
ち、上型キャビティー凹部３３ａおよび下型キャビティ
ー凹部３３ｂは略正方形の穴形状にそれぞれ形成されて
いる。上型３１の合わせ面にはポット３４が開設されて
おり、ポット３４にはシリンダ装置（図示せず）により
進退されるプランジャ３５が成形材料としての樹脂（以
下、レジンという。）を送給し得るように挿入されてい
る。
【００２４】下型３２の合わせ面にはカル３６がポット
３４との対向位置に配されて没設されているとともに、
複数条のランナ３７がポット３４にそれぞれ接続するよ
うに放射状に配されて没設されている。各ランナ３７の
他端部は下側キャビティー凹部３３ｂにそれぞれ接続さ
れており、その接続部にはゲート３８がレジンをキャビ
ティー３３内に注入し得るように形成されている。ま
た、下型３２の合わせ面には逃げ凹所３９が組立体１５
における多連リードフレーム１の厚みを逃げ得るよう
に、その外形よりも若干大きめの長方形で、その厚さと
略等しい寸法の一定深さに没設されている。
３４との対向位置に配されて没設されているとともに、
複数条のランナ３７がポット３４にそれぞれ接続するよ
うに放射状に配されて没設されている。各ランナ３７の
他端部は下側キャビティー凹部３３ｂにそれぞれ接続さ
れており、その接続部にはゲート３８がレジンをキャビ
ティー３３内に注入し得るように形成されている。ま
た、下型３２の合わせ面には逃げ凹所３９が組立体１５
における多連リードフレーム１の厚みを逃げ得るよう
に、その外形よりも若干大きめの長方形で、その厚さと
略等しい寸法の一定深さに没設されている。
【００２５】本実施形態において、上型キャビティー凹
部３３ａおよび下型キャビティー凹部３３ｂにおける樹
脂封止体１６の４箇所のコーナー部に対応する部分に
は、切欠部１７を形成するための上型凸部４０ａおよび
下型凸部４０ｂがそれぞれ突設されている。上型凸部４
０ａおよび下型凸部４０ｂは平面視が直角三角形の平盤
形状にそれぞれ形成されており、直角部分が上型キャビ
ティー凹部３３ａおよび下型キャビティー凹部３３ｂの
直角部分にそれぞれ一致されている。また、上型凸部４
０ａと下型凸部４０ｂとは上下対称形にそれぞれ配設さ
れている。
部３３ａおよび下型キャビティー凹部３３ｂにおける樹
脂封止体１６の４箇所のコーナー部に対応する部分に
は、切欠部１７を形成するための上型凸部４０ａおよび
下型凸部４０ｂがそれぞれ突設されている。上型凸部４
０ａおよび下型凸部４０ｂは平面視が直角三角形の平盤
形状にそれぞれ形成されており、直角部分が上型キャビ
ティー凹部３３ａおよび下型キャビティー凹部３３ｂの
直角部分にそれぞれ一致されている。また、上型凸部４
０ａと下型凸部４０ｂとは上下対称形にそれぞれ配設さ
れている。
【００２６】トランスファ成形時において、前記構成に
係る組立体１５は下型３２に没設されている逃げ凹所３
９内に、各単位リードフレーム２におけるペレット１２
が各キャビティー３３内にそれぞれ収容されるように配
されてセットされる。
係る組立体１５は下型３２に没設されている逃げ凹所３
９内に、各単位リードフレーム２におけるペレット１２
が各キャビティー３３内にそれぞれ収容されるように配
されてセットされる。
【００２７】続いて、上型３１と下型３２とが型締めさ
れ、成形材料としてのレジン４１がポット３４からプラ
ンジャ３５によりランナ３７およびゲート３８を通じて
各キャビティー３３に送給されて圧入される。
れ、成形材料としてのレジン４１がポット３４からプラ
ンジャ３５によりランナ３７およびゲート３８を通じて
各キャビティー３３に送給されて圧入される。
【００２８】注入後、レジン４１が熱硬化されて樹脂封
止体１６が成形されると、上型３１および下型３２は型
開きされるとともに、エジェクタ・ピン（図示せず）に
より樹脂封止体１６群が離型される。このようにして、
図５に示されているように、樹脂封止体１６群を成形さ
れた成形体１８はトランスファ成形装置３０から脱装さ
れる。
止体１６が成形されると、上型３１および下型３２は型
開きされるとともに、エジェクタ・ピン（図示せず）に
より樹脂封止体１６群が離型される。このようにして、
図５に示されているように、樹脂封止体１６群を成形さ
れた成形体１８はトランスファ成形装置３０から脱装さ
れる。
【００２９】以上のようにして樹脂成形された樹脂封止
体１６の内部には、図５に示されているように、ペレッ
ト１２、インナリード７、ワイヤ１４および放熱フィン
リード１０が樹脂封止された状態になる。この状態にお
いて、各放熱フィンリード１０における外側端部側に形
