JPH09232264A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体基板の洗浄と膜形成とを連続して行う処
理装置が安価になると共に処理工程が短縮し、さらに、
半導体基板の結晶欠陥が少なくなる半導体装置の製造方
法を提供する。 【解決手段】アルゴンガス雰囲気で満たされた炉内に半
導体基板を搬入する工程と、前記炉内にアルゴンガス、
窒素ガスあるいはアルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス
を導入する工程と、前記アルゴンガス、窒素ガスあるい
はアルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気で前記半
導体基板の表面を洗浄する工程と、前記表面を洗浄した
半導体基板上に所望の膜を形成する工程とを含む。
理装置が安価になると共に処理工程が短縮し、さらに、
半導体基板の結晶欠陥が少なくなる半導体装置の製造方
法を提供する。 【解決手段】アルゴンガス雰囲気で満たされた炉内に半
導体基板を搬入する工程と、前記炉内にアルゴンガス、
窒素ガスあるいはアルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス
を導入する工程と、前記アルゴンガス、窒素ガスあるい
はアルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気で前記半
導体基板の表面を洗浄する工程と、前記表面を洗浄した
半導体基板上に所望の膜を形成する工程とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、特に半導体基板の熱処理の方法に関する。
法に関し、特に半導体基板の熱処理の方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン基板上に、熱酸化により
酸化膜を形成する場合や、ポリシリコン膜あるいはシリ
コンエピタキシャル層を堆積する場合、その前段階とし
て、化学薬液中での洗浄等が行われている。このような
洗浄は基板表面に付着するパーティクルや重金属不純物
の除去をその目的としている。しかし、上記のような洗
浄方法では、金属不純物を完全に除去することは困難で
あり、完全に清浄な状態で酸化や膜堆積を行うことはで
きない。そこで、水素雰囲気に置換された炉内で半導体
基板を熱処理し、半導体基板表面に付着した重金属不純
物を除去することが試みられている。例えば、このよう
な技術が特開平４ー６８５２６号公報に記載されてい
る。以下、このような従来の半導体基板の熱処理方法に
ついて、図７に基づいて説明する。図７に、従来の半導
体基板の熱処理方法により熱酸化膜を形成するためのフ
ローチャートを示す。
酸化膜を形成する場合や、ポリシリコン膜あるいはシリ
コンエピタキシャル層を堆積する場合、その前段階とし
て、化学薬液中での洗浄等が行われている。このような
洗浄は基板表面に付着するパーティクルや重金属不純物
の除去をその目的としている。しかし、上記のような洗
浄方法では、金属不純物を完全に除去することは困難で
あり、完全に清浄な状態で酸化や膜堆積を行うことはで
きない。そこで、水素雰囲気に置換された炉内で半導体
基板を熱処理し、半導体基板表面に付着した重金属不純
物を除去することが試みられている。例えば、このよう
な技術が特開平４ー６８５２６号公報に記載されてい
る。以下、このような従来の半導体基板の熱処理方法に
ついて、図７に基づいて説明する。図７に、従来の半導
体基板の熱処理方法により熱酸化膜を形成するためのフ
ローチャートを示す。
【０００３】図７に示すように、工程１でまず、シリコ
ン基板は化学薬液により洗浄される。そして、シリコン
基板に付着しているパーティクルや金属不純物が可能な
限り除去される。
ン基板は化学薬液により洗浄される。そして、シリコン
基板に付着しているパーティクルや金属不純物が可能な
限り除去される。
【０００４】次いで、工程２において、シリコン基板
が、基板表面にシリコン酸化膜の成長しないような不活
性ガスで満たされた酸化炉に搬入される。
が、基板表面にシリコン酸化膜の成長しないような不活
性ガスで満たされた酸化炉に搬入される。
【０００５】次いで、工程３において、酸化炉に水素ガ
スが導入され、炉内雰囲気は水素ガスで完全に置換され
る。そして、シリコン基板は所定時間酸化炉内に放置さ
れ、水素によるシリコン基板の洗浄が行われる。あるい
は、この時、工程４において、シリコン基板の温度が昇
温される。この場合には、シリコン基板は４００℃〜１
０００℃程度の温度に昇温される。
スが導入され、炉内雰囲気は水素ガスで完全に置換され
る。そして、シリコン基板は所定時間酸化炉内に放置さ
れ、水素によるシリコン基板の洗浄が行われる。あるい
は、この時、工程４において、シリコン基板の温度が昇
温される。この場合には、シリコン基板は４００℃〜１
０００℃程度の温度に昇温される。
【０００６】次いで、工程５において、洗浄に要する所
定時間が経過した後、水素の導入が停止される。
定時間が経過した後、水素の導入が停止される。
【０００７】次いで、工程６において、窒素等の不活性
ガスが導入され、炉内雰囲気は完全に不活性ガスで置換
される。
ガスが導入され、炉内雰囲気は完全に不活性ガスで置換
される。
【０００８】次いで、工程７において、酸化炉内に酸素
ガスが導入され、炉内雰囲気は酸化雰囲気に置換され
る。
ガスが導入され、炉内雰囲気は酸化雰囲気に置換され
る。
【０００９】次いで、工程８において、所定の酸化条件
