JP2001094382A - 弾性表面波装置およびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安定した特性で長寿命の弾性表面波装置およ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 弾性表面波装置1の励振電極3の櫛歯状
電極4は、電極指5を圧電基板2上に、タンタルを主成
分とし、膜厚1nmないし30nmの第1の金属層6を
形成し、第1の金属層6上にアルミニウムを主成分とし
銅を添加させた第2の金属層7を形成する。第1の金属
層6および第2の金属層7を、高周波電源を用いた高周
波スパッタ法により真空破壊せず連続して積層形成す
る。
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 弾性表面波装置1の励振電極3の櫛歯状
電極4は、電極指5を圧電基板2上に、タンタルを主成
分とし、膜厚1nmないし30nmの第1の金属層6を
形成し、第1の金属層6上にアルミニウムを主成分とし
銅を添加させた第2の金属層7を形成する。第1の金属
層6および第2の金属層7を、高周波電源を用いた高周
波スパッタ法により真空破壊せず連続して積層形成す
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高い耐電力性を必
要とする弾性表面波装置およびその製造方法に関する。
要とする弾性表面波装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、弾性表面波装置の利用分野が広ま
り、その中でも特に移動体通信分野において弾性表面波
装置を用いたフィルタや分波器が利用されており、特に
弾性表面波装置を用いた分波器は小型であるため、大い
に利用されている。
り、その中でも特に移動体通信分野において弾性表面波
装置を用いたフィルタや分波器が利用されており、特に
弾性表面波装置を用いた分波器は小型であるため、大い
に利用されている。
【0003】また、弾性表面波装置は、対向する櫛歯電
極部により励振電極を形成しており、櫛歯電極部は他の
部分と比較して線幅が微細な電極指を有している。
極部により励振電極を形成しており、櫛歯電極部は他の
部分と比較して線幅が微細な電極指を有している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、一般に、携
帯電話の構成は送信側増幅器の後段に分波器が配置され
るため、増幅された電力がそのまま分波器を通過するこ
とになり、分波器に大きな電力を注入される。
帯電話の構成は送信側増幅器の後段に分波器が配置され
るため、増幅された電力がそのまま分波器を通過するこ
とになり、分波器に大きな電力を注入される。
【0005】このため、弾性表面波装置を用いた分波器
では、大きな電力が入力されることにより、弾性表面波
の振動エネルギと、電極抵抗による発熱とから、温度が
上昇して電極劣化いわゆるマイグレーションが発生す
る。
では、大きな電力が入力されることにより、弾性表面波
の振動エネルギと、電極抵抗による発熱とから、温度が
上昇して電極劣化いわゆるマイグレーションが発生す
る。
【0006】特に、励振電極の櫛歯電極部の電極指は、
弾性表面波の励振の影響を受けるため、温度上昇が激し
く、また、電極指は他の部分と比較して線幅が微細であ
るため、わずかなマイグレーションの発生でも、特性不
良が生じ、短寿命化するおそれがある問題を有してい
る。
弾性表面波の励振の影響を受けるため、温度上昇が激し
く、また、電極指は他の部分と比較して線幅が微細であ
るため、わずかなマイグレーションの発生でも、特性不
良が生じ、短寿命化するおそれがある問題を有してい
る。
【0007】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、安定した特性で長寿命の弾性表面波装置およびその
製造方法を提供することを目的とする。
で、安定した特性で長寿命の弾性表面波装置およびその
製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、圧電基板と、
この圧電基板上に配設され、この圧電基板側に位置しタ
ンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、チタン(Ti)、タ
ングステン(W)、モリブデン(Mo)、ニッケル(N
i)、ハフニウム(Hf)およびスカンジウム(Sc)
