JP3393769B2 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

配線基板及びその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板に関し、
より詳細には半導体素子を収容するための半導体素子収
納用パッケージや混成集積回路装置等に用いられる配線
基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、配線基板、例えば半導体素子を収
容する半導体素子収納用パッケージに使用される配線基
板は、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスより
成り、その上面中央部に半導体素子を収容する凹部を有
する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から下面にか
けて導出されたタングステン、モリブデン等の高融点金
属粉末から成る配線導体とから構成されており、前記絶
縁基体の凹部底面に半導体素子をガラス、樹脂、ロウ材
等の接着剤を介して接着固定するとともに該半導体素子
の各電極を、例えばボンディングワイヤ等の電気的接続
手段を介して配線導体に電気的に接続し、しかる後、前
記絶縁基体の上面に、金属やセラミックス等から成る蓋
体を絶縁基体の凹部を塞ぐようにしてガラス、樹脂、ロ
ウ材等の封止部材を介して接合させ、絶縁基体の凹部内
に半導体素子を気密に収容することによって製品として
の半導体装置となる。
【０００３】なお、この従来の配線基板は一般に、セラ
ミックグリーンシート積層法によって製作されており、
具体的には酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシ
ウム、酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な
有機バインダー、溶剤等を添加混合して泥漿状となすと
ともにこれを従来周知のドクターブレード法を採用し、
シート状にすることによって複数枚のセラミックグリー
ンシートを得、しかる後、前記セラミックグリーンシー
トに適当な打ち抜き加工を施すとともに配線導体となる
金属ペーストを所定パターンに印刷塗布し、最後に前記
セラミックグリーンシートを所定の順に上下に積層して
生セラミック成形体となすとともに該生セラミック成形
体を還元雰囲気中、約１６００℃の高温で焼成すること
によって製作される。
【０００４】しかしながら、この従来の配線基板は、絶
縁基体を構成する酸化アルミニウム質焼結体等のセラミ
ックスが硬くて脆い性質を有するため、搬送工程や半導
体装置製作の自動ライン等において配線基板同士が、あ
るいは配線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが
激しく衝突すると絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が
発生し、その結果、半導体素子を気密に収容することが
できず、半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に
作動させることができなくなるという欠点を有してい
た。
【０００５】また、前記配線基板の製造方法によれば、
生セラミック成形体を焼成する際、生セラミック成形体
に不均一な焼成収縮が生じ、得られる配線基板に反り等
の変形や寸法のばらつきが発生して半導体素子の各電極
を所定の配線導体に、あるいは配線導体を所定の外部電
気回路に正確、かつ確実に電気的接続することができな
いという欠点を有していた。
【０００６】そこで、配線基板の絶縁基体を従来のセラ
ミックスに代えて無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で結合
したものに、配線導体を従来の高融点金属粉末に代えて
金属粉末を熱硬化性樹脂で結合したものにした配線基板
が提案されている。この無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂
で結合して成る絶縁基体と金属粉末を熱硬化性樹脂で結
合して成る配線導体とから成る配線基板は、熱硬化性樹
脂と無機絶縁物粉末とを混合して成る半硬化状態の前駆
体シートを準備するとともに該前駆体シートに適当な打
ち抜き加工を施し、次にこれに熱硬化性樹脂と金属粉末
とを混合して成る金属ペーストを所定パターンに印刷塗
布し、最後に前記金属ペーストが印刷塗布された前駆体
シートを必要に応じて積層するとともにこれを約１００
〜３００℃の温度で熱硬化させることによって製作され
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この無
機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で結合して成る絶縁基体と
