JPH1056354A - 弾性表面波フィルタおよびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波フィルタおよびその製造方法Info
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- JPH1056354A JPH1056354A JP21036696A JP21036696A JPH1056354A JP H1056354 A JPH1056354 A JP H1056354A JP 21036696 A JP21036696 A JP 21036696A JP 21036696 A JP21036696 A JP 21036696A JP H1056354 A JPH1056354 A JP H1056354A
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- surface acoustic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】弾性表面波（ＳＡＷ）を利用する帯域フィルタ
を高周波化する。 【解決手段】Ａｕの金属層１５とＺｎＯの圧電体層１２
とが交互に積層され、一枚置きの金属層１５の端部で接
続されて櫛歯電極１３となっている。櫛歯電極部１６は
一対の櫛歯電極１３が互いにかみ合わされた形になって
いる。ＳＡＷフイルタ１０１はガラス基板１１上に、櫛
歯電極部１６、ＺｎＯのＳＡＷ伝搬部１４、もう一方の
櫛歯電極部１６が順に積層されている。金属層１５と圧
電体層１２との厚さは例えばそれぞれ０．０１μｍであ
る。
を高周波化する。 【解決手段】Ａｕの金属層１５とＺｎＯの圧電体層１２
とが交互に積層され、一枚置きの金属層１５の端部で接
続されて櫛歯電極１３となっている。櫛歯電極部１６は
一対の櫛歯電極１３が互いにかみ合わされた形になって
いる。ＳＡＷフイルタ１０１はガラス基板１１上に、櫛
歯電極部１６、ＺｎＯのＳＡＷ伝搬部１４、もう一方の
櫛歯電極部１６が順に積層されている。金属層１５と圧
電体層１２との厚さは例えばそれぞれ０．０１μｍであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波フィルタの
一種である弾性表面波（Surface Acoustic Wave−以下
ＳＡＷと略す）フィルタに関する。
一種である弾性表面波（Surface Acoustic Wave−以下
ＳＡＷと略す）フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】帯域通過型フィルタとしてＳＡＷフィル
タが、他の誘電体フィルタ、積層セラミックスフィルタ
などと用途や目的に応じて使い分けられている。近年こ
れら帯域通過型フィルタは、移動体通信用に高周波化、
小型化が求められている。現在の移動体通信分野では、
ＰＤＣ（Personal Digital Cellular ）方式が８００Ｍ
Ｈｚと１．５ＧＨｚに、ＰＨＳ（Personal Handyhone S
ystem ）方式が１．８９５〜１．９１８ＧＨｚの周波数
帯域に割り当てられ、使用されている。今後ますます、
これらのフィルタは高周波化、小型化が進み、数１０Ｇ
Ｈｚの帯域通過フィルタの開発が必要になると思われ
る。
タが、他の誘電体フィルタ、積層セラミックスフィルタ
などと用途や目的に応じて使い分けられている。近年こ
れら帯域通過型フィルタは、移動体通信用に高周波化、
小型化が求められている。現在の移動体通信分野では、
ＰＤＣ（Personal Digital Cellular ）方式が８００Ｍ
Ｈｚと１．５ＧＨｚに、ＰＨＳ（Personal Handyhone S
ystem ）方式が１．８９５〜１．９１８ＧＨｚの周波数
帯域に割り当てられ、使用されている。今後ますます、
これらのフィルタは高周波化、小型化が進み、数１０Ｇ
Ｈｚの帯域通過フィルタの開発が必要になると思われ
る。
【０００３】図１１は、従来のＳＡＷフィルタ１００の
例の斜視図である。基板１上に形成された圧電体層２の
表面に、入り組んだ形の二対の櫛歯電極３が形成されて
いる。一方の対の櫛歯電極３が入力側であり、他方の対
の櫛歯電極３は出力側である。二対の櫛歯電極３の間
は、ＳＡＷ伝搬部４である。入力側の櫛歯電極３に入力
された波は、ＳＡＷ伝搬部４を伝わり、櫛歯電極の間隔
によって選別された波だけが出力側の櫛歯電極３から出
力される。
例の斜視図である。基板１上に形成された圧電体層２の
表面に、入り組んだ形の二対の櫛歯電極３が形成されて
いる。一方の対の櫛歯電極３が入力側であり、他方の対
の櫛歯電極３は出力側である。二対の櫛歯電極３の間
は、ＳＡＷ伝搬部４である。入力側の櫛歯電極３に入力
された波は、ＳＡＷ伝搬部４を伝わり、櫛歯電極の間隔
によって選別された波だけが出力側の櫛歯電極３から出
力される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＳＡＷフィルタにおい
て、帯域通過の中心周波数をf0、櫛歯中心間隔を2l0 、
ＳＡＷの伝搬速度をv0とすると、 v0=f0 ×4l0 (1) なる関係が成立する。この式から、高周波用のＳＡＷフ
ィルタを作製するためには、次の手段を取ることが考え
られる。
て、帯域通過の中心周波数をf0、櫛歯中心間隔を2l0 、
ＳＡＷの伝搬速度をv0とすると、 v0=f0 ×4l0 (1) なる関係が成立する。この式から、高周波用のＳＡＷフ
ィルタを作製するためには、次の手段を取ることが考え
られる。
【０００５】櫛歯間隔l0を狭くする。 ＳＡＷの伝搬速度v0の速い材料を用いる しかし、帯域通過フィルタの材料として用いられている
ニオブ酸リチウム（LiNbO3）やタンタル酸リチウム（Li
TaO3）単結晶に比べて優れた特性をもち、かつＳＡＷの
伝搬速度が速い材料は現在見つかっていない。そのた
め、ＧＨｚ帯のフィルタを作製するにはの櫛歯間隔l0
を狭くする方法が一般に取られている。
ニオブ酸リチウム（LiNbO3）やタンタル酸リチウム（Li
TaO3）単結晶に比べて優れた特性をもち、かつＳＡＷの
伝搬速度が速い材料は現在見つかっていない。そのた
