JPH11340400A - Semiconductor device, manufacture thereof, and lead frame used therefor - Google Patents
Semiconductor device, manufacture thereof, and lead frame used thereforInfo
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- JPH11340400A JPH11340400A JP15540898A JP15540898A JPH11340400A JP H11340400 A JPH11340400 A JP H11340400A JP 15540898 A JP15540898 A JP 15540898A JP 15540898 A JP15540898 A JP 15540898A JP H11340400 A JPH11340400 A JP H11340400A
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特
に、表面実装形パッケージを備えている半導体装置にお
ける放熱性能を向上させる技術に関し、例えば、放熱フ
ィンを備えている低熱抵抗形半導体装置に利用して有効
なものに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technology for improving the heat radiation performance of a semiconductor device, particularly a semiconductor device having a surface mount type package, and is used, for example, for a low thermal resistance type semiconductor device having a heat radiation fin. And what is valid.
【０００２】[0002]
【従来の技術】表面実装形パッケージを備えている低熱
抵抗形半導体装置として、例えば、特開昭６１−１５２
０５１号公報に記載されているように、タブに幅の広い
放熱フィンが一体的に形成されているとともに、この放
熱フィンが樹脂封止体の側面に配設されてガル・ウイン
グ形状に屈曲されているものがある。2. Description of the Related Art As a low thermal resistance type semiconductor device provided with a surface mount type package, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No.
As described in Japanese Patent No. 051, a wide radiating fin is integrally formed on a tab, and the radiating fin is disposed on a side surface of a resin sealing body and bent into a gull-wing shape. There are things that are.
【０００３】この表面実装形パッケージを備えている低
熱抵抗形半導体装置においては、半導体ペレットの発熱
がタブを経由して放熱フィンに熱伝導され、放熱フィン
によって外部に放出されるため、低熱抵抗形パッケージ
を実現することができる。In the low thermal resistance type semiconductor device having the surface mount type package, the heat generated by the semiconductor pellet is conducted to the heat radiation fins via the tabs and released to the outside by the heat radiation fins. Package can be realized.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開昭６１−
１５２０５１号公報に記載されているような低熱抵抗形
半導体装置においては、リード本数が多いパッケージで
は放熱フィンの放熱経路が長くなるため、放熱性能が所
期の通りに向上しないという問題点があることが本発明
者によって明らかにされた。つまり、樹脂封止体の大き
さはリード本数によって規定され、放熱フィンリードの
長さは樹脂封止体の大きさによって規定されるため、リ
ード本数が多いパッケージでは放熱フィンの放熱経路が
長くなってしまう。However, Japanese Patent Application Laid-Open No.
The low thermal resistance type semiconductor device described in Japanese Patent No. 152051 has a problem that the heat radiation performance is not improved as expected because the heat radiation path of the heat radiation fin is long in a package having a large number of leads. Has been made clear by the present inventors. In other words, the size of the resin sealing body is defined by the number of leads, and the length of the radiation fin lead is defined by the size of the resin sealing body. Would.
【０００５】本発明の目的は、樹脂封止体の平面面積が
大きくなっても放熱性能を高めることができる半導体装
置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of improving heat radiation performance even when the planar area of a resin sealing body is increased.
【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。The outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application is as follows.
【０００８】すなわち、半導体ペレットがボンディング
されているタブと、前記半導体ペレットに電気的にそれ
ぞれ接続されている複数本のインナリードと、これらイ
ンナリードにそれぞれ一体的に連結されているアウタリ
ードと、前記タブに連結されている複数本の放熱フィン
リードと、これらの放熱フィンリードにそれぞれ一体的
に連結されている複数個の放熱フィンと、前記タブ、前
記ペレット、前記インナリード群および前記放熱フィン
リード群を樹脂封止する樹脂封止体とを備えており、前
記各放熱フィンは樹脂封止体からそれぞれ側方に突出さ
れている半導体装置において、前記樹脂封止体における
前記各放熱フィンリードの部分に切欠部が形成されてお
り、この切欠部には前記放熱フィンが配設されているこ
とを特徴とする。That is, a tab to which a semiconductor pellet is bonded, a plurality of inner leads electrically connected to the semiconductor pellet, outer leads integrally connected to the inner leads, respectively; A plurality of radiating fin leads connected to the tab; a plurality of radiating fins integrally connected to the radiating fin leads; the tab, the pellet, the inner lead group, and the radiating fin lead A resin sealing body for resin-sealing the group, wherein each of the heat radiation fins protrudes laterally from the resin sealing body. A notch is formed in the portion, and the radiating fin is provided in the notch.
【０００９】前記した手段によれば、放熱フィンリード
および放熱フィンが樹脂封止体の切欠部に配設されてい
る分だけ放熱経路が短くなるため、樹脂封止体の平面面
積が大きくなっても放熱性能を向上することができ、リ
ード数の多いパッケージであっても所期の低熱抵抗形パ
ッケージを実現することができる。According to the above-described means, the heat radiation path is shortened by an amount corresponding to the arrangement of the heat radiation fin lead and the heat radiation fin in the cutout portion of the resin sealing body, so that the planar area of the resin sealing body is increased. Also, the heat radiation performance can be improved, and a desired low thermal resistance type package can be realized even with a package having a large number of leads.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態である
低熱抵抗形ＱＦＰ・ＩＣの実装状態を示す斜視図であ
る。図２以降はその製造方法を示す各説明図である。FIG. 1 is a perspective view showing a mounted state of a low thermal resistance type QFP IC according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 et seq. Are explanatory diagrams showing the manufacturing method.
【００１１】本実施形態において、本発明に係る半導体
装置は、低熱抵抗を実現するための半導体集積回路装置
（以下、ＩＣという。）である低熱抵抗の樹脂封止形ク
ワッド・フラット・パッケージ（以下、ＨＱＦＰとい
う。）を備えているＩＣ（以下、ＨＱＦＰ・ＩＣとい
う。）として構成されている。In the present embodiment, a semiconductor device according to the present invention is a semiconductor integrated circuit device (hereinafter, referred to as an IC) for realizing a low thermal resistance. , HQFP) (hereinafter, referred to as HQFP · IC).