の下でシリコン基板に所定の熱酸化膜が形成される。
の下でシリコン基板に所定の熱酸化膜が形成される。
【００１０】このようにして、シリコン基板表面に熱酸
化膜を形成する前工程で、シリコン基板表面の金属不純
物が除去される。先述した膜堆積が減圧化学気相成長
（ＬＰＣＶＤ）法で行われる場合も、水素雰囲気での熱
処理が同様な工程で行われる。但し、この場合には、工
程２での酸化炉への搬入がＬＰＣＶＤ炉への搬入でおき
かえられ、工程７の酸化雰囲気に置換という言葉が反応
ガスに置換という言葉でおきかえられ、さらに、工程８
の酸化膜形成が堆積膜形成におきかえられる。
化膜を形成する前工程で、シリコン基板表面の金属不純
物が除去される。先述した膜堆積が減圧化学気相成長
（ＬＰＣＶＤ）法で行われる場合も、水素雰囲気での熱
処理が同様な工程で行われる。但し、この場合には、工
程２での酸化炉への搬入がＬＰＣＶＤ炉への搬入でおき
かえられ、工程７の酸化雰囲気に置換という言葉が反応
ガスに置換という言葉でおきかえられ、さらに、工程８
の酸化膜形成が堆積膜形成におきかえられる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】この従来の技術の特徴
は、膜形成の前工程において、水素雰囲気ガス中でのシ
リコン基板の熱処理でシリコン基板表面が洗浄されるこ
とにある。
は、膜形成の前工程において、水素雰囲気ガス中でのシ
リコン基板の熱処理でシリコン基板表面が洗浄されるこ
とにある。
【００１２】しかし、このシリコン基板の水素雰囲気で
の熱処理には、従来より問題があった。それは、水素ガ
スは少量の酸素と燃焼反応を起すため、水素ガスの導入
される反応炉および配管系には、非常に多くの注意を要
する。あるいは、爆発の危険性がある。このため、安全
管理上の点で、大量にシリコン基板を処理するには不向
きであり、その処理装置も安全性を確保するために高価
な装置になる。
の熱処理には、従来より問題があった。それは、水素ガ
スは少量の酸素と燃焼反応を起すため、水素ガスの導入
される反応炉および配管系には、非常に多くの注意を要
する。あるいは、爆発の危険性がある。このため、安全
管理上の点で、大量にシリコン基板を処理するには不向
きであり、その処理装置も安全性を確保するために高価
な装置になる。
【００１３】さらに、水素ガスが酸化炉等の反応炉に導
入される前後に不活性ガスが炉内に導入される（工程２
と工程６）必要がある。このような工程は、デバイス・
プロセス工程を増加させるため、製造される半導体デバ
イスのコストが増加するようになる。
入される前後に不活性ガスが炉内に導入される（工程２
と工程６）必要がある。このような工程は、デバイス・
プロセス工程を増加させるため、製造される半導体デバ
イスのコストが増加するようになる。
【００１４】また、シリコン基板の水素雰囲気中での熱
処理は、シリコン基板内部の酸素析出を増加させるため
に、基板の反りを増加させたり、シリコン基板の機械的
強度を低下させる。そして、その後工程であるデバイス
・プロセス工程の熱処理中で、シリコン基板にスリップ
転位等の結晶欠陥が多数発生するようになる。このよう
な結晶欠陥は半導体デバイスの歩留りを低下させるよう
になる。
処理は、シリコン基板内部の酸素析出を増加させるため
に、基板の反りを増加させたり、シリコン基板の機械的
強度を低下させる。そして、その後工程であるデバイス
・プロセス工程の熱処理中で、シリコン基板にスリップ
転位等の結晶欠陥が多数発生するようになる。このよう
な結晶欠陥は半導体デバイスの歩留りを低下させるよう
になる。
【００１５】本発明の目的は、膜形成前の半導体基板表
面の清浄化において、洗浄を含む処理装置が安価にな
り、処理工程が短縮され、結晶欠陥発生が抑制される半
導体装置の製造方法を提供することにある。
面の清浄化において、洗浄を含む処理装置が安価にな
り、処理工程が短縮され、結晶欠陥発生が抑制される半
導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】このために本発明の半導
体装置の製造方法では、半導体基板上に所望の膜を形成
する前に前記半導体基板が不活性ガス中で所定の時間熱
処理され、前記半導体基板の表面が洗浄される。
体装置の製造方法では、半導体基板上に所望の膜を形成
する前に前記半導体基板が不活性ガス中で所定の時間熱
処理され、前記半導体基板の表面が洗浄される。
【００１７】そこで、本発明の半導体装置の製造方法に
は、半導体基板がアルゴンガス雰囲気で満たされた炉内
に搬入される工程と、前記炉内にアルゴンガス、窒素ガ
スあるいはアルゴンガスと窒素ガスとの混合ガスが導入
される工程と、前記アルゴンガス、窒素ガスあるいはア
ルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気で前記半導体
基板の表面が洗浄される工程とが含まれる。
は、半導体基板がアルゴンガス雰囲気で満たされた炉内
に搬入される工程と、前記炉内にアルゴンガス、窒素ガ
スあるいはアルゴンガスと窒素ガスとの混合ガスが導入
される工程と、前記アルゴンガス、窒素ガスあるいはア
ルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気で前記半導体
基板の表面が洗浄される工程とが含まれる。
【００１８】さらに、前記半導体基板の表面が洗浄され
た後、所望の膜形成のための反応ガスが同一の炉内に導
入される。
た後、所望の膜形成のための反応ガスが同一の炉内に導
入される。
【００１９】ここで、前記半導体基板がＳＯＩ基板であ
る。
る。
【００２０】あるいは、前記半導体基板の表面を洗浄す