金属粉末を熱硬化性樹脂で結合して成る配線導体とから
成る配線基板は、絶縁基体に対する配線導体の接合強度
が若干弱く、配線導体に半導体素子の電極を接続する際
等において配線導体に大きな外力が印加されると該外力
によって配線導体が絶縁基体より剥離し、半導体素子等
の電極と配線導体との電気的接続の信頼性が若干劣ると
いう解決すべき課題を有していた。
【０００８】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は絶縁基体と配線導体との接合を強固と
し、配線導体に半導体素子の電極等を強固に電気的接続
することができる配線基板を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、６０重量％乃
至９５重量％の無機絶縁物粉末と５重量％乃至４０重量
％の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶縁物粉末を前
記熱硬化性樹脂により結合して成る前駆体シートを半硬
化させて、前記無機絶縁物粉末を前記熱硬化性樹脂によ
り結合した複数の絶縁基板を積層して成る絶縁基体の前
記絶縁基板に、半硬化の前記前駆体シートとともに熱硬
化させた、金属粉末を熱硬化性樹脂により結合した配線
導体を被着させて成る配線基板であって、前記絶縁基板
と配線導体との間および該配線導体を被着させる前記絶
縁基板とこれに積層される前記絶縁基板との間に、熱硬
化性樹脂から成る中間層を介在させるとともに、該中間
層の熱硬化性樹脂を絶縁基板及び配線導体の各々の熱硬
化性樹脂に架橋反応により接合させたことを特徴とする
ものである。
【００１０】また本発明の配線基板の製造方法は、熱硬
化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る、硬
化後に絶縁基体と成る前駆体シートを準備する工程と、
該前駆体シートを半硬化させる工程と、該半硬化した前
記前駆体シートの一面に熱硬化性樹脂前駆体から成る樹
脂ペーストを塗布する工程と、前記塗布された樹脂ペー
スト上に熱硬化性樹脂前駆体と金属粉末とを混合して成
る、硬化後に配線導体と成る金属ペーストを所定パター
ンに塗布する工程と、前記前駆体シート、樹脂ペースト
及び金属ペーストに圧力を印加しながら加熱処理し、樹
脂ペーストの熱硬化性樹脂と前駆体シート及び金属ペー
ストの熱硬化性樹脂との間に架橋反応をおこさせつつ熱
硬化させる工程と、から成ることを特徴とするものであ
る。
【００１１】本発明の配線基板によれば、絶縁基体が無
機絶縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹脂で結合するこ
とによって形成されていることから配線基板同士あるい
は配線基板と半導体装置製作ラインの一部とが激しく衝
突したとしても絶縁基体に欠けや割れ、クラック等を発
生することはない。
【００１２】また本発明の配線基板によれば、絶縁基板
と配線導体との間および配線導体を被着させる絶縁基板
とこれに積層される絶縁基板との間に熱硬化性樹脂から
成る中間層を介在させるとともに該中間層の熱硬化性樹
脂を絶縁基板及び配線導体の各々の熱硬化性樹脂に架橋
反応により接合させたことから絶縁基板に対する配線導
体の接合強度が極めて強いものとなり、その結果、配線
導体に半導体素子の電極を接続する際等において配線導
体に大きな外力が印加されても配線導体が絶縁基板より
剥離することはなく、半導体素子等の電極を配線導体に
確実、強固に電気的接続することが可能となる。
【００１３】更に本発明の配線基板は、熱硬化性樹脂前
駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る、硬化後に絶縁
基体と成る前駆体シートを準備する工程と、該前駆体シ
ートを半硬化させる工程と、該半硬化した前記前駆体シ
ートの一面に熱硬化性樹脂前駆体から成る樹脂ペースト
を塗布する工程と、前記塗布された樹脂ペースト上に熱
硬化性樹脂前駆体と金属粉末とを混合して成る、硬化後
に配線導体と成る金属ペーストを所定パターンに塗布す
る工程と、前記前駆体シート、樹脂ペースト及び金属ペ
ーストに圧力を印加しながら加熱処理し、樹脂ペースト
の熱硬化性樹脂と前駆体シート及び金属ペーストの熱硬
化性樹脂との間に架橋反応をおこさせつつ熱硬化させる
工程とで製作され、前駆体シート、樹脂ペースト、金属
ペーストの熱硬化性樹脂前駆体は熱硬化時に殆ど収縮し
ないことから不均一な収縮による変形や寸法のばらつき
が発生することもない。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１及び図２は、本発明の配線基板を
半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに適
用した場合の一実施例を示し、１は絶縁基体、２は配線
導体である。