の少なくともいずれか一つが主成分として含まれた第1
の金属層、および、この第1の金属層上に形成されアル
ミニウム(Al)およびアルミニウム(Al)のいずれ
かを主成分とした金属を有する第2の金属層を有する励
振電極とを具備したもので、第1の金属層にタンタル
(Ta)、ニオブ(Nb)、チタン(Ti)、タングス
テン(W)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、
ハフニウム(Hf)およびスカンジウム(Sc)の少な
くともいずれか一つが主成分として含むことにより非晶
質とし、第2の金属層にアルミニウム(Al)およびア
ルミニウム(Al)のいずれかを主成分とした金属のい
ずれかを有することにより、アルミニウムが(111)
方向に強い結晶方位を持ち、耐電力性を高くしてマイグ
レーションを発生させない。
この圧電基板上に配設され、この圧電基板側に位置しタ
ンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、チタン(Ti)、タ
ングステン(W)、モリブデン(Mo)、ニッケル(N
i)、ハフニウム(Hf)およびスカンジウム(Sc)
の少なくともいずれか一つが主成分として含まれた第1
の金属層、および、この第1の金属層上に形成されアル
ミニウム(Al)およびアルミニウム(Al)のいずれ
かを主成分とした金属を有する第2の金属層を有する励
振電極とを具備したもので、第1の金属層にタンタル
(Ta)、ニオブ(Nb)、チタン(Ti)、タングス
テン(W)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、
ハフニウム(Hf)およびスカンジウム(Sc)の少な
くともいずれか一つが主成分として含むことにより非晶
質とし、第2の金属層にアルミニウム(Al)およびア
ルミニウム(Al)のいずれかを主成分とした金属のい
ずれかを有することにより、アルミニウムが(111)
方向に強い結晶方位を持ち、耐電力性を高くしてマイグ
レーションを発生させない。
【0009】また、本発明は、圧電基板と、この圧電基
板上に配設され、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、
チタン(Ti)、タングステン(W)、モリブデン(M
o)、ニッケル(Ni)、ハフニウム(Hf)、スカン
ジウム(Sc)、および、タンタル(Ta)、ニオブ
(Nb)、チタン(Ti)、タングステン(W)、モリ
ブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、ハフニウム(H
f)およびスカンジウム(Sc)の少なくともいずれか
一つを主成分として他の元素を含む第1の金属層、およ
び、アルミニウム(Al)およびアルミニウム(Al)
のいずれかを主成分とする第2の金属層が交互に積層さ
れた励振電極とを具備したもので、第1の金属層にタン
タル(Ta)、ニオブ(Nb)、チタン(Ti)、タン
グステン(W)、モリブデン(Mo)、ニッケル(N
i)、ハフニウム(Hf)およびスカンジウム(Sc)
の少なくともいずれか一つが主成分として含むことによ
り非晶質とし、第2の金属層にアルミニウム(Al)お
よびアルミニウム(Al)のいずれかを主成分とした金
属のいずれかを有することにより、アルミニウムが(1
11)方向に強い結晶方位を持ち、耐電力性を高くして
マイグレーションを発生させない。
板上に配設され、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、
チタン(Ti)、タングステン(W)、モリブデン(M
o)、ニッケル(Ni)、ハフニウム(Hf)、スカン
ジウム(Sc)、および、タンタル(Ta)、ニオブ
(Nb)、チタン(Ti)、タングステン(W)、モリ
ブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、ハフニウム(H
f)およびスカンジウム(Sc)の少なくともいずれか
一つを主成分として他の元素を含む第1の金属層、およ
び、アルミニウム(Al)およびアルミニウム(Al)
のいずれかを主成分とする第2の金属層が交互に積層さ
れた励振電極とを具備したもので、第1の金属層にタン
タル(Ta)、ニオブ(Nb)、チタン(Ti)、タン
グステン(W)、モリブデン(Mo)、ニッケル(N
i)、ハフニウム(Hf)およびスカンジウム(Sc)
の少なくともいずれか一つが主成分として含むことによ