る時の温度が、前記所望の膜を形成する時の温度より低
く設定される。
る時の温度が、前記所望の膜を形成する時の温度より低
く設定される。
【００２１】また、本発明の半導体装置の製造方法に
は、前記所望の膜を形成する時の温度より低い温度に設
定された炉内に半導体基板が搬入される工程と、前記低
い温度に設定され不活性ガス雰囲気の炉内に前記半導体
基板が所定の時間保持される工程と、前記半導体基板の
保持された不活性ガス雰囲気の炉内温度が一定の昇温速
度で前記所望の膜を形成する温度まで昇温される工程
と、前記炉内に所望の膜形成用の反応ガスが導入される
工程とが含まれる。
は、前記所望の膜を形成する時の温度より低い温度に設
定された炉内に半導体基板が搬入される工程と、前記低
い温度に設定され不活性ガス雰囲気の炉内に前記半導体
基板が所定の時間保持される工程と、前記半導体基板の
保持された不活性ガス雰囲気の炉内温度が一定の昇温速
度で前記所望の膜を形成する温度まで昇温される工程
と、前記炉内に所望の膜形成用の反応ガスが導入される
工程とが含まれる。
【００２２】
【発明の実施の形態】次に、図１に基づいて本発明の第
１の実施の形態を説明する。図１は、シリコン基板表面
に熱酸化膜を形成する場合のフローチャートである。
１の実施の形態を説明する。図１は、シリコン基板表面
に熱酸化膜を形成する場合のフローチャートである。
【００２３】図１に示すように、工程１においてまず、
ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）
のようなシリコン基板が化学薬液により洗浄処理され
る。ここで、この化学薬液は弗酸系水溶液、塩酸と過酸
化水素の混合溶液、アンモニア水と過酸化水素水の混合
溶液である。そして、シリコン基板に付着しているパー
ティクルや金属不純物が可能な限り除去される。
ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）
のようなシリコン基板が化学薬液により洗浄処理され
る。ここで、この化学薬液は弗酸系水溶液、塩酸と過酸
化水素の混合溶液、アンモニア水と過酸化水素水の混合
溶液である。そして、シリコン基板に付着しているパー
ティクルや金属不純物が可能な限り除去される。
【００２４】次いで、工程２において、化学薬液による
洗浄処理されたシリコン基板が、基板表面にシリコン酸
化膜の成長しないような不活性ガスで満たされた酸化炉
に搬入される。ここで、この不活性ガスとして微量のア
ルゴンガスを含む窒素ガスが用いられる。また、酸化炉
の温度は８００℃に設定されている。
洗浄処理されたシリコン基板が、基板表面にシリコン酸
化膜の成長しないような不活性ガスで満たされた酸化炉
に搬入される。ここで、この不活性ガスとして微量のア
ルゴンガスを含む窒素ガスが用いられる。また、酸化炉
の温度は８００℃に設定されている。
【００２５】次いで、工程３において、不活性ガスであ
る窒素ガスの導入は停止されアルゴンガスのみが導入さ
れるようになる。このようにして、酸化炉にアルゴンガ
スが導入され酸化炉内の雰囲気はアルゴンガスで完全に
置換される。そして、シリコン基板は所定時間酸化炉内
に放置され、アルゴンによるシリコン基板の洗浄が行わ
れる。例えば、８００℃の温度で２０分間程度の熱処理
が施される。あるいは、この時、工程４において、シリ
コン基板の温度が昇温される。この場合には、シリコン
基板は９００℃の温度に昇温されてもよい。
る窒素ガスの導入は停止されアルゴンガスのみが導入さ
れるようになる。このようにして、酸化炉にアルゴンガ
スが導入され酸化炉内の雰囲気はアルゴンガスで完全に
置換される。そして、シリコン基板は所定時間酸化炉内
に放置され、アルゴンによるシリコン基板の洗浄が行わ
れる。例えば、８００℃の温度で２０分間程度の熱処理
が施される。あるいは、この時、工程４において、シリ
コン基板の温度が昇温される。この場合には、シリコン
基板は９００℃の温度に昇温されてもよい。
【００２６】次いで、工程５において、洗浄のための熱
処理に要する所定時間が経過した後、アルゴンガスの導
入が停止される。
処理に要する所定時間が経過した後、アルゴンガスの導
入が停止される。
【００２７】次いで、工程６において、酸化炉内に酸素
ガスが導入される。このようにして酸化炉内の雰囲気は
酸化雰囲気に置換されるようになる。
ガスが導入される。このようにして酸化炉内の雰囲気は
酸化雰囲気に置換されるようになる。
【００２８】次いで、工程７において、所定の酸化条件
の下でシリコン基板に所定の熱酸化膜が形成される。こ
の場合には、酸化温度が８００℃のままで酸素ガス雰囲
気になる。あるいは、工程４で酸化温度が昇温される場
合には、この酸化温度は９００℃である。
の下でシリコン基板に所定の熱酸化膜が形成される。こ
の場合には、酸化温度が８００℃のままで酸素ガス雰囲
気になる。あるいは、工程４で酸化温度が昇温される場
合には、この酸化温度は９００℃である。
【００２９】この第１の実施の形態では、廉価な処理装
置であり高い安全性を有する酸化炉の下で大量のシリコ
ン基板を処理できるようになる。
置であり高い安全性を有する酸化炉の下で大量のシリコ
ン基板を処理できるようになる。
【００３０】さらに、このような工程では、デバイス・
プロセス工程が減少するため、製造される半導体デバイ
スの低コスト化が容易となる。
プロセス工程が減少するため、製造される半導体デバイ
スの低コスト化が容易となる。
【００３１】また、先述したシリコン基板の水素雰囲気
中の熱処理で発生する結晶欠陥のような問題は完全に解
消される。すなわち、シリコン基板中の酸素析出は抑制
