JPS5821826A - 半導体製造装置の堆積物除去方法 - Google Patents
半導体製造装置の堆積物除去方法Info
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- JPS5821826A JPS5821826A JP12111681A JP12111681A JPS5821826A JP S5821826 A JPS5821826 A JP S5821826A JP 12111681 A JP12111681 A JP 12111681A JP 12111681 A JP12111681 A JP 12111681A JP S5821826 A JPS5821826 A JP S5821826A
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- core tube
- furnace core
- deposits
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- coil
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32394—Treating interior parts of workpieces
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
半導体の製造プロセスに於いて半導体基板に膜?形成す
る工程が用いられている。
る工程が用いられている。
この様に工程は、PVD(物理的気相成長)やCVD(
化学的気相成長)が用いられる事が多いが、ここで使わ
れる容器としての炉芯管にも膜が形成される。この膜は
炉芯管と熱膨張係数が異なる為、剥れ落ちて異物となり
判品の歩留りr著しく低下させたり、ひどい場合には応
力の発生により炉芯管にヒビ割れ音生ずる事がある。
化学的気相成長)が用いられる事が多いが、ここで使わ
れる容器としての炉芯管にも膜が形成される。この膜は
炉芯管と熱膨張係数が異なる為、剥れ落ちて異物となり
判品の歩留りr著しく低下させたり、ひどい場合には応
力の発生により炉芯管にヒビ割れ音生ずる事がある。
本発明はかかる膜を安全に且つ能率的に除去する装置に
関するものである。
関するものである。
シリコン半導体基板の一部に極部的て酸化珪素jl@を
形成する場合には部分的に窒化珪素膜(FIi3N4膜
)でシリコン表面全被い、露出しているシリコン基板表
面を熱酸化する方法が用いられる。かかる熱酸化防市川
の膜として用いられるl”113N4膜は、CVD法に
より600〜800℃に於いてモノシラン(SiH,)
ガスとアンモニア(N■−f3)ガスの反応で形成され
る。この日i3H,膜の形成に於いて、反応を行なわせ
る容器として石英ガラス製の炉芯管やシリコン基板を保
持する石英ボート等が用いられる。この炉芯管やポート
にも813N、膜が形成され、膜が剥れて異物となる等
の障害が起こる為、定期的にこのIlg f #去して
やる必要が生ずる。
形成する場合には部分的に窒化珪素膜(FIi3N4膜
)でシリコン表面全被い、露出しているシリコン基板表
面を熱酸化する方法が用いられる。かかる熱酸化防市川
の膜として用いられるl”113N4膜は、CVD法に
より600〜800℃に於いてモノシラン(SiH,)
ガスとアンモニア(N■−f3)ガスの反応で形成され
る。この日i3H,膜の形成に於いて、反応を行なわせ
る容器として石英ガラス製の炉芯管やシリコン基板を保
持する石英ボート等が用いられる。この炉芯管やポート
にも813N、膜が形成され、膜が剥れて異物となる等
の障害が起こる為、定期的にこのIlg f #去して
やる必要が生ずる。
従来はこの様な膜は薬品全使用してエツチング溶解して
いた。しかし薬品の場合以下の様な問題があった。つま
り、弗酸、硝酸の混合液では1913N4のエツチング
レイトよりに石英ガラスのエツチングレイトが大キく、
石英カラスの表面の凹凸が激しくなりエツチングする以
前に比べて置物の発生がかえって多くなってしまう。ま
た、熱リン嘴ヲ用いる場合は、第2 [’21 VC示
す様な装置葡用いて液温を約170℃以上に士げる必要
があり大力の槽を必要とし、しかも安全上非常に間i川
があった。
いた。しかし薬品の場合以下の様な問題があった。つま
り、弗酸、硝酸の混合液では1913N4のエツチング
レイトよりに石英ガラスのエツチングレイトが大キく、