り非晶質とし、第2の金属層にアルミニウム(Al)お
よびアルミニウム(Al)のいずれかを主成分とした金
属のいずれかを有することにより、アルミニウムが(1
11)方向に強い結晶方位を持ち、耐電力性を高くして
マイグレーションを発生させない。
【0010】さらに、本発明は、圧電基板と、この圧電
基板上に配設され、タンタル(Ta)およびアルミニウ
ム(Al)の両方の組成を含む第1の金属層、および、
アルミニウム(Al)およびアルミニウム(Al)を主
成分とするいずれかの第2の金属層が交互に積層された
励振電極とを具備したもので、第1の金属層にタンタル
(Ta)およびアルミニウム(Al)の両方の組成を含
むことにより非晶質とし、第2の金属層にアルミニウム
(Al)およびアルミニウム(Al)のいずれかを主成
分とした金属のいずれかを有することにより、アルミニ
ウムが(111)方向に強い結晶方位を持ち、耐電力性
を高くしてマイグレーションを発生させない。
基板上に配設され、タンタル(Ta)およびアルミニウ
ム(Al)の両方の組成を含む第1の金属層、および、
アルミニウム(Al)およびアルミニウム(Al)を主
成分とするいずれかの第2の金属層が交互に積層された
励振電極とを具備したもので、第1の金属層にタンタル
(Ta)およびアルミニウム(Al)の両方の組成を含
むことにより非晶質とし、第2の金属層にアルミニウム
(Al)およびアルミニウム(Al)のいずれかを主成
分とした金属のいずれかを有することにより、アルミニ
ウムが(111)方向に強い結晶方位を持ち、耐電力性
を高くしてマイグレーションを発生させない。
【0011】また、第1の金属層は、タンタル(Ta)
が35原子%ないし79原子%含まれているもので、タ
ンタルが35原子%ないし79原子%含まれている場合
に、アルミニウムが(111)方向に強い結晶方位を持
つ。
が35原子%ないし79原子%含まれているもので、タ
ンタルが35原子%ないし79原子%含まれている場合
に、アルミニウムが(111)方向に強い結晶方位を持
つ。
【0012】さらに、第1の金属層は、膜厚が50nm
以下であるもので、非晶質状態の金属層となる。
以下であるもので、非晶質状態の金属層となる。
【0013】またさらに、第1の金属層は、高周波スパ
ッタ法により形成されるもので、非晶質状態の金属層と
なる。
ッタ法により形成されるもので、非晶質状態の金属層と
なる。
【0014】また、本発明は、圧電基板上にタンタル
(Ta)、ニオブ(Nb)、チタン(Ti)、タングス
テン(W)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、
ハフニウム(Hf)、スカンジウム(Sc)の少なくと
もいずれか一つを主成分とし高周波スパッタ法で第1の
金属層を成膜し、この第1の金属層上にアルミニウム
(Al)およびアルミニウム(Al)を主成分とする第
2の金属層を形成して励振電極を形成するもので、第1
の金属層にタンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、チタン
(Ti)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、
ニッケル(Ni)、ハフニウム(Hf)およびスカンジ
ウム(Sc)の少なくともいずれか一つが主成分として
高周波スパッタ法で形成することにより非晶質とし、第
2の金属層にアルミニウム(Al)およびアルミニウム
(Al)のいずれかを主成分とした金属のいずれかを有
することにより、アルミニウムが(111)方向に強い
結晶方位を持ち、耐電力性を高くしてマイグレーション
を発生させない。
(Ta)、ニオブ(Nb)、チタン(Ti)、タングス
テン(W)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、
ハフニウム(Hf)、スカンジウム(Sc)の少なくと
もいずれか一つを主成分とし高周波スパッタ法で第1の
金属層を成膜し、この第1の金属層上にアルミニウム
(Al)およびアルミニウム(Al)を主成分とする第
2の金属層を形成して励振電極を形成するもので、第1
の金属層にタンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、チタン
(Ti)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、
ニッケル(Ni)、ハフニウム(Hf)およびスカンジ