め、ＧＨｚ帯のフィルタを作製するにはの櫛歯間隔l0
を狭くする方法が一般に取られている。
【０００６】こうした櫛歯電極作製は、フォトリソグラ
フィ技術を用いておこなわれる。フォトリソグラフィ技
術の最小線幅は、転写光の波長と同程度であり、例え
ば、電子ビーム露光を用いて、０．０５μｍ程度の精度
が得られている。しかし、これを用いた量産化には、高
スループツトの電子ビーム露光装置が必要であり、高額
の投資を要する。
フィ技術を用いておこなわれる。フォトリソグラフィ技
術の最小線幅は、転写光の波長と同程度であり、例え
ば、電子ビーム露光を用いて、０．０５μｍ程度の精度
が得られている。しかし、これを用いた量産化には、高
スループツトの電子ビーム露光装置が必要であり、高額
の投資を要する。
【０００７】上に述べた０．０５μｍの線幅で櫛歯を作
製しフィルタにした場合、２０ＧＨｚ帯の送受信が可能
となる。しかし、それには、高額の電子ビーム露光装置
が必要であり、更に高周波のミリ波や準ミリ波デバイス
の要求を満たすフィルタの作製は、電子ビーム露光によ
るフォトリソグラフィ技術ではできない。更に短波長の
ＳＯＲ（シンクロトロン露光放射光）のＸ線による露光
方法もあるが、未だ開発段階であり、しかも大規模の設
備を要する。
製しフィルタにした場合、２０ＧＨｚ帯の送受信が可能
となる。しかし、それには、高額の電子ビーム露光装置
が必要であり、更に高周波のミリ波や準ミリ波デバイス
の要求を満たすフィルタの作製は、電子ビーム露光によ
るフォトリソグラフィ技術ではできない。更に短波長の
ＳＯＲ（シンクロトロン露光放射光）のＸ線による露光
方法もあるが、未だ開発段階であり、しかも大規模の設
備を要する。
【０００８】以上の問題に鑑みて本発明の目的は、高周
波に適し、製造の容易なＳＡＷフィルタおよびその製造
方法を提供することにある。
波に適し、製造の容易なＳＡＷフィルタおよびその製造
方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題解決のため本発
明の弾性表面波フィルタは、絶縁基板上に金属層と圧電
体層とを交互に積層された一対の櫛歯が互いに入り組ん
だ形の櫛歯電極部と、その上に形成された弾性表面波伝
搬部と、更にその上に形成された前記と同様の櫛歯電極
部とを有するものとする。
明の弾性表面波フィルタは、絶縁基板上に金属層と圧電
体層とを交互に積層された一対の櫛歯が互いに入り組ん
だ形の櫛歯電極部と、その上に形成された弾性表面波伝
搬部と、更にその上に形成された前記と同様の櫛歯電極
部とを有するものとする。
【００１０】基板上に金属、圧電膜、金属、圧電膜と交
互に堆積させ、縦方向に櫛歯を作製する。薄膜の堆積の
精度は高く、厚さ０．０１μｍの膜の堆積も可能である
ため、ＳＡＷフイルタの限界を決める櫛歯間隔として、
現在の通常のフォトリソグラフィの限界である０．０５
μｍ以下の寸法を実現できる。すなわち、櫛歯間隔の小
さな、従って高周波用のＳＡＷフィルタが形成できる。
なお、０．０１μｍ程度の厚さは、表面粗さ計、原子間
力顕微鏡（ＡＦＭ）或いはエリプソメータで測定でき
る。
互に堆積させ、縦方向に櫛歯を作製する。薄膜の堆積の
精度は高く、厚さ０．０１μｍの膜の堆積も可能である
ため、ＳＡＷフイルタの限界を決める櫛歯間隔として、
現在の通常のフォトリソグラフィの限界である０．０５
μｍ以下の寸法を実現できる。すなわち、櫛歯間隔の小
さな、従って高周波用のＳＡＷフィルタが形成できる。
なお、０．０１μｍ程度の厚さは、表面粗さ計、原子間
力顕微鏡（ＡＦＭ）或いはエリプソメータで測定でき
る。
【００１１】特に、圧電体層、弾性表面波伝搬層が、酸
化亜鉛（ＺｎＯ）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の
ｃ軸配向多結晶膜からなるものとする。圧電物質を薄膜
化した場合、薄膜を配向させるか、または薄膜作製後分
極処理を施さないと圧電特性を得ることができない。そ
のため、配向性を得ることができる酸化亜鉛、窒化アル
ミニウムとチタン酸化膜ジルコン酸鉛（以下ＰＺＴと記
す）を圧電物質として使用するのがよい。
化亜鉛（ＺｎＯ）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の
ｃ軸配向多結晶膜からなるものとする。圧電物質を薄膜
化した場合、薄膜を配向させるか、または薄膜作製後分
極処理を施さないと圧電特性を得ることができない。そ
のため、配向性を得ることができる酸化亜鉛、窒化アル
ミニウムとチタン酸化膜ジルコン酸鉛（以下ＰＺＴと記
す）を圧電物質として使用するのがよい。
【００１２】しかも上記の構造とすれば、速度の速いＳ
ＡＷの縦波を使用でき、ＳＡＷの高速化を図ることがで
きる。表１にＺｎＯとＡｌＮの単結晶における縦波と、
横波の速度の違いを記載した。
ＡＷの縦波を使用でき、ＳＡＷの高速化を図ることがで
きる。表１にＺｎＯとＡｌＮの単結晶における縦波と、
横波の速度の違いを記載した。
【００１３】
【表１】 前記の式（１）より同じ櫛歯間隔（この場合波長）でも
横波を使用するより高い周波数の波の伝搬が可能である
ことがわかる。
横波を使用するより高い周波数の波の伝搬が可能である
ことがわかる。
【００１４】すなわち本発明のＳＡＷフィルタは、同じ
圧電極体層を使用しても、従来のものより２〜３倍の高
周波に使用できることになる。金属層が、金（Ａｕ）、
金／チタン（Ａｕ／Ｔｉ）の複合膜、アルミニウム（Ａ
ｌ）、白金（Ｐｔ）のいずれかであるものとする。これ
らの金属層上では、ＺｎＯとＡｌＮとはｃ軸配向し易
い。
圧電極体層を使用しても、従来のものより２〜３倍の高
周波に使用できることになる。金属層が、金（Ａｕ）、
金／チタン（Ａｕ／Ｔｉ）の複合膜、アルミニウム（Ａ
ｌ）、白金（Ｐｔ）のいずれかであるものとする。これ
らの金属層上では、ＺｎＯとＡｌＮとはｃ軸配向し易
い。
【００１５】圧電層、弾性表面波伝搬層が、チタン酸ジ
ルコン酸鉛（ＰＺＴ）は、Ｐｔ上ではｃ軸配向の多結晶
膜となるので、金属層をＰｔとするのがよい。基板は、
シリコンまたはガラスであるものとする。これらは、表
面の平滑なものが入手し易く、その上に形成された金属