石英カラスの表面の凹凸が激しくなりエツチングする以
前に比べて置物の発生がかえって多くなってしまう。ま
た、熱リン嘴ヲ用いる場合は、第2 [’21 VC示
す様な装置葡用いて液温を約170℃以上に士げる必要
があり大力の槽を必要とし、しかも安全上非常に間i川
があった。
弗啼、硝酸混合液の場合も熱リン酸の場合も炉芯管のR
1,3N 4111!除去には多量の薬品を必要とし、
不8済であった。
1,3N 4111!除去には多量の薬品を必要とし、
不8済であった。
本発明に、かかる欠Aン全て無くした新しい膜除去装置
?、…供するものである。
?、…供するものである。
以下実施例に従って本発明な説明する。
実施例1−1 (第3図に沿って説明する)F’13N
、膜等の堆積物11葡除去しようとする炉芯管1の一方
12よりコントロールされた流量の四部化炭jl ((
’F4) k供給し、もう−万より排気して炉芯管内
10−2〜10−3パス力ル程期の減圧とする。 しか
る後に炉芯管の外側に巻いであるコイル10に高周波エ
ネルギーを加え炉芯管内にプラズマを発生させ、このプ
ラズマで堆積物11を除去する。この場合コイル10と
炉芯管1?相対的にづら丁事全すれば、炉芯管1全体の
堆積物11ケ均一に除去でAる。
、膜等の堆積物11葡除去しようとする炉芯管1の一方
12よりコントロールされた流量の四部化炭jl ((
’F4) k供給し、もう−万より排気して炉芯管内
10−2〜10−3パス力ル程期の減圧とする。 しか
る後に炉芯管の外側に巻いであるコイル10に高周波エ
ネルギーを加え炉芯管内にプラズマを発生させ、このプ
ラズマで堆積物11を除去する。この場合コイル10と
炉芯管1?相対的にづら丁事全すれば、炉芯管1全体の
堆積物11ケ均一に除去でAる。
実施例−2(第4図に沿って説明する〕R1,3N 4
等の堆積物11を除去しようとする炉芯管1の開口部か
ら、内側炉芯管13ケ装着する。
等の堆積物11を除去しようとする炉芯管1の開口部か
ら、内側炉芯管13ケ装着する。
実施例−1に述べた様にガスを供給し減圧にして、内4
fllj炉芯管13の内側から高周波エネルギーを与え
て堆積物にプラズマ反応で除去する。
fllj炉芯管13の内側から高周波エネルギーを与え
て堆積物にプラズマ反応で除去する。
実施fl−3
Si3N、等のCVD用の炉に於いては抵抗加熱型の拡
散炉が多く用いられるが、この場合炉芯管の外側VCは
コイル状の加熱ヒーターがある。炉芯管内覧実施例−1
で説明した雰囲気にして高周波エネルギー?この加熱ヒ
ーターコイルに与えて堆積物?除去する。
散炉が多く用いられるが、この場合炉芯管の外側VCは
コイル状の加熱ヒーターがある。炉芯管内覧実施例−1
で説明した雰囲気にして高周波エネルギー?この加熱ヒ
ーターコイルに与えて堆積物?除去する。
実施例−2,3に於いては炉芯管ケ炉から取り外す事な
く堆積物?除去する事ができる。
く堆積物?除去する事ができる。
以上実施例に於いては堆積物としてSi3N、膜のみに
ついて説明したが、珪素膜、 5in2膜、AL膜等あ
らゆる膜に拡張が可能である。また、炉芯管も石英ガラ
スについてのみ説明したが、炭化珪素シリコン、アルミ
ナ、ムライト等に拡張できることは言うまでもないっ
ついて説明したが、珪素膜、 5in2膜、AL膜等あ
らゆる膜に拡張が可能である。また、炉芯管も石英ガラ
スについてのみ説明したが、炭化珪素シリコン、アルミ
ナ、ムライト等に拡張できることは言うまでもないっ
第1図は一般的なCVD装置
1は炉芯管
2はカス供給管
3は炉のヒーター
4はシリコン基板保持用ボート
5にシリコン基板
11は堆積物
第2図は従来の堆積物除去装置
6は檗品槽
7は薬品加熱用ヒーター
8は薬品
第3図は本発明による堆積物除去装置
9は高周波発振機
10は高周波コイル
12はキャップ及びエツチングカス導入口第4図は本発
明になるもう1つの堆積物除去装 5− 置。 13はエツチング用ガス導入口?持った内側1石英管 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最上 務 6−
明になるもう1つの堆積物除去装 5− 置。 13はエツチング用ガス導入口?持った内側1石英管 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最上 務 6−
Claims (1)
- 半導体製造に[吏用する炉芯管の内側捷たけ外側から高
周波エネルギー會与える事にエリ、炉芯管等の堆積物?