ウム(Sc)の少なくともいずれか一つが主成分として
高周波スパッタ法で形成することにより非晶質とし、第
2の金属層にアルミニウム(Al)およびアルミニウム
(Al)のいずれかを主成分とした金属のいずれかを有
することにより、アルミニウムが(111)方向に強い
結晶方位を持ち、耐電力性を高くしてマイグレーション
を発生させない。
【0015】さらに、第2の金属層は、高周波スパッタ
法により形成されるもので、第2の金属層が高配向性を
有する。
法により形成されるもので、第2の金属層が高配向性を
有する。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の弾性表面波装置の
一実施の形態を図面を参照して説明する。
一実施の形態を図面を参照して説明する。
【0017】図2に示すように、1は弾性表面波装置
で、この弾性表面波装置1は分波器としての機能を有
し、LiTaO3 の圧電基板2上に励振電極3が一対形
成されている。そして、これら励振電極3は、それぞれ
櫛歯状電極部4が対向して形成され、これら櫛歯状電極
部4は線幅が微細な電極指5を有しており、図1に示す
ように、この電極指5は圧電基板2上に、タンタル(T
a)を主成分とし、膜厚50nm以下、好適には1nm
ないし30nmの第1の金属層6が形成され、この第1
の金属層6上にはアルミニウム(Al)を主成分とし銅
(Cu)などを添加させた膜厚100nmないし100
0nm、好適には300nmの第2の金属層7が形成さ
れている。なお、これら第1の金属層6および第2の金
属層7は、高周波電源を用いた高周波スパッタ法により
真空破壊せず連続して積層形成される。
で、この弾性表面波装置1は分波器としての機能を有
し、LiTaO3 の圧電基板2上に励振電極3が一対形
成されている。そして、これら励振電極3は、それぞれ
櫛歯状電極部4が対向して形成され、これら櫛歯状電極
部4は線幅が微細な電極指5を有しており、図1に示す
ように、この電極指5は圧電基板2上に、タンタル(T
a)を主成分とし、膜厚50nm以下、好適には1nm
ないし30nmの第1の金属層6が形成され、この第1
の金属層6上にはアルミニウム(Al)を主成分とし銅
(Cu)などを添加させた膜厚100nmないし100
0nm、好適には300nmの第2の金属層7が形成さ
れている。なお、これら第1の金属層6および第2の金
属層7は、高周波電源を用いた高周波スパッタ法により
真空破壊せず連続して積層形成される。
【0018】また、櫛歯状電極部4の電極指5と反対側
になる基端側には、電極パッド8がそれぞれ形成され、
励振電極3に隣り合って反射電極9が形成されている。
になる基端側には、電極パッド8がそれぞれ形成され、
励振電極3に隣り合って反射電極9が形成されている。
【0019】そして、この弾性表面波装置1に電力を入
力し、寿命試験、いわゆる耐電力性試験を行なった。な
お、試験条件は、入力電力2.5W、環境温度150℃
として、試験前の初期特性での中心周波数での挿入損失
に対して、1dB劣化した時点を寿命として表1に示す
ように測定した。
力し、寿命試験、いわゆる耐電力性試験を行なった。な
お、試験条件は、入力電力2.5W、環境温度150℃
として、試験前の初期特性での中心周波数での挿入損失
に対して、1dB劣化した時点を寿命として表1に示す
ように測定した。
【0020】
【表1】 この表1に示すように、第1の金属層6のみを高周波ス
パッタ法により形成し、第2の金属層7を直流スパッタ
で形成した弾性表面波装置1の寿命は、第1の金属層6
および第2の金属層7のいずれも直流スパッタで形成し
たものに比べ、約10倍の寿命を得ることができ、第1
の金属層6および第2の金属層7のいずれについても高
周波スパッタ法により形成した場合には、同様に従来の
直流スパッタ法で形成したものに比べ、約80倍の寿命
を得ることができた。
パッタ法により形成し、第2の金属層7を直流スパッタ
で形成した弾性表面波装置1の寿命は、第1の金属層6
および第2の金属層7のいずれも直流スパッタで形成し
たものに比べ、約10倍の寿命を得ることができ、第1
の金属層6および第2の金属層7のいずれについても高
周波スパッタ法により形成した場合には、同様に従来の
直流スパッタ法で形成したものに比べ、約80倍の寿命
を得ることができた。
【0021】これは、第1の金属層6の膜厚を50nm
以下で薄い方が非晶質、すなわちアモルファス状態にな
りやすく、高周波スパッタ法によることで、金属の結晶