【００１５】前記絶縁基体１は３枚の絶縁基板１ａ、１
ｂ、１ｃを積層することによって形成されており、その
上面の中央部に半導体素子を収容するための凹部１ｄを
有し、該凹部１ｄ底面には半導体素子３が樹脂等の接着
材を介して接着固定される。
【００１６】前記絶縁基体１を構成する３枚の絶縁基板
１ａ、１ｂ、１ｃは、例えば酸化珪素、酸化アルミニウ
ム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸バリウム、
ゼオライト等の無機絶縁物粉末をエポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂等の熱硬化性樹脂で結合することによって形成
されており、絶縁基体１を構成する３枚の絶縁基板１
ａ、１ｂ、１ｃはその各々が無機絶縁物粉末を靱性に優
れる熱硬化性樹脂で接合することによって形成されてい
ることから絶縁基体１に外力が印加されても、該外力に
よって絶縁基体１に欠けや割れ、クラック等が発生する
ことはない。
【００１７】なお、前記無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂
で結合して成る絶縁基体１を構成する３枚の絶縁基板１
ａ、１ｂ、１ｃは無機絶縁物粉末の含有量が６０重量％
未満であると絶縁基体１の熱膨張係数が半導体素子３の
熱膨張係数に対して大きく相違し、半導体素子３が作動
時に熱を発し、該熱が半導体素子３と絶縁基体１の両者
に印加されると両者間に熱膨張係数の相違に起因する大
きな熱応力が発生し、この大きな熱応力によって半導体
素子３が絶縁基体１より剥離したり、半導体素子３に割
れや欠け等が発生してしまう。また９５重量％を越える
と無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で完全に結合させるこ
とができず、所定の絶縁基板１ａ、１ｂ、１ｃを得るこ
とができなくなる。従って、前記絶縁基体１を構成する
絶縁基板１ａ、１ｂ、１ｃはその各々の内部に含有され
る無機絶縁物粉末の量が６０重量％乃至９５重量％の範
囲に特定される。
【００１８】また前記絶縁基体１はその凹部１ｄの周辺
から下面にかけて例えば、銅、銀、金等の金属粉末をエ
ポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂より結合した配線導体２が
形成されている。
【００１９】前記配線導体２は、内部に収容する半導体
素子３を外部電気回路に電気的に接続する作用をなし、
凹部１ｄの周辺部位には半導体素子３の各電極がボンデ
ィングワイヤ４を介して電気的に接続され、また絶縁基
体１の下面に導出する部位は外部電気回路基板に電気的
に接続される。
【００２０】前記配線導体２はそれに含有される金属粉
末の量が７０重量％未満では配線導体２の導電性が悪く
なる傾向にあり、また９５重量％を越えると金属粉末を
熱硬化性樹脂で強固に結合することが困難となる傾向に
ある。従って、前記金属粉末を熱硬化性樹脂で結合して
成る配線導体２は金属粉末の含有量を７０重量％乃至９
５重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００２１】また前記配線導体２は、その露出する表面
にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつ良導電性の金属
をめっき法により１μｍ乃至２０μｍの厚みに被着させ
ておくと、配線導体２の酸化腐食を有効に防止すること
ができるとともに配線導体２とボンディングワイヤ４と
を強固に電気的接続させることができる。従って、前記
配線導体２はその露出する表面にニッケルや金等の耐蝕
性に優れ、かつ良導電性である金属をめっき法により１
μｍ乃至２０μｍ厚みに被着させておくことが好まし
い。
【００２２】前記配線導体２はまた絶縁基体１の下面に
導出する部位に、外部電気回路と電気的に接続されるバ
ンプ電極２ａが形成されており、該バンプ電極２ａを外
部電気回路基板の配線導体に半田等の導電性接着剤を介
して接合することにより内部に収容する半導体素子３は
外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００２３】更に前記配線導体２と絶縁基体１を構成す
る絶縁基板１ｂの上面との間に図２に示すように、中間
層５が介在されており、該中間層５によって配線導体２
と絶縁基板１ｂとが強固に接合し、配線導体２に半導体
素子３の電極をボンディングワイヤ４を介して接続させ
る際等において、配線導体２に大きな外力が印加された
としても該外力によって配線導体２が絶縁基体１（絶縁
基板１ｂの上面）より剥離することはなく、これによっ
て半導体素子３の各電極を配線導体２に確実、強固に電
気的接続することが可能となる。
【００２４】前記中間層５はビスマレイミド−トリアジ
ン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹
脂から成り、絶縁基板１ｂの熱硬化性樹脂と配線導体２
の熱硬化性樹脂とに架橋反応、具体的には中間層５の熱
硬化性樹脂がビスマレイミド−トリアジン樹脂、絶縁基
板１ｂ及び配線導体２の熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の
場合、中間層５のビスマレイミド−トリアジン樹脂の主
成分であるシアネート基に存在する第３級アミンが、絶
縁基板１ｂ及び配線導体２のエポキシ樹脂のエポキシ基
の開環重合として働いて架橋反応を起こしたり、ビスマ
レイミド樹脂に存在する−Ｃ＝Ｏと、エボキシ基が架橋
反応を起こすことによって配線導体２を絶縁基板１ｂに
強固に接合させる。
【００２５】なお、前記中間層５はその厚みが１０μｍ
未満となると配線導体２を絶縁基板１ｂ上に強固に接合
するのが困難となり、また７０μｍを越えると中間層５
と配線導体２及び絶縁基板１ｂとの間に熱膨張係数の相
違に伴う熱応力によって剥離が発生してしまう危険性が
ある。従って、前記中間層５はその厚みを１０μｍ乃至
７０μｍの範囲としておくことが好ましい。
【００２６】また、前記中間層５はその内部に酸化珪
素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、
チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、酸化チタ
ン等のフィラーを含有させておいてもよい。但し、その
含有量は５０重量％を越えると配線導体２中の熱硬化性
樹脂及び絶縁基板１ｂ中の熱硬化性樹脂との架橋反応性
が悪くなってしまうので５０重量％以下とすることが好
ましい。
【００２７】かくして上述の配線基板よれば、絶縁基体
１の凹部１ｄ底面に半導体素子３を接着剤を介して接着
固定するとともに半導体素子３の各電極をボンディング
ワイヤ４を介して配線導体２に電気的に接続し、しかる
後、前記絶縁基体１の上面に蓋体６を封止剤を介して接
合させ、絶縁基体１１と蓋体６とから成る容器内部に半
導体素子３を気密に収容することによって製品としての
半導体装置となる。
【００２８】次に前記半導体素子収納用パッケージに使
用される配線基板の製造方法について図３に基づき説明
する。まず図３（ａ）に示すように、３枚の前駆体シー
ト１１ａ、１１ｂ、１１ｃを準備する。
【００２９】前記３枚の前駆体シート１１ａ、１１ｂ、
１１ｃは酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウ
ム、炭化珪素、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチ
ウム、酸化チタン等の無機絶縁物粉末をエポキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬
化性樹脂前駆体で結合することによって形成されてお
り、例えば粒径が０．１〜１００μｍの酸化珪素粉末
に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エ
ポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等のエ
ポキシ樹脂、及びアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化
剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合してペース
ト状となし、しかる後、このペーストをシート状になす
とともに約２５〜１００℃の温度で１〜６０分間加熱
し、半硬化させことによって製作される。
【００３０】次に図３（ｂ）に示すように、前記前駆体
シート１１ｂの上面に中間層となる樹脂ペースト膜１５
を形成する。
【００３１】前記樹脂ペースト膜１５はエポキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬
化性樹脂前駆体から成り、前記前駆体シート１１ｂの上
面に１０μｍ〜７０μｍの厚みに被着させることよって
前駆体シート１１ｂの上面に形成される。
【００３２】前記樹脂ペースト膜１５の前駆体シート１
１ｂの上面への形成は前駆体シート１１ｂの上面に熱硬
化性樹脂前駆体から成る樹脂ペーストを塗布するととも
にこれを約２５〜１００℃の温度で１〜６０分間熱処理
し、樹脂ペースト中の熱硬化性樹脂を半硬化させること
によって行われる。
【００３３】次に図３（ｃ）に示すように、前記３枚の
前駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃのうち２枚の前駆
体シート１１ａ、１１ｂに半導体素子３を収容する凹部
１ｄとなる開口Ａ、Ａ’を、２枚の前駆体シート１１
ｂ、１１ｃに配線導体２を引き回すための貫通孔Ｂ、
Ｂ’を各々形成する。
【００３４】前記開口Ａ、Ａ’及び貫通孔Ｂ、Ｂ’は前
駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃに従来周知のパンチ
ング加工法を施し、前駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１
ｃの各々に所定形状の孔を穿孔することによって形成さ
れる。
【００３５】次に図３（ｄ）に示すように、前記前駆体
シート１１ｂ、１１ｃの上下面及び貫通孔Ｂ、Ｂ’内に
配線導体２となる金属ペースト１２を従来周知のスクリ
ーン印刷法により所定パターンに印刷塗布するとともに
これを約２５〜１００℃の温度で１〜６０分間加熱し、
半硬化させる。
【００３６】前記金属ペースト１２としては、例えば、
粒径が０．１〜２０μｍ程度の銅等の粉末にビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グ
リシジルエステル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、及
びアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系
硬化剤等の硬化剤を添加混合しペースト状となしたもの
が使用される。
【００３７】そして最後に前記３枚の前駆体シート１１
ａ、１１ｂ、１１ｃを上下に積層し、上下より一定の圧
力（５〜５０Ｋｇｆ／ｃｍ2 ）で押圧しつつ約８０〜３
００℃の温度を１０秒〜２４時間印加し、前記樹脂ペー
スト膜１５の熱硬化性樹脂と前記前駆体シート１１ｂの
熱硬化性樹脂及び金属ペースト１２の熱硬化性樹脂を架
橋反応させるとともに前記前駆体シート１１ａ、１１
ｂ、１１ｃ、樹脂ペースト膜１５及び所定パターンに印
刷塗布された金属ペースト１２を完全に熱硬化させるこ
とによって図１に示すような絶縁基体１に配線導体２を
被着させた配線基板が完成する。この場合、前記前駆体
シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、樹脂ペースト膜１５及
び金属ペースト１２は熱硬化時に収縮することは殆どな
く、従って、得られる配線基板に変形や寸法のばらつき
が発生することはなく、これによって半導体素子と配線
導体とを正確に接続することが可能となる。
【００３８】また前記３枚の前駆体シート１１ａ、１１
ｂ、１１ｃを上下より５〜５０Ｋｇｆ／ｃｍ2 で押圧す
るのは樹脂ペースト膜１５の熱硬化性樹脂と金属ペース
ト１２及び前駆体シート１１ｂの熱硬化性樹脂との架橋
反応を促進するとともに各々の密着性を高めるためであ
り、押圧力が５Ｋｇｆ／ｃｍ2 未満ではその目的が充分
に達成されず、また５０Ｋｇｆ／ｃｍ2 を越えると得ら
れる絶縁基体が大きく変形し寸法精度が低下することか
ら５〜５０Ｋｇｆ／ｃｍ2 の範囲としておくことが好ま
しい。
【００３９】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では、本
発明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素子収納
用パッケージに適用した場合を例に採って説明したが、
これを混成集積回路等に用いられる配線基板としても適
用できることはいうまでもない。
【００４０】更に上述の実施例では、３枚の前駆体シー
トを積層することによって配線基板を製作したが、一枚
や二枚、或いは四枚以上の絶縁基板を積層することによ
って形成してもよい。
【００４１】
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、絶縁基体が
無機絶縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹脂で結合する
ことによって形成されていることから配線基板同士ある
いは配線基板と半導体装置製作ラインの一部とが激しく
衝突したとしても絶縁基体に欠けや割れ、クラック等を
発生することはない。
【００４２】また本発明の配線基板によれば、絶縁基板
と配線導体との間および該配線導体を被着させる前記絶
縁基板とこれに積層される前記絶縁基板との間に熱硬化
性樹脂から成る中間層を介在させるとともに該中間層の
熱硬化性樹脂を絶縁基板及び配線導体の各々の熱硬化性
樹脂に架橋反応により接合させたことから絶縁基板に対
する配線導体の接合強度が極めて強いものとなり、その
結果、配線導体に半導体素子の電極を接続する際等にお
いて配線導体に大きな外力が印加されても配線導体が絶
縁基板より剥離することはなく、半導体素子等の電極を
配線導体に確実、強固に電気的接続することが可能とな
る。
【００４３】更に本発明の配線基板は、熱硬化性樹脂前
駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る、硬化後に絶縁
基体と成る前駆体シートを準備する工程と、該前駆体シ
ートを半硬化させる工程と、該半硬化した前記前駆体シ
ートの一面に熱硬化性樹脂前駆体から成る樹脂ペースト