除去する半導体製造装置へ
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12111681A JPS5821826A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 半導体製造装置の堆積物除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12111681A JPS5821826A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 半導体製造装置の堆積物除去方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7894188A Division JPS63283030A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体製造装置 |
JP7894288A Division JPS63283031A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5821826A true JPS5821826A (ja) | 1983-02-08 |
JPS6359533B2 JPS6359533B2 (ja) | 1988-11-21 |
Family
ID=14803275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12111681A Granted JPS5821826A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 半導体製造装置の堆積物除去方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5821826A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4657616A (en) * | 1985-05-17 | 1987-04-14 | Benzing Technologies, Inc. | In-situ CVD chamber cleaner |
JPS62237720A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 分子線結晶成長装置 |
JPS63283031A (ja) * | 1988-03-31 | 1988-11-18 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
JPS63283030A (ja) * | 1988-03-31 | 1988-11-18 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
US4786352A (en) * | 1986-09-12 | 1988-11-22 | Benzing Technologies, Inc. | Apparatus for in-situ chamber cleaning |
CN117265502A (zh) * | 2023-09-22 | 2023-12-22 | 安徽旭合新能源科技有限公司 | 一种cvd镀膜炉管和炉壁薄膜的清除方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50118977A (ja) * | 1974-03-02 | 1975-09-18 | ||
JPS5358490A (en) * | 1976-11-05 | 1978-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for film |
JPS5486968A (en) * | 1977-12-23 | 1979-07-10 | Hitachi Ltd | Washing |
JPS55138237A (en) * | 1979-04-13 | 1980-10-28 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP12111681A patent/JPS5821826A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS50118977A (ja) * | 1974-03-02 | 1975-09-18 | ||
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JPS55138237A (en) * | 1979-04-13 | 1980-10-28 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US4657616A (en) * | 1985-05-17 | 1987-04-14 | Benzing Technologies, Inc. | In-situ CVD chamber cleaner |
JPS62237720A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 分子線結晶成長装置 |
JPH0329290B2 (ja) * | 1986-04-08 | 1991-04-23 | Kogyo Gijutsuin | |
US4786352A (en) * | 1986-09-12 | 1988-11-22 | Benzing Technologies, Inc. | Apparatus for in-situ chamber cleaning |
JPS63283031A (ja) * | 1988-03-31 | 1988-11-18 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
JPS63283030A (ja) * | 1988-03-31 | 1988-11-18 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
JPH0413853B2 (ja) * | 1988-03-31 | 1992-03-11 | Seiko Epson Corp | |
CN117265502A (zh) * | 2023-09-22 | 2023-12-22 | 安徽旭合新能源科技有限公司 | 一种cvd镀膜炉管和炉壁薄膜的清除方法 |
CN117265502B (zh) * | 2023-09-22 | 2024-04-26 | 安徽旭合新能源科技有限公司 | 一种cvd镀膜炉管和炉壁薄膜的清除方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6359533B2 (ja) | 1988-11-21 |
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