成された放熱フィン９は樹脂封止体１６の切欠部１７か
らそれぞれ突出された状態になっている。
体１６の内部には、図５に示されているように、ペレッ
ト１２、インナリード７、ワイヤ１４および放熱フィン
リード１０が樹脂封止された状態になる。この状態にお
いて、各放熱フィンリード１０における外側端部側に形
成された放熱フィン９は樹脂封止体１６の切欠部１７か
らそれぞれ突出された状態になっている。
【００３０】樹脂封止体を成形された成形体１８はめっ
き処理工程を経た後にまたは経る前に、リード成形工程
（図示せず）において各単位リードフレーム毎に順次、
外枠３、セクション枠４およびダム６ａを切り落とされ
るとともに、アウタリード８および放熱フィン９がガル
・ウイング形状に屈曲成形される。
き処理工程を経た後にまたは経る前に、リード成形工程
（図示せず）において各単位リードフレーム毎に順次、
外枠３、セクション枠４およびダム６ａを切り落とされ
るとともに、アウタリード８および放熱フィン９がガル
・ウイング形状に屈曲成形される。
【００３１】以上のようにして、図１、図６および図７
に示されている前記構成に係るＨＱＦＰ・ＩＣ１９が製
造されたことになる。ＨＱＦＰ・ＩＣ１９は樹脂封止体
１６の切欠部１７から突出されている放熱フィン９の先
端が各放熱フィン９、９間に配列されているアウタリー
ド８の先端よりも平面視で樹脂封止体１６の中心側に引
っ込んだ状態になっている。
に示されている前記構成に係るＨＱＦＰ・ＩＣ１９が製
造されたことになる。ＨＱＦＰ・ＩＣ１９は樹脂封止体
１６の切欠部１７から突出されている放熱フィン９の先
端が各放熱フィン９、９間に配列されているアウタリー
ド８の先端よりも平面視で樹脂封止体１６の中心側に引
っ込んだ状態になっている。
【００３２】前記構成に係るＨＱＦＰ・ＩＣ１９は図１
に示されているようにプリント配線基板に実装される。
に示されているようにプリント配線基板に実装される。
【００３３】図１において、プリント配線基板２１には
通電用ランド２２が複数個、実装対象物となるＨＱＦＰ
・ＩＣ１９における各アウタリード８に対応するように
それぞれ配されて、はんだ材料が用いられて略長方形の
小平板形状に形成されている。また、プリント配線基板
２１には放熱フィン用のランド２３が４個、各ランド２
２群列の両端部においてＨＱＦＰ・ＩＣ１９の各放熱フ
ィン９にそれぞれ対応するように配されて、各放熱フィ
ン９に略対応する形状にそれぞれ形成されている。
通電用ランド２２が複数個、実装対象物となるＨＱＦＰ
・ＩＣ１９における各アウタリード８に対応するように
それぞれ配されて、はんだ材料が用いられて略長方形の
小平板形状に形成されている。また、プリント配線基板
２１には放熱フィン用のランド２３が４個、各ランド２
２群列の両端部においてＨＱＦＰ・ＩＣ１９の各放熱フ
ィン９にそれぞれ対応するように配されて、各放熱フィ
ン９に略対応する形状にそれぞれ形成されている。
【００３４】ＨＱＦＰ・ＩＣ１９がプリント配線基板２
１に表面実装される際、ＨＱＦＰ・ＩＣ１９におけるア
ウタリード８および放熱フィン９がプリント配線基板２
１上のランド２２および２３に、半田ペースト（図示せ
ず）を挟設されてそれぞれ当接される。続いて、リフロ
ー半田処理等の適当な手段により、半田ペーストが溶融
された後に固化されると、アウタリード８および放熱フ
ィン９とランド２２および２３との間には半田付け部
（図示せず）がそれぞれ形成される。
１に表面実装される際、ＨＱＦＰ・ＩＣ１９におけるア
ウタリード８および放熱フィン９がプリント配線基板２
１上のランド２２および２３に、半田ペースト（図示せ
ず）を挟設されてそれぞれ当接される。続いて、リフロ
ー半田処理等の適当な手段により、半田ペーストが溶融
された後に固化されると、アウタリード８および放熱フ
ィン９とランド２２および２３との間には半田付け部
（図示せず）がそれぞれ形成される。
【００３５】以上のようにして、ＨＱＦＰ・ＩＣ１９は
プリント配線基板２１に電気的かつ機械的に接続されて
表面実装された状態になる。この実装状態において、稼
働中にペレット１２が発熱すると、ペレット１２は放熱
フィンリード１０に一体となったタブ１１にボンディン
グされているため、ペレット１２の発熱は放熱フィンリ
ード１０に熱伝導によって伝わり、その放熱フィンリー
ド１０に連結されている放熱フィン９からプリント配線
基板２１を通じて効果的に放熱される。この際、放熱フ
ィン９および放熱フィンリード１０が樹脂封止体１６の
切欠部１７に配設されていることにより、樹脂封止体１