膜の結晶軸配向性に優れる。
ルコン酸鉛（ＰＺＴ）は、Ｐｔ上ではｃ軸配向の多結晶
膜となるので、金属層をＰｔとするのがよい。基板は、
シリコンまたはガラスであるものとする。これらは、表
面の平滑なものが入手し易く、その上に形成された金属
膜の結晶軸配向性に優れる。
【００１６】また、同様の理由で基板としてサファイア
のｃ面またはＲ面を用い、金属層として金／クロム（Ａ
ｕ／Ｃｒ）の複合膜を用いることもできる。櫛歯電極と
接続された端子電極が、積層体の上面に設けられている
ことがよい。そのようにすれば、電極寸法を大きくとる
ことができ、しかも上面にあれば、リードのボンディン
グが容易である。
のｃ面またはＲ面を用い、金属層として金／クロム（Ａ
ｕ／Ｃｒ）の複合膜を用いることもできる。櫛歯電極と
接続された端子電極が、積層体の上面に設けられている
ことがよい。そのようにすれば、電極寸法を大きくとる
ことができ、しかも上面にあれば、リードのボンディン
グが容易である。
【００１７】圧電層を挟んで積層された金属層を側面に
形成した側面電極で接続し、櫛歯電極が構成されるもの
とする。そのようにすれば、櫛歯電極部の形成時のフォ
トリソグラフィの回数およびマスク数を少なくできる。
側面が積層体の表面に対して鈍角に傾斜していることが
よい。
形成した側面電極で接続し、櫛歯電極が構成されるもの
とする。そのようにすれば、櫛歯電極部の形成時のフォ
トリソグラフィの回数およびマスク数を少なくできる。
側面が積層体の表面に対して鈍角に傾斜していることが
よい。
【００１８】そのようにすれば、側面電極の接着力が増
すと共に、金属層と側面電極との接触面積が広がり、櫛
歯電極の形成が確実におこなわれる。絶縁基板上に金属
層と圧電層とを交互に積層された一対の櫛歯が互いに入
り組んだ形の櫛歯電極部を有する弾性表面波フィルタの
製造方法としては、堆積した第一膜上にフォトレジスト
を塗布し、第一膜のパターン形成をおこない、第二膜を
堆積した後、前記フォトレジストを除去して、第一膜の
除去部を第二膜で埋めるものとする。
すと共に、金属層と側面電極との接触面積が広がり、櫛
歯電極の形成が確実におこなわれる。絶縁基板上に金属
層と圧電層とを交互に積層された一対の櫛歯が互いに入
り組んだ形の櫛歯電極部を有する弾性表面波フィルタの
製造方法としては、堆積した第一膜上にフォトレジスト
を塗布し、第一膜のパターン形成をおこない、第二膜を
堆積した後、前記フォトレジストを除去して、第一膜の
除去部を第二膜で埋めるものとする。
【００１９】そのようなリフトオフ法を用いれば、それ
ぞれをフォトリソグラフィによって形成する方法に比
べ、フォトリソグラフィの回数が半分で済む。
ぞれをフォトリソグラフィによって形成する方法に比
べ、フォトリソグラフィの回数が半分で済む。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明のＳＡＷフィルタは、基板
上に金属層と圧電体層とを交互に積層して形成された櫛
歯電極を有するものである。このため、ＳＡＷフイルタ
の限界を決める櫛歯間隔として、現在のフォトリソグラ
フィの限界以下の寸法を実現できるので、高周波に適す
るＳＡＷフィルタとなる。
上に金属層と圧電体層とを交互に積層して形成された櫛
歯電極を有するものである。このため、ＳＡＷフイルタ
の限界を決める櫛歯間隔として、現在のフォトリソグラ
フィの限界以下の寸法を実現できるので、高周波に適す
るＳＡＷフィルタとなる。
【００２１】しかも、ＳＡＷのうちでも横波より速い縦
波を利用する構造としたので、前記（１）式から、ＳＡ
Ｗの高速化を図ることができ、より一層高周波に適する
ＳＡＷフィルタとなる。以下に図面を参照しながら本発
明の実施例について説明する。 ［実施例１］図１は本発明第一の実施例のＳＡＷフイル
タ１０１の斜視図である。
波を利用する構造としたので、前記（１）式から、ＳＡ
Ｗの高速化を図ることができ、より一層高周波に適する
ＳＡＷフィルタとなる。以下に図面を参照しながら本発
明の実施例について説明する。 ［実施例１］図１は本発明第一の実施例のＳＡＷフイル
タ１０１の斜視図である。
【００２２】Ａｕの金属層１５とＺｎＯの圧電体層１２
とが交互に積層され、一枚置きの金属層１５が端部で接
続されて櫛歯電極１３となっている。櫛歯電極部１６
は、一対の櫛歯電極１３が互いにかみ合わされた形とな
っている。ＳＡＷフイルタ１０１は、ガラス基板１１上
に、櫛歯電極部１６、ＺｎＯのＳＡＷ伝搬部１４および
もう一方の櫛歯電極部１６がこの順に積層されている。
ＳＡＷ伝搬部１４の厚さは１μｍ、金属層１５と圧電体
層１２との厚さは例えばそれぞれ０．０１μｍである。
厚さはＡＦＭで測定した。ＳＡＷフイルタ１０１の幅と
奥行きは約０．２ｍｍである。なお、金属層１５と圧電
体層１２との厚さはかならずしも同じにする必要は無
い。
とが交互に積層され、一枚置きの金属層１５が端部で接
続されて櫛歯電極１３となっている。櫛歯電極部１６
は、一対の櫛歯電極１３が互いにかみ合わされた形とな
っている。ＳＡＷフイルタ１０１は、ガラス基板１１上
に、櫛歯電極部１６、ＺｎＯのＳＡＷ伝搬部１４および
もう一方の櫛歯電極部１６がこの順に積層されている。
ＳＡＷ伝搬部１４の厚さは１μｍ、金属層１５と圧電体
層１２との厚さは例えばそれぞれ０．０１μｍである。
厚さはＡＦＭで測定した。ＳＡＷフイルタ１０１の幅と
奥行きは約０．２ｍｍである。なお、金属層１５と圧電
体層１２との厚さはかならずしも同じにする必要は無
い。
【００２３】図３（ａ）ないし（ｇ）、図４（ａ）ない
し（ｆ）および図６は、図１のＳＡＷフィルタの製造方
法を説明するための一部の工程の断面図である。ガラス
基板１１上に、高周波スパッタリングにより、金属層と
なるＡｕ層１５ａを堆積する［図３（ａ）］。このＡｕ
層１５ａは、（１１１）配向した面となる。
し（ｆ）および図６は、図１のＳＡＷフィルタの製造方
法を説明するための一部の工程の断面図である。ガラス
基板１１上に、高周波スパッタリングにより、金属層と
なるＡｕ層１５ａを堆積する［図３（ａ）］。このＡｕ
層１５ａは、（１１１）配向した面となる。
【００２４】フォトレジスト２０ａを塗布し、第一のフ