を非結晶、すなわちアモルファス状態とするとともに、
第2の金属層7にアルミニウムを主成分として銅を含ま
せたことによりアルミニウムが(111)方向に強い結
晶方位を持つので、大きな電力が入力されても、弾性表
面波の振動エネルギーと電極抵抗による発熱とから、温
度が上昇して電極劣化いわゆるマイグレーションが発生
することが防止でき、電極指5は他の部分と比較して線
幅が微細でも、特性不良が生じにくく、長寿命化するた
めと考えられる。
以下で薄い方が非晶質、すなわちアモルファス状態にな
りやすく、高周波スパッタ法によることで、金属の結晶
を非結晶、すなわちアモルファス状態とするとともに、
第2の金属層7にアルミニウムを主成分として銅を含ま
せたことによりアルミニウムが(111)方向に強い結
晶方位を持つので、大きな電力が入力されても、弾性表
面波の振動エネルギーと電極抵抗による発熱とから、温
度が上昇して電極劣化いわゆるマイグレーションが発生
することが防止でき、電極指5は他の部分と比較して線
幅が微細でも、特性不良が生じにくく、長寿命化するた
めと考えられる。
【0022】また、第1の金属層6および第2の金属層
7を真空破壊せずに連続して高周波スパッタ形成する
と、第1の金属層6および第2の金属層7を形成する間
に真空破壊するよりも、真空中にて連続してスパッタ成
膜した方が強い(111)方向に強い配向を得ることが
できる。
7を真空破壊せずに連続して高周波スパッタ形成する
と、第1の金属層6および第2の金属層7を形成する間
に真空破壊するよりも、真空中にて連続してスパッタ成
膜した方が強い(111)方向に強い配向を得ることが
できる。
【0023】さらに、第2の金属層7の膜厚を300n
m程度にすることにより、結晶を揃えることができる。
m程度にすることにより、結晶を揃えることができる。
【0024】またさらに、図2に示すように、櫛歯状電
極部4の電極指5の部分のみを第1の金属層6および第
2の金属層7を積層して形成するものに限らず、図3に
示すように、櫛歯状電極部4の全体を第1の金属層6お
よび第2の金属層7で形成しても同様の効果を得ること
ができる。
極部4の電極指5の部分のみを第1の金属層6および第
2の金属層7を積層して形成するものに限らず、図3に
示すように、櫛歯状電極部4の全体を第1の金属層6お
よび第2の金属層7で形成しても同様の効果を得ること
ができる。
【0025】次に、図4を参照して他の実施の形態の弾
性表面波装置について説明する。
性表面波装置について説明する。
【0026】図1ないし図3に示す弾性表面波装置1に
おいて、図4に示すように、圧電基板2上に、タンタル
とアルミニウムを主成分としタンタルとアルミニウムの
組成比でタンタルが35原子%ないし79原子%の第1
の金属層6と、アルミニウムを主成分として銅を添加し
た第2の金属層7とを高周波スパッタ法で交互に2回ず
つ順次4層に積層したものである。
おいて、図4に示すように、圧電基板2上に、タンタル
とアルミニウムを主成分としタンタルとアルミニウムの
組成比でタンタルが35原子%ないし79原子%の第1
の金属層6と、アルミニウムを主成分として銅を添加し
た第2の金属層7とを高周波スパッタ法で交互に2回ず
つ順次4層に積層したものである。
【0027】そして、このようにタンタルを35原子%
ないし79原子%の割合で組成すると、アルミニウムと
銅との第2の金属層7は(111)結晶方位に強く配向
し、マイグレーションの発生を防止できる。
ないし79原子%の割合で組成すると、アルミニウムと
銅との第2の金属層7は(111)結晶方位に強く配向
し、マイグレーションの発生を防止できる。
【0028】そして、この弾性表面波装置1に電力を入
力し、寿命試験、いわゆる耐電力試験を行なった。な
お、試験条件は、入力電力2W、環境温度85℃とし
て、試験前の初期特性での中心周波数での挿入損失に対
して、1dB劣化した時点を寿命として測定した。ま
た、対照の弾性表面波装置1として、従来のアルミニウ
ムに銅を0.5重量%添加した一つの金属層で形成され
た単層膜のものを用いた。
力し、寿命試験、いわゆる耐電力試験を行なった。な
お、試験条件は、入力電力2W、環境温度85℃とし
て、試験前の初期特性での中心周波数での挿入損失に対
して、1dB劣化した時点を寿命として測定した。ま
た、対照の弾性表面波装置1として、従来のアルミニウ
ムに銅を0.5重量%添加した一つの金属層で形成され
た単層膜のものを用いた。
【0029】実験によれば、図5に示すように、対象と