されるようになるため、これに起因するスリップ転位等
の結晶欠陥の発生は皆無になる。
中の熱処理で発生する結晶欠陥のような問題は完全に解
消される。すなわち、シリコン基板中の酸素析出は抑制
されるようになるため、これに起因するスリップ転位等
の結晶欠陥の発生は皆無になる。
【００３２】次に、図２に基づいて本発明の第２の実施
の形態を説明する。図２も図１と同様な、シリコン基板
表面に熱酸化膜を形成する場合のフローチャートであ
る。
の形態を説明する。図２も図１と同様な、シリコン基板
表面に熱酸化膜を形成する場合のフローチャートであ
る。
【００３３】図２に示すように、工程１で、シリコン基
板が化学薬液により洗浄処理される。ここで、この処理
方法は図１で説明したものと同様である。
板が化学薬液により洗浄処理される。ここで、この処理
方法は図１で説明したものと同様である。
【００３４】次いで、工程２で、シリコン基板は窒素ガ
スで満たされた酸化炉に搬入される。ここで、この酸化
炉の温度は７００℃に設定されている。
スで満たされた酸化炉に搬入される。ここで、この酸化
炉の温度は７００℃に設定されている。
【００３５】次いで、工程３において、窒素ガスのみが
導入されるようになる。そして、シリコン基板は所定の
時間酸化炉内に放置され、窒素ガスによるシリコン基板
の洗浄が行われる。例えば、７００℃の温度で３０分間
程度の熱処理が施される。あるいは、この時、工程４に
おいて、シリコン基板の温度が昇温される。この場合に
は、シリコン基板は８００℃の温度に昇温されてもよ
い。
導入されるようになる。そして、シリコン基板は所定の
時間酸化炉内に放置され、窒素ガスによるシリコン基板
の洗浄が行われる。例えば、７００℃の温度で３０分間
程度の熱処理が施される。あるいは、この時、工程４に
おいて、シリコン基板の温度が昇温される。この場合に
は、シリコン基板は８００℃の温度に昇温されてもよ
い。
【００３６】次いで、工程５において、洗浄のための熱
処理に要する所定時間が経過した後、窒素ガスの導入が
停止される。
処理に要する所定時間が経過した後、窒素ガスの導入が
停止される。
【００３７】次いで、工程６において、酸化炉内に酸素
ガスが導入される。このようにして酸化炉内の雰囲気は
酸化雰囲気に置換されるようになる。
ガスが導入される。このようにして酸化炉内の雰囲気は
酸化雰囲気に置換されるようになる。
【００３８】次いで、工程７において、所定の酸化条件
の下でシリコン基板に所定の熱酸化膜が形成される。こ
の場合には、酸化温度が７００℃のままで酸素と水蒸気
の混合ガス雰囲気になる。あるいは、工程４で酸化温度
が昇温される場合には、この酸化温度は８００℃であ
る。
の下でシリコン基板に所定の熱酸化膜が形成される。こ
の場合には、酸化温度が７００℃のままで酸素と水蒸気
の混合ガス雰囲気になる。あるいは、工程４で酸化温度
が昇温される場合には、この酸化温度は８００℃であ
る。
【００３９】この第２の実施の形態では、処理温度はな
るべく低温になるように設定される。これは、この処理
温度が高くなるとシリコン基板にシリコン窒化膜が形成
されるためである。
るべく低温になるように設定される。これは、この処理
温度が高くなるとシリコン基板にシリコン窒化膜が形成
されるためである。
【００４０】次に、図３と図４に基づいて本発明の第３
の実施の形態を説明する。図３は、ＳＯＩ基板表面に熱
酸化膜を形成する場合のフローチャートである。また、
図４は処理温度の変化を示す図である。
の実施の形態を説明する。図３は、ＳＯＩ基板表面に熱
酸化膜を形成する場合のフローチャートである。また、
図４は処理温度の変化を示す図である。
【００４１】図３に示すように、工程１と工程２は本発
明の第１および第２の実施の形態と同一である。ここ
で、酸化炉の温度は５００℃に設定され、雰囲気ガスは
アルゴンガスに設定される。
明の第１および第２の実施の形態と同一である。ここ
で、酸化炉の温度は５００℃に設定され、雰囲気ガスは
アルゴンガスに設定される。
【００４２】次いで、工程３において、ＳＯＩ基板は所
定時間酸化炉内に放置され、アルゴンによるシリコン基
板の洗浄が行われる。例えば、５００℃の温度で６０分
間程度の熱処理が施される。そして、この処理時間が終
了した後酸化炉の温度は８００℃程度に昇温される。こ
こで、この昇温速度は５℃／分程度に設定される。ま
た、この昇温時の酸化炉の雰囲気ガスはアルゴンガスに
設定される。
定時間酸化炉内に放置され、アルゴンによるシリコン基
板の洗浄が行われる。例えば、５００℃の温度で６０分
間程度の熱処理が施される。そして、この処理時間が終
了した後酸化炉の温度は８００℃程度に昇温される。こ
こで、この昇温速度は５℃／分程度に設定される。ま
た、この昇温時の酸化炉の雰囲気ガスはアルゴンガスに
設定される。
【００４３】次いで、酸化炉内に酸素ガスが導入され
る。このようにして酸化炉内の雰囲気は酸化雰囲気に置
換されるようになる。そして、工程５において、所定の
酸化条件の下でシリコン基板に所定の熱酸化膜が形成さ
れる。この場合には、酸化温度は８００℃である。
る。このようにして酸化炉内の雰囲気は酸化雰囲気に置
換されるようになる。そして、工程５において、所定の
酸化条件の下でシリコン基板に所定の熱酸化膜が形成さ
れる。この場合には、酸化温度は８００℃である。
【００４４】次に、図５と図６に基づいて本発明の効果
について説明する。図５は、ＳＯＩ基板を熱酸化した後
にみられるＳＯＩ基板表面の異常酸化物を示す。また、
図６は、この異常酸化物の密度と洗浄処理の方法との関
係を示している。
について説明する。図５は、ＳＯＩ基板を熱酸化した後