【００１２】このＨＱＦＰ・ＩＣ１９は略正方形平板形
状のシリコン半導体ペレット（以下、ペレットとい
う。）１２と、ペレット１２の四方に配設されている複
数本のインナリード７と、これらインナリード７にそれ
ぞれ一体的に連結されているアウタリード８と、ペレッ
ト１２の各電極パッド１２ａおよび各インナリード７に
その両端部をそれぞれボンディングされて橋絡されてい
るワイヤ１４と、ペレット１２がボンディングされた相
似形のタブ１１と、これらを樹脂封止した略正方形平盤
形状の樹脂封止体１６とを備えている。ペレット１２が
ボンディングされたタブ１１の４箇所のコーナー部には
各放熱フィンリード１０がそれぞれ連設されており、４
本の放熱フィンリード１０には樹脂封止体１６の各コー
ナー部においてそれぞれ外部に突出された各放熱フィン
９が一体的に連設されている。そして、樹脂封止体１６
におけるコーナー部には切欠部１７がそれぞれ形成され
ており、各切欠部１７には放熱フィンリード１０および
放熱フィン９が配設されている。The HQFP IC 19 has a silicon semiconductor pellet (hereinafter, referred to as a pellet) 12 having a substantially square plate shape, a plurality of inner leads 7 arranged on four sides of the pellet 12, and a plurality of inner leads 7. An outer lead 8 integrally connected, a wire 14 having both ends bonded to each electrode pad 12a and each inner lead 7 of the pellet 12 and being bridged, and a similar shape having the pellet 12 bonded thereto. A tab 11 and a resin sealing body 16 of a substantially square flat plate obtained by sealing these with a resin are provided. At each of the four corners of the tab 11 to which the pellet 12 is bonded, the radiation fin leads 10 are respectively provided in series.
The radiation fins 9 protruding to the outside at each corner of the resin sealing body 16 are integrally connected to the radiation fin lead 10. Then, the resin sealing body 16
Notches 17 are respectively formed at the corners of the radiating fins 9 and the radiating fin leads 10 and the radiating fins 9 are arranged in the respective notches 17.
【００１３】以下、本発明の一実施形態であるＨＱＦＰ
・ＩＣの製造方法を説明する。この説明により、前記し
たＨＱＦＰ・ＩＣの構成の詳細が共に明らかにされる。Hereinafter, an HQFP according to an embodiment of the present invention will be described.
-A method for manufacturing an IC will be described. With this description, the details of the configuration of the above-described HQFP IC will be clarified together.
【００１４】本実施形態において、ＨＱＦＰ・ＩＣの製
造方法には、図２に示されている多連リードフレーム１
が使用されている。この多連リードフレーム１は、鉄−
ニッケル合金や燐青銅等の比較的大きい機械的強度を有
するばね材料からなる薄板が用いられて、打ち抜きプレ
ス加工またはエッチング加工等の適当な手段により一体
成形されており、この多連リードフレーム１の表面には
銀（Ａｇ）等を用いためっき処理が、後述するワイヤボ
ンディングが適正に実施されるように施されている（図
示せず）。この多連リードフレーム１には複数の単位リ
ードフレーム２が横方向に１列に並設されている。但
し、一単位のみが図示されている。以下、他の構成要素
についても同様である。In this embodiment, the method of manufacturing the HQFP IC includes the multiple lead frame 1 shown in FIG.
Is used. This multiple lead frame 1 is made of iron-
A thin plate made of a spring material having a relatively large mechanical strength such as a nickel alloy or phosphor bronze is used, and is integrally formed by a suitable means such as a punching press process or an etching process. The surface is subjected to a plating process using silver (Ag) or the like so that wire bonding described later is appropriately performed (not shown). In the multiple lead frame 1, a plurality of unit lead frames 2 are arranged in a row in the horizontal direction. However, only one unit is shown. Hereinafter, the same applies to other components.
【００１５】単位リードフレーム２は位置決め孔３ａが
開設されている外枠３を一対備えており、両外枠３は所
定の間隔で平行になるように配されて一連にそれぞれ延
設されている。隣合う単位リードフレーム２、２間には
一対のセクション枠４が両外枠３、３間に互いに平行に
配されて一体的に架設されており、これら外枠、セクシ
ョン枠によって形成される略正方形の枠体（フレーム）
内に単位リードフレーム２が構成されている。The unit lead frame 2 has a pair of outer frames 3 each having a positioning hole 3a. The two outer frames 3 are arranged in parallel at a predetermined interval and extend in series. . A pair of section frames 4 are arranged between the adjacent unit lead frames 2 and 2 in parallel with each other between the outer frames 3 and 3 and are integrally erected, and are substantially formed by these outer frames and section frames. Square frame (frame)
A unit lead frame 2 is formed therein.
【００１６】各単位リードフレーム２において、外枠３
およびセクション枠４の中間部には吊り部材５が一対ず
つ、互いに離間されて直角方向にそれぞれ突設されてお
り、一対の吊り部材５、５間にはダム部材６がそれぞれ
架設されている。ダム部材６の内側端辺にはインナリー
ド７が複数本、長手方向に等間隔に配されて互いに絶縁
距離を維持するように突設されており、各インナリード
７の先端はペレットをボンディングするためのタブ１１
を取り囲むように配列されている。他方、ダム部材６の
外側端辺にはアウタリード８がインナリード７群と同数
本、各インナリード７とそれぞれ一連になるように形成
されており、各アウタリード８の先端は外枠３およびセ
クション枠４に接続されている。ダム部材６における隣
合うアウタリード８、８間の部分は、後述する樹脂封止
体成形時にレジンの流れをせき止めるダム６ａを実質的
に構成している。In each unit lead frame 2, the outer frame 3
In the middle part of the section frame 4, a pair of suspending members 5 are provided so as to be spaced apart from each other and project in a perpendicular direction, and a dam member 6 is provided between the pair of suspending members 5, 5. A plurality of inner leads 7 are arranged at equal intervals in the longitudinal direction on the inner end side of the dam member 6 so as to protrude so as to maintain an insulation distance from each other, and the tip of each inner lead 7 is bonded to a pellet. Tab 11 for
Are arranged to surround. On the other hand, outer leads 8 are formed on the outer end side of the dam member 6 in the same number as the inner leads 7 and in series with each of the inner leads 7, and the tip of each outer lead 8 is formed by the outer frame 3 and the section frame. 4 is connected. The portion between the adjacent outer leads 8, 8 in the dam member 6 substantially constitutes a dam 6a for damping the flow of the resin at the time of molding a resin sealing body described later.
