JPH11232697A - 光記録媒体およびそのオーバーライト方法 - Google Patents
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Abstract
る信頼性低下を防ぎ、かつ、記録用レーザービーム照射
の際に記録層の面内方向に拡散する熱によって記録マー
クの一部が消去される現象(セルフイレーズ)を抑え
る。 【解決手段】 線速度Voでオーバーライトを行う駆動
装置に適用される光記録媒体であって、0.6≦V2nd/
Vo<1.25(ただし、前記V2ndは、オーバーライト
により形成した記録マークを再生し、前記記録マーク形
成に用いた記録信号の周波数の2次高調波に相当する周
波数成分を測定したときに、前記周波数成分が最小とな
るオーバーライト線速度である)となるように設計され
た光記録媒体。線速度Voでオーバーライトを行う駆動
装置に適用される光記録媒体であって、線速度Voでオ
ーバーライトを行ったときに、記録マークの後エッジの
ジッターが前エッジのジッターよりも小さくなる光記録
媒体。
Description
媒体と、この光記録媒体にオーバーライトを行う方法と
に関する。
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。例えば、1997年7月には、相変化型
光記録ディスクであるDVD−RAMの規格書(ver.1.
0)が発表されている。相変化型光記録媒体は、レーザ
ー光を照射することにより記録層の結晶状態を変化させ
て記録を行い、このような状態変化に伴なう記録層の反
射率変化を検出することにより再生を行うものである。
相変化型の光記録媒体は、駆動装置の光学系が光磁気記
録媒体のそれに比べて単純であるため、注目されてい
る。
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ge−Te系やGe−S
b−Te系等のカルコゲナイト系材料が用いられること
が多い。また、この他、最近、カルコパイライトと呼ば
れる化合物を応用することが提案されている。カルコパ
イライト型化合物は化合物半導体材料として広く研究さ
れ、太陽電池などにも応用されている。カルコパイライ
ト型化合物は、化学周期律表を用いるとIb-IIIb-VIb2や
IIb-IVb-Vb2 で表わされる組成であり、ダイヤモンド構
造を2つ積み重ねた構造を有する。カルコパイライト型
化合物はX線構造解析によって容易に構造を決定するこ
とができ、その基礎的な特性は、例えば月刊フィジクス
vol.8,No.8,1987,pp-441や、電気化学vol.56,No.4,198
8,pp-228 などに記載されている。これらのカルコパイ
ライト型化合物の中で特にAgInTe2 は、SbやB
iを用いて希釈することにより、線速度7m/s 前後の光
記録媒体の記録層材料として使用できることが知られて
いる(特開平3−240590号公報、同3−9988
4号公報、同3−82593号公報、同3−73384
号公報、同4−151286号公報等)。このようなカ
ルコパイライト型化合物を用いた相変化型光記録媒体の
他、特開平4−267192号公報や特開平4−232
779号公報、特開平6−166268号公報には、記
録層が結晶化する際にAgSbTe2 相が生成する相変
化型光記録媒体が開示されている。
る際には、記録層が融点以上まで昇温されるような高パ
ワー(記録パワー)のレーザー光を照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低
パワー(消去パワー)のレーザー光を照射する。消去パ
ワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加
熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に戻
る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一の光ビ
ームの強度を変調することにより、オーバーライトが可
能である。
は、使用される線速度において十分なC/Nが得られ、
かつ、消去の際に十分な消去率が得られるかどうかで判
断していた。しかし、消去率が高すぎると、かえって特
性が悪化してしまう。消去率が高いとは、記録層が結晶
化しやすいことを意味する。結晶化しやすい記録層で
は、記録マーク後端部を形成しているときに、記録層面
内方向への熱の拡散により記録マーク先端部が徐冷状態
となり、再結晶化してしまう。すなわち、記録マーク先
端部が消去されてしまう。このような現象を、本明細書
ではセルフイレーズという。消去率が高すぎる媒体で
は、このようなセルフイレーズによりジッターが悪化す
るので、消去率の最適化が必要である。
線速度用の媒体を低線速度で使用する場合に生じるセル
フイレーズを防ぐために、記録用レーザービームをパル
ス分割する際に、パルスパターンを線速度に応じて最適
化する方法が記載されている。
フイレーズによるジッター悪化を防げるように媒体の設
計を最適化すると、新たな問題が生じることがわかっ
た。具体的には、使用線速度においてセルフイレーズが
最も少なくなるように設計した媒体では、記録マークを
形成した後、60〜80℃程度の高温状態に保存し、そ
の後に記録マークの上からオーバーライトすると、最初
に形成した記録マークを十分に消去できないことがわか
った。以前の記録マークが消去できないと、以前の信号
と新たに記録した信号とが混ざることになり、新たな信
号が正常に読み出せなくなってしまい、ジッターやエラ
ーが著しく増大してしまう。光ディスクドライブ等の媒
体駆動装置内は、駆動時に60℃以上の高温になるた
め、媒体は駆動装置内において高温環境に長時間さらさ
れることになる。このため、高温保存による消去率の低
下を防ぐことは、重要な課題である。
および後エッジについてそれぞれ測定することができ
る。前エッジのジッターは、主としてセルフイレーズに
起因し、後エッジのジッターは、主として消し残りに起
因するので、これら両ジッターを測定することにより、
ジッター(総合ジッター)悪化の原因を解明することが
できる。
化型光記録媒体において、高温保存による信頼性低下を
防ぐことであり、かつ、記録用レーザービーム照射の際
に記録層の面内方向に拡散する熱によって記録マークの
一部が消去される現象(セルフイレーズ)を抑えること
である。