にみられるＳＯＩ基板表面の異常酸化物を示す。また、
図６は、この異常酸化物の密度と洗浄処理の方法との関
係を示している。
【００４５】図５において、シリコン基体１上に膜厚が
５００ｎｍの厚いシリコン酸化膜２が形成され、この厚
いシリコン酸化膜２上に膜厚が１００ｎｍ程度のＳＯＩ
層３が形成されている。ここで、ＳＯＩ層３は単結晶シ
リコン膜である。このようにしてＳＯＩ基板が形成され
る。
５００ｎｍの厚いシリコン酸化膜２が形成され、この厚
いシリコン酸化膜２上に膜厚が１００ｎｍ程度のＳＯＩ
層３が形成されている。ここで、ＳＯＩ層３は単結晶シ
リコン膜である。このようにしてＳＯＩ基板が形成され
る。
【００４６】そして、このＳＯＩ層３の表面に熱酸化工
程で二酸化シリコン膜４が形成される。この熱酸化工程
において、ＳＯＩ基板の表面に異常酸化物５が形成され
るようになる。
程で二酸化シリコン膜４が形成される。この熱酸化工程
において、ＳＯＩ基板の表面に異常酸化物５が形成され
るようになる。
【００４７】本発明者は、本発明の洗浄効果を定量的に
把握するために、ＳＯＩ基板の表面を重金属で定量汚染
した後に熱酸化し、異常酸化物の量を測定した。図６
は、ＳＯＩ基板の表面に１×１０13／ｃｍ2 のＣｕを付
着させた場合のデータである。
把握するために、ＳＯＩ基板の表面を重金属で定量汚染
した後に熱酸化し、異常酸化物の量を測定した。図６
は、ＳＯＩ基板の表面に１×１０13／ｃｍ2 のＣｕを付
着させた場合のデータである。
【００４８】ここで、図中のＡは、熱酸化工程前の熱処
理によるＳＯＩ基板表面の洗浄をしなかった場合であ
る。すなわち、本発明が適用されなかった場合である。
また、図中のＢは、本発明の第１の実施の形態の場合で
ある。そして、図中のＣは本発明の第２の実施の形態の
場合であり、図中のＤは本発明の第３の実施の形態の場
合である。なお、ＳＯＩ基板の熱酸化は、酸化温度８０
０℃、酸化時間３０分に固定されている。
理によるＳＯＩ基板表面の洗浄をしなかった場合であ
る。すなわち、本発明が適用されなかった場合である。
また、図中のＢは、本発明の第１の実施の形態の場合で
ある。そして、図中のＣは本発明の第２の実施の形態の
場合であり、図中のＤは本発明の第３の実施の形態の場
合である。なお、ＳＯＩ基板の熱酸化は、酸化温度８０
０℃、酸化時間３０分に固定されている。
【００４９】図６に示されるように、本発明が適用され
ない場合には、図５で示した異常酸化物の密度は１０5
ケ／ｃｍ2 以上になる。これに対し、本発明が適用され
る場合には、この異常酸化物はほとんど形成されなくな
る。
ない場合には、図５で示した異常酸化物の密度は１０5
ケ／ｃｍ2 以上になる。これに対し、本発明が適用され
る場合には、この異常酸化物はほとんど形成されなくな
る。
【００５０】以上の実施の形態では、シリコン系の半導
体基板が洗浄される場合について説明された。本発明の
洗浄方法は、化合物半導体基板の洗浄にも同様に適用で
きることに言及しておく。
体基板が洗浄される場合について説明された。本発明の
洗浄方法は、化合物半導体基板の洗浄にも同様に適用で
きることに言及しておく。
【００５１】また、本発明の実施の形態では、シリコン
系の半導体基板表面に熱酸化膜が形成される場合につい
て説明された。本発明はこれに限定されるものでなく、
その他の膜形成、例えばＣＶＤ法でのシリコン酸化膜あ
るいは半導体薄膜の成膜の場合にも同様に適用できるも
のである。但し、この場合でも膜形成の温度は、半導体
基板の表面を洗浄する時の温度以下になるように設定さ
れる。
系の半導体基板表面に熱酸化膜が形成される場合につい
て説明された。本発明はこれに限定されるものでなく、
その他の膜形成、例えばＣＶＤ法でのシリコン酸化膜あ
るいは半導体薄膜の成膜の場合にも同様に適用できるも
のである。但し、この場合でも膜形成の温度は、半導体
基板の表面を洗浄する時の温度以下になるように設定さ
れる。
【００５２】また、本発明の不活性ガスとしてはヘリウ
ムガスでも同様の効果が現れることにも言及しておく。
ムガスでも同様の効果が現れることにも言及しておく。
【００５３】
【発明の効果】このように本発明では、熱酸化膜等の膜
形成の前工程において、不活性雰囲気ガス中での半導体
基板の熱処理で半導体基板表面が洗浄される。
形成の前工程において、不活性雰囲気ガス中での半導体
基板の熱処理で半導体基板表面が洗浄される。
【００５４】このために、高い安全性を有し廉価な処理
装置の下で大量の半導体基板が洗浄できるようになる。
装置の下で大量の半導体基板が洗浄できるようになる。
【００５５】さらに、この本発明のような洗浄工程で
は、デバイス・プロセス工程が減少するため、製造され
る半導体デバイスの低コスト化が容易となる。
は、デバイス・プロセス工程が減少するため、製造され
る半導体デバイスの低コスト化が容易となる。
【００５６】また、先述したシリコン基板の水素雰囲気
中の熱処理で発生する結晶欠陥のような問題はなくな
る。すなわち、シリコン基板中の酸素析出は抑制される
ようになるため、これに起因するスリップ転位等の結晶
欠陥の発生は皆無になる。
中の熱処理で発生する結晶欠陥のような問題はなくな
る。すなわち、シリコン基板中の酸素析出は抑制される
ようになるため、これに起因するスリップ転位等の結晶
欠陥の発生は皆無になる。
【００５７】そして、特にＳＯＩ基板のように重金属を
除去しにくい半導体基板の表面の清浄化を容易にする。
このようにして、ＳＯＩ基板を用いる半導体デバイスの
製造を容易にするようになる。
除去しにくい半導体基板の表面の清浄化を容易にする。