ォトマスクを使用して、Ａｕ層１５ａのパターンを形成
する［同図（ｂ）］。但し、フォトレジスト２０ａは直
ぐには剥離しない。その上に圧電体層１２となるＺｎＯ
層１２ａを高周波スパッタリングにより堆積させる［同
図（ｃ）］。
ォトマスクを使用して、Ａｕ層１５ａのパターンを形成
する［同図（ｂ）］。但し、フォトレジスト２０ａは直
ぐには剥離しない。その上に圧電体層１２となるＺｎＯ
層１２ａを高周波スパッタリングにより堆積させる［同
図（ｃ）］。
【００２５】次に、フォトレジスト２０ａを剥離し、そ
の上のＺｎＯ層１２ａをリフトオフする［同図
（ｄ）］。Ａｕ層１５ａのパターンの間にＺｎＯ層１２
ａが埋められ、ほぼ平坦な表面が得られる。その上にＺ
ｎＯ層１２ｂを高周波スパッタリングにより堆積させる
［同図（ｅ）］。ＺｎＯ層１２ｂは良好なｃ軸配向性を
持つ膜となる。
の上のＺｎＯ層１２ａをリフトオフする［同図
（ｄ）］。Ａｕ層１５ａのパターンの間にＺｎＯ層１２
ａが埋められ、ほぼ平坦な表面が得られる。その上にＺ
ｎＯ層１２ｂを高周波スパッタリングにより堆積させる
［同図（ｅ）］。ＺｎＯ層１２ｂは良好なｃ軸配向性を
持つ膜となる。
【００２６】フォトレジスト２０ｂを塗布し、第二のフ
ォトマスクを使用して、ＺｎＯ層１２ｂのパターンを形
成する［同図（ｆ）］。但し、フォトレジスト２０ｂは
直ぐには剥離しない。その上にＡｕ層１５ｂを高周波ス
パッタリングにより堆積させ、フォトレジスト２０ｂを
剥離し、その上のＡｕ層１５ｂをリフトオフする［同図
（ｇ）］。ＺｎＯ層１２ｂのパターンの間にＡｕ層１５
ｂが埋められ、ほぼ平坦な表面が得られる。
ォトマスクを使用して、ＺｎＯ層１２ｂのパターンを形
成する［同図（ｆ）］。但し、フォトレジスト２０ｂは
直ぐには剥離しない。その上にＡｕ層１５ｂを高周波ス
パッタリングにより堆積させ、フォトレジスト２０ｂを
剥離し、その上のＡｕ層１５ｂをリフトオフする［同図
（ｇ）］。ＺｎＯ層１２ｂのパターンの間にＡｕ層１５
ｂが埋められ、ほぼ平坦な表面が得られる。
【００２７】高周波スパッタリングによりＡｕ層１５ｃ
を堆積し、その上にフォトレジスト２０ｃを塗布し、第
三のフォトマスクを使用して、Ａｕ層１５ｃのパターン
を形成する［図４（ａ）］。但し、フォトレジスト２０
ｃは直ぐには剥離しない。その上にＺｎＯ層１２ｃを高
周波スパッタリングにより堆積させ、フォトレジスト２
０ｃを剥離し、その上のＺｎＯ層１２ｃをリフトオフす
る［同図（ｂ）］。Ａｕ層１５ｃのパターンの間にＺｎ
Ｏ層１２ｃが埋められ、ほぼ平坦な表面が得られる。
を堆積し、その上にフォトレジスト２０ｃを塗布し、第
三のフォトマスクを使用して、Ａｕ層１５ｃのパターン
を形成する［図４（ａ）］。但し、フォトレジスト２０
ｃは直ぐには剥離しない。その上にＺｎＯ層１２ｃを高
周波スパッタリングにより堆積させ、フォトレジスト２
０ｃを剥離し、その上のＺｎＯ層１２ｃをリフトオフす
る［同図（ｂ）］。Ａｕ層１５ｃのパターンの間にＺｎ
Ｏ層１２ｃが埋められ、ほぼ平坦な表面が得られる。
【００２８】その上に圧電体層となるＺｎＯ層１２ｄを
スパッタリングにより堆積させ、フォトレジスト２０ｄ
を塗布し、第二のフォトマスクを使用して、ＺｎＯ層１
２ｄのパターンを形成する［同図（ｃ）］。但し、フォ
トレジスト２０ｄは直ぐには剥離しない。その上にＡｕ
層１５ｄを高周波スパッタリングにより堆積させ、フォ
トレジスト２０ｄを剥離し、その上のＡｕ層１５ｄをリ
フトオフする［同図（ｄ）］。ＺｎＯ層１２ｄのパター
ンの間にＡｕ層１５ｄが埋められ、ほぼ平坦な表面が得
られる。
スパッタリングにより堆積させ、フォトレジスト２０ｄ
を塗布し、第二のフォトマスクを使用して、ＺｎＯ層１
２ｄのパターンを形成する［同図（ｃ）］。但し、フォ
トレジスト２０ｄは直ぐには剥離しない。その上にＡｕ
層１５ｄを高周波スパッタリングにより堆積させ、フォ
トレジスト２０ｄを剥離し、その上のＡｕ層１５ｄをリ
フトオフする［同図（ｄ）］。ＺｎＯ層１２ｄのパター
ンの間にＡｕ層１５ｄが埋められ、ほぼ平坦な表面が得
られる。
【００２９】高周波スパッタリングによりＡｕ層１５ｅ
を堆積し、フォトレジスト２０ｅを塗布し、第一のフォ
トマスクを使用して、Ａｕ層１５ｅのパターンを形成す
る［同図（ｅ）］。但し、フォトレジスト２０ｅは直ぐ
には剥離しない。その上にＺｎＯ層１２ｅを高周波スパ
ッタリングにより堆積させ、フォトレジスト２０ｅを剥
離し、その上のＺｎＯ層１２ｅをリフトオフする［同図
（ｆ）］。Ａｕ層１５ｅのパターンの間にＺｎＯ層１２
ｅが埋められ、ほぼ平坦な表面が得られる。
を堆積し、フォトレジスト２０ｅを塗布し、第一のフォ
トマスクを使用して、Ａｕ層１５ｅのパターンを形成す
る［同図（ｅ）］。但し、フォトレジスト２０ｅは直ぐ
には剥離しない。その上にＺｎＯ層１２ｅを高周波スパ
ッタリングにより堆積させ、フォトレジスト２０ｅを剥
離し、その上のＺｎＯ層１２ｅをリフトオフする［同図
（ｆ）］。Ａｕ層１５ｅのパターンの間にＺｎＯ層１２
ｅが埋められ、ほぼ平坦な表面が得られる。
【００３０】このようにリフトオフ法を用いることによ
り、それぞれをフォトリソグラフィによって形成する方
法に比べ、フォトリソグラフィの回数が半分で済む。フ
ォトマスクを変えながら、Ａｕ層１５とＺｎＯ層１２と
の両層の堆積を繰り返し、入り組んだ櫛歯電極部１６を
形成する。更に、櫛歯電極部１６の上に、ＳＡＷ伝搬部
１４を積層し、もう一方のつ櫛歯電極部１６を形成する
［図６］。櫛歯電極部１６のＺｎＯ層は、最小４層あれ
ばよいが、１０層以上積層すると伝搬特性がよくなる。
り、それぞれをフォトリソグラフィによって形成する方
法に比べ、フォトリソグラフィの回数が半分で済む。フ
ォトマスクを変えながら、Ａｕ層１５とＺｎＯ層１２と
の両層の堆積を繰り返し、入り組んだ櫛歯電極部１６を
形成する。更に、櫛歯電極部１６の上に、ＳＡＷ伝搬部
１４を積層し、もう一方のつ櫛歯電極部１６を形成する
［図６］。櫛歯電極部１６のＺｎＯ層は、最小４層あれ
ばよいが、１０層以上積層すると伝搬特性がよくなる。
【００３１】図６において、櫛歯電極１３の背に当たる
部分で、ダイサーにより切断してチップ化すれば、図１
