JPH08288596A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
配線基板及びその製造方法Info
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- JPH08288596A JPH08288596A JP9498195A JP9498195A JPH08288596A JP H08288596 A JPH08288596 A JP H08288596A JP 9498195 A JP9498195 A JP 9498195A JP 9498195 A JP9498195 A JP 9498195A JP H08288596 A JPH08288596 A JP H08288596A
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- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
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Landscapes
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】欠けや割れ等の発生を有効に防止するとともに
半導体素子等を外部電気回路に確実に電気的接続するこ
とができる配線基板を提供することにある。 【構成】60乃至95重量%の無機絶縁物粉末と5乃至
40重量%の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶縁物
粉末を前記熱硬化性樹脂により結合した絶縁基体1に、
金属粉末をエポキシ変性アクリレート系樹脂により結合
した配線導体2を被着させた。
半導体素子等を外部電気回路に確実に電気的接続するこ
とができる配線基板を提供することにある。 【構成】60乃至95重量%の無機絶縁物粉末と5乃至
40重量%の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶縁物
粉末を前記熱硬化性樹脂により結合した絶縁基体1に、
金属粉末をエポキシ変性アクリレート系樹脂により結合
した配線導体2を被着させた。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を収容する
ための半導体素子収納用パッケージや混成集積回路基板
等に用いられる配線基板に関するものである。
ための半導体素子収納用パッケージや混成集積回路基板
等に用いられる配線基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、配線基板、例えば半導体素子を収
容する半導体素子収納用パッケージに使用される配線基
板として比較的高密度の配線が可能な積層セラミックス
配線基板が多用されている。この配線基板は、酸化アル
ミニウム質焼結体等のセラミックスより成り、その上面
中央部に半導体素子を収容する凹部を有する絶縁基体
と、前記絶縁基体の凹部周辺から下面にかけて導出され
たタングステン、モリブデン等の高融点金属粉末から成
る配線導体とから構成されており、前記絶縁基体の凹部
底面に半導体素子をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を
介して接着固定するとともに該半導体素子の各電極を例
えばボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して配
線導体に電気的に接続し、しかる後、前記絶縁基体の上
面に、金属やセラミックス等から成る蓋体を絶縁基体の
凹部を塞ぐようにしてガラス、樹脂、ロウ材等の封止材
を介して接合させ、絶得基体の凹部内に半導体素子を気
密に収容することによって製品としての半導体装置とな
る。
容する半導体素子収納用パッケージに使用される配線基
板として比較的高密度の配線が可能な積層セラミックス
配線基板が多用されている。この配線基板は、酸化アル
ミニウム質焼結体等のセラミックスより成り、その上面
中央部に半導体素子を収容する凹部を有する絶縁基体
と、前記絶縁基体の凹部周辺から下面にかけて導出され
たタングステン、モリブデン等の高融点金属粉末から成
る配線導体とから構成されており、前記絶縁基体の凹部
底面に半導体素子をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を
介して接着固定するとともに該半導体素子の各電極を例
えばボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して配
線導体に電気的に接続し、しかる後、前記絶縁基体の上
面に、金属やセラミックス等から成る蓋体を絶縁基体の
凹部を塞ぐようにしてガラス、樹脂、ロウ材等の封止材
を介して接合させ、絶得基体の凹部内に半導体素子を気
密に収容することによって製品としての半導体装置とな
る。
【0003】またこの従来の配線基板は、一般にセラミ
ックグリーンシート積層法によって製作され、具体的に
は、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、
酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バ
インダー、溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともに
これを従来周知のドクターブレード法を採用しシート状
とすることによって複数のセラミックグリーンシートを
得、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な