【００１７】外枠３とセクション枠４とのコーナー部で
直角をなす２本の吊り部材５、５のそれぞれのコーナー
部側には放熱フィン９が、単位リードフレーム２の対角
線方向外向きに突設されており、各放熱フィン９の外側
端辺は対角線に対して直交するように切り落とされてい
る。Radiation fins 9 protrude outward in the diagonal direction of the unit lead frame 2 at the corners of the two suspension members 5, which form a right angle at the corners of the outer frame 3 and the section frame 4. The heat radiation fins 9 are cut off at their outer end sides so as to be orthogonal to the diagonal line.
【００１８】４個の放熱フィン９の内側先端部には放熱
フィンリード１０が対角線方向内向きに突設されてお
り、各放熱フィンリード１０の内側先端部には略正方形
平板形状のタブ１１が単位リードフレーム２の枠形状と
相似形に配されて、これら放熱フィンリード１０により
吊持されている。各放熱フィンリード１０はタブ１１と
の接続部付近においてそれぞれクランク形状に屈曲され
ており、この放熱フィンリード１０の屈曲によって、タ
ブ１１はインナリード７およびアウタリード８を含む平
面よりも、ペレットの厚さ分程度下げられている（所謂
タブ下げ。）。A radiation fin lead 10 projects diagonally inward from the inner ends of the four radiation fins 9, and a tab 11 having a substantially square plate shape is provided at the inner end of each radiation fin lead 10. It is arranged in a shape similar to the frame shape of the unit lead frame 2 and is suspended by these radiating fin leads 10. Each radiating fin lead 10 is bent in a crank shape in the vicinity of a connection portion with the tab 11. The bending of the radiating fin lead 10 causes the tab 11 to be thicker than the plane including the inner lead 7 and the outer lead 8. It is lowered a little (so-called tab lowering).
【００１９】ペレットボンディング工程およびワイヤボ
ンディング工程において、多連リードフレームには接続
作業が実施され、図３に示されている組立体１５が製造
される。接続作業は多連リードフレームが横方向にピッ
チ送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順
次実施される。この際、多連リードフレームの厚さや外
形は従来の多連リードフレームと同一であるため、これ
ら作業の実施には従来のペレットボンディング装置やワ
イヤボンディング装置を使用することができる。In the pellet bonding step and the wire bonding step, a connection operation is performed on the multiple lead frames, and the assembly 15 shown in FIG. 3 is manufactured. The connection operation is sequentially performed for each unit lead frame by feeding the multiple lead frames at a pitch in the horizontal direction. At this time, since the thickness and the outer shape of the multiple lead frame are the same as those of the conventional multiple lead frame, a conventional pellet bonding apparatus or a conventional wire bonding apparatus can be used for performing these operations.
【００２０】半導体装置の製造工程における所謂前工程
において集積回路を作り込まれた半導体集積回路構造物
としてのペレット１２は、ペレットボンディング工程に
おいて、各単位リードフレーム２におけるタブ１１上の
中央部に配されて、タブ１１とペレット１２との間に形
成されたボンディング層１３によって機械的に固着され
る。ボンディング層１３の形成手段としては、金−シリ
コン共晶層、はんだ付け層および銀ペースト接着層等々
によるボンディング法を用いることが可能である。但
し、ボンディング層１３はペレット１２からタブ１１へ
の熱伝達の障壁とならないように形成することが望まし
い。A pellet 12 as a semiconductor integrated circuit structure in which an integrated circuit is formed in a so-called pre-process in a semiconductor device manufacturing process is disposed at a central portion on a tab 11 of each unit lead frame 2 in a pellet bonding process. Then, it is mechanically fixed by a bonding layer 13 formed between the tab 11 and the pellet 12. As a method for forming the bonding layer 13, a bonding method using a gold-silicon eutectic layer, a soldering layer, a silver paste adhesive layer, or the like can be used. However, it is desirable that the bonding layer 13 be formed so as not to be a barrier for heat transfer from the pellet 12 to the tub 11.
【００２１】次に、ワイヤボンディング工程において、
ペレット１２の電極パッド１２ａとインナリード７との
間にはワイヤ１４が、超音波熱圧着式ワイヤボンディン
グ装置等の適当なワイヤボンディング装置（図示せず）
が使用されて、その両端部をそれぞれボンディングされ
て橋絡される。これにより、ペレット１２に作り込まれ
ている集積回路は、電極パッド１２ａ、ワイヤ１４、イ
ンナリード７およびアウタリード８を介して電気的に外
部に引き出されることになる。Next, in the wire bonding step,
A wire 14 is provided between the electrode pad 12a of the pellet 12 and the inner lead 7 by a suitable wire bonding device (not shown) such as an ultrasonic thermocompression bonding wire bonding device.
Is used to bond and bridge both ends thereof. As a result, the integrated circuit formed in the pellet 12 is electrically drawn out to the outside via the electrode pad 12a, the wire 14, the inner lead 7, and the outer lead 8.
【００２２】このようにしてペレットおよびワイヤボン
ディングされた組立体１５には、各単位リードフレーム
２毎に樹脂封止体１６が、図４に示されているトランス
ファ成形装置３０が使用されて、図５に示されているよ
うに、単位リードフレーム群について同時成形される。In the assembly 15 thus pelletized and wire-bonded, a resin sealing body 16 is provided for each unit lead frame 2 by using a transfer molding apparatus 30 shown in FIG. As shown in FIG. 5, the unit lead frame group is simultaneously molded.