に示したＳＡＷフィルタ１０１が得られる。以上説明し
たような工程で、ＺｎＯ層厚（櫛歯電極間隔）が０．０
１μｍから０．１μｍまでのフィルタを作製した。な
お、図１のＳＡＷフィルタ１０１において、端面に積層
した金属層１５が露出した例を示したが、かならずしも
露出している必要は無く、この面を絶縁物で覆っても良
い。また、パターンの工夫により、露出しないようにす
ることもできる。 ［実施例２］図２は本発明第二の実施例のＳＡＷフイル
タ１０２の斜視図である。
部分で、ダイサーにより切断してチップ化すれば、図１
に示したＳＡＷフィルタ１０１が得られる。以上説明し
たような工程で、ＺｎＯ層厚（櫛歯電極間隔）が０．０
１μｍから０．１μｍまでのフィルタを作製した。な
お、図１のＳＡＷフィルタ１０１において、端面に積層
した金属層１５が露出した例を示したが、かならずしも
露出している必要は無く、この面を絶縁物で覆っても良
い。また、パターンの工夫により、露出しないようにす
ることもできる。 ［実施例２］図２は本発明第二の実施例のＳＡＷフイル
タ１０２の斜視図である。
【００３２】ＺｎＯからなるＳＡＷ伝搬部２４の両側
に、Ａｕ層２５とＺｎＯ層２２とが交互に積層されて互
いに入り組んだ櫛歯状の櫛歯電極部２６ａ、２６ｂがあ
り、一枚置きのＡｕ層２５の端部が接続されて櫛歯電極
２３となっている。図１の実施例１との違いは、積層さ
れたＡｕ層２５の端が、側面に形成された側面電極２７
によって接続され、櫛歯電極２３とされている点、およ
びその側面電極２７がＳＡＷフィルタの上面まで延長さ
れて端子電極２８が設けられている点である。上方の櫛
歯電極部２６ｂのＡｕ層２５は、手前側の側面電極２７
と接触していないが、奥の方の側面電極２７と接触して
おり、やはり上面まで延長されて端子電極２８が設けら
れているのである。２１はガラス基板、２９は酸化シリ
コン膜の保護膜である。
に、Ａｕ層２５とＺｎＯ層２２とが交互に積層されて互
いに入り組んだ櫛歯状の櫛歯電極部２６ａ、２６ｂがあ
り、一枚置きのＡｕ層２５の端部が接続されて櫛歯電極
２３となっている。図１の実施例１との違いは、積層さ
れたＡｕ層２５の端が、側面に形成された側面電極２７
によって接続され、櫛歯電極２３とされている点、およ
びその側面電極２７がＳＡＷフィルタの上面まで延長さ
れて端子電極２８が設けられている点である。上方の櫛
歯電極部２６ｂのＡｕ層２５は、手前側の側面電極２７
と接触していないが、奥の方の側面電極２７と接触して
おり、やはり上面まで延長されて端子電極２８が設けら
れているのである。２１はガラス基板、２９は酸化シリ
コン膜の保護膜である。
【００３３】図５（ａ）ないし（ｈ）および図７
（ａ）、（ｂ）は、図４のＳＡＷフィルタの製造方法を
説明するための一部の工程の断面図である。ガラス基板
上に、スパッタリングによりＡｕ層２５ａを堆積させる
［図５（ａ）］。Ａｕ層２５ａは（１１１）配向性の膜
となる。フォトレジスト３０ａを塗布し、第一のフォト
マスクを使用して、Ａｕ層２５ａのパターンを形成する
［同図（ｂ）］。但し、フォトレジスト３０ａは剥離し
ない。
（ａ）、（ｂ）は、図４のＳＡＷフィルタの製造方法を
説明するための一部の工程の断面図である。ガラス基板
上に、スパッタリングによりＡｕ層２５ａを堆積させる
［図５（ａ）］。Ａｕ層２５ａは（１１１）配向性の膜
となる。フォトレジスト３０ａを塗布し、第一のフォト
マスクを使用して、Ａｕ層２５ａのパターンを形成する
［同図（ｂ）］。但し、フォトレジスト３０ａは剥離し
ない。
【００３４】その上にＺｎＯ層２２ａをスパッタリング
により堆積させる［同図（ｃ）］。次に、フォトレジス
ト３０ａを剥離し、その上のＺｎＯ層２２ａをリフトオ
フする［同図（ｄ）］。Ａｕ層２５ａのパターンの間に
ＺｎＯ層２２ａが埋められ、ほぼ平坦な表面が得られ
る。その上に圧電体となるＺｎＯ層２２ｂをスパッタリ
ングにより堆積させる［同図（ｅ）］。ＺｎＯ層２２ｂ
は良好なｃ軸配向性を持つ膜となる。
により堆積させる［同図（ｃ）］。次に、フォトレジス
ト３０ａを剥離し、その上のＺｎＯ層２２ａをリフトオ
フする［同図（ｄ）］。Ａｕ層２５ａのパターンの間に
ＺｎＯ層２２ａが埋められ、ほぼ平坦な表面が得られ
る。その上に圧電体となるＺｎＯ層２２ｂをスパッタリ
ングにより堆積させる［同図（ｅ）］。ＺｎＯ層２２ｂ
は良好なｃ軸配向性を持つ膜となる。
【００３５】スパッタリングによりＡｕ層２５ｂを堆積
させ、フォトレジスト３０ｂを塗布し、第二のフォトマ
スクを使用して、Ａｕ層２５ｂのパターンを形成する
［同図（ｆ）］。但し、フォトレジスト３０ｂは剥離し
ない。その上にＺｎＯ層２２ｃをスパッタリングにより
堆積させ、フォトレジスト３０ｂを剥離し、その上のＺ
ｎＯ層２２ｃをリフトオフする［同図（ｄ）］。Ａｕ層
２５ｂのパターンの間にＺｎＯ層２２ｃが埋められ、ほ
ぼ平坦な表面が得られる。
させ、フォトレジスト３０ｂを塗布し、第二のフォトマ
スクを使用して、Ａｕ層２５ｂのパターンを形成する
［同図（ｆ）］。但し、フォトレジスト３０ｂは剥離し
ない。その上にＺｎＯ層２２ｃをスパッタリングにより
堆積させ、フォトレジスト３０ｂを剥離し、その上のＺ
ｎＯ層２２ｃをリフトオフする［同図（ｄ）］。Ａｕ層
２５ｂのパターンの間にＺｎＯ層２２ｃが埋められ、ほ
ぼ平坦な表面が得られる。
【００３６】フォトマスクを変えながら、この両層の堆
積を繰り返し、入り組んだ櫛歯電極部２６ａを形成す
る。更に、ＳＡＷ伝搬部２４となるＺｎＯを積層し、も
う一方の櫛歯電極部２６ｂおよび最上の酸化シリコン層
２９を形成する［図７（ａ）］。図では、上側の櫛歯電
極部２６ｂのＡｕ層２５が、点線で示したダイシングの
予定部に達していないが、紙面奥行き方向の別の断面で
は、ダイシングの予定部に達しているのである。
積を繰り返し、入り組んだ櫛歯電極部２６ａを形成す
る。更に、ＳＡＷ伝搬部２４となるＺｎＯを積層し、も
う一方の櫛歯電極部２６ｂおよび最上の酸化シリコン層
２９を形成する［図７（ａ）］。図では、上側の櫛歯電
極部２６ｂのＡｕ層２５が、点線で示したダイシングの
予定部に達していないが、紙面奥行き方向の別の断面で
は、ダイシングの予定部に達しているのである。