打ち抜き加工を施すとともに配線導体となる金属ペース
トを所定パターンに印刷塗布し、最後に前記セラミック
グリーンシートを所定の順に上下に積層してセラミック
生成形体となすとともに該セラミック生成形体を還元雰
囲気中、約1600℃の高温で焼成することによって製
作される。
ックグリーンシート積層法によって製作され、具体的に
は、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、
酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バ
インダー、溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともに
これを従来周知のドクターブレード法を採用しシート状
とすることによって複数のセラミックグリーンシートを
得、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な
打ち抜き加工を施すとともに配線導体となる金属ペース
トを所定パターンに印刷塗布し、最後に前記セラミック
グリーンシートを所定の順に上下に積層してセラミック
生成形体となすとともに該セラミック生成形体を還元雰
囲気中、約1600℃の高温で焼成することによって製
作される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板は、絶縁基体を構成する酸化アルミニウム
質焼結体等のセラミックスが硬くて脆い性質を有するた
め、搬送工程や半導体装置製作の自動ライン等において
配線基板同士が、あるいは配線基板と半導体装置製作自
動ラインの一部とが激しく衝突すると絶縁基体に欠けや
割れ、クラック等が発生し、その結果、半導体素子を気
密に収容することができず、半導体素子を長期間にわた
り正常、且つ安定に作動させることができなくなるとい
う欠点を有していた。
来の配線基板は、絶縁基体を構成する酸化アルミニウム
質焼結体等のセラミックスが硬くて脆い性質を有するた
め、搬送工程や半導体装置製作の自動ライン等において
配線基板同士が、あるいは配線基板と半導体装置製作自
動ラインの一部とが激しく衝突すると絶縁基体に欠けや
割れ、クラック等が発生し、その結果、半導体素子を気
密に収容することができず、半導体素子を長期間にわた
り正常、且つ安定に作動させることができなくなるとい
う欠点を有していた。
【0005】また前記配線基板の製造方法によれば、セ
ラミック生成形体を焼成する際、各セラミックグリーン
シートにおけるセラミック原料粉末の密度のバラツキに
起因してセラミック生成形体に不均一な焼成収縮が発生
して得られる配線基板に反り等の変形や寸法のバラツキ
が生じ、変形や寸法のバラツキが大きいと配線導体に断
線を招来するという欠点も有していた。
ラミック生成形体を焼成する際、各セラミックグリーン
シートにおけるセラミック原料粉末の密度のバラツキに
起因してセラミック生成形体に不均一な焼成収縮が発生
して得られる配線基板に反り等の変形や寸法のバラツキ
が生じ、変形や寸法のバラツキが大きいと配線導体に断
線を招来するという欠点も有していた。
【0006】
【発明の目的】本発明は、かかる従来の半導体素子収納
用パッケージの欠点に鑑み案出されたものであり、その
目的は、衝撃力の印加による欠けや割れ等の発生を有効
に防止し、内部に収容する半導体素子を長期間にわたり
正常、且つ安定に作動させることができる配線基板を提
供することにある。
用パッケージの欠点に鑑み案出されたものであり、その
目的は、衝撃力の印加による欠けや割れ等の発生を有効
に防止し、内部に収容する半導体素子を長期間にわたり
正常、且つ安定に作動させることができる配線基板を提
供することにある。
【0007】また本発明の他の目的は反り等の変形や寸
法のバラツキが少なく、配線導体の断線を有効に防止し
て半導体素子等の電極を外部電気回路に確実に電気的接
続することができる配線基板の製造方法を提供すること
にある。
法のバラツキが少なく、配線導体の断線を有効に防止し
て半導体素子等の電極を外部電気回路に確実に電気的接
続することができる配線基板の製造方法を提供すること
にある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、6
0乃至95重量%の無機絶縁物粉末と5乃至40重量%
の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶縁物粉末を前記
熱硬化性樹脂により結合した絶縁基体に、金属粉末をエ
ポキシ変性アクリレート系樹脂により結合した配線導体
を被着させて成ることを特徴とするものである。
0乃至95重量%の無機絶縁物粉末と5乃至40重量%
の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶縁物粉末を前記
熱硬化性樹脂により結合した絶縁基体に、金属粉末をエ
ポキシ変性アクリレート系樹脂により結合した配線導体
を被着させて成ることを特徴とするものである。
【0009】また本発明の配線基板の製造方法は、硬化
性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体
シートを準備する工程と、前記前駆体シートに、エポキ
シ変性アクリレート系樹脂と金属粉末とを混合して成る
金属ペーストを所定パターンに印刷する工程と、前記所
定パターンに印刷された金属ペーストを紫外線にて半硬
化させる工程と、前記前駆体シート及び所定パターンに
印刷された金属ペーストを熱硬化させる工程とから成る
ことを特徴とするものである。
性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体
シートを準備する工程と、前記前駆体シートに、エポキ