【００２３】図４に示されているトランスファ成形装置
３０は、シリンダ装置等（図示せず）によって互いに型
締めされる一対の上型３１と下型３２とを備えており、
上型３１と下型３２との合わせ面には上型キャビティー
凹部３３ａと下型キャビティー凹部３３ｂとが、互いに
協働して、略正方形中空体形状のキャビティー３３を形
成するようにそれぞれ複数組没設されている。すなわ
ち、上型キャビティー凹部３３ａおよび下型キャビティ
ー凹部３３ｂは略正方形の穴形状にそれぞれ形成されて
いる。上型３１の合わせ面にはポット３４が開設されて
おり、ポット３４にはシリンダ装置（図示せず）により
進退されるプランジャ３５が成形材料としての樹脂（以
下、レジンという。）を送給し得るように挿入されてい
る。The transfer molding apparatus 30 shown in FIG. 4 includes a pair of upper mold 31 and lower mold 32 which are clamped to each other by a cylinder device or the like (not shown).
On the mating surface of the upper mold 31 and the lower mold 32, an upper mold cavity recessed portion 33a and a lower mold cavity recessed portion 33b cooperate with each other to form a substantially square hollow body-shaped cavity 33, respectively. Several sets have been submerged. That is, the upper mold cavity recessed portion 33a and the lower mold cavity recessed portion 33b are each formed in a substantially square hole shape. A pot 34 is opened on the mating surface of the upper die 31, and a plunger 35 advanced and retracted by a cylinder device (not shown) feeds a resin (hereinafter, referred to as resin) as a molding material to the pot 34. Has been inserted to get.
【００２４】下型３２の合わせ面にはカル３６がポット
３４との対向位置に配されて没設されているとともに、
複数条のランナ３７がポット３４にそれぞれ接続するよ
うに放射状に配されて没設されている。各ランナ３７の
他端部は下側キャビティー凹部３３ｂにそれぞれ接続さ
れており、その接続部にはゲート３８がレジンをキャビ
ティー３３内に注入し得るように形成されている。ま
た、下型３２の合わせ面には逃げ凹所３９が組立体１５
における多連リードフレーム１の厚みを逃げ得るよう
に、その外形よりも若干大きめの長方形で、その厚さと
略等しい寸法の一定深さに没設されている。On the mating surface of the lower mold 32, a cull 36 is disposed at a position facing the pot 34 and is submerged.
A plurality of runners 37 are radially arranged and submerged so as to be connected to the pots 34, respectively. The other end of each runner 37 is connected to the lower cavity recess 33b, and a gate 38 is formed at the connection so that the resin can be injected into the cavity 33. In addition, a relief recess 39 is provided on the mating surface of the lower mold 32 in the assembly 15.
In order to escape the thickness of the multiple lead frame 1 in the above, the rectangular shape is slightly larger than the outer shape, and is submerged at a certain depth having a dimension substantially equal to the thickness.
【００２５】本実施形態において、上型キャビティー凹
部３３ａおよび下型キャビティー凹部３３ｂにおける樹
脂封止体１６の４箇所のコーナー部に対応する部分に
は、切欠部１７を形成するための上型凸部４０ａおよび
下型凸部４０ｂがそれぞれ突設されている。上型凸部４
０ａおよび下型凸部４０ｂは平面視が直角三角形の平盤
形状にそれぞれ形成されており、直角部分が上型キャビ
ティー凹部３３ａおよび下型キャビティー凹部３３ｂの
直角部分にそれぞれ一致されている。また、上型凸部４
０ａと下型凸部４０ｂとは上下対称形にそれぞれ配設さ
れている。In the present embodiment, the upper mold cavity recessed portion 33a and the lower mold cavity recessed portion 33b correspond to the four corners of the resin sealing body 16 in order to form the notch portion 17 for forming the cutout portion 17. The convex portion 40a and the lower mold convex portion 40b are respectively provided to protrude. Upper mold convex part 4
0a and the lower mold projection 40b are each formed in a flat plate shape having a right-angled triangle in plan view, and the right-angled portions correspond to the right-angled portions of the upper mold cavity recessed portion 33a and the lower mold cavity recessed portion 33b, respectively. In addition, the upper mold projection 4
0a and the lower mold projection 40b are arranged in a vertically symmetrical shape.
【００２６】トランスファ成形時において、前記構成に
係る組立体１５は下型３２に没設されている逃げ凹所３
９内に、各単位リードフレーム２におけるペレット１２
が各キャビティー３３内にそれぞれ収容されるように配
されてセットされる。At the time of transfer molding, the assembly 15 according to the above-described configuration is provided with the relief recess 3 submerged in the lower mold 32.
9, pellets 12 in each unit lead frame 2
Are arranged and set so as to be accommodated in the respective cavities 33.
【００２７】続いて、上型３１と下型３２とが型締めさ
れ、成形材料としてのレジン４１がポット３４からプラ
ンジャ３５によりランナ３７およびゲート３８を通じて
各キャビティー３３に送給されて圧入される。Subsequently, the upper mold 31 and the lower mold 32 are clamped, and a resin 41 as a molding material is fed from the pot 34 to each cavity 33 through the runner 37 and the gate 38 by the plunger 35 and is press-fitted. .
【００２８】注入後、レジン４１が熱硬化されて樹脂封
止体１６が成形されると、上型３１および下型３２は型
開きされるとともに、エジェクタ・ピン（図示せず）に
より樹脂封止体１６群が離型される。このようにして、
図５に示されているように、樹脂封止体１６群を成形さ
れた成形体１８はトランスファ成形装置３０から脱装さ
れる。After the injection, when the resin 41 is thermally cured to form the resin sealing body 16, the upper mold 31 and the lower mold 32 are opened, and the resin is sealed by an ejector pin (not shown). The body 16 group is released. In this way,
As shown in FIG. 5, the molded body 18 in which the resin sealing body 16 group is molded is detached from the transfer molding device 30.