(1)〜(7)のいずれかの構成により達成される。 (1) 相変化型の記録層を有し、線速度Voでオーバ
ーライトを行う駆動装置に適用される光記録媒体であっ
て、 0.6≦V2nd/Vo<1.25 (ただし、前記V2ndは、オーバーライトにより形成し
た記録マークを再生し、前記記録マーク形成に用いた記
録信号の周波数の2次高調波に相当する周波数成分を測
定したときに、前記周波数成分が最小となるオーバーラ
イト線速度である)となるように設計された光記録媒
体。 (2) 記録層が基体上に形成されており、基体と記録
層との間に第1誘電体層を有し、記録層上に第2誘電体
層を有し、第2誘電体層のうち少なくとも記録層に接す
る領域が窒素を含有する上記(1)の光記録媒体。 (3) 第2誘電体層のうち少なくとも記録層に接する
領域が、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とし、さら
に窒素を含有するものであるか、窒化ケイ素および/ま
たは窒化ゲルマニウムを主成分とするものである上記
(2)の光記録媒体。 (4) 相変化型の記録層を有し、線速度Voでオーバ
ーライトを行う駆動装置に適用される光記録媒体であっ
て、線速度Voでオーバーライトを行ったときに、記録
マークの後エッジのジッターが前エッジのジッターより
も小さくなる光記録媒体。 (5) 上記(1)〜(3)のいずれかの光記録媒体で
ある上記(4)の光記録媒体。 (6) 相変化型の記録層を有する光記録媒体にオーバ
ーライトを行う方法であって、 0.6≦V2nd/Vo<1.25 (ただし、前記V2ndは、オーバーライトにより形成し
た記録マークを再生し、前記記録マーク形成に用いた記
録信号の周波数の2次高調波に相当する周波数成分を測
定したときに、前記周波数成分が最小となるオーバーラ
イト線速度である)となる線速度Voでオーバーライト
を行う光記録媒体のオーバーライト方法。 (7) 前記光記録媒体が、上記(1)〜(5)のいず
れかの光記録媒体である上記(6)の光記録媒体のオー
バーライト方法。
保存による媒体の消去率低下が抑制されるので、信頼性
が著しく向上する。そして、V2nd/Vo<1.25であ
れば、セルフイレーズによるジッター悪化を十分に抑え
ることができる。
が小さく初期特性の良好な従来の媒体では、高温保存に
より消去率が著しく低下してしまうこと、また、このよ
うな消去率低下が高温保存前のV2nd/Voと関係するこ
と、を本発明者らは見いだし、高温保存後でも十分な消
去率が得られるようにV2nd/Voの下限を定めると共
に、初期特性の悪化を十分な程度まで抑えるためにV
2nd/Voの上限を定めた。
特性の著しい劣化を抑える構成としたため、ジッターの
構成が従来の媒体とは異なる。具体的には、高温保存
前、すなわち通常の状態においては、主として消し残り
に起因する後エッジのジッターが、主としてセルフイレ
ーズに起因する前エッジのジッターよりも小さくなる。
て詳細に説明する。
バーライトを行う駆動装置に適用される。Voは一定値
であってもよく、変化するものであってもよい。すなわ
ち、本発明は、線速度が一定であるCLVディスクなど
のほか、線速度が可変であるCAVディスク(角速度が
一定)などにも適用可能である。また、それぞれが等し
い線速度でオーバーライトされる複数の領域を同心円状
に有し、外周に存在する領域ほど角速度が遅くなるZC
AVディスクにも適用できる。さらに、これらのほか、
複数の線速度でのオーバーライトに対応する媒体にも適
用できる。
により信号を記録し、この記録された信号を再生したと
き、再生信号中には、記録信号の周波数に相当する周波
数成分が最も強く現れるが、その高調波成分も存在す
る。本発明では、そのうちの2次高調波成分に注目し
た。この2次高調波成分の大きさは、オーバーライト線
速度に依存して変化する。本発明では、上記2次高調波
成分が最も小さくなるオーバーライト線速度V2ndと、
実際に使用されるときのオーバーライト線速度(使用線
速度)Voとの関係が、 0.6≦V2nd/Vo<1.25 となるように、好ましくは 0.7≦V2nd/Vo≦1.2、 となるように、より好ましくは 0.8≦V2nd/Vo<1.0 となるように、さらに好ましくは 0.8≦V2nd/Vo≦0.99 となるように、媒体を設計する。V2nd/Voが小さすぎ
ると、高温保存によって消去率が不十分となってしま
い、高温保存後のジッターが大きくなってしまう。一
方、V2nd/Voが大きすぎると、セルフイレーズの影響
が大きくなって初期ジッターが大きくなってしまう。
いる光記録媒体評価装置の設定を、RBW(リゾリュー
ションバンド幅)30kHz、VBW(ビデオバンド幅)
100Hzとする。そして、再生信号の周波数をスペクト
ラムアナライザにより分析し、線速度変更に伴う2次高
調波成分の変化を調べる。
用する場合、使用するオーバーライト線速度Voのすべ
てにおいて、V2nd/Voが上記範囲であることが好まし
い。
晶化)直後や高温保存後のV2ndは媒体本来のV2ndと異
なる。このような履歴の影響を排除するためには、V
2ndの測定を媒体に少なくとも10回オーバーライトを
行った後に行うことが好ましい。
トは、記録レベルおよび消去レベルの2値を少なくとも
含むように変調したレーザー光により行う。記録レベル
のレーザー光は、パルス状に照射してもよい。一つの信
号を少なくとも2回の照射で記録することにより記録マ
ークでの蓄熱が抑制され、記録マーク後端部の膨れ(テ
ィアドロップ現象)を抑えることができるので、C/N
が向上する。また、パルス状照射により、セルフイレー
ズに起因する記録マーク形状の歪みを抑えることができ
る。
ー光の波長λは特に限定されないが、高密度記録を目的
とする場合には、 λ≦680 [nm] であることが好ましい。
開口数NAは特に限定されないが、開口数が小さすぎる
と高密度記録が困難となることから、 NA≧0.6 であることが好ましい。
ーザー光に対する記録層の線速度Voは、通常、0.8
〜20m/s程度であるが、転送レートを考慮すると、好
ましくは3.47m/s以上、より好ましくは6m/s以上、
さらに好ましくは8m/s以上である。
具体的な構造は特に限定されず、基体上に少なくとも相
変化型記録層を有するものであればよいが、通常、図1
〜図6に示すように、基体2上に、第1誘電体層31、
記録層4、第2誘電体層32をこの順に設け、必要に応
じて第2誘電体層32上に反射層5を設け、また、必要