６のコーナー部の外側に配設した従来例の場合よりもタ
ブ１１に近接した状態になっているため、熱抵抗が小さ
くなり、ペレット１２の発熱はきわめて効果的に放熱さ
れることになる。
プリント配線基板２１に電気的かつ機械的に接続されて
表面実装された状態になる。この実装状態において、稼
働中にペレット１２が発熱すると、ペレット１２は放熱
フィンリード１０に一体となったタブ１１にボンディン
グされているため、ペレット１２の発熱は放熱フィンリ
ード１０に熱伝導によって伝わり、その放熱フィンリー
ド１０に連結されている放熱フィン９からプリント配線
基板２１を通じて効果的に放熱される。この際、放熱フ
ィン９および放熱フィンリード１０が樹脂封止体１６の
切欠部１７に配設されていることにより、樹脂封止体１
６のコーナー部の外側に配設した従来例の場合よりもタ
ブ１１に近接した状態になっているため、熱抵抗が小さ
くなり、ペレット１２の発熱はきわめて効果的に放熱さ
れることになる。
【００３６】前記実施形態によれば次の効果が得られ
る。 樹脂封止体１６のコーナー部に形成した切欠部１７
に放熱フィン９および放熱フィンリード１０を配設し
て、放熱フィン９をタブ１１に近接させることにより、
ペレット１２と放熱フィン９との間の熱抵抗を小さく抑
制することができるため、ペレット１２の発熱をきわめ
て効果的に放熱させることができる。
る。 樹脂封止体１６のコーナー部に形成した切欠部１７
に放熱フィン９および放熱フィンリード１０を配設し
て、放熱フィン９をタブ１１に近接させることにより、
ペレット１２と放熱フィン９との間の熱抵抗を小さく抑
制することができるため、ペレット１２の発熱をきわめ
て効果的に放熱させることができる。
【００３７】 樹脂封止体１６のコーナー部に形成し
た切欠部１７に放熱フィン９および放熱フィンリード１
０を配設することにより、樹脂封止体１６の大きさにか
かわらず放熱フィン９をタブ１１に接近させることがで
きるため、インナリード７の本数が多いパッケージであ
っても所期の放熱性能を得ることができる。
た切欠部１７に放熱フィン９および放熱フィンリード１
０を配設することにより、樹脂封止体１６の大きさにか
かわらず放熱フィン９をタブ１１に接近させることがで
きるため、インナリード７の本数が多いパッケージであ
っても所期の放熱性能を得ることができる。
【００３８】 放熱フィン９および放熱フィンリード
１０はタブ１１、アウタリード８およびインナリード７
と一体成形することができるため、製造コストの増加を
抑制することができる。
１０はタブ１１、アウタリード８およびインナリード７
と一体成形することができるため、製造コストの増加を
抑制することができる。
【００３９】図８は本発明の他の実施形態であるＨＱＦ
Ｐ・ＩＣを示しており、（ａ）は一部切断平面図、
（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う側面断面図である。
Ｐ・ＩＣを示しており、（ａ）は一部切断平面図、
（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う側面断面図である。
【００４０】本実施形態２のＨＱＦＰ・ＩＣ１９Ａが前
記実施形態１のＨＱＦＰ・ＩＣ１９と異なる点は、４個
の切欠部１７Ａが樹脂封止体１６Ａの各辺の中央部にそ
れぞれ配設されている点である。
記実施形態１のＨＱＦＰ・ＩＣ１９と異なる点は、４個
の切欠部１７Ａが樹脂封止体１６Ａの各辺の中央部にそ
れぞれ配設されている点である。
【００４１】本実施形態２においても、放熱フィン９お
よび放熱フィンリード１０が樹脂封止体１６Ａの切欠部
１７Ａに配設されてタブ１１に近接されているため、ペ
レット１２と放熱フィン９との間の熱抵抗を小さく抑制
することができ、その結果、ペレット１２の発熱をきわ
めて効果的に放熱させることができる。
よび放熱フィンリード１０が樹脂封止体１６Ａの切欠部
１７Ａに配設されてタブ１１に近接されているため、ペ
レット１２と放熱フィン９との間の熱抵抗を小さく抑制
することができ、その結果、ペレット１２の発熱をきわ
めて効果的に放熱させることができる。
【００４２】図９は本発明の他の実施形態であるＨＳＯ
Ｐ・ＩＣを示す斜視図である。
Ｐ・ＩＣを示す斜視図である。
【００４３】本実施形態２が前記実施形態１と異なる点
は、パッケージが低熱抵抗形スモール・アウトライン・
パッケージ（以下、ＨＳＯＰ・ＩＣという。）として構
成されており、２個の切欠部１７Ｂが樹脂封止体１６Ｂ