【００２９】以上のようにして樹脂成形された樹脂封止
体１６の内部には、図５に示されているように、ペレッ
ト１２、インナリード７、ワイヤ１４および放熱フィン
リード１０が樹脂封止された状態になる。この状態にお
いて、各放熱フィンリード１０における外側端部側に形
成された放熱フィン９は樹脂封止体１６の切欠部１７か
らそれぞれ突出された状態になっている。As shown in FIG. 5, the pellets 12, the inner leads 7, the wires 14, and the radiating fin leads 10 are resin-encapsulated inside the resin molded body 16 molded as described above. It will be in the state that was done. In this state, the radiation fins 9 formed on the outer end side of each radiation fin lead 10 are in a state of protruding from the cutout portions 17 of the resin sealing body 16 respectively.
【００３０】樹脂封止体を成形された成形体１８はめっ
き処理工程を経た後にまたは経る前に、リード成形工程
（図示せず）において各単位リードフレーム毎に順次、
外枠３、セクション枠４およびダム６ａを切り落とされ
るとともに、アウタリード８および放熱フィン９がガル
・ウイング形状に屈曲成形される。After or before passing through the plating process, the molded body 18 in which the resin-sealed body has been molded is sequentially subjected to each lead frame in a lead molding step (not shown).
The outer frame 3, the section frame 4, and the dam 6a are cut off, and the outer leads 8 and the radiation fins 9 are bent and formed into a gull-wing shape.
【００３１】以上のようにして、図１、図６および図７
に示されている前記構成に係るＨＱＦＰ・ＩＣ１９が製
造されたことになる。ＨＱＦＰ・ＩＣ１９は樹脂封止体
１６の切欠部１７から突出されている放熱フィン９の先
端が各放熱フィン９、９間に配列されているアウタリー
ド８の先端よりも平面視で樹脂封止体１６の中心側に引
っ込んだ状態になっている。As described above, FIGS. 1, 6 and 7
The HQFP IC 19 according to the above-described configuration is manufactured. In the HQFP IC 19, the ends of the radiating fins 9 protruding from the cutouts 17 of the resin sealing body 16 are more planar than the ends of the outer leads 8 arranged between the radiating fins 9 in plan view. It is in a state of being retracted to the center side of.
【００３２】前記構成に係るＨＱＦＰ・ＩＣ１９は図１
に示されているようにプリント配線基板に実装される。The HQFP IC 19 according to the above configuration is shown in FIG.
Is mounted on a printed wiring board as shown in FIG.
【００３３】図１において、プリント配線基板２１には
通電用ランド２２が複数個、実装対象物となるＨＱＦＰ
・ＩＣ１９における各アウタリード８に対応するように
それぞれ配されて、はんだ材料が用いられて略長方形の
小平板形状に形成されている。また、プリント配線基板
２１には放熱フィン用のランド２３が４個、各ランド２
２群列の両端部においてＨＱＦＰ・ＩＣ１９の各放熱フ
ィン９にそれぞれ対応するように配されて、各放熱フィ
ン９に略対応する形状にそれぞれ形成されている。In FIG. 1, a printed wiring board 21 has a plurality of energizing lands 22 and an HQFP to be mounted.
-Each of the ICs 19 is disposed so as to correspond to each of the outer leads 8, and is formed into a substantially rectangular small flat plate shape using a solder material. The printed wiring board 21 has four radiating fins 23, and each land 2
Both ends of the second group are arranged so as to correspond to the respective heat dissipating fins 9 of the HQFP IC 19 and are formed in shapes substantially corresponding to the respective heat dissipating fins 9.
【００３４】ＨＱＦＰ・ＩＣ１９がプリント配線基板２
１に表面実装される際、ＨＱＦＰ・ＩＣ１９におけるア
ウタリード８および放熱フィン９がプリント配線基板２
１上のランド２２および２３に、半田ペースト（図示せ
ず）を挟設されてそれぞれ当接される。続いて、リフロ
ー半田処理等の適当な手段により、半田ペーストが溶融
された後に固化されると、アウタリード８および放熱フ
ィン９とランド２２および２３との間には半田付け部
（図示せず）がそれぞれ形成される。The HQFP IC 19 is a printed circuit board 2
1, the outer leads 8 and the radiation fins 9 of the HQFP IC 19 are mounted on the printed circuit board 2.
A solder paste (not shown) is sandwiched between the lands 22 and 23 on the upper surface 1 and is brought into contact therewith. Subsequently, when the solder paste is melted and solidified by an appropriate means such as reflow soldering, a soldering portion (not shown) is provided between the outer leads 8 and the radiation fins 9 and the lands 22 and 23. Each is formed.
【００３５】以上のようにして、ＨＱＦＰ・ＩＣ１９は
プリント配線基板２１に電気的かつ機械的に接続されて
表面実装された状態になる。この実装状態において、稼
働中にペレット１２が発熱すると、ペレット１２は放熱
フィンリード１０に一体となったタブ１１にボンディン
グされているため、ペレット１２の発熱は放熱フィンリ
ード１０に熱伝導によって伝わり、その放熱フィンリー
ド１０に連結されている放熱フィン９からプリント配線
基板２１を通じて効果的に放熱される。この際、放熱フ
ィン９および放熱フィンリード１０が樹脂封止体１６の
切欠部１７に配設されていることにより、樹脂封止体１
６のコーナー部の外側に配設した従来例の場合よりもタ
ブ１１に近接した状態になっているため、熱抵抗が小さ
くなり、ペレット１２の発熱はきわめて効果的に放熱さ
れることになる。As described above, the HQFP IC 19 is electrically and mechanically connected to the printed wiring board 21 and is mounted on the surface. In this mounting state, when the pellet 12 generates heat during operation, the pellet 12 is bonded to the tab 11 integrated with the radiating fin lead 10, so that the heat of the pellet 12 is transmitted to the radiating fin lead 10 by heat conduction. Heat is effectively radiated from the radiating fins 9 connected to the radiating fin leads 10 through the printed wiring board 21. At this time, since the heat radiation fins 9 and the heat radiation fin leads 10 are provided in the cutouts 17 of the resin sealing body 16, the resin sealing body 1
6 is closer to the tab 11 than in the case of the conventional example disposed outside the corner of 6, the heat resistance is reduced, and the heat generated by the pellet 12 is radiated very effectively.