【００３７】積層した表面からダイサーによりガラス基
板２１に達する溝５０を形成し、スパッタリングによ
り、上面および溝５０の内面にＡｕ／Ｔｉ／Ｎｉの三層
を蒸着して、側面電極２７とし、それによりＡｕ層２５
を連結して櫛歯電極２３を形成するとともに、フォトリ
ソグラフィによりパターンを形成して端子電極２８とす
る［同図（ｂ）］。溝５０の内面にＡｕ／Ｔｉ／Ｎｉの
三層を蒸着する際には、ガラス基板２１を傾け回転する
とよい。
板２１に達する溝５０を形成し、スパッタリングによ
り、上面および溝５０の内面にＡｕ／Ｔｉ／Ｎｉの三層
を蒸着して、側面電極２７とし、それによりＡｕ層２５
を連結して櫛歯電極２３を形成するとともに、フォトリ
ソグラフィによりパターンを形成して端子電極２８とす
る［同図（ｂ）］。溝５０の内面にＡｕ／Ｔｉ／Ｎｉの
三層を蒸着する際には、ガラス基板２１を傾け回転する
とよい。
【００３８】図では、側面電極２７が下側の櫛歯電極部
２６ａの金属層２５とだけ接続されているが、上側の櫛
歯電極２６ｂの金属層２５は紙面奥側に形成された別の
側面電極２７と接続されているのである。このようにし
て上下の櫛歯電極部２６ａ、２６ｂの各櫛歯電極２３は
いずれも上面に取り出すことができる。この後ガラス基
板２１を所定の大きさに切断し、チップ化してＳＡＷフ
ィルタ１０２が完成する。
２６ａの金属層２５とだけ接続されているが、上側の櫛
歯電極２６ｂの金属層２５は紙面奥側に形成された別の
側面電極２７と接続されているのである。このようにし
て上下の櫛歯電極部２６ａ、２６ｂの各櫛歯電極２３は
いずれも上面に取り出すことができる。この後ガラス基
板２１を所定の大きさに切断し、チップ化してＳＡＷフ
ィルタ１０２が完成する。
【００３９】以上説明したような工程で、ＺｎＯ層厚
（櫛歯電極間隔）が０．０１μｍから０．１μｍまでの
ＳＡＷフィルタを作製した。図８は、試作したＳＡＷフ
ィルタの伝搬損失特性図である。横軸は周波数、縦軸は
伝播損失である。伝播損失が実用的な２０デシベル以内
としても３０ＧＨｚで使用できることがわかる。これ
は、本発明のＳＡＷフィルタが、多層構造にしたことに
より、フォトリソグラフィ法による転写光の限界を越え
た０．０１μｍという櫛歯電極間隔を実現したこと、お
よび圧電体の縦方向振動を利用したことによる。
（櫛歯電極間隔）が０．０１μｍから０．１μｍまでの
ＳＡＷフィルタを作製した。図８は、試作したＳＡＷフ
ィルタの伝搬損失特性図である。横軸は周波数、縦軸は
伝播損失である。伝播損失が実用的な２０デシベル以内
としても３０ＧＨｚで使用できることがわかる。これ
は、本発明のＳＡＷフィルタが、多層構造にしたことに
より、フォトリソグラフィ法による転写光の限界を越え
た０．０１μｍという櫛歯電極間隔を実現したこと、お
よび圧電体の縦方向振動を利用したことによる。
【００４０】本発明の場合、櫛歯間隔の限界寸法は圧電
体層が圧電性を示す膜厚になるが、それは一般に薄膜の
粒径程度になる。従って粒径が小さく平坦な圧電体層が
できれば、更に高周波のＳＡＷフィルタが作製できる。
また、特に偏平な粒形にできれば、更に高周波のＳＡＷ
フィルタが作製できるであろう。圧電物質として、Ｚｎ
Ｏの代わりとしてＡｌＮを用いても同様の効果が得られ
る。また電極としてＡｕの代わりにＡｕ／Ｔｉ、Ａｌ、
Ｐｔを用いても同様の効果が得られる。また、圧電体と
してＰＺＴを用いた場合、金属層がＰｔ（１１１）の時
のみｃ軸配向性を示すことから、ＰＺＴの場合はＰｔを
金属層とするのがよい。
体層が圧電性を示す膜厚になるが、それは一般に薄膜の
粒径程度になる。従って粒径が小さく平坦な圧電体層が
できれば、更に高周波のＳＡＷフィルタが作製できる。
また、特に偏平な粒形にできれば、更に高周波のＳＡＷ
フィルタが作製できるであろう。圧電物質として、Ｚｎ
Ｏの代わりとしてＡｌＮを用いても同様の効果が得られ
る。また電極としてＡｕの代わりにＡｕ／Ｔｉ、Ａｌ、
Ｐｔを用いても同様の効果が得られる。また、圧電体と
してＰＺＴを用いた場合、金属層がＰｔ（１１１）の時
のみｃ軸配向性を示すことから、ＰＺＴの場合はＰｔを
金属層とするのがよい。
【００４１】実施例１０２のＳＡＷフィルタは、側面電
極２７で櫛歯電極２３を構成するようにしたので、実施
例１０１のＳＡＷフィルタと比較してフォトリソグラフ
ィの回数が半分ですみ、製造し易いＳＡＷフィルタであ
る。また、側面電極２７が上面にまで延長され、大きな
端子電極２８とされているので、組み立てが容易であ
る。 ［実施例３］図９は本発明第三の実施例のＳＡＷフイル
タ１０３の斜視図である。
極２７で櫛歯電極２３を構成するようにしたので、実施
例１０１のＳＡＷフィルタと比較してフォトリソグラフ
ィの回数が半分ですみ、製造し易いＳＡＷフィルタであ
る。また、側面電極２７が上面にまで延長され、大きな
端子電極２８とされているので、組み立てが容易であ
る。 ［実施例３］図９は本発明第三の実施例のＳＡＷフイル
タ１０３の斜視図である。
【００４２】ＳＡＷフイルタを構成する二組の櫛歯電極
部３６のうちの各一方は、共通にすることができる。こ
の実施例３のＳＡＷフィルタ１０３では、手前側の側面
電極３７が上下の櫛歯電極部３６の一方の櫛歯電極３３
の共通の電極になつており、奥側の側面電極３７がそれ
ぞれ他方の櫛歯電極の取り出しとなっている。側面に露
出している金属層３５の間には、各一枚ずつ露出しない
金属層が挟まれているのである。このように端子電極３
８は、三つあればよく、側面電極３７をそれぞれ別の側
面上に形成することもできる。 ［実施例４］図１０は、本発明第四の実施例のＳＡＷフ
イルタ１０４の斜視図である。
部３６のうちの各一方は、共通にすることができる。こ
の実施例３のＳＡＷフィルタ１０３では、手前側の側面
電極３７が上下の櫛歯電極部３６の一方の櫛歯電極３３
の共通の電極になつており、奥側の側面電極３７がそれ
ぞれ他方の櫛歯電極の取り出しとなっている。側面に露
出している金属層３５の間には、各一枚ずつ露出しない
金属層が挟まれているのである。このように端子電極３
８は、三つあればよく、側面電極３７をそれぞれ別の側
面上に形成することもできる。 ［実施例４］図１０は、本発明第四の実施例のＳＡＷフ
イルタ１０４の斜視図である。