の両方の長辺の中央部にそれぞれ配設されている点であ
る。
は、パッケージが低熱抵抗形スモール・アウトライン・
パッケージ（以下、ＨＳＯＰ・ＩＣという。）として構
成されており、２個の切欠部１７Ｂが樹脂封止体１６Ｂ
の両方の長辺の中央部にそれぞれ配設されている点であ
る。
【００４４】本実施形態２においても、放熱フィン９お
よび放熱フィンリード１０が樹脂封止体１６Ｂの切欠部
１７Ｂに配設されてタブ１１に近接されているため、ペ
レット１２と放熱フィン９との間の熱抵抗を小さく抑制
することができ、その結果、ペレット１２の発熱をきわ
めて効果的に放熱させることができる。
よび放熱フィンリード１０が樹脂封止体１６Ｂの切欠部
１７Ｂに配設されてタブ１１に近接されているため、ペ
レット１２と放熱フィン９との間の熱抵抗を小さく抑制
することができ、その結果、ペレット１２の発熱をきわ
めて効果的に放熱させることができる。
【００４５】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４６】放熱フィンはアウタリードと同一のリード
形状に形成するに限らず、他のリード形状に形成しても
よい。例えば、放熱フィンはアウタリードのガル・ウイ
ング形状に形成するに限らず、Ｉリード形状やＪリード
形状に形成してもよい。
形状に形成するに限らず、他のリード形状に形成しても
よい。例えば、放熱フィンはアウタリードのガル・ウイ
ング形状に形成するに限らず、Ｉリード形状やＪリード
形状に形成してもよい。
【００４７】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＨＱＦ
Ｐ・ＩＣおよびＨＳＯＰ・ＩＣに適用した場合について
説明したが、それに限定されるものではなく、ＱＦＪ・
ＩＣ、ＳＯＪ・ＩＣ、ＱＦＩ・ＩＣ、ＳＯＩ・ＩＣ等の
表面実装形樹脂封止体を備えたＩＣ、さらには、樹脂封
止形パワートランジスタや、その他の半導体装置全般に
適用することができる。特に、本発明は、小型軽量、多
ピンで、しかも、低価格であり、高い放熱性能が要求さ
れる半導体装置に利用して優れた効果が得られる。
なされた発明をその背景となった利用分野であるＨＱＦ
Ｐ・ＩＣおよびＨＳＯＰ・ＩＣに適用した場合について
説明したが、それに限定されるものではなく、ＱＦＪ・
ＩＣ、ＳＯＪ・ＩＣ、ＱＦＩ・ＩＣ、ＳＯＩ・ＩＣ等の
表面実装形樹脂封止体を備えたＩＣ、さらには、樹脂封
止形パワートランジスタや、その他の半導体装置全般に
適用することができる。特に、本発明は、小型軽量、多
ピンで、しかも、低価格であり、高い放熱性能が要求さ
れる半導体装置に利用して優れた効果が得られる。
【００４８】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【００４９】樹脂封止体に形成した切欠部に放熱フィン
および放熱フィンリードを配設してタブに近接させるこ
とにより、ペレットと放熱フィンとの間の熱抵抗を小さ
く抑制することができため、ペレットの発熱をきわめて
効果的に放熱させることができる。
および放熱フィンリードを配設してタブに近接させるこ
とにより、ペレットと放熱フィンとの間の熱抵抗を小さ
く抑制することができため、ペレットの発熱をきわめて
効果的に放熱させることができる。
【図１】本発明の一実施形態であるＨＱＦＰ・ＩＣの実
装状態を示す斜視図である。
装状態を示す斜視図である。
【図２】そのＨＱＦＰ・ＩＣの製造方法に使用される多
連リードフレームを示す一部省略平面図である。
連リードフレームを示す一部省略平面図である。
【図３】ペレットおよびワイヤ・ボンディング工程後を
示す一部省略平面図である。
示す一部省略平面図である。
【図４】樹脂封止体の成形工程を示しており、（ａ）は
一部省略正面断面図、（ｂ）は対角線に沿う一部省略側
面断面図である。
一部省略正面断面図、（ｂ）は対角線に沿う一部省略側
面断面図である。
【図５】樹脂封止体の成形後を示す一部省略平面断面図
である。
である。
【図６】製造されたＨＱＦＰ・ＩＣを示しており、
（ａ）は一部切断正面図、（ｂ）は対角線に沿う一部切
断側面図である。
（ａ）は一部切断正面図、（ｂ）は対角線に沿う一部切
断側面図である。
【図７】同じく一部切断平面図である。
【図８】本発明の実施形態２であるＨＱＦＰ・ＩＣを示
しており、（ａ）は一部切断平面図、（ｂ）は（ａ）の
ｂ−ｂ線に沿う側面断面図である。
しており、（ａ）は一部切断平面図、（ｂ）は（ａ）の
ｂ−ｂ線に沿う側面断面図である。
【図９】本発明の実施形態３であるＨＳＯＰ・ＩＣの実