に応じて反射層5上に第3誘電体層33を設けた構成と
する。
体層、反射層等の各層について、組成、厚さ、形成方法
などを制御することにより、上記V2ndを変更すること
が可能である。
は酸素を導入することにより、媒体の熱的設計(誘電体
層や反射層の厚さなど)を大きく変更することなく上記
V2n dを高くすることができる。このため、使用線速度
の異なる複数の媒体を設計する際に、媒体構造の大きな
変更を行う必要がなく、設計が容易となる。この場合、
窒素および/または酸素は、少なくとも記録層と接する
領域に導入すればよいが、第2誘電体全体に導入しても
よい。例えば、第2誘電体層を後述するような多層構成
とする場合には、記録層に接する誘電体層だけに導入し
てもよい。なお、導入による記録層への悪影響が少ない
ことから、窒素を導入することがより好ましい。
導入する方法は特に限定されず、例えば、第2誘電体層
をスパッタ法により形成する際に、形成開始前または形
成開始と同時に雰囲気中にN2および/またはO2を導入
し、形成開始直後に、これらのガスの導入を中止する方
法、形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中にN2
および/またはO2を導入し、形成開始直後に、これら
のガスの濃度を低下させる方法、形成しているあいだ、
連続してN2および/またはO2を導入する方法、などを
利用することが好ましい。また、これらの方法のほか、
記録層をスパッタ法により形成する際に、雰囲気中にN
2および/またはO2を導入しながら形成し、形成終了直
前にこれらのガスの濃度を高くする方法、記録層形成
後、N2および/またはO2を含む雰囲気中で放電処理を
施してから第2誘電体層を形成する方法、などを用いて
もよい。また、上記方法の2種以上を併用してもよい。
ケイ素を主成分とする第2誘電体層をスパッタ法により
形成する際には、Ar+N2雰囲気を用いればよい。こ
の場合、N2流量を多くするほど一般にV2ndは高くな
る。また、例えば、Siおよび/またはGeをターゲッ
トとして、窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行え
ば、窒化ケイ素および/または窒化ゲルマニウムを主成
分とする第2誘電体層が形成されるが、この場合には、
主成分を硫化亜鉛および酸化ケイ素とする場合よりもV
2ndが高くなる。この場合にも、窒素ガス流量が多くな
るほど一般にV2ndは高くなる。
導入する際に用いるガス(以下、導入ガスという)は特
に限定されない。例えば、O2以外の酸化性ガス、具体
的には、NO2等のNOxで表される化合物のガスなども
用いることができる。
場合に、Ar等の不活性ガスと導入ガスとの混合ガスを
導入する際の流量比[導入ガス/(Ar+導入ガス)]
は特に限定されないが、導入による効果を十分に得るた
めには、上記流量比を3%以上とすることが好ましい。
また、上記流量比が高くなるとスパッタレートが低下す
るので、流量比は40%を超えないことが好ましい。
例について、詳細に説明する。
体2表面側に、第1誘電体層31、記録層4、第2誘電
体層32、反射層5および保護層6をこの順に設けた片
面記録型(単板型)媒体である。なお、この片面記録型
媒体を2枚用い、保護層6が内側になるように接着層に
より接着した両面記録型の媒体にも、本発明は適用でき
る。また、上記片面記録型媒体と保護基体とを接着層に
より接着した媒体にも、本発明は適用できる。
録媒体は、通常、反射層5が比較的厚い金属層であり、
後述する吸収率補正構造の媒体とは異なるものである。
本明細書では、このような媒体を反射型構造の媒体とい
う。なお、反射型構造の媒体は、後述するAc/Aaが
一般に0.9未満であるが、Ac/Aaが0.9以上と
なる設計も可能である。
ームが照射されるので、基体2は、用いる光ビームに対
して実質的に透明である材質、例えば、樹脂やガラスな
どから構成されることが好ましい。樹脂としては、アク
リル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリオレ
フィン等を用いればよい。基体の形状および寸法は特に
限定されないが、通常、ディスク状とし、厚さは0.5
〜3mm程度、直径は50〜360mm程度とする。基体の
表面には、トラッキング用やアドレス用等のために、グ
ルーブ(案内溝)等の所定のパターンが必要に応じて設
けられる。
ラックとしてもよく、グルーブ間の領域(ランド)を記
録トラックとしてもよいが、高密度記録を目的とする場
合には、グルーブとランドとの両方を記録トラックとす
る構成(ランド・グルーブ記録)とすることが好まし
い。ランド・グルーブ記録の場合の記録トラックピッチ
は、通常、0.3〜1.0μm程度とすることが好まし
い。
時に記録層から基体に伝わる熱を遮断して基体を保護す
る。第2誘電体層32は、記録層を保護すると共に、記
録後、記録層に残った熱の放出を調整するために設けら
れる。また、両誘電体層を設けることにより、変調度を
向上させることができる。
ず、図1に示すように単層構造としてもよいが、オーバ
ーライト可能回数をさらに多くするためには、好ましく
は図2および図3にそれぞれ示すような2層構造とし、
各層の構成を以下に説明するものとする。
層31中には、基体2側に誘電体層1aが存在し、記録
層4側に誘電体層1bが存在する。誘電体層1aは、硫
化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とする。誘電体層1a
の酸化ケイ素含有率は、2〜40モル%(40モル%を
含まず)、好ましくは10〜30モル%である。誘電体
層1aの酸化ケイ素含有率が高すぎると、屈折率が小さ
くなりすぎて高C/Nが得られにくくなる。一方、酸化
ケイ素含有率が低すぎると、オーバーライト可能回数が
少なくなってしまう。誘電体層1aは均質であってもよ
く、酸化ケイ素含有率が段階的または連続的に変化する
傾斜組成構造であってもよい。
は窒化ゲルマニウムを主成分とするか、酸化ケイ素を主
成分とするか、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分と
し、好ましくは、窒化ケイ素および/または窒化ゲルマ
ニウムを主成分とし、より好ましくは、窒化ケイ素また
は窒化ゲルマニウムだけから構成され、さらに好ましく
は、窒化ゲルマニウムだけから構成される。窒化ケイ素
の組成は特に限定されず、例えばSixN1-x(x=0.