【００４３】積層されたＡｕ層４５が、側面に形成され
た側面電極４７によって櫛歯電極４３とされている点、
およびその側面電極４７がＳＡＷフィルタの上面まで延
長され端子電極４８とされている点は図２の実施例１０
２と同じである。実施例１０２のＳＡＷフィルタとの違
いは、側面が傾斜していて、上面と鈍角をなしている点
である。
た側面電極４７によって櫛歯電極４３とされている点、
およびその側面電極４７がＳＡＷフィルタの上面まで延
長され端子電極４８とされている点は図２の実施例１０
２と同じである。実施例１０２のＳＡＷフィルタとの違
いは、側面が傾斜していて、上面と鈍角をなしている点
である。
【００４４】そのため、側面電極４７の接着力が増すと
共に、Ａｕ層４５と側面電極４７との接触面積が広が
り、櫛歯電極４３の形成が確実におこなわれる。傾斜し
た側面は、Ｖ字型の先端をもったダイシングホィール
で、基板４１に達するＶ字型の溝を形成して実現され
る。試作したＳＡＷフィルタは実施例１０２のＳＡＷフ
ィルタとほぼ同じ伝搬損失特性を示した。 ［実施例５］実施例２のガラス基板の代わりにサファイ
ア（Ａｌ2 Ｏ3 ）のｃ面を用いて、図２の形のＳＡＷフ
ィルタを作製した。金属層としてはＡｕ／Ｃｒを用い、
圧電体層としてはＺｎＯをエピタキシャル成長させた。
共に、Ａｕ層４５と側面電極４７との接触面積が広が
り、櫛歯電極４３の形成が確実におこなわれる。傾斜し
た側面は、Ｖ字型の先端をもったダイシングホィール
で、基板４１に達するＶ字型の溝を形成して実現され
る。試作したＳＡＷフィルタは実施例１０２のＳＡＷフ
ィルタとほぼ同じ伝搬損失特性を示した。 ［実施例５］実施例２のガラス基板の代わりにサファイ
ア（Ａｌ2 Ｏ3 ）のｃ面を用いて、図２の形のＳＡＷフ
ィルタを作製した。金属層としてはＡｕ／Ｃｒを用い、
圧電体層としてはＺｎＯをエピタキシャル成長させた。
【００４５】このようにして作製したＳＡＷフィルタの
伝搬損失も、図８に示した。実施例２のものに比べて伝
搬損失が少ない。特に高周波側で顕著であり、約１２０
ＧＨｚまで使用可能であることを示している。これは、
サファイア上では結晶粒界がほとんどない単結晶に近い
ＺｎＯ層が得られるため、粒界によるＳＡＷの散乱が抑
制され、高周波特性が良くなったためである。
伝搬損失も、図８に示した。実施例２のものに比べて伝
搬損失が少ない。特に高周波側で顕著であり、約１２０
ＧＨｚまで使用可能であることを示している。これは、
サファイア上では結晶粒界がほとんどない単結晶に近い
ＺｎＯ層が得られるため、粒界によるＳＡＷの散乱が抑
制され、高周波特性が良くなったためである。
【００４６】基板としてサファイアのｃ面の代わりにＲ
面を用いても同様の効果が得られる。圧電体層としてＺ
ｎＯの代わりにＡｌＮを用いても同様の効果が得られ
る。
面を用いても同様の効果が得られる。圧電体層としてＺ
ｎＯの代わりにＡｌＮを用いても同様の効果が得られ
る。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように本発明のＳＡＷフィ
ルタは、基板上に金属層と圧電体層とを交互に積層して
形成された櫛歯電極を有するものである。このため、Ｓ
ＡＷフイルタの周波数限界を決める櫛歯間隔として、例
えば０．０１μｍという従来のフォトリソグラフィの限
界以下の寸法を実現でき、高周波に適するＳＡＷフィル
タとなる。
ルタは、基板上に金属層と圧電体層とを交互に積層して
形成された櫛歯電極を有するものである。このため、Ｓ
ＡＷフイルタの周波数限界を決める櫛歯間隔として、例
えば０．０１μｍという従来のフォトリソグラフィの限
界以下の寸法を実現でき、高周波に適するＳＡＷフィル
タとなる。
【００４８】しかも、ＳＡＷのうちでも横波より速い縦
波を利用する構造としたので、ＳＡＷの高速化を図るこ
とができ、より一層高周波に適するＳＡＷフィルタとな
る。。その結果、従来作製が極めて困難であった３０〜
１２０ＧＨｚの高周波用ＳＡＷフィルタが、容易に実現
できるようになった。
波を利用する構造としたので、ＳＡＷの高速化を図るこ
とができ、より一層高周波に適するＳＡＷフィルタとな
る。。その結果、従来作製が極めて困難であった３０〜
１２０ＧＨｚの高周波用ＳＡＷフィルタが、容易に実現
できるようになった。
【図１】本発明実施例１のＳＡＷフィルタの斜視図
【図２】本発明実施例２のＳＡＷフィルタの斜視図
【図３】（ａ）〜（ｇ）は図１のＳＡＷフィルタの製造
方法を説明するための工程順の断面図
方法を説明するための工程順の断面図
【図４】（ａ）〜（ｆ）は図３（ｇ）に続く工程順の断
面図
面図
【図５】（ａ）〜（ｈ）は図２のＳＡＷフィルタの製造
方法を説明するための工程順の断面図
方法を説明するための工程順の断面図
【図６】図４（ｆ）に続く工程の断面図
【図７】（ａ）、（ｂ）は図５（ｈ）に続く工程の断面
図
図
【図８】本発明実施例２、５のＳＡＷフィルタの伝搬損
失特性図
失特性図
【図９】本発明実施例３のＳＡＷフィルタの斜視図
【図１０】本発明実施例４のＳＡＷフィルタの斜視図
【図１１】従来のＳＡＷフィルタの例の斜視図
１、１１、２１、３１、４１ 基板 ２、１２、１２ａ〜ｅ、２２、２２ａ〜ｄ、３２ 圧電
体層またはＺｎＯ層 ３、１３、２３、３３、４３ 櫛歯電極 ４、１４、２４、３４ ＳＡＷ伝搬部 ５、１５、１５ａ〜ｅ、２５、２５ａ〜ｂ、３５、４５
金属層またはＡｕ層 １６、２６ａ、２６ｂ、３６ 櫛歯電極部 ２７、３７、４７ 側面電極 ２８、３８、４８ 端子電極 ２９、３９ 保護層 ２０ａ〜ｅ、３０ａ〜ｂ フォトレジスト ５０ 溝 １００、１０１、１０２、１０３、１０４ ＳＡＷフィ
ルタ
体層またはＺｎＯ層 ３、１３、２３、３３、４３ 櫛歯電極 ４、１４、２４、３４ ＳＡＷ伝搬部 ５、１５、１５ａ〜ｅ、２５、２５ａ〜ｂ、３５、４５
金属層またはＡｕ層 １６、２６ａ、２６ｂ、３６ 櫛歯電極部 ２７、３７、４７ 側面電極 ２８、３８、４８ 端子電極 ２９、３９ 保護層 ２０ａ〜ｅ、３０ａ〜ｂ フォトレジスト ５０ 溝 １００、１０１、１０２、１０３、１０４ ＳＡＷフィ
ルタ
Claims (10)
- 【請求項１】絶縁基板上に金属層と圧電層とを交互に積