なる従来の弾性表面波装置1に比べ、寿命が10倍ない
し100倍長くなり高い耐電力性が得られた。
なる従来の弾性表面波装置1に比べ、寿命が10倍ない
し100倍長くなり高い耐電力性が得られた。
【0030】さらに、他の実施の形態の弾性表面波装置
1を図6を参照して説明する。
1を図6を参照して説明する。
【0031】この図6に示す弾性表面波装置1は、図4
に示す弾性表面波装置1において、第1の金属層6と、
第2の金属層7とを3回ずつ順次6層に積層したもので
ある。
に示す弾性表面波装置1において、第1の金属層6と、
第2の金属層7とを3回ずつ順次6層に積層したもので
ある。
【0032】このように、層の数を増加させても同様の
効果を得ることができ、積層数には関わらず同様の効果
を得ることができる。
効果を得ることができ、積層数には関わらず同様の効果
を得ることができる。
【0033】また、圧電基板2については、LiTaO
3 に限らず、他の圧電性のものを用いても同様の効果を
得ることができる。
3 に限らず、他の圧電性のものを用いても同様の効果を
得ることができる。
【0034】さらに、第1の金属層6は、タンタル(T
a)に限らず、ニオブ(Nb)、チタン(Ti)、タン
グステン(W)、モリブデン(Mo)、ニッケル(N
i)、ハフニウム(Hf)およびスカンジウム(Sc)
の少なくともいずれか一つが主成分としたものを用いて
も同様の効果を得ることができ、第2の金属層7は、ア
ルミニウムを主成分とし銅を加えたものに限らず、アル
ミニウムおよびアルミニウムを主成分とした金属のいず
れかを有するものを用いても同様の効果を得ることがで
きる。
a)に限らず、ニオブ(Nb)、チタン(Ti)、タン
グステン(W)、モリブデン(Mo)、ニッケル(N
i)、ハフニウム(Hf)およびスカンジウム(Sc)
の少なくともいずれか一つが主成分としたものを用いて
も同様の効果を得ることができ、第2の金属層7は、ア
ルミニウムを主成分とし銅を加えたものに限らず、アル
ミニウムおよびアルミニウムを主成分とした金属のいず
れかを有するものを用いても同様の効果を得ることがで
きる。
【0035】またさらに、成膜方法として高周波スパッ
タ法を用いたが、真空蒸着法や化学気層成長法(Chemic
al Vapor Deposition)など他の成膜方法を用いても同
様の効果を得ることができる。
タ法を用いたが、真空蒸着法や化学気層成長法(Chemic
al Vapor Deposition)など他の成膜方法を用いても同
様の効果を得ることができる。
【0036】
【発明の効果】本発明によれば、第1の金属層を非晶質
とし、第2の金属層のアルミニウムを(111)方向に
強い結晶方位を持たせることにより、耐電力性を高くし
てマイグレーションが発生することを防止して、長寿命
化を図ることができる。
とし、第2の金属層のアルミニウムを(111)方向に
強い結晶方位を持たせることにより、耐電力性を高くし
てマイグレーションが発生することを防止して、長寿命
化を図ることができる。
【図1】本発明の弾性表面波装置の一実施の形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図2】同上平面図である。
【図3】同上他の実施の形態の弾性表面波装置を示す平
面図である。
面図である。
【図4】同上また他の実施の形態の弾性表面波装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図5】同上故障時間を示すグラフである。
【図6】同上さらに他の実施の形態の弾性表面波装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
1 弾性表面波装置 2 圧電基板 3 励振電極 6 第1の金属層 7 第2の金属層
Claims (8)
- 【請求項1】 圧電基板と、この圧電基板上に配設さ
れ、この圧電基板側に位置しタンタル(Ta)、ニオブ
(Nb)、チタン(Ti)、タングステン(W)、モリ
ブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、ハフニウム(H
f)およびスカンジウム(Sc)の少なくともいずれか
一つが主成分として含まれた第1の金属層、および、こ
の第1の金属層上に形成されアルミニウム(Al)およ
びアルミニウム(Al)のいずれかを主成分とした金属
を有する第2の金属層を有する励振電極とを具備したこ