シ変性アクリレート系樹脂と金属粉末とを混合して成る
金属ペーストを所定パターンに印刷する工程と、前記所
定パターンに印刷された金属ペーストを紫外線にて半硬
化させる工程と、前記前駆体シート及び所定パターンに
印刷された金属ペーストを熱硬化させる工程とから成る
ことを特徴とするものである。
【0010】
【作用】本発明の配線基板によれば、絶縁基体が無機絶
縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹脂で結合することに
よって形成されていることから配線基板同士あるいは配
線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが激しく衝
突しても絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が発生する
ことはない。
縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹脂で結合することに
よって形成されていることから配線基板同士あるいは配
線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが激しく衝
突しても絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が発生する
ことはない。
【0011】また本発明の配線基板は硬化性樹脂前駆体
と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体シート、及び
エポキシ変性アクリレート系樹脂と金属粉末とを混合し
て成る金属ペーストを熱硬化させることによって製作さ
れ、焼成工程がないことから不均一な焼成収縮に起因す
る変形や寸法のバラツキは発生せず、その結果、配線導
体に断線が招来することもなく、配線導体を介して半導
体素子等の電極を外部電気回路に確実に電気的接続する
ことが可能となる。
と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体シート、及び
エポキシ変性アクリレート系樹脂と金属粉末とを混合し
て成る金属ペーストを熱硬化させることによって製作さ
れ、焼成工程がないことから不均一な焼成収縮に起因す
る変形や寸法のバラツキは発生せず、その結果、配線導
体に断線が招来することもなく、配線導体を介して半導
体素子等の電極を外部電気回路に確実に電気的接続する
ことが可能となる。
【0012】更に本発明の配線基板は硬化性樹脂前駆体
と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体シートに印刷
された金属ペーストを一旦、紫外線によって半硬化させ
ることから前駆体シート等を熱硬化させる際に配線導体
に変形等が発生することはなく、印刷時の形状を維持す
ることができ、配線導体の高密度化が容易となる。
と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体シートに印刷
された金属ペーストを一旦、紫外線によって半硬化させ
ることから前駆体シート等を熱硬化させる際に配線導体
に変形等が発生することはなく、印刷時の形状を維持す
ることができ、配線導体の高密度化が容易となる。
【0013】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図1は本発明の配線基板を半導体素子を収容する半
導体素子収納用パッケージに適用した場合の一実施例を
示し、1は絶縁基体、2は配線導体である。この配線導
体2を絶縁基体1に被着させたものが配線基板となる。
る。図1は本発明の配線基板を半導体素子を収容する半
導体素子収納用パッケージに適用した場合の一実施例を
示し、1は絶縁基体、2は配線導体である。この配線導
体2を絶縁基体1に被着させたものが配線基板となる。
【0014】前記絶縁基体1は3枚の絶縁基板1a、1
b、1cを積層することによって形成されており、その
上面の中央部に半導体素子を収容するための凹部1dを
有し、該凹部1d底面には半導体素子3が樹脂等の接着
材を介して接着固定される。
b、1cを積層することによって形成されており、その
上面の中央部に半導体素子を収容するための凹部1dを
有し、該凹部1d底面には半導体素子3が樹脂等の接着
材を介して接着固定される。
【0015】前記絶縁基体1を構成する3枚の絶縁基板
1a、1b、1cは例えば酸化珪素、酸化アルミニウ
ム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸バリウム等
の無機絶縁物粉末をエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の
熱硬化性樹脂で結合することによって形成されており、
絶縁基体1を構成する3枚の絶縁基板1a、1b、1c
はその各々が無機絶縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹
脂で結合することによって形成されていることから絶縁
基体1に外力が印加されても該外力によって絶縁基体1
に欠けや割れ、クラック等が発生することはない。
1a、1b、1cは例えば酸化珪素、酸化アルミニウ
ム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸バリウム等
の無機絶縁物粉末をエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の
熱硬化性樹脂で結合することによって形成されており、
絶縁基体1を構成する3枚の絶縁基板1a、1b、1c
はその各々が無機絶縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹
脂で結合することによって形成されていることから絶縁
基体1に外力が印加されても該外力によって絶縁基体1
に欠けや割れ、クラック等が発生することはない。
【0016】尚、前記無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で
結合して成る絶縁基体1を構成する3枚の絶縁基板1
a、1b、1cは無機絶縁物粉末の含有量が60重量%
未満であると絶縁基体1の熱膨張係数が半導体素子3の
熱膨張係数に対して大きく相違し、半導体素子3が作動
時に熱を発し、該熱が半導体素子3と絶縁基体1の両者
に印加されると両者間に両者の熱膨張係数の相違に起因
する大きな熱応力が発生し、この大きな熱応力によって
半導体素子3が絶縁基体1より剥離したり、半導体素子
3に割れや欠け等が発生しまう。また95重量%を越え
ると無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で完全に結合させる
ことができず、所定の絶縁基板1a、1b、1cを得る
ことができなくなる。従って、前記絶縁基体1を構成す
る絶縁基板1a、1b、1cはその各々の内部に含有さ
れる無機絶縁物粉末の量が60乃至95重量%の範囲に
特定される。
結合して成る絶縁基体1を構成する3枚の絶縁基板1
a、1b、1cは無機絶縁物粉末の含有量が60重量%
未満であると絶縁基体1の熱膨張係数が半導体素子3の
熱膨張係数に対して大きく相違し、半導体素子3が作動
時に熱を発し、該熱が半導体素子3と絶縁基体1の両者
に印加されると両者間に両者の熱膨張係数の相違に起因
する大きな熱応力が発生し、この大きな熱応力によって
半導体素子3が絶縁基体1より剥離したり、半導体素子
3に割れや欠け等が発生しまう。また95重量%を越え
ると無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で完全に結合させる
ことができず、所定の絶縁基板1a、1b、1cを得る
ことができなくなる。従って、前記絶縁基体1を構成す
る絶縁基板1a、1b、1cはその各々の内部に含有さ
れる無機絶縁物粉末の量が60乃至95重量%の範囲に
特定される。
【0017】また前記絶縁基体1はその凹部1d周辺か
ら下面にかけて配線導体2が被着形成されており、該配
線導体2は銅、銀、金等の金属粉末をエポキシ変性アク
リレート系樹脂により結合したもので形成されている。
ら下面にかけて配線導体2が被着形成されており、該配
線導体2は銅、銀、金等の金属粉末をエポキシ変性アク
リレート系樹脂により結合したもので形成されている。
【0018】前記配線導体2は半導体素子3の電極を外
部電気回路に接続する作用を為し、絶縁基体1の凹部1
d周辺部位に位置する配線導体2には半導体素子3の各
電極がボンディングワイヤ4を介して電気的に接続さ
れ、また絶縁基体1の下面に導出される部位は外部電気
回路に電気的に接続される。
部電気回路に接続する作用を為し、絶縁基体1の凹部1
d周辺部位に位置する配線導体2には半導体素子3の各
電極がボンディングワイヤ4を介して電気的に接続さ
れ、また絶縁基体1の下面に導出される部位は外部電気
回路に電気的に接続される。
【0019】尚、前記金属粉末をエポキシ変性アクリレ
ート系樹脂で結合することによって形成される配線導体
2は金属粉末の含有量が70重量%未満では配線導体2
の電気抵抗値が高くなり、また95重量%を越えると金
属粉末をエポキシ変性アクリレート系樹脂で結合して所
定の配線導体2を形成するのが困難となる。従って、前
記配線層2はその金属粉末の含有量を70乃至95重量
%の範囲としておくことが好ましい。
ート系樹脂で結合することによって形成される配線導体
2は金属粉末の含有量が70重量%未満では配線導体2
の電気抵抗値が高くなり、また95重量%を越えると金
属粉末をエポキシ変性アクリレート系樹脂で結合して所
定の配線導体2を形成するのが困難となる。従って、前
記配線層2はその金属粉末の含有量を70乃至95重量
%の範囲としておくことが好ましい。
【0020】また前記配線導体2はその露出する表面に
ニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つ良導電性の金属を
メッキ法により1乃至20μmの厚みに層着させておく
と配線導体2の酸化腐食を有効に防止することができる
とともに配線導体2にボンディングワイヤ4を強固に電
気的接続させることができる。従って、前記配線導体2
の露出する表面にはニッケルや金等の耐蝕性に優れ、且
つ良導電性の金属をメッキ法により1乃至20μmの厚
みに層着させておくことが好ましい。
ニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つ良導電性の金属を
メッキ法により1乃至20μmの厚みに層着させておく
と配線導体2の酸化腐食を有効に防止することができる
とともに配線導体2にボンディングワイヤ4を強固に電
気的接続させることができる。従って、前記配線導体2
の露出する表面にはニッケルや金等の耐蝕性に優れ、且
つ良導電性の金属をメッキ法により1乃至20μmの厚
みに層着させておくことが好ましい。
【0021】かくして上述の配線基板によれば、絶縁基
体1の凹部1a底面に半導体素子3を樹脂等の接着剤を
介して接着固定するとともに半導体素子3の各電極をボ
ンディングワイヤ4を介して配線導体2に電気的に接続
し、しかる後、絶縁基体1の上面に蓋体5を樹脂等から
成る封止材を介して接合させ、絶縁基体1と蓋体5とか
ら成る容器内部に半導体素子3を気密に収容することに
よって製品としての半導体装置が完成する。
体1の凹部1a底面に半導体素子3を樹脂等の接着剤を
介して接着固定するとともに半導体素子3の各電極をボ