【００３６】前記実施形態によれば次の効果が得られ
る。 樹脂封止体１６のコーナー部に形成した切欠部１７
に放熱フィン９および放熱フィンリード１０を配設し
て、放熱フィン９をタブ１１に近接させることにより、
ペレット１２と放熱フィン９との間の熱抵抗を小さく抑
制することができるため、ペレット１２の発熱をきわめ
て効果的に放熱させることができる。According to the above embodiment, the following effects can be obtained. Notch 17 formed at the corner of resin sealing body 16
The radiating fin 9 and the radiating fin lead 10 are arranged on the
Since the thermal resistance between the pellet 12 and the radiation fins 9 can be suppressed to a small value, the heat generated by the pellet 12 can be radiated very effectively.
【００３７】 樹脂封止体１６のコーナー部に形成し
た切欠部１７に放熱フィン９および放熱フィンリード１
０を配設することにより、樹脂封止体１６の大きさにか
かわらず放熱フィン９をタブ１１に接近させることがで
きるため、インナリード７の本数が多いパッケージであ
っても所期の放熱性能を得ることができる。The radiating fins 9 and the radiating fin leads 1 are formed in the cutouts 17 formed at the corners of the resin sealing body 16.
By disposing 0, the heat radiation fins 9 can be brought close to the tabs 11 regardless of the size of the resin sealing body 16, so that even if the package has a large number of inner leads 7, the expected heat radiation performance is obtained. Can be obtained.
【００３８】 放熱フィン９および放熱フィンリード
１０はタブ１１、アウタリード８およびインナリード７
と一体成形することができるため、製造コストの増加を
抑制することができる。The radiating fin 9 and the radiating fin lead 10 are composed of a tab 11, an outer lead 8 and an inner lead 7.
Since it can be integrally formed with the resin, an increase in manufacturing cost can be suppressed.
【００３９】図８は本発明の他の実施形態であるＨＱＦ
Ｐ・ＩＣを示しており、（ａ）は一部切断平面図、
（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う側面断面図である。FIG. 8 shows an HQF according to another embodiment of the present invention.
3A shows a P-IC, and FIG.
(B) is a side sectional view taken along the line bb of (a).
【００４０】本実施形態２のＨＱＦＰ・ＩＣ１９Ａが前
記実施形態１のＨＱＦＰ・ＩＣ１９と異なる点は、４個
の切欠部１７Ａが樹脂封止体１６Ａの各辺の中央部にそ
れぞれ配設されている点である。The HQFP IC 19A of the second embodiment is different from the HQFP IC 19 of the first embodiment in that four notches 17A are provided at the center of each side of the resin sealing body 16A. Is a point.
【００４１】本実施形態２においても、放熱フィン９お
よび放熱フィンリード１０が樹脂封止体１６Ａの切欠部
１７Ａに配設されてタブ１１に近接されているため、ペ
レット１２と放熱フィン９との間の熱抵抗を小さく抑制
することができ、その結果、ペレット１２の発熱をきわ
めて効果的に放熱させることができる。Also in the second embodiment, since the heat radiation fins 9 and the heat radiation fin leads 10 are provided in the cutout portions 17A of the resin sealing body 16A and are close to the tabs 11, the heat radiation fins 9 and the heat radiation fins 9 Thus, the heat resistance of the pellets 12 can be extremely effectively radiated.
【００４２】図９は本発明の他の実施形態であるＨＳＯ
Ｐ・ＩＣを示す斜視図である。FIG. 9 shows an HSO according to another embodiment of the present invention.
It is a perspective view which shows P.IC.
【００４３】本実施形態２が前記実施形態１と異なる点
は、パッケージが低熱抵抗形スモール・アウトライン・
パッケージ（以下、ＨＳＯＰ・ＩＣという。）として構
成されており、２個の切欠部１７Ｂが樹脂封止体１６Ｂ
の両方の長辺の中央部にそれぞれ配設されている点であ
る。The second embodiment is different from the first embodiment in that the package has a low thermal resistance type small outline.
It is configured as a package (hereinafter, referred to as an HSOP IC), and two notches 17B are formed in a resin sealing body 16B.
Are arranged at the center of both long sides.
【００４４】本実施形態２においても、放熱フィン９お
よび放熱フィンリード１０が樹脂封止体１６Ｂの切欠部
１７Ｂに配設されてタブ１１に近接されているため、ペ
レット１２と放熱フィン９との間の熱抵抗を小さく抑制
することができ、その結果、ペレット１２の発熱をきわ
めて効果的に放熱させることができる。Also in the second embodiment, since the heat radiation fins 9 and the heat radiation fin leads 10 are disposed in the cutout portions 17B of the resin sealing body 16B and are close to the tab 11, the heat radiation fin 9 and the heat radiation fin 9 Thus, the heat resistance of the pellets 12 can be extremely effectively radiated.
【００４５】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。The invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.
【００４６】放熱フィンはアウタリードと同一のリード
形状に形成するに限らず、他のリード形状に形成しても
よい。例えば、放熱フィンはアウタリードのガル・ウイ
ング形状に形成するに限らず、Ｉリード形状やＪリード
形状に形成してもよい。The radiation fins are not limited to be formed in the same lead shape as the outer leads, but may be formed in other lead shapes. For example, the radiation fin is not limited to being formed in the outer lead gull wing shape, but may be formed in an I-lead shape or a J-lead shape.
【００４７】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＨＱＦ
Ｐ・ＩＣおよびＨＳＯＰ・ＩＣに適用した場合について
説明したが、それに限定されるものではなく、ＱＦＪ・
ＩＣ、ＳＯＪ・ＩＣ、ＱＦＩ・ＩＣ、ＳＯＩ・ＩＣ等の
表面実装形樹脂封止体を備えたＩＣ、さらには、樹脂封
止形パワートランジスタや、その他の半導体装置全般に
適用することができる。特に、本発明は、小型軽量、多
ピンで、しかも、低価格であり、高い放熱性能が要求さ
れる半導体装置に利用して優れた効果が得られる。In the above description, the invention made mainly by the present inventor is described in terms of HQF, which is a field of application in which the background was used.