とを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項2】 圧電基板と、この圧電基板上に配設さ
れ、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、チタン(T
i)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、ニッ
ケル(Ni)、ハフニウム(Hf)、スカンジウム(S
c)、および、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、チ
タン(Ti)、タングステン(W)、モリブデン(M
o)、ニッケル(Ni)、ハフニウム(Hf)およびス
カンジウム(Sc)の少なくともいずれか一つを主成分
として他の元素を含む第1の金属層、および、アルミニ
ウム(Al)およびアルミニウム(Al)のいずれかを
主成分とする第2の金属層が交互に積層された励振電極
とを具備したことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項3】 圧電基板と、 この圧電基板上に配設され、タンタル(Ta)およびア
ルミニウム(Al)の両方の組成を含む第1の金属層、
および、アルミニウム(Al)およびアルミニウム(A
l)を主成分とするいずれかの第2の金属層が交互に積
層された励振電極とを具備したことを特徴とする弾性表
面波装置。 - 【請求項4】 第1の金属層は、タンタル(Ta)が3
5原子%ないし79原子%含まれていることを特徴とす
る請求項3記載の弾性表面波装置。 - 【請求項5】 第1の金属層は、膜厚が50nm以下で
あることを特徴とする請求項1ないし4いずれか記載の
弾性表面波装置。 - 【請求項6】 第1の金属層は、高周波スパッタ法によ
り形成されることを特徴とする請求項1ないし5いずれ
か記載の弾性表面波装置。 - 【請求項7】 圧電基板上にタンタル(Ta)、ニオブ
(Nb)、チタン(Ti)、タングステン(W)、モリ
ブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、ハフニウム(H
f)、スカンジウム(Sc)の少なくともいずれか一つ
を主成分とし高周波スパッタ法で第1の金属層を成膜
し、この第1の金属層上にアルミニウム(Al)および
アルミニウム(Al)を主成分とする第2の金属層を形
成して励振電極を形成することを特徴とする弾性表面波
装置の製造方法。 - 【請求項8】 第2の金属層は、高周波スパッタ法によ
り形成されることを特徴とする請求項7記載の弾性表面
波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26636899A JP2001094382A (ja) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26636899A JP2001094382A (ja) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001094382A true JP2001094382A (ja) | 2001-04-06 |
Family
ID=17429983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26636899A Pending JP2001094382A (ja) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001094382A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7026743B2 (en) | 2002-10-31 | 2006-04-11 | Alps Electric Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having high dielectric strength and process for manufacturing the same |
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-
1999
- 1999-09-20 JP JP26636899A patent/JP2001094382A/ja active Pending
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