ンディングワイヤ4を介して配線導体2に電気的に接続
し、しかる後、絶縁基体1の上面に蓋体5を樹脂等から
成る封止材を介して接合させ、絶縁基体1と蓋体5とか
ら成る容器内部に半導体素子3を気密に収容することに
よって製品としての半導体装置が完成する。
【0022】次に前記半導体素子収納用パッケージに使
用される配線基板の製造方法について説明する。
用される配線基板の製造方法について説明する。
【0023】まず図2(a)に示すように3枚の前駆体
シート11a、11b、11cを準備する。前記3枚の
前駆体シート11a、11b、11cは無機絶縁物粉末
を熱硬化性樹脂前駆体で結合することによって形成され
ており、例えば粒径が0.1〜100μmの酸化珪素粉
末に、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック型
エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等の
エポキシ樹脂及びアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化
剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合してペース
ト状となし、しかる後、このペーストをシート状になす
とともに約25〜100℃の温度で1〜60分間加熱し
半硬化させることによって製作される。
シート11a、11b、11cを準備する。前記3枚の
前駆体シート11a、11b、11cは無機絶縁物粉末
を熱硬化性樹脂前駆体で結合することによって形成され
ており、例えば粒径が0.1〜100μmの酸化珪素粉
末に、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック型
エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等の
エポキシ樹脂及びアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化
剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合してペース
ト状となし、しかる後、このペーストをシート状になす
とともに約25〜100℃の温度で1〜60分間加熱し
半硬化させることによって製作される。
【0024】次に図2(b)に示すように前記3枚の前
駆体シート11a、11b、11cのうち2枚の前駆体
シート11a、11bに半導体素子3を収容する凹部1
aとなる開口A、A’を、2枚の前駆体シート11b、
11cに配線導体2を引き回すための貫通孔B、B’を
各々形成する。
駆体シート11a、11b、11cのうち2枚の前駆体
シート11a、11bに半導体素子3を収容する凹部1
aとなる開口A、A’を、2枚の前駆体シート11b、
11cに配線導体2を引き回すための貫通孔B、B’を
各々形成する。
【0025】前記開口A、A’及び貫通孔B、B’は前
駆体シート11a、11b、11cに従来周知のパンチ
ング加工法を施し、前駆体シート11a、11b、11
cの各々に所定形状の孔を穿孔することによって形成さ
れる。
駆体シート11a、11b、11cに従来周知のパンチ
ング加工法を施し、前駆体シート11a、11b、11
cの各々に所定形状の孔を穿孔することによって形成さ
れる。
【0026】次に図2(c)に示すように、前記前駆体
シート11b、11cの上下面及び貫通孔B、B’内に
配線導体2と成る金属ペースト12を従来周知のスリー
ン印刷法により所定パターンに印刷塗布するとともにこ
れに紫外線を照射して半硬化させる。
シート11b、11cの上下面及び貫通孔B、B’内に
配線導体2と成る金属ペースト12を従来周知のスリー
ン印刷法により所定パターンに印刷塗布するとともにこ
れに紫外線を照射して半硬化させる。
【0027】前記金属ペースト12としては例えば、金
属粉末として粒径0.1〜20μmの銅粉末に、エポキ
シ変性アクリレート系樹脂を添加混合しペースト状とし
たものが使用される。
属粉末として粒径0.1〜20μmの銅粉末に、エポキ
シ変性アクリレート系樹脂を添加混合しペースト状とし
たものが使用される。
【0028】また前記前駆体シート11b、11cに印
刷塗布された金属ペースト12は紫外線の照射により半
硬化されているため後述する3枚の前駆体シート11
a、11b、11cと該各前駆体シートに所定パターン
に印刷塗布させた金属ペースト12とを熱硬化させて配
線導体2を絶縁基体1に被着させた配線基板を得る際、
金属ペースト12のパターンに変形等が発生することは
なく、その結果、前駆体シート11b、11cに金属ベ
ースト12によるパターンを多数近接させて印刷塗布し
ても隣接するパターン同士が接触して電気的短絡を生じ
ることはなく、前駆体シート11b、11cに金属ペー
スト12によるパターンを高密度に形成することが可能
となる。
刷塗布された金属ペースト12は紫外線の照射により半
硬化されているため後述する3枚の前駆体シート11
a、11b、11cと該各前駆体シートに所定パターン
に印刷塗布させた金属ペースト12とを熱硬化させて配
線導体2を絶縁基体1に被着させた配線基板を得る際、
金属ペースト12のパターンに変形等が発生することは
なく、その結果、前駆体シート11b、11cに金属ベ
ースト12によるパターンを多数近接させて印刷塗布し
ても隣接するパターン同士が接触して電気的短絡を生じ
ることはなく、前駆体シート11b、11cに金属ペー
スト12によるパターンを高密度に形成することが可能
となる。
【0029】尚、前記前駆体シート11b、11cに印
刷塗布された金属ペースト12は紫外線積算量が200
〜1600mJ/cm2 の紫外線を照射することによっ