35〜0.55)とすればよい。また、窒化ゲルマニウ
ムの組成も特に限定されず、例えばGexN1-x(x=
0.35〜0.55)とすればよい。一方、硫化亜鉛お
よび酸化ケイ素を主成分とする場合、酸化ケイ素含有率
は40モル%以上、好ましくは45モル%以上である。
誘電体層1bの酸化ケイ素含有率が低すぎると、誘電体
層1aからのZnやSの拡散を十分に抑えることができ
なくなる。このため、記録層4へZnやSが拡散するこ
とになり、オーバーライト可能回数が少なくなってしま
う。
とする場合、第2誘電体層は、硫化亜鉛および酸化ケイ
素を主成分とするか、酸化ケイ素を主成分とするか、希
土類酸化物を主成分とすることが好ましい。記録層に接
して酸化ケイ素層または希土類酸化物層を設けると、記
録層の結晶化速度が速くなり、V2ndは高くなる。結晶
化速度を抑える必要がある場合には、図3に示すように
第2誘電体層を2層構造とし、酸化ケイ素または希土類
酸化物からなる誘電体層2bと記録層4との間に、硫化
亜鉛と酸化ケイ素との混合物からなる誘電体層2aを設
ける構成とすればよい。この構成の場合、誘電体層2a
は薄くても十分な効果を発揮するので、誘電体層2aを
設けることによる記録層への悪影響(ZnやSの拡散)
は、ほとんどない。
イ素を主成分とする単層構造である場合、酸化ケイ素含
有率は、好ましくは2モル%以上、より好ましくは40
モル%以上である。第2誘電体層32の酸化ケイ素含有
率が低すぎると、第2誘電体層32から記録層へのZn
やSの拡散の影響が大きくなる。
鉛および酸化ケイ素を主成分とする誘電体層2aを設け
る場合、誘電体層2aの酸化ケイ素含有率は5〜60モ
ル%とすることが好ましい。誘電体層2aの酸化ケイ素
含有率が低すぎると、誘電体層2aから記録層へのZn
やSの拡散の影響が大きくなり、酸化ケイ素含有率が高
すぎると、誘電体層2aを設けることによる効果が不十
分となる。
に限定されず、例えばCe、La、Y、Pr、Nd、P
m、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、T
m、Yb、Lu等の少なくとも1種を用いればよいが、
好ましくはCe、La、Yの少なくとも1種を用いる。
それぞれ満足すべき、あるいは満足することが好ましい
上記酸化ケイ素含有率は、層の平均値としてだけでな
く、層全体を通して満足される必要がある。
化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれZnSおよびSiO
2に換算して、SiO2/(ZnS+SiO2)により求
めた値である。すなわち、蛍光X線分析などにより求め
たS量、Zn量、Si量に基づいて決定する。なお、例
えばSに対しZnが過剰であった場合や、Znに対しS
が過剰であった場合には、過剰なZnやSは、他の化合
物(ZnO等)として含有されているか、遊離状態で存
在しているものと考え、ZnS含有率算出の際にはZn
およびSのうち少ないほうに合わせる。
0〜300nm、より好ましくは50〜250nmである。
第1誘電体層をこのような厚さとすることにより、記録
に際しての基体損傷を効果的に防ぐことができ、変調度
も高くなる。
〜40nm、より好ましくは0.8〜30nmである。ただ
し、誘電体層1bを窒化ケイ素から構成する場合には、
高温・高湿環境下で保存したときの剥離を防ぐために、
5nm未満、特に4nm以下とすることが好ましい。また、
誘電体層1bを窒化ゲルマニウムやZnS−SiO2か
ら構成する場合には、高温・高湿環境下で保存しても剥
離は生じないので、バリア性を高くするために、5〜4
0nm、特に5〜30nmとすることが好ましい。誘電体層
1bが薄すぎても厚すぎても、オーバーライト可能回数
の向上が不十分となる。
対する誘電体層1bの厚さ(t1b)の比(t1b/t1)
は、好ましくは0.5以下、より好ましくは0.4以下
である。誘電体層1bの厚さが上記した好ましい範囲内
であっても、t1b/t1が大きすぎるとオーバーライト
可能回数の向上が不十分となる。
m、好ましくは13〜35nmである。第2誘電体層をこ
のような厚さとすることにより冷却速度が速くなるの
で、記録マークのエッジが明瞭となってジッターが小さ
くなる。また、このような厚さとすることにより、変調
度を高くすることができる。
誘電体層2aの厚さは好ましくは2〜15nm、より好ま
しくは3〜10nmである。誘電体層2aが薄すぎると、
誘電体層2aを設けることによる効果が不十分となる。
一方、誘電体層2aが厚すぎると、高パワーで記録する
場合に、誘電体層2aから記録層4へのZnやSの拡散
の影響が大きくなる。なお、第2誘電体層32の厚さ
(t2)に対する誘電体層2aの厚さ(t2a)の比(t
2a/t2)は、通常、0.5程度以下とすることが好ま
しい。
000℃においてその硫化物生成標準自由エネルギーが
ZnS生成標準自由エネルギーより低い元素(以下、金
属元素Aという)を含有させることが好ましい。誘電体
層中に金属元素Aを含有させることにより、繰り返しオ
ーバーライトの際に誘電体層からのSやZnの遊離を抑
制することができ、これによりジッター増大を防ぐこと
ができるので、オーバーライト可能回数を増やすことが
できる。
Sr、BaおよびNaの少なくとも1種を用いることが
好ましく、硫化物生成標準自由エネルギーが小さいこと
から、Ceを用いることが特に好ましい。例えば300
Kでは、ZnS生成標準自由エネルギーは約−230kJ
/mol、CeS生成標準自由エネルギーは約−540kJ/m
ol、CaS生成標準自由エネルギーは約−510kJ/mo
l、MgS生成標準自由エネルギーは約−390kJ/mo
l、SrS生成標準自由エネルギーは約−500kJ/mo
l、BaS生成標準自由エネルギーは約−460kJ/mo
l、Na2S生成標準自由エネルギーは約−400kJ/mol
である。
金属元素Aの比率は、2原子%未満、好ましくは1.5
原子%以下、より好ましくは1.3原子%以下である。
金属元素Aの比率が高すぎると、繰り返しオーバーライ
ト時のジッター増大抑制効果が実現しない。なお、金属
元素Aの添加による効果を十分に実現するためには、金
属元素Aの比率を好ましくは0.01原子%以上、より
好ましくは0.03原子%以上とする。全金属元素中の
金属元素Aの比率は、蛍光X線分析やEPMA(電子線
プローブX線マイクロアナリシス)などにより測定する
ことができる。なお、誘電体層中における全金属量を求
める際には、Si等の半金属も加えるものとする。
体、硫化物、酸化物、フッ化物等のいずれの形態で存在
していてもよい。
相成長法により形成することが好ましく、特にスパッタ
法により形成することが好ましい。窒化ケイ素および/
または窒化ゲルマニウムを主成分とする誘電体層を形成
する場合には、例えば窒化ケイ素および/または窒化ゲ
ルマニウムをターゲットするスパッタ法を用いてもよ
く、Siおよび/またはGeをターゲットとして窒素含
有雰囲気中でスパッタを行う反応性スパッタ法を用いて
もよい。
誘電体層を形成する場合、例えば、複数のターゲットを