装状態を示す斜視図である。
装状態を示す斜視図である。
１…多連リードフレーム、２…単位リードフレーム、３
…外枠、３ａ…位置決め孔、４…セクション枠、５…吊
り部材、６…ダム部材、６ａ…ダム、７…インナリー
ド、８…アウタリード、９…放熱フィン、１０…放熱フ
ィンリード、１１…タブ、１２…ペレット、１２ａ…電
極パッド、１３…ボンディング層、１４…ワイヤ、１５
…組立体、１６、１６Ａ、１６Ｂ…樹脂封止体、１７、
１７Ａ、１７Ｂ…切欠部、１８…成形体、１９、１９Ａ
…ＨＱＦＰ・ＩＣ（半導体装置）、１９Ｂ…ＨＳＯＰ・
ＩＣ（半導体装置）、２１…プリント配線基板、２２、
２３…ランド、３０…トランスファ成形装置、３１…上
型、３２…下型、３３…キャビティー、３３ａ…上型キ
ャビティー凹部、３３ｂ…下型キャビティー凹部、３４
…ポット、３５…プランジャ、３６…カル、３７…ラン
ナ、３８…ゲート、３９…凹所、４０ａ…上型凸部、４
０ｂ…下型凸部、４１…レジン。
…外枠、３ａ…位置決め孔、４…セクション枠、５…吊
り部材、６…ダム部材、６ａ…ダム、７…インナリー
ド、８…アウタリード、９…放熱フィン、１０…放熱フ
ィンリード、１１…タブ、１２…ペレット、１２ａ…電
極パッド、１３…ボンディング層、１４…ワイヤ、１５
…組立体、１６、１６Ａ、１６Ｂ…樹脂封止体、１７、
１７Ａ、１７Ｂ…切欠部、１８…成形体、１９、１９Ａ
…ＨＱＦＰ・ＩＣ（半導体装置）、１９Ｂ…ＨＳＯＰ・
ＩＣ（半導体装置）、２１…プリント配線基板、２２、
２３…ランド、３０…トランスファ成形装置、３１…上
型、３２…下型、３３…キャビティー、３３ａ…上型キ
ャビティー凹部、３３ｂ…下型キャビティー凹部、３４
…ポット、３５…プランジャ、３６…カル、３７…ラン
ナ、３８…ゲート、３９…凹所、４０ａ…上型凸部、４
０ｂ…下型凸部、４１…レジン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/36 Ｈ０１Ｌ 23/36 Ｃ
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体ペレットがボンディングされてい
るタブと、前記半導体ペレットに電気的にそれぞれ接続
されている複数本のインナリードと、これらインナリー
ドにそれぞれ一体的に連結されているアウタリードと、
前記タブに連結されている複数本の放熱フィンリード
と、これらの放熱フィンリードにそれぞれ一体的に連結
されている複数個の放熱フィンと、前記タブ、前記ペレ
ット、前記インナリード群および前記放熱フィンリード
群を樹脂封止する樹脂封止体とを備えており、前記各放
熱フィンは樹脂封止体からそれぞれ側方に突出されてい
る半導体装置において、 前記樹脂封止体における前記各放熱フィンリードの部分
に切欠部が形成されており、この切欠部には前記放熱フ
ィンが配設されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記各切欠部および前記放熱フィンが、
前記樹脂封止体における各コーナー部にそれぞれ配され
ていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記各切欠部および前記放熱フィンが、
前記樹脂封止体における各辺の中央部にそれぞれ配され
ていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記各切欠部および前記放熱フィンが、
前記樹脂封止体における長辺の中央部にそれぞれ配され
ていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記放熱フィンが、前記アウタリードに
対応する形状に形成されていることを特徴とする請求項
１、２、３または４に記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記放熱フィンが、ガル・ウイング形状
に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の半
導体装置。 - 【請求項７】 タブと、このタブに近接されて配設され
ている複数本のインナリードと、これらインナリードに
それぞれ一体的に連結されているアウタリードと、前記
タブに連結されている複数本の放熱フィンリードと、こ
れら放熱フィンリードにそれぞれ一体的に連結されてい
る複数個の放熱フィンとを備えているリードフレームが
準備されるリードフレーム準備工程と、準備されたリー
