JP2003031750A - リードフレームとそれを用いた半導体装置 - Google Patents
リードフレームとそれを用いた半導体装置Info
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- JP2003031750A JP2003031750A JP2001212929A JP2001212929A JP2003031750A JP 2003031750 A JP2003031750 A JP 2003031750A JP 2001212929 A JP2001212929 A JP 2001212929A JP 2001212929 A JP2001212929 A JP 2001212929A JP 2003031750 A JP2003031750 A JP 2003031750A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレームを有する半導体装置におい
て、放熱の問題を解決できるようにする。 【解決手段】 半導体素子を搭載するためのダイパッド
部２と、半導体素子とのワイヤボンディングを行うため
のインナーリード部３と、基板への接続のためのアウタ
ーリード部４と、基板への放熱のための放熱フィン部９
とを有する。
て、放熱の問題を解決できるようにする。 【解決手段】 半導体素子を搭載するためのダイパッド
部２と、半導体素子とのワイヤボンディングを行うため
のインナーリード部３と、基板への接続のためのアウタ
ーリード部４と、基板への放熱のための放熱フィン部９
とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止される半
導体装置において半導体素子を搭載するリードフレーム
とそのリードフレームを用いた半導体装置に関するもの
である。
導体装置において半導体素子を搭載するリードフレーム
とそのリードフレームを用いた半導体装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図５に示すように、従来、半導体装置用
のリードフレーム１は、半導体素子を搭載するダイパッ
ド部２と、半導体素子とのワイヤボンディングを行うた
めのインナーリード部３と、基板への接続のためのアウ
ターリード部４とを有した構成とされている。そして、
ダイパッド部２に半導体素子を搭載後、この半導体素子
とインナーリード部３とのワイヤボンディングを行った
後に、その外囲が樹脂封止されるようになっている。
のリードフレーム１は、半導体素子を搭載するダイパッ
ド部２と、半導体素子とのワイヤボンディングを行うた
めのインナーリード部３と、基板への接続のためのアウ
ターリード部４とを有した構成とされている。そして、
ダイパッド部２に半導体素子を搭載後、この半導体素子
とインナーリード部３とのワイヤボンディングを行った
後に、その外囲が樹脂封止されるようになっている。
【０００３】また、図６に示すように、リードフレーム
１に半導体素子を搭載した後に外囲を樹脂封止した際
に、ダイパッド部２への応力を緩和するために、このダ
イパッド部２に開口部５が形成されたものも知られてい
る。
１に半導体素子を搭載した後に外囲を樹脂封止した際
に、ダイパッド部２への応力を緩和するために、このダ
イパッド部２に開口部５が形成されたものも知られてい
る。
【０００４】次に、上述の従来のリードフレームを用い
た半導体装置について、図面を参照しながら説明する。
図７は、このような従来の半導体装置の断面図である。
リードフレーム１のダイパッド部２に半導体素子６が搭
載されることにより構成された主要部分は封止樹脂７の
内部に埋め込まれ、この封止樹脂７から複数のアウター
リード部４が突出されている。８は基板で、この基板８
にアウターリード部４の先端部分がはんだ付けされてい
る。
た半導体装置について、図面を参照しながら説明する。
図７は、このような従来の半導体装置の断面図である。
リードフレーム１のダイパッド部２に半導体素子６が搭
載されることにより構成された主要部分は封止樹脂７の
内部に埋め込まれ、この封止樹脂７から複数のアウター
リード部４が突出されている。８は基板で、この基板８
にアウターリード部４の先端部分がはんだ付けされてい
る。
【０００５】半導体装置から基板８への放熱は、実質的
にアウターリード部４によって行われる。図示のもので
は、Ｂ−Ｂ１面を考えると、アウターリード部４の先端
における基板８に接している部分ｂとｂ１を介して、放
熱が行われる。
にアウターリード部４によって行われる。図示のもので
は、Ｂ−Ｂ１面を考えると、アウターリード部４の先端
における基板８に接している部分ｂとｂ１を介して、放
熱が行われる。
【０００６】この図７に示された半導体装置をパッケー
ジ裏面からみると、図８のようになる。
ジ裏面からみると、図８のようになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】近年のチップ面積の大
形化およびパッケージの薄型化による半導体装置のパッ
ケージクラック対策として、従来は、上述のようにダイ
パッド部２に開口部５を施したリードフレーム１を用い
て対処している。
形化およびパッケージの薄型化による半導体装置のパッ
ケージクラック対策として、従来は、上述のようにダイ
パッド部２に開口部５を施したリードフレーム１を用い
て対処している。
【０００８】しかしながら、開口部５が大きくなると、
パッケージクラックの原因である応力の問題は解決でき
ても、放熱については問題が顕著化する方向になってし
まう。
パッケージクラックの原因である応力の問題は解決でき
ても、放熱については問題が顕著化する方向になってし
まう。