The case where the present invention is applied to P-IC and HSOP-IC has been described. However, the present invention is not limited to this case.
The present invention can be applied to an IC having a surface-mounting resin-sealed body such as an IC, an SOJ-IC, a QFI-IC, and an SOI-IC, as well as a resin-sealed power transistor and other semiconductor devices in general. In particular, the present invention can provide excellent effects when used in a semiconductor device that is small, lightweight, has many pins, is inexpensive, and requires high heat radiation performance.
【００４８】[0048]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。The effects obtained by typical aspects of the invention disclosed in the present application will be briefly described as follows.
【００４９】樹脂封止体に形成した切欠部に放熱フィン
および放熱フィンリードを配設してタブに近接させるこ
とにより、ペレットと放熱フィンとの間の熱抵抗を小さ
く抑制することができため、ペレットの発熱をきわめて
効果的に放熱させることができる。By disposing the radiating fin and the radiating fin lead in the notch formed in the resin sealing body and making them close to the tab, the thermal resistance between the pellet and the radiating fin can be suppressed to a small value. The heat generated by the pellets can be very effectively dissipated.
【図１】本発明の一実施形態であるＨＱＦＰ・ＩＣの実
装状態を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a mounted state of an HQFP IC according to an embodiment of the present invention.
【図２】そのＨＱＦＰ・ＩＣの製造方法に使用される多
連リードフレームを示す一部省略平面図である。FIG. 2 is a partially omitted plan view showing a multiple lead frame used in the method of manufacturing the HQFP IC.
【図３】ペレットおよびワイヤ・ボンディング工程後を
示す一部省略平面図である。FIG. 3 is a partially omitted plan view showing a state after a pellet and a wire bonding step.
【図４】樹脂封止体の成形工程を示しており、（ａ）は
一部省略正面断面図、（ｂ）は対角線に沿う一部省略側
面断面図である。4A and 4B show a molding step of a resin sealing body, wherein FIG. 4A is a partially omitted front sectional view, and FIG. 4B is a partially omitted side sectional view along a diagonal line.
【図５】樹脂封止体の成形後を示す一部省略平面断面図
である。FIG. 5 is a partially omitted plan sectional view showing a state after molding of a resin sealing body.
【図６】製造されたＨＱＦＰ・ＩＣを示しており、
（ａ）は一部切断正面図、（ｂ）は対角線に沿う一部切
断側面図である。FIG. 6 shows a manufactured HQFP IC.
(A) is a partially cut front view, and (b) is a partially cut side view along a diagonal line.
【図７】同じく一部切断平面図である。FIG. 7 is a partially cut plan view of the same.
【図８】本発明の実施形態２であるＨＱＦＰ・ＩＣを示
しており、（ａ）は一部切断平面図、（ｂ）は（ａ）の
ｂ−ｂ線に沿う側面断面図である。8A and 8B show an HQFP IC according to a second embodiment of the present invention, wherein FIG. 8A is a partially cutaway plan view, and FIG. 8B is a side sectional view taken along line bb of FIG.
【図９】本発明の実施形態３であるＨＳＯＰ・ＩＣの実
装状態を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing a mounted state of an HSOP IC that is Embodiment 3 of the present invention.
１…多連リードフレーム、２…単位リードフレーム、３
…外枠、３ａ…位置決め孔、４…セクション枠、５…吊
り部材、６…ダム部材、６ａ…ダム、７…インナリー
ド、８…アウタリード、９…放熱フィン、１０…放熱フ
ィンリード、１１…タブ、１２…ペレット、１２ａ…電
極パッド、１３…ボンディング層、１４…ワイヤ、１５
…組立体、１６、１６Ａ、１６Ｂ…樹脂封止体、１７、
１７Ａ、１７Ｂ…切欠部、１８…成形体、１９、１９Ａ
…ＨＱＦＰ・ＩＣ（半導体装置）、１９Ｂ…ＨＳＯＰ・
ＩＣ（半導体装置）、２１…プリント配線基板、２２、
２３…ランド、３０…トランスファ成形装置、３１…上
型、３２…下型、３３…キャビティー、３３ａ…上型キ
ャビティー凹部、３３ｂ…下型キャビティー凹部、３４
…ポット、３５…プランジャ、３６…カル、３７…ラン
ナ、３８…ゲート、３９…凹所、４０ａ…上型凸部、４
０ｂ…下型凸部、４１…レジン。1 ... multiple lead frame, 2 ... unit lead frame, 3
... Outer frame, 3a ... positioning hole, 4 ... section frame, 5 ... hanging member, 6 ... dam member, 6a ... dam, 7 ... inner lead, 8 ... outer lead, 9 ... heat radiation fin, 10 ... heat radiation fin lead, 11 ... Tab, 12 ... pellet, 12a ... electrode pad, 13 ... bonding layer, 14 ... wire, 15
... Assembly, 16, 16A, 16B ... Resin sealing body, 17,
17A, 17B: Notch, 18: Molded body, 19, 19A
... HQFP IC (semiconductor device), 19B HSOP
IC (semiconductor device), 21 ... printed wiring board, 22,
23 land, 30 transfer molder, 31 upper mold, 32 lower mold, 33 cavity, 33a upper mold cavity recess, 33b lower mold cavity recess, 34
... pot, 35 ... plunger, 36 ... cull, 37 ... runner, 38 ... gate, 39 ... recess, 40a ... upper mold convex part, 4
0b: Lower mold convex portion, 41: Resin.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/36 Ｈ０１Ｌ 23/36 Ｃ ──────────────────────────────────────────────────の Continued on front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 23/36 H01L 23/36 C
Claims (10)
るタブと、前記半導体ペレットに電気的にそれぞれ接続
されている複数本のインナリードと、これらインナリー
ドにそれぞれ一体的に連結されているアウタリードと、
前記タブに連結されている複数本の放熱フィンリード
と、これらの放熱フィンリードにそれぞれ一体的に連結
されている複数個の放熱フィンと、前記タブ、前記ペレ
ット、前記インナリード群および前記放熱フィンリード
群を樹脂封止する樹脂封止体とを備えており、前記各放
熱フィンは樹脂封止体からそれぞれ側方に突出されてい
る半導体装置において、 前記樹脂封止体における前記各放熱フィンリードの部分
に切欠部が形成されており、この切欠部には前記放熱フ
ィンが配設されていることを特徴とする半導体装置。1. A tab to which a semiconductor pellet is bonded, a plurality of inner leads electrically connected to the semiconductor pellet, and outer leads integrally connected to the inner leads, respectively.