このようにして、ＳＯＩ基板を用いる半導体デバイスの
製造を容易にするようになる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明するためのフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図２】本発明の第２の実施の形態を説明するためのフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図３】本発明の第３の実施の形態を説明するためのフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図４】上記第３の実施の形態での温度変化図である。
【図５】ＳＯＩ基板上に形成される異常酸化物を説明す
る断面図である。
る断面図である。
【図６】上記異常酸化物の密度と洗浄方法の関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図７】従来の技術を説明するためのフローチャートで
ある。
ある。
１ シリコン基体 ２ 厚いシリコン酸化膜 ３ ＳＯＩ層 ４ 二酸化シリコン膜 ５ 異常酸化物
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板上に所望の膜を形成する前に
前記半導体基板を不活性ガス中で所定の時間熱処理し、
前記半導体基板の表面を洗浄することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板をアルゴンガス雰囲気で満た
された炉内に搬入する工程と、前記炉内にアルゴンガ
ス、窒素ガスあるいはアルゴンガスと窒素ガスとの混合
ガスを導入する工程と、前記アルゴンガス、窒素ガスあ
るいはアルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気で前
記半導体基板の表面を洗浄する工程と、を含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記半導体基板の表面を洗浄した後、所
望の膜を形成するための反応ガスを同一の炉内に導入す
ることを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記半導体基板がＳＯＩ基板であること
を特徴とする請求項１、請求項２または請求項３記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記半導体基板の表面を洗浄する時の温
度が、前記所望の膜を形成する時の温度より低く設定さ
れていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項６】 所望の膜を形成する時の温度より低い温
度に設定された炉内に半導体基板を搬入する工程と、前
記低い温度に設定され不活性ガス雰囲気の炉内に前記半
導体基板を所定の時間保持する工程と、前記半導体基板
を保持した不活性ガス雰囲気の炉の温度を一定の昇温速
度で上昇させ前記所望の膜を形成する温度まで昇温する
工程と、前記炉内に所望の膜を形成するための反応ガス
を導入する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8041151A JP2907095B2 (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
| US08/808,169 US5849102A (en) | 1996-02-28 | 1997-02-28 | Method of cleaning a surface of a semiconductor substrate by a heat treatment in an inert gas atmosphere |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8041151A JP2907095B2 (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232264A true JPH09232264A (ja) | 1997-09-05 |
| JP2907095B2 JP2907095B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=12600431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8041151A Expired - Lifetime JP2907095B2 (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5849102A (ja) |
| JP (1) | JP2907095B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101676186B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2016-11-14 | 울산대학교 산학협력단 | Fe2SiO4계 화합물을 포함하는 반도체 소재 및 이의 제조방법 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1008749C2 (nl) * | 1998-03-30 | 1999-10-05 | Asm Int | Werkwijze voor het chemisch behandelen van een halfgeleidersubstraat. |