て半硬化状態となる。
刷塗布された金属ペースト12は紫外線積算量が200
〜1600mJ/cm2 の紫外線を照射することによっ
て半硬化状態となる。
【0030】そして最後に前記3枚の前駆体シート11
a、11b、11cを上下に積層するとともにこれを約
80〜300℃の温度で約10秒〜24時間加熱し、前
記前駆体シート11a、11b、11cと、前駆体シー
ト11b、11cに所定パターンに印刷塗布された金属
ペースト12とを完全に熱硬化させることによって図1
に示すような絶縁基体1に配線導体2を被着させた半導
体素子収納用パッケージに使用される配線基板が完成す
る。この場合、前記前駆体シート11a、11b、11
c及び金属ペースト12は熱硬化時に収縮することは殆
どなく、従って、得られる配線基板に変形や寸法にバラ
ツキが発生することは皆無で、配線導体に断線が招来す
ることはなく、配線導体を介して半導体素子等の電極を
外部電気回路に確実に電気的接続することが可能とな
る。
a、11b、11cを上下に積層するとともにこれを約
80〜300℃の温度で約10秒〜24時間加熱し、前
記前駆体シート11a、11b、11cと、前駆体シー
ト11b、11cに所定パターンに印刷塗布された金属
ペースト12とを完全に熱硬化させることによって図1
に示すような絶縁基体1に配線導体2を被着させた半導
体素子収納用パッケージに使用される配線基板が完成す
る。この場合、前記前駆体シート11a、11b、11
c及び金属ペースト12は熱硬化時に収縮することは殆
どなく、従って、得られる配線基板に変形や寸法にバラ
ツキが発生することは皆無で、配線導体に断線が招来す
ることはなく、配線導体を介して半導体素子等の電極を
外部電気回路に確実に電気的接続することが可能とな
る。
【0031】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では本願発
明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素子収納用
パッケージに適用した場合を例に採って説明したがこれ
を混成集積回路基板等に適用してもよい。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では本願発
明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素子収納用
パッケージに適用した場合を例に採って説明したがこれ
を混成集積回路基板等に適用してもよい。
【0032】また上述の実施例では3枚の前駆体シート
を積層することによって配線基板を製作したが、1枚や
2枚、あるいは4枚以上の前駆体シートを使用して配線
基板を製作してもよい。
を積層することによって配線基板を製作したが、1枚や
2枚、あるいは4枚以上の前駆体シートを使用して配線
基板を製作してもよい。
【0033】
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、絶縁基体が
無機絶縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹脂で結合する
ことによって形成されていることから配線基板同士ある
いは配線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが激
しく衝突しても絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が発
生することはない。
無機絶縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹脂で結合する
ことによって形成されていることから配線基板同士ある
いは配線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが激
しく衝突しても絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が発
生することはない。
【0034】また本発明の配線基板は硬化性樹脂前駆体
と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体シート、及び
エポキシ変性アクリレート系樹脂と金属粉末とを混合し
て成る金属ペーストを熱硬化させることによって製作さ
れ、焼成工程がないことから不均一な焼成収縮に起因す
る変形や寸法のバラツキは発生せず、その結果、配線導
体に断線が招来することもなく、配線導体を介して半導
体素子等の電極を外部電気回路に確実に電気的接続する
ことが可能となる。
と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体シート、及び
エポキシ変性アクリレート系樹脂と金属粉末とを混合し
て成る金属ペーストを熱硬化させることによって製作さ
れ、焼成工程がないことから不均一な焼成収縮に起因す
る変形や寸法のバラツキは発生せず、その結果、配線導
体に断線が招来することもなく、配線導体を介して半導
体素子等の電極を外部電気回路に確実に電気的接続する
ことが可能となる。
【0035】更に本発明の配線基板は硬化性樹脂前駆体
と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体シートに印刷
された金属ペーストを一旦、紫外線によって半硬化させ
ることから前駆体シート等を熱硬化させる際に配線導体
に変形等が発生することはなく、印刷時の形状を維持す
ることができ、配線導体の高密度化が容易となる。
と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体シートに印刷
された金属ペーストを一旦、紫外線によって半硬化させ