用いる多元スパッタ法を利用し、成膜初期から終期にか
けて、各ターゲットへ投入するパワーの比を段階的また
は連続的に変化させればよい。
ためには、様々な方法を利用することができる。例え
ば、金属元素AがCeである場合には、Ce単体やCe
O2からなるチップを、誘電体層の主成分となる主ター
ゲット上に載せたものをターゲットとして用いてもよ
く、主ターゲット中にCeO2やその他のCe化合物と
して含有させてもよい。また、金属元素AとしてCaや
Mgを用いる場合、上記主ターゲット上にCaOやMg
Oからなるチップを載せてターゲットとしてもよいが、
これらには潮解性があるので、好ましくない。したがっ
て、この場合には、CaF2やMgF2からなるチップを
主ターゲット上に載せてターゲットとすることが好まし
い。金属元素AとしてSr、Ba、Naなどを用いる場
合も、潮解性の点で、酸化物チップよりもフッ化物チッ
プを用いるほうが好ましい。また、Ca、Mg、Sr、
Ba、Naは、酸化物やこれ以外の化合物として主ター
ゲット中に含有させて用いてもよい。なお、主ターゲッ
トには、ZnS−SiO2などのような複合ターゲット
を用いてもよく、主ターゲットとしてZnSとSiO2
とをそれぞれ単独で用いるような多元スパッタ法を利用
してもよい。
せる場合には、好ましくはArとO2との混合雰囲気中
でスパッタを行う。スパッタ時のO2導入は、金属元素
A単体からなるチップを上記主ターゲット上に載せてス
パッタを行う場合に特に有効であるが、金属元素Aの化
合物からなるチップを主ターゲットに載せたり、主ター
ゲットに金属元素Aの化合物を含有させたりする場合に
も有効である。この場合のスパッタ雰囲気中へのO2の
導入量を、Ar等の不活性ガスとO2との流量比[O2/
(Ar+O2)]で表すと、この流量比は5〜40%で
あることが好ましい。O2導入量が多すぎると、記録パ
ワーは低下するが消去パワーは変化しないため、消去パ
ワーマージンが極度に狭くなってしまい、好ましくな
い。
は特に限定されないが、以下に説明するGe−Sb−T
e系組成やIn−Ag−Te−Sb系組成、特にGe−
Sb−Te系組成の記録層を有する相変化型光記録媒体
に対し、本発明は特に有効である。
成元素の原子比を 式I Gea Sbb Te1-a-b で表わしたとき、好ましくは 0.08≦a≦0.25、 0.20≦b≦0.40 である。
クが結晶化しにくくなり、消去率が低くなってしまう。
aが大きすぎると、多量のTeがGeと結合することに
なり、その結果、Sbが析出して記録マークが形成しに
くくなる。
くなりすぎるために高温での保存時に記録マークが結晶
化しやすくなって、信頼性が低くなってしまう。bが大
きすぎると、Sbが析出して記録マークが形成しにくく
なる。
しくは14〜50nmである。記録層が薄すぎると結晶相
の成長が困難となり、相変化に伴なう反射率変化が不十
分となる。一方、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。
は、構成元素の原子比を 式II [(InaAgbTe1-a-b)1-cSbc]1-dMd で表したとき、好ましくは a=0.1〜0.3、 b=0.1〜0.3、 c=0.5〜0.8、 d=0〜0.10 であり、より好ましくは a=0.11〜0.28、 b=0.15〜0.28、 c=0.55〜0.78、 d=0.005〜0.05 である。
のIn含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの非晶質化が不十分となって変調度が低下し、
また、信頼性も低くなってしまう。一方、aが大きすぎ
ると、記録層中のIn含有率が相対的に高くなりすぎ
る。このため、記録マーク以外の反射率が低くなって変
調度が低下してしまう。
のAg含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの再結晶化が困難となって、繰り返しオーバー
ライトが困難となる。一方、bが大きすぎると、記録層
中のAg含有率が相対的に高くなり、過剰なAgが記録
および消去の際に単独でSb相中に拡散することにな
る。このため、書き換え耐久性が低下すると共に、記録
マークの安定性および結晶質部の安定性がいずれも低く
なってしまい、信頼性が低下する。すなわち、高温で保
存したときに記録マークの結晶化が進んで、C/Nや変
調度が劣化しやすくなる。また、繰り返して記録を行な
ったときのC/Nおよび変調度の劣化も進みやすくな
る。
なってTe相が形成される。Te相は結晶転移速度を低
下させるため、消去が困難となる。一方、a+bが大き
すぎると、記録層の非晶質化が困難となり、信号が記録
できなくなる可能性が生じる。
伴なう反射率差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅
くなって消去が困難となる。一方、cが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率差が小さくなって変調度が小さく
なる。
V、W、Ta、Zn、Ti、Ce、Tb、Ge、Sn、
PbおよびYから選択される少なくとも1種の元素であ
る。元素Mは、書き換え耐久性を向上させる効果、具体
的には、書き換えの繰り返しによる消去率の低下を抑え
る効果を示す。また、高温・高湿などの悪条件下での信
頼性を向上させる。このような効果が強力であることか
ら、元素MのうちV、Ta、Ce、GeおよびYの少な
くとも1種が好ましく、VおよびTaの少なくとも1種
がより好ましく、Vが特に好ましい。
相変化に伴なう反射率変化が小さくなって十分な変調度
が得られなくなる。dが小さすぎると、元素M添加によ
る効果が不十分となる。
Te、Inおよび必要に応じて添加されるMだけを用い
ることが好ましいが、Agの一部をAuで置換してもよ
く、Sbの一部をBiで置換してもよく、Teの一部を
Seで置換してもよく、Inの一部をAlおよび/また
はPで置換してもよい。
0原子%以下、より好ましくは20原子%以下である。
置換率が高すぎると、記録マークが結晶化しやすくなっ
て高温下での信頼性が悪化する。
0原子%以下、より好ましくは20原子%以下である。
置換率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の干
渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差が
小さくなって変調度が低下し、高C/Nが得られなくな
る。
0原子%以下、より好ましくは20原子%以下である。
置換率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十分
な消去率が得られなくなる。
は、好ましくは40原子%以下、より好ましくは20原
子%以下である。置換率が高すぎると、記録マークの安
定性が低くなって信頼性が低くなる。なお、AlとPと
の比率は任意である。
え後の記録層の吸収係数kは、結晶状態のときが3.3
程度、微結晶ないし非晶質のときが2.2程度である。