ドフレームの前記タブ上に半導体ペレットがボンディン
グされ半導体ペレットの電極パッドと前記各インナリー
ドとが電気的に接続される接続工程と、樹脂封止体が前
記タブ、前記半導体ペレット、前記インナリード群およ
び前記放熱フィンリードを樹脂封止するように成形され
る樹脂封止体成形工程とを備えていることを半導体装置
の製造方法において、 前記樹脂封止体における前記各放熱フィンリードの部分
に切欠部が形成され、この切欠部には前記放熱フィンが
配設されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記各切欠部が、前記樹脂封止体を成形
する成形型のキャビティーにおける各コーナー部にそれ
ぞれ配されていることを特徴とする請求項７に記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記各切欠部が、前記樹脂封止体を成形
する成形型のキャビティーにおける各辺の中央部にそれ
ぞれ配されていることを特徴とする請求項７に記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 タブと、このタブに近接されて配設さ
れている複数本のインナリードと、これらインナリード
にそれぞれ一体的に連結されているアウタリードと、前
記タブに連結されている複数本の放熱フィンリードと、
これら放熱フィンリードにそれぞれ一体的に連結されて
いる複数個の放熱フィンとを備えているリードフレーム
において、 前記各放熱フィンリードが短く形成されて前記各放熱フ
ィンが前記タブに近づけられていることを特徴とするリ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15540898A JPH11340400A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15540898A JPH11340400A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340400A true JPH11340400A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15605339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15540898A Pending JPH11340400A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11340400A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031750A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレームとそれを用いた半導体装置 |
| CN104347570A (zh) * | 2013-07-26 | 2015-02-11 | 飞思卡尔半导体公司 | 无引线型半导体封装及其组装方法 |
| KR20170063926A (ko) * | 2014-11-07 | 2017-06-08 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 전력용 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
-
1998
- 1998-05-21 JP JP15540898A patent/JPH11340400A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031750A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレームとそれを用いた半導体装置 |
| CN104347570A (zh) * | 2013-07-26 | 2015-02-11 | 飞思卡尔半导体公司 | 无引线型半导体封装及其组装方法 |
| KR20170063926A (ko) * | 2014-11-07 | 2017-06-08 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 전력용 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
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