【０００９】そこで本発明は、リードフレームを有する
半導体装置において、放熱の問題を解決できるようにす
ることを目的とする。
半導体装置において、放熱の問題を解決できるようにす
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明のリードフレームは、半導体素子を搭載するため
のダイパッド部と、半導体素子とのワイヤボンディング
を行うためのインナーリード部と、基板への接続のため
のアウターリード部と、基板への放熱のための放熱フィ
ン部とを有するようにしたものである。
本発明のリードフレームは、半導体素子を搭載するため
のダイパッド部と、半導体素子とのワイヤボンディング
を行うためのインナーリード部と、基板への接続のため
のアウターリード部と、基板への放熱のための放熱フィ
ン部とを有するようにしたものである。
【００１１】本発明によれば、ダイパッド部に開口部が
形成されているようにすることができる。本発明の半導
体装置は、上記のリードフレームと半導体素子との領域
を樹脂封止したものである。
形成されているようにすることができる。本発明の半導
体装置は、上記のリードフレームと半導体素子との領域
を樹脂封止したものである。
【００１２】したがって本発明のリードフレームによる
と、放熱フィンにより発熱の問題が解決できる。さら
に、半導体素子を搭載するダイパッド部が、開口部を有
して、応力緩和できるようにすることが可能であるた
め、そのダイパッド部に半導体素子を搭載した後に樹脂
封止して半導体装置を構成するときに、封止樹脂との応
力を緩和でき、またダイパッド部に対して半導体素子を
搭載する際に、半導体素子とダイパッド部とを接合する
のに用いる接着剤の量を減らすことができ、このため接
着剤が吸収する水分量を減らして、半導体装置を基板実
装する際のリフロー工程におけるパッケージクラックや
パッケージ裏面の膨れによる半田付け実装不良を防止す
ることもできる。
と、放熱フィンにより発熱の問題が解決できる。さら
に、半導体素子を搭載するダイパッド部が、開口部を有
して、応力緩和できるようにすることが可能であるた
め、そのダイパッド部に半導体素子を搭載した後に樹脂
封止して半導体装置を構成するときに、封止樹脂との応
力を緩和でき、またダイパッド部に対して半導体素子を
搭載する際に、半導体素子とダイパッド部とを接合する
のに用いる接着剤の量を減らすことができ、このため接
着剤が吸収する水分量を減らして、半導体装置を基板実
装する際のリフロー工程におけるパッケージクラックや
パッケージ裏面の膨れによる半田付け実装不良を防止す
ることもできる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明のリードフレームの
実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図
１は、本発明の実施の形態のリードフレームの主要部分
を示す平面図である。この図１において、リードフレー
ム１は、従来のものと同様のダイパッド部２と、インナ
ーリード部３と、アウターリード部４と、ダイパッド部
２の開口部５とを有する。そして、この図１のリードフ
レーム１には、放熱フィン部９が一体に形成されてい
る。
実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図
１は、本発明の実施の形態のリードフレームの主要部分
を示す平面図である。この図１において、リードフレー
ム１は、従来のものと同様のダイパッド部２と、インナ
ーリード部３と、アウターリード部４と、ダイパッド部
２の開口部５とを有する。そして、この図１のリードフ
レーム１には、放熱フィン部９が一体に形成されてい
る。
【００１４】このような構成のリードフレーム１を用い
て半導体装置を製造する際には、リードフレーム１のダ
イパッド部２に半導体素子を搭載した後に、外囲を樹脂
封止するのであるが、その際にリードフレーム１にディ
プレス加工を施し、放熱フィン部９が樹脂封止後にパッ
ケージ裏面と面一になるように整形する。
て半導体装置を製造する際には、リードフレーム１のダ
イパッド部２に半導体素子を搭載した後に、外囲を樹脂
封止するのであるが、その際にリードフレーム１にディ
プレス加工を施し、放熱フィン部９が樹脂封止後にパッ
ケージ裏面と面一になるように整形する。
【００１５】なお、図２は、ダイパッド部２が開口部５
を有しない場合を例示する。図３は、図１のリードフレ
ームをディプレス加工した後に半導体装置に使用したも
のを示す断面図である。１０は、そのディプレス部であ
る。
を有しない場合を例示する。図３は、図１のリードフレ
ームをディプレス加工した後に半導体装置に使用したも
のを示す断面図である。１０は、そのディプレス部であ
る。
【００１６】このようにディプレス加工することによっ
て、放熱フィン部９をパッケージの外に出すことによ
り、半導体装置から実装基板８への放熱は、Ａ−Ａ１面
を考えると、ａ、ａ１、ａ２、ａ３で行われることにな
って、従来のようにアウターリード部を基板に接続させ
ただけのものに比べ、放熱フィン部９の分だけ放熱性能
が向上する。このことにより、放熱効果を大きくするこ
とができる。この半導体装置をパッケージ裏面からみる
と図４のようになる。
て、放熱フィン部９をパッケージの外に出すことによ
り、半導体装置から実装基板８への放熱は、Ａ−Ａ１面
を考えると、ａ、ａ１、ａ２、ａ３で行われることにな
って、従来のようにアウターリード部を基板に接続させ
ただけのものに比べ、放熱フィン部９の分だけ放熱性能
が向上する。このことにより、放熱効果を大きくするこ
とができる。この半導体装置をパッケージ裏面からみる
と図４のようになる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、本発明のリードフレーム
は、半導体装置を基板実装する際の放熱の問題を簡単に
解決することができる。
は、半導体装置を基板実装する際の放熱の問題を簡単に
解決することができる。
【図１】本発明の実施の形態のリードフレームを示す平
面図
面図
【図２】本発明の他の実施の形態のリードフレームを示
す平面図
す平面図
【図３】本発明の実施の形態の半導体装置を示す断面図
【図４】図３の半導体装置の底面図
【図５】従来のリードフレームを示す平面図
【図６】従来の他のリードフレームを示す平面図
【図７】従来の半導体装置を示す断面図
【図８】図７の半導体装置の底面図
１ リードフレーム
２ ダイパッド部
３ インナーリード部
４ アウターリード部
５ 開口部
６ 半導体素子
７ 封止樹脂
８ 基板
９ 放熱フィン部
１０ ディプレス部
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載するためのダイパッド
部と、半導体素子とのワイヤボンディングを行うための
インナーリード部と、基板への接続のためのアウターリ
ード部と、基板への放熱のための放熱フィン部とを有す
るリードフレーム。 - 【請求項２】 ダイパッド部に開口部が形成されている
請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のリードフレーム
および半導体素子の領域を樹脂封止した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001212929A JP2003031750A (ja) | 2001-07-13 | 2001-07-13 | リードフレームとそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001212929A JP2003031750A (ja) | 2001-07-13 | 2001-07-13 | リードフレームとそれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003031750A true JP2003031750A (ja) | 2003-01-31 |
Family
ID=19047999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001212929A Pending JP2003031750A (ja) | 2001-07-13 | 2001-07-13 | リードフレームとそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003031750A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0722571A (ja) * | 1993-07-05 | 1995-01-24 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH08181268A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
| JPH08204097A (ja) * | 1995-01-25 | 1996-08-09 | Hitachi Ltd | リードフレームおよびそれを用いて構成された半導体装置 |
| JPH10326857A (ja) * | 1998-06-26 | 1998-12-08 | Matsushita Electron Corp | リードフレームとそれを用いた半導体装置およびその製造方法 |
| JPH11340400A (ja) * | 1998-05-21 | 1999-12-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム |
-
2001
- 2001-07-13 JP JP2001212929A patent/JP2003031750A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0722571A (ja) * | 1993-07-05 | 1995-01-24 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH08181268A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
| JPH08204097A (ja) * | 1995-01-25 | 1996-08-09 | Hitachi Ltd | リードフレームおよびそれを用いて構成された半導体装置 |
| JPH11340400A (ja) * | 1998-05-21 | 1999-12-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム |
| JPH10326857A (ja) * | 1998-06-26 | 1998-12-08 | Matsushita Electron Corp | リードフレームとそれを用いた半導体装置およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20080714 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100714 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20100720 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101116 |