9.5〜50nm、より好ましくは13〜30nmである。
記録層が薄すぎると結晶相の成長が困難となり、相変化
に伴なう反射率変化が不十分となる。一方、記録層が厚
すぎると、記録マーク形成時に記録層の厚さ方向へAg
が多量に拡散し、記録層面内方向へ拡散するAgの比率
が小さくなってしまうため、記録層の信頼性が低くなっ
てしまう。また、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。
アナリシス、ICPなどにより測定することができる。
とが好ましい。スパッタ条件は特に限定されず、例え
ば、複数の元素を含む材料をスパッタする際には、合金
ターゲットを用いてもよく、ターゲットを複数個用いる
多元スパッタ法を用いてもよい。
u、Ag、Pt、Cu、Ni、Cr、Ti等の単体ある
いはこれらの1種以上を含む合金などの高反射率金属か
ら構成すればよい。反射層の厚さは、30〜300nmと
することが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分
な反射率が得られにくくなる。また、前記範囲を超えて
も反射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射
層は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成す
ることが好ましい。
る。この保護層は種々の有機系の物質から構成されるこ
とが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物やその組成
物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質
から構成されることが好ましい。保護層の厚さは、通
常、0.1〜100μm程度であり、スピンコート、グ
ラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、通常の
方法により形成すればよい。
ットメルト型接着剤、紫外線硬化型接着剤、常温硬化型
接着剤等のいずれであってもよく、粘着剤であってもよ
い。
造) 図4、図5および図6に、本発明が適用される光記録媒
体の他の構成例をそれぞれ示す。本明細書では、これら
の光記録媒体を吸収率補正構造の媒体という。以下、吸
収率補正構造を選択する理由を説明する。
の反射率の違いを利用するため、記録マーク以外の領域
(結晶状態)における光吸収率(Ac)と記録マーク
(非結晶状態)における光吸収率(Aa)とが異なるこ
とが多く、一般にAc<Aaとなっている。なお、Ac
およびAaは、いずれも記録再生用レーザー光の波長に
おける値である。このため、オーバーライト領域が結晶
であったか非結晶であったかによって記録感度および消
去率が異なることになる。この結果、オーバーライトに
よって形成される記録マークに長さおよび幅のばらつき
が生じて、ジッターが大きくなり、エラーとなることも
ある。高密度化のために記録マークの両端に情報を担持
させるマークエッジ記録を行っている場合には、記録マ
ークの長さの変動の影響を受けやすいため、エラーがさ
らに多くなってしまう。
に近づけることが好ましく、より好ましくはAc/Aa
≧0.9とし、さらに好ましくはAc/Aa≧1とし、
最も好ましくは、潜熱の影響を考慮してAc/Aa>1
とすることが望ましい。このためには、記録層やそれを
挟んで設けられる誘電体層の厚さを制御すればよいが、
通常の構造の媒体では、Ac/Aaを大きくしていくと
記録マーク以外の領域における媒体からの反射率(R
c)と記録マークにおける媒体からの反射率(Ra)と
の差が小さくなって、C/Nが低くなるという問題が生
じてしまう。
24218号公報では、基体上に第1誘電体層、記録
層、第2誘電体層、反射層、第3誘電体層、紫外線硬化
樹脂層を順に積層した構成の光学情報記録媒体におい
て、Ac>Aaとし、反射層として透過性の極薄金属
膜、SiまたはGeを用い、第3誘電体層として屈折率
が1.5より大きな誘電体を用いる旨の提案がなされて
いる。光透過性の反射層と高屈折率の第3誘電体層とを
設けることにより、Rc−Raを大きく保ったままAc
/Aaを上記範囲とすることが可能となる。
層、反射層等の各層の光学定数と記録再生用レーザー光
の波長とから、算出することができる。
録媒体は、反射層5を上記特開平8−124218号公
報に記載された反射層と同様な構成とし、反射層5と保
護層6との間に第3誘電体層33を設けた片面記録型媒
体である。この構成においても、前述した反射型構造の
媒体と同様に、2枚を接着して両面記録型媒体とした
り、保護基体を接着したりしてもよい。
は、光透過率が高い極薄の金属層から構成されるか、記
録・再生波長が含まれる近赤外から赤外域にかけての透
過性が高いSiやGe等から構成されることが好まし
い。反射層の厚さは、記録層の記録マーク以外の領域と
記録マークとの間での吸収率差を補正できるように適宜
決定すればよい。反射層の好ましい厚さ範囲は構成材料
によって大きく異なるので、構成材料に応じて厚さを適
宜決定すればよい。例えばAu等の金属を用いる場合に
は、反射層の厚さを好ましくは40nm以下、より好まし
くは10〜30nmとし、SiまたはGeを用いる場合に
は、反射層の厚さを好ましくは80nm以下、より好まし
くは30〜70nmとする。反射層が薄すぎるとC/Nの
低下を招き、反射層が厚すぎると前述した吸収率補正効
果が不十分となる。
はAu合金が好ましい。Au合金としては、Auを主成
分とし、Al、Cr、Cu、Ge、Co、Ni、Mo、
Ag、Pt、Pd、Ta、Ti、BiおよびSbの少な
くとも1種を含むものが好ましい。
相成長法により形成することが好ましい。
誘電体層33は、好ましくは保護層6よりも屈折率の高
い材料から構成する。このような第3誘電体層を設ける
ことにより、前記特開平8−124218号公報記載の
発明と同様に、記録マークとそれ以外の領域との間の反
射率差を大きく保ったまま、前記Ac/Aaを大きくす
ることができる。
ず、他の誘電体層の説明において挙げた各種誘電体から
選択すればよいが、好ましくは硫化亜鉛および酸化ケイ
素を主成分にする。
120nm、より好ましくは40〜90nmである。第3誘
電体層が薄すぎると信号出力が低くなってしまい、厚す
ぎると、隣接トラックの信号が消去される現象(クロス
イレーズ)が生じてしまう。
とによりAcとAaとを制御する構造では、通常、透明
基板の下側から照射される記録再生用レーザー光は透過
し、反射層側から出射される。このときの透過率、すな
わち入射光に対する透過光の比率は、通常、1%程度以
上、特に3%程度以上である。なお、この透過率は、透
明基板上に無機層だけが存在する状態で測定した値であ
る。すなわち、図示する構成では保護層6を除いた状態
であり、記録層、誘電体層、反射層等の無機層間での多
重反射の結果としての透過率を意味する。この透過率
は、分光光度計で測定することができる。測定する領域
は特に限定されず、結晶質部であっても非晶質部であっ
てもよいが、通常は、グルーブの存在しない結晶質領域
(ミラー部)で測定すればよい。
録媒体において、基体2、記録層4および保護層6は、
図1、図2および図3にそれぞれ示す光記録媒体と同様
な構成とすればよい。ただし、記録層4の好ましい厚さ
は、10〜50nmである。
層31の構成および第2誘電体層32の構成は特に限定
されず、図4に示すように単層構造としてもよいが、オ
ーバーライト可能回数を多くするためには、図5および
図6に示すような積層構造とし、各誘電体層を以下に説
明する構成とすることが好ましい。
れぞれ示す反射型構造の媒体の説明における第1誘電体
層と同じ構成とすることが好ましい。
照)としてもよく、必要に応じて積層構造(図6参照)
としてもよい。いずれの場合でも、第2誘電体層32の
記録層4に接して存在する領域、すなわち、図5では第
2誘電体層32全体、図6では誘電体層2aを、好まし
くは、窒化ゲルマニウムおよび/または窒化ケイ素を主
成分とするか、希土類酸化物を主成分とするか、酸化ケ
イ素を主成分とするか、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主
成分とするものとし、より好ましくは、窒化ゲルマニウ
ムおよび/または窒化ケイ素を主成分とするか、硫化亜
鉛および酸化ケイ素を主成分とするものとし、さらに好
ましくは、窒化ゲルマニウムまたは窒化ケイ素から構成
する。ただし、上記領域の主成分を硫化亜鉛および酸化
ケイ素とする場合には、酸化ケイ素含有率を好ましくは
40モル%以上、より好ましくは40〜80モル%、さ
らに好ましくは40〜60モル%とする。酸化ケイ素含
有率が低すぎると、記録層へのZnやSの拡散の影響が
大きくなる。一方、酸化ケイ素含有率が高すぎると、初
期化やオーバーライトの際に第2誘電体層に剥離が生じ
やすくなる。
に限定されず、例えばCe、La、Y、Pr、Nd、P
m、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、T
m、Yb、Lu等の少なくとも1種を用いればよいが、
好ましくはCe、La、Yの少なくとも1種を用いる。
誘電体層2bの組成は特に限定されないが、通常、硫化
亜鉛および酸化ケイ素を主成分とするものとすればよ
い。その場合の酸化ケイ素含有率は特に限定されない
が、好ましくは2〜40モル%(40モル%を含まず)
とする。
m、好ましくは13〜35nmである。第2誘電体層をこ
のような厚さとすることにより冷却速度が速くなるの
で、記録マークのエッジが明瞭となってジッターが小さ
くなる。また、このような厚さとすることにより、変調
度を高くすることができる。なお、第2誘電体層中にお
いて記録層に接して存在する前記領域(例えば図6にお
ける誘電体層2a)の厚さは、好ましくは1nm以上、よ
り好ましくは5nm以上である。前記領域が薄すぎると、
バリア層としての効果が不十分となる。
化型光記録媒体へのオーバーライトと同様にして行うこ
とができる。
るレーザービームの変調パターンを、図7(a)および
図7(b)に示す。図7(a)は、3T信号記録用の変
調パターン(記録パルスパターン)であり、図7(b)
は、11T信号記録用の変調パターンである。各図にお
いて、横方向は時間、縦方向はレーザービームのパワー
レベルである。なお、各図には、3Tおよび11TのN
RZI信号パターンを併記してある。
ルは、PP(ピークパワー)と、PPよりも低いPB1(バ
イアスパワー1)と、PB1よりも低いPB2(バイアスパ
ワー2)との3段階である。記録パワーをパルス変調す
ることは従来も行われているが、その場合には、記録パ
ルスのボトム値は消去パワーであるPB1となっていた。
これに対し、このパターンの特徴は、記録パルスを、ピ
ーク値PP、ボトム値PB 2とし、かつ最終パルス照射後
に、パワーレベルをいったんボトム値PB2まで低下させ
た後、消去パワーレベルであるPB1に戻すことである。
記録パルスをこのようなパターンとすることにより、記
録密度を高くした場合でも記録マークの形状が歪みにく
くなり、ジッターの増大を抑えることができる。
媒体の線速度などによっても異なるが、通常、それぞれ
9〜12mW、4〜6mWおよび0〜2mWの範囲内から選択
される。なお、吸収率補正構造の媒体における記録パワ
ーおよび消去パワーも、通常、それぞれ9〜12mWおよ
び4〜6mWの範囲から選択される。
は、書き換えおよび再生に用いる光を、広い波長域、例
えば100〜5000nmの範囲から自在に選択できる。
をさらに詳細に説明する。
m、ピッチ1.48μm)を同時形成した直径120mm、
厚さ0.6mmのディスク状ポリカーボネート基体2の表
面に、第1誘電体層31、記録層4、第2誘電体層3
2、反射層5および保護層6を以下に示す手順で形成
し、図2に示す構成を有する光記録ディスクサンプルと
した。
パッタ法により形成した。ターゲットには、ZnS(8
0モル%)−SiO2(20モル%)を用いた。誘電体
層1aの厚さは95nmとした。誘電体層1bは、Ge3
N4からなるものであり、Geターゲットを用いて、窒
素を含有するAr雰囲気中において反応性スパッタ法に
より形成した。誘電体層1bの厚さは20nmとした。
記録層の組成(原子比)を表1に示す。記録層の厚さは
20nmとした。
−SiO2を用いて、Ar雰囲気中またはAr+N2雰囲
気中でスパッタ法により形成した。流量比[N2/(A
r+N2)]を表1に示す。第2誘電体層の厚さは22n
mとした。
タ法により形成した。ターゲットにはAl−1.7原子
%Crを用いた。反射層の厚さは150nmとした。
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の保護層厚さは5μm であった。
クイレーザーにより初期化した後、光記録媒体評価装置
(レーザー光波長638nm、開口数0.6)を用い、前
記DVD−RAM規格に基づいて線速度(Vo)6m/sで
混合信号(8/16変調信号)を10回オーバーライト
した。次いで、ジッターを測定し、これを初期ジッター
値とした。結果を表1に示す。このジッター値は、クロ
ック周波数(58.36MHz)を用いて算出した総合ジ
ッター(単位:%)である。また、主としてセルフイレ
ーズに起因する記録マーク前エッジのジッター、およ
び、主として消し残りに起因する後エッジのジッターも
測定した。これらの測定結果も表1に示す。
保存し、再び線速度Voで8/16変調信号を1回オー
バーライトした後、上記と同様にして総合ジッターを求
め、これを保存後のジッター値とした。結果を表1に示
す。
BW(リゾリューションバンド幅)を30kHz、VBW
(ビデオバンド幅)を100Hzに設定して、線速度を変
えながら各サンプルのV2ndを求めた。V2ndおよびV
2nd/Voを表1に示す。なお、V2ndの測定は、以下の手
順で行った。
で混合信号(8/16変調信号)を10回オーバーライ
トする。 2)上記測定トラックに、上記混合信号のなかの最短マ
ークに相当する単一周波数成分の信号(3T信号:4.