層した一対の櫛歯が互いに入り組んだ形の櫛歯電極部
と、その上に形成された弾性表面波伝搬部と、更にその
上に形成された前記と同様の櫛歯電極部とを有すること
を特徴とする弾性表面波フィルタ。 - 【請求項２】圧電層、弾性表面波伝搬部が、酸化亜鉛ま
たは窒化アルミニウムのｃ軸配向多結晶膜からなること
を特徴とする請求項１記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項３】金属層が、金、金／チタンの複合膜、アル
ミニウム、白金のいずれかであることを特徴とする請求
項２に記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項４】圧電層、弾性表面波伝搬部が、チタン酸ジ
ルコン酸鉛のｃ軸配向多結晶膜からなり、金属層が白金
であることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波フィ
ルタ。 - 【請求項５】基板が、シリコンまたはガラスであること
を特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の弾性
表面波フィルタ。 - 【請求項６】基板としてサファイアのｃ面またはＲ面を
用い、金属層として金／クロムの複合膜を用いたことを
特徴とする請求項２記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項７】櫛歯電極と接続された端子電極が、積層体
の上面に設けられていることを特徴とする請求項１ない
し６のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項８】圧電層を挟んで積層された金属層を側面に
形成した金属膜で接続し、櫛歯電極が構成されることを
特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の弾性表
面波フィルタ。 - 【請求項９】側面が積層体の表面に対して鈍角に傾斜し
ていることを特徴とする請求項８記載の弾性表面波フィ
ルタ。 - 【請求項１０】絶縁基板上に金属層と圧電層とを交互に
積層された一対の櫛歯が互いに入り組んだ形の櫛歯電極
部と、その上に形成された弾性表面波伝搬部と、更にそ
の上に形成された前記と同様の櫛歯電極部とを有する弾
性表面波フィルタの製造方法において、堆積した第一膜
上にフォトレジストを塗布し、第一膜のパターン形成を
おこない、第二膜を堆積した後、前記フォトレジストを
除去して、第一膜の除去部を第二膜で埋めることを特徴
とする弾性表面波フィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21036696A JPH1056354A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 弾性表面波フィルタおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21036696A JPH1056354A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 弾性表面波フィルタおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1056354A true JPH1056354A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16588181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21036696A Pending JPH1056354A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 弾性表面波フィルタおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1056354A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000071594A (ko) * | 1999-04-09 | 2000-11-25 | 무라타 야스타카 | 압전 공진자, 압전 부품 및 래더 필터 |
| SG98427A1 (en) * | 1999-09-30 | 2003-09-19 | Tdk Corp | Multilayer piezoelectric device and method of producing same |
| US7245060B2 (en) | 2004-09-24 | 2007-07-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator, method for manufacturing the same, piezoelectric filter, and duplexer |
-
1996
- 1996-08-09 JP JP21036696A patent/JPH1056354A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000071594A (ko) * | 1999-04-09 | 2000-11-25 | 무라타 야스타카 | 압전 공진자, 압전 부품 및 래더 필터 |
| SG98427A1 (en) * | 1999-09-30 | 2003-09-19 | Tdk Corp | Multilayer piezoelectric device and method of producing same |
| US7245060B2 (en) | 2004-09-24 | 2007-07-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator, method for manufacturing the same, piezoelectric filter, and duplexer |
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