A plurality of radiating fin leads connected to the tab, a plurality of radiating fins integrally connected to the radiating fin leads, the tab, the pellet, the inner lead group, and the radiating fin; A resin sealing body for resin sealing the lead group, wherein each of the heat radiation fins protrudes laterally from the resin sealing body, wherein each of the heat radiation fin leads in the resin sealing body A semiconductor device is characterized in that a notch is formed in a portion of the semiconductor device, and the radiating fin is disposed in the notch.
前記樹脂封止体における各コーナー部にそれぞれ配され
ていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。2. The method according to claim 1, wherein each of the notch portions and the radiation fins are
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is provided at each corner of the resin sealing body.
前記樹脂封止体における各辺の中央部にそれぞれ配され
ていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。3. The notch and the radiation fin,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is provided at a center of each side of the resin sealing body.
前記樹脂封止体における長辺の中央部にそれぞれ配され
ていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。4. The method according to claim 1, wherein each of the notch portions and the radiation fins are
The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is disposed at a center of a long side of the resin sealing body.
対応する形状に形成されていることを特徴とする請求項
１、２、３または４に記載の半導体装置。5. The semiconductor device according to claim 1, wherein the radiation fin is formed in a shape corresponding to the outer lead.
に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の半
導体装置。6. The semiconductor device according to claim 5, wherein said radiation fin is formed in a gull wing shape.
ている複数本のインナリードと、これらインナリードに
それぞれ一体的に連結されているアウタリードと、前記
タブに連結されている複数本の放熱フィンリードと、こ
れら放熱フィンリードにそれぞれ一体的に連結されてい
る複数個の放熱フィンとを備えているリードフレームが
準備されるリードフレーム準備工程と、準備されたリー
ドフレームの前記タブ上に半導体ペレットがボンディン
グされ半導体ペレットの電極パッドと前記各インナリー
ドとが電気的に接続される接続工程と、樹脂封止体が前
記タブ、前記半導体ペレット、前記インナリード群およ
び前記放熱フィンリードを樹脂封止するように成形され
る樹脂封止体成形工程とを備えていることを半導体装置
の製造方法において、 前記樹脂封止体における前記各放熱フィンリードの部分
に切欠部が形成され、この切欠部には前記放熱フィンが
配設されることを特徴とする半導体装置の製造方法。7. A tab, a plurality of inner leads arranged adjacent to the tab, an outer lead integrally connected to the inner leads, and a plurality of inner leads connected to the tab. A lead frame including a radiating fin lead and a plurality of radiating fins integrally connected to the radiating fin lead, and a lead frame preparing step, A connection step in which the semiconductor pellets are bonded to each other and the electrode pads of the semiconductor pellets and the respective inner leads are electrically connected to each other; A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a notch in each of the radiation fin leads in the resin sealing body; and disposing the radiation fin in the notch.
する成形型のキャビティーにおける各コーナー部にそれ
ぞれ配されていることを特徴とする請求項７に記載の半
導体装置の製造方法。8. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 7, wherein each of the notches is provided at each corner of a cavity of a molding die for molding the resin sealing body. .
する成形型のキャビティーにおける各辺の中央部にそれ
ぞれ配されていることを特徴とする請求項７に記載の半
導体装置の製造方法。9. The semiconductor device according to claim 7, wherein each of the notches is provided at a center of each side of a cavity of a molding die for molding the resin sealing body. Production method.
れている複数本のインナリードと、これらインナリード
にそれぞれ一体的に連結されているアウタリードと、前
記タブに連結されている複数本の放熱フィンリードと、
これら放熱フィンリードにそれぞれ一体的に連結されて
いる複数個の放熱フィンとを備えているリードフレーム
において、 前記各放熱フィンリードが短く形成されて前記各放熱フ
ィンが前記タブに近づけられていることを特徴とするリ
ードフレーム。10. A tab, a plurality of inner leads arranged adjacent to the tab, an outer lead integrally connected to each of the inner leads, and a plurality of inner leads connected to the tab. Radiating fin leads,
In a lead frame including a plurality of radiating fins integrally connected to the radiating fin leads, each of the radiating fin leads is formed to be short and each of the radiating fins is close to the tab. A lead frame characterized by the following.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15540898A JPH11340400A (en) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | Semiconductor device, manufacture thereof, and lead frame used therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15540898A JPH11340400A (en) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | Semiconductor device, manufacture thereof, and lead frame used therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340400A true JPH11340400A (en) | 1999-12-10 |
Family
ID=15605339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15540898A Pending JPH11340400A (en) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | Semiconductor device, manufacture thereof, and lead frame used therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11340400A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031750A (en) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lead frame and semiconductor device using it |
| CN104347570A (en) * | 2013-07-26 | 2015-02-11 | 飞思卡尔半导体公司 | Leadless type semiconductor package and assembly method thereof |
| KR20170063926A (en) * | 2014-11-07 | 2017-06-08 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | Power semiconductor device and method for manufacturing same |
-
1998
- 1998-05-21 JP JP15540898A patent/JPH11340400A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20170063926A (en) * | 2014-11-07 | 2017-06-08 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | Power semiconductor device and method for manufacturing same |
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