| JP2001023978A (ja) * | 1999-07-05 | 2001-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造装置および製造方法 |
| US6277194B1 (en) * | 1999-10-21 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Method for in-situ cleaning of surfaces in a substrate processing chamber |
| KR100481476B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2005-04-07 | 주식회사 실트론 | 어닐 웨이퍼 및 그 제조 방법 |
| DE102004015307A1 (de) * | 2004-03-29 | 2005-10-20 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Präparation der Oberfläche eines Halbleiterkörpers |
| WO2006082469A1 (en) * | 2005-02-03 | 2006-08-10 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method for applying a high temperature treatment to a semimiconductor wafer |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02143517A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05121387A (ja) * | 1991-10-24 | 1993-05-18 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05217919A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-08-27 | Tokyo Electron Ltd | 自然酸化膜除去装置 |
| JPH05326478A (ja) * | 1992-05-26 | 1993-12-10 | Nippon Steel Corp | ウェーハの洗浄方法およびその装置 |
| JPH0613325A (ja) * | 1992-06-26 | 1994-01-21 | Tokyo Electron Tohoku Ltd | 熱処理装置および処理容器のクリーニング方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3647535A (en) * | 1969-10-27 | 1972-03-07 | Ncr Co | Method of controllably oxidizing a silicon wafer |
| US3871912A (en) * | 1969-12-23 | 1975-03-18 | Minnesota Mining & Mfg | Process for producing a parallel overgrowth for use as an epitaxial thin film laser |
| US3786316A (en) * | 1970-05-15 | 1974-01-15 | Sperry Rand Corp | High frequency diode energy transducer and method of manufacture |
| US3941647A (en) * | 1973-03-08 | 1976-03-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of producing epitaxially semiconductor layers |
| US3929529A (en) * | 1974-12-09 | 1975-12-30 | Ibm | Method for gettering contaminants in monocrystalline silicon |
| US4096622A (en) * | 1975-07-31 | 1978-06-27 | General Motors Corporation | Ion implanted Schottky barrier diode |
| JPS5559729A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-06 | Fujitsu Ltd | Forming method of semiconductor surface insulating film |
| USRE30412E (en) * | 1979-04-26 | 1980-10-07 | Eastman Kodak Company | CdTe Barrier type photovoltaic cells with enhanced open-circuit voltage, and process of manufacture |
| DE3069724D1 (en) * | 1979-12-15 | 1985-01-10 | Nitto Electric Ind Co | Transparent electrically conductive film and process for production thereof |