を塗布する工程と、前記塗布された樹脂ペースト上に熱
硬化性樹脂前駆体と金属粉末とを混合して成る、硬化後
に配線導体と成る金属ペーストを所定パターンに塗布す
る工程と、前記前駆体シート、樹脂ペースト及び金属ペ
ーストに圧力を印加しながら加熱処理し、樹脂ペースト
の熱硬化性樹脂と前駆体シート及び金属ペーストの熱硬
化性樹脂との間に架橋反応をおこさせつつ熱硬化させる
工程とで製作され、前駆体シート、樹脂ペースト、金属
ペーストの熱硬化性樹脂前駆体は熱硬化時に殆ど収縮し
ないことから不均一な収縮による変形や寸法のばらつき
が発生することもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板を半導体素子収納用パッケー
ジに適用した場合の一実施例を示す断面図である。
【図２】図１に示す配線基板の要部拡大断面図である。
【図３】（ａ）乃至（ｄ）は本発明の配線基板の製造方
法を説明するための工程毎の断面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・・・・・絶縁基体 １ａ、１ｂ、１ｃ・・・絶縁基板 ２・・・・・・・・・・配線導体 ５・・・・・・・・・・中間層 １１ａ、１１ｂ、１１ｃ・・前駆体シート １２・・・・・・・・・・・金属ペースト １５・・・・・・・・・・・樹脂ペースト膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｔ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ 23/14 Ｒ (56)参考文献 特開 平８−125291（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−288596（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−215994（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−232548（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−123792（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−150123（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 1/02 H05K 1/03 H05K 1/09 H05K 3/12 H05K 3/46 H01L 23/12 - 23/15 H01B 1/00 - 1/24

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】６０重量％乃至９５重量％の無機絶縁物粉
    末と５重量％乃至４０重量％の熱硬化性樹脂とから成
    り、前記無機絶縁物粉末を前記熱硬化性樹脂により結合
    して成る前駆体シートを半硬化させて、前記無機絶縁物
    粉末を前記熱硬化性樹脂により結合した複数の絶縁基板
    を積層して成る絶縁基体の前記絶縁基板に、半硬化の前
    記前駆体シートとともに熱硬化させた、金属粉末を熱硬
    化性樹脂により結合した配線導体を被着させて成る配線
    基板であって、前記絶縁基板と配線導体との間および該
    配線導体を被着させる前記絶縁基板とこれに積層される
    前記絶縁基板との間に、熱硬化性樹脂から成る中間層を
    介在させるとともに、該中間層の熱硬化性樹脂を絶縁基
    板及び配線導体の各々の熱硬化性樹脂に架橋反応により
    接合させたことを特徴とする配線基板。
  2. 【請求項２】前記中間層の厚みが１０μｍ乃至７０μｍ
    であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
  3. 【請求項３】熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを
    混合して成る、硬化後に絶縁基体と成る前駆体シートを
    準備する工程と、該前駆体シートを半硬化させる工程
    と、該半硬化した前記前駆体シートの一面に熱硬化性樹
    脂前駆体から成る樹脂ペーストを塗布する工程と、前記
    塗布された樹脂ペースト上に熱硬化性樹脂前駆体と金属
    粉末とを混合して成る、硬化後に配線導体と成る金属ペ
    ーストを所定パターンに塗布する工程と、前記前駆体シ
    ート、樹脂ペースト及び金属ペーストに圧力を印加しな
    がら加熱処理し、樹脂ペーストの熱硬化性樹脂と前駆体
    シート及び金属ペーストの熱硬化性樹脂との間に架橋反
    応をおこさせつつ熱硬化させる工程と、から成ることを
    特徴とする配線基板の製造方法。
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