88MHz)を1回記録する。 3)上記測定トラックに、上記混合信号のなかの最長マ
ークに相当する単一周波数成分の信号(14T信号:
1.03MHz)を1回記録し、これを再生して、再生信
号中における2次高調波(2.06MHz)の占める割合
を求める。 4)線速度を変更して上記1)〜3)の測定を繰り返
す。ただし、信号長さを決定するクロック周波数は、す
べての線速度で記録密度が同一となるように線速度に応
じて変更する。
た。
パターン、 記録パワー(ピークパワー):11.0mW、 消去パワー(バイアスパワー1):5.0mW、 ボトムパワー(バイアスパワー2):0.5mW
うに設計されたサンプルでは、高温保存後でもジッター
が十分に小さいことがわかる。主としてセルフイレーズ
に起因する前エッジのジッターおよび初期総合ジッター
は、V2nd/Voが本発明範囲を下回るサンプルNo.101
のほうが本発明サンプルよりやや小さくなっているが、
サンプルNo.101では保存後の総合ジッターが著しく
大きくなっている。なお、表1に示す総合ジッターの好
ましい範囲は、15%以下である。ジッターが15%を
超えると、システムが正常に動作しなかったり、エラー
が多発したりするなどの不具合が発生しやすくなる。
製し、これらについてV2nd/Voとビットエラーレート
(BER)との関係を調べた。なお、測定に際しては、
光記録媒体評価装置(レーザー光の波長を680nmとし
たほかは実施例1で用いたものと同じ)を用い、線速度
Voは12m/sとし、記録信号には1−7RLL信号を用
いた。
の範囲においてBERが1×10-6以下と十分に小さく
なり、吸収率補正構造の媒体においても本発明の効果が
実現することがわかった。
明らかである。
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
例を示す部分断面図である。
例を示す部分断面図である。
例を示す部分断面図である。
(反射型構造)のオーバーライトに使用されるレーザー
ビームの変調パターンを示すグラフである。
Claims (7)
- 【請求項1】 相変化型の記録層を有し、線速度Voで
オーバーライトを行う駆動装置に適用される光記録媒体
であって、 0.6≦V2nd/Vo<1.25 (ただし、前記V2ndは、オーバーライトにより形成し
た記録マークを再生し、前記記録マーク形成に用いた記
録信号の周波数の2次高調波に相当する周波数成分を測
定したときに、前記周波数成分が最小となるオーバーラ
イト線速度である)となるように設計された光記録媒
体。 - 【請求項2】 記録層が基体上に形成されており、基体
と記録層との間に第1誘電体層を有し、記録層上に第2
誘電体層を有し、第2誘電体層のうち少なくとも記録層
に接する領域が窒素を含有する請求項1の光記録媒体。 - 【請求項3】 第2誘電体層のうち少なくとも記録層に
接する領域が、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分と
し、さらに窒素を含有するものであるか、窒化ケイ素お
よび/または窒化ゲルマニウムを主成分とするものであ
る請求項2の光記録媒体。 - 【請求項4】 相変化型の記録層を有し、線速度Voで
オーバーライトを行う駆動装置に適用される光記録媒体
であって、 線速度Voでオーバーライトを行ったときに、記録マー
クの後エッジのジッターが前エッジのジッターよりも小
さくなる光記録媒体。 - 【請求項5】 請求項1〜3のいずれかの光記録媒体で
ある請求項4の光記録媒体。 - 【請求項6】 相変化型の記録層を有する光記録媒体に
オーバーライトを行う方法であって、 0.6≦V2nd/Vo<1.25 (ただし、前記V2ndは、オーバーライトにより形成し
た記録マークを再生し、前記記録マーク形成に用いた記
録信号の周波数の2次高調波に相当する周波数成分を測
定したときに、前記周波数成分が最小となるオーバーラ
イト線速度である)となる線速度Voでオーバーライト
を行う光記録媒体のオーバーライト方法。 - 【請求項7】 前記光記録媒体が、請求項1〜5のいず
れかの光記録媒体である請求項6の光記録媒体のオーバ
ーライト方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04432998A JP3806827B2 (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 相変化型光記録媒体の設計方法 |
US09/247,085 US6154437A (en) | 1998-02-10 | 1999-02-09 | Phase-change optical recording medium and its writing with high reliability after long period use and/or high environmental temperature storage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04432998A JP3806827B2 (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 相変化型光記録媒体の設計方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004031115A Division JP2004164850A (ja) | 2004-02-06 | 2004-02-06 | 光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11232697A true JPH11232697A (ja) | 1999-08-27 |
JP3806827B2 JP3806827B2 (ja) | 2006-08-09 |
Family
ID=12688477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04432998A Expired - Lifetime JP3806827B2 (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 相変化型光記録媒体の設計方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6154437A (ja) |
JP (1) | JP3806827B2 (ja) |
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US6154437A (en) | 2000-11-28 |
JP3806827B2 (ja) | 2006-08-09 |
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Legal Events
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A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090526 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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