| JPH01134932A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板清浄化方法及び基板清浄化装置 |
| JPH0653639B2 (ja) * | 1988-10-31 | 1994-07-20 | 株式会社ジャパンエナジー | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
| DE68928402T2 (de) * | 1988-12-27 | 1998-03-12 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren zur Entfernung einer Oxidschicht auf einem Substrat |
| US5264297A (en) * | 1990-03-09 | 1993-11-23 | Kennametal Inc. | Physical vapor deposition of titanium nitride on a nonconductive substrate |
| US5244843A (en) * | 1991-12-17 | 1993-09-14 | Intel Corporation | Process for forming a thin oxide layer |
| US5303671A (en) * | 1992-02-07 | 1994-04-19 | Tokyo Electron Limited | System for continuously washing and film-forming a semiconductor wafer |
| US5344493A (en) * | 1992-07-20 | 1994-09-06 | Jackson David P | Cleaning process using microwave energy and centrifugation in combination with dense fluids |
| JPH0794431A (ja) * | 1993-04-23 | 1995-04-07 | Canon Inc | アモルファス半導体用基板、該基板を有するアモルファス半導体基板、及び該アモルファス半導体基板の製造方法 |
| US5422305A (en) * | 1993-10-29 | 1995-06-06 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming implanted silicon resonant tunneling barriers |
| US5556479A (en) * | 1994-07-15 | 1996-09-17 | Verteq, Inc. | Method and apparatus for drying semiconductor wafers |
| US5704986A (en) * | 1995-09-18 | 1998-01-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd | Semiconductor substrate dry cleaning method |
-
1996
- 1996-02-28 JP JP8041151A patent/JP2907095B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-02-28 US US08/808,169 patent/US5849102A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02143517A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05121387A (ja) * | 1991-10-24 | 1993-05-18 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05217919A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-08-27 | Tokyo Electron Ltd | 自然酸化膜除去装置 |
| JPH05326478A (ja) * | 1992-05-26 | 1993-12-10 | Nippon Steel Corp | ウェーハの洗浄方法およびその装置 |
| JPH0613325A (ja) * | 1992-06-26 | 1994-01-21 | Tokyo Electron Tohoku Ltd | 熱処理装置および処理容器のクリーニング方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101676186B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2016-11-14 | 울산대학교 산학협력단 | Fe2SiO4계 화합물을 포함하는 반도체 소재 및 이의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2907095B2 (ja) | 1999-06-21 |
| US5849102A (en) | 1998-12-15 |
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