ることから前駆体シート等を熱硬化させる際に配線導体
に変形等が発生することはなく、印刷時の形状を維持す
ることができ、配線導体の高密度化が容易となる。
【図1】本発明の配線基板を半導体素子収納用パッケー
ジに適用した場合の一実施例を示す断面図である。
ジに適用した場合の一実施例を示す断面図である。
【図2】(a)乃至(c)は本発明の配線基板の製造方
法を説明するための各工程毎の断面図である。
法を説明するための各工程毎の断面図である。
1・・・・・・・・・・・・・絶縁基体 1a、1b、1c・・・・・・絶縁基板 2・・・・・・・・・・・・・配線導体 11a、11b、11c・・・前駆体シート 12・・・・・・・・・・・・金属ペースト
Claims (2)
- 【請求項1】60乃至95重量%の無機絶縁物粉末と5
乃至40重量%の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶
縁物粉末を前記熱硬化性樹脂により結合した絶縁基体
に、金属粉末をエポキシ変性アクリレート系樹脂により
結合した配線導体を被着させて成る配線基板。 - 【請求項2】熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを
混合して成る前駆体シートを準備する工程と、前記前駆
体シートに、エポキシ変性アクリレート系樹脂と金属粉
末とを混合して成る金属ペーストを所定パターンに印刷
する工程と、前記所定パターンに印刷された金属ペース
トを紫外線にて半硬化させる工程と、前記前駆体シート
及び所定パターンに印刷された金属ペーストを熱硬化さ
せる工程とから成る配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9498195A JP3292620B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 配線基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9498195A JP3292620B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 配線基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08288596A true JPH08288596A (ja) | 1996-11-01 |
JP3292620B2 JP3292620B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=14125085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9498195A Expired - Fee Related JP3292620B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 配線基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3292620B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10163364A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Kyocera Corp | 配線基板 |
US6871396B2 (en) | 2000-02-09 | 2005-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transfer material for wiring substrate |
-
1995
- 1995-04-20 JP JP9498195A patent/JP3292620B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10163364A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Kyocera Corp | 配線基板 |
US6871396B2 (en) | 2000-02-09 | 2005-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transfer material for wiring substrate |
US6936774B2 (en) | 2000-02-09 | 2005-08-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wiring substrate produced by transfer material method |
EP1933376A2 (en) | 2000-02-09 | 2008-06-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transfer material, method for producing the same and wiring substrate produced by using the same |
US7888789B2 (en) | 2000-02-09 | 2011-02-15 | Panasonic Corporation | Transfer material used for producing a wiring substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3292620B2 (ja) | 2002-06-17 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |