JPH1012759A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
配線基板及びその製造方法Info
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- JPH1012759A JPH1012759A JP15846696A JP15846696A JPH1012759A JP H1012759 A JPH1012759 A JP H1012759A JP 15846696 A JP15846696 A JP 15846696A JP 15846696 A JP15846696 A JP 15846696A JP H1012759 A JPH1012759 A JP H1012759A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】積層された絶縁基板間に隙間が形成されて内部
に収容する半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定
に作動させることができない。 【解決手段】60乃至95重量%の無機絶縁物粉末を5
乃至40重量%の熱硬化性樹脂により結合した複数枚の
絶縁基板1a〜1cが上下に積層されて成る絶縁基体1
と、前記上下に積層された絶縁基板1a〜1c間に配設
され、金属粉末を熱硬化性樹脂により結合して成る複数
の配線導体2と、を有する配線基板であって、前記配線
導体2が配設された絶縁基板1a〜1c間に前記複数の
配線導体2間を埋める絶縁層5が配設されている。
に収容する半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定
に作動させることができない。 【解決手段】60乃至95重量%の無機絶縁物粉末を5
乃至40重量%の熱硬化性樹脂により結合した複数枚の
絶縁基板1a〜1cが上下に積層されて成る絶縁基体1
と、前記上下に積層された絶縁基板1a〜1c間に配設
され、金属粉末を熱硬化性樹脂により結合して成る複数
の配線導体2と、を有する配線基板であって、前記配線
導体2が配設された絶縁基板1a〜1c間に前記複数の
配線導体2間を埋める絶縁層5が配設されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を収容
するための半導体素子収納用パッケージや混成集積回路
基板等に用いられる配線基板に関するものである。
するための半導体素子収納用パッケージや混成集積回路
基板等に用いられる配線基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、配線基板、例えば半導体素子を収
容する半導体素子収納用パッケージに使用される配線基
板は、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスより
成り、その上面中央部に半導体素子を収容するための凹
部を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から下
面にかけて導出されたタングステン、モリブデン等の高
融点金属粉末から成る配線導体とから構成されており、
前記絶縁基体の凹部底面に半導体素子をガラス、樹脂、
ロウ材等の接着剤を介して接着固定するとともに該半導
体素子の各電極を例えばボンディングワイヤ等の電気的
接続手段を介して配線導体に電気的に接続し、しかる
後、前記絶縁基体の上面に、金属やセラミックス等から
成る蓋体を絶縁基体の凹部を塞ぐようにしてガラス、樹
脂、ロウ材等の封止材を介して接合させ、絶縁基体の凹
部内に半導体素子を気密に収容することによって製品と
しての半導体装置となり、配線導体で絶縁基体下面に導
出した部位を外部の電気回路基板の配線導体に半田等の
電気的接続手段を介して接続することにより収容する半
導体素子が外部電気回路基板に電気的に接続されること
となる。
容する半導体素子収納用パッケージに使用される配線基
板は、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスより
成り、その上面中央部に半導体素子を収容するための凹
部を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から下
面にかけて導出されたタングステン、モリブデン等の高
融点金属粉末から成る配線導体とから構成されており、
前記絶縁基体の凹部底面に半導体素子をガラス、樹脂、
ロウ材等の接着剤を介して接着固定するとともに該半導
体素子の各電極を例えばボンディングワイヤ等の電気的
接続手段を介して配線導体に電気的に接続し、しかる
後、前記絶縁基体の上面に、金属やセラミックス等から
成る蓋体を絶縁基体の凹部を塞ぐようにしてガラス、樹
脂、ロウ材等の封止材を介して接合させ、絶縁基体の凹
部内に半導体素子を気密に収容することによって製品と
しての半導体装置となり、配線導体で絶縁基体下面に導
出した部位を外部の電気回路基板の配線導体に半田等の
電気的接続手段を介して接続することにより収容する半
導体素子が外部電気回路基板に電気的に接続されること
となる。
【0003】この従来の配線基板は、セラミックグリー
ンシート積層法によって製作され、具体的には、酸化ア
ルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシ
ウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダー、
溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来
周知のドクターブレード法を採用してシート状とするこ
とによって複数のセラミックグリーンシートを得、しか
る後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き
加工を施すとともに配線導体となる金属ペーストを所定
パターンに印刷塗布し、最後に前記セラミックグリーン
シートを所定の順に上下に積層して生セラミック成形体
となすとともに該生セラミック成形体を還元雰囲気中約
1600℃の高温で焼成することによって製作される。
ンシート積層法によって製作され、具体的には、酸化ア
ルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシ
ウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダー、
溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来
周知のドクターブレード法を採用してシート状とするこ
とによって複数のセラミックグリーンシートを得、しか
る後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き
加工を施すとともに配線導体となる金属ペーストを所定
パターンに印刷塗布し、最後に前記セラミックグリーン
シートを所定の順に上下に積層して生セラミック成形体
となすとともに該生セラミック成形体を還元雰囲気中約
1600℃の高温で焼成することによって製作される。
【0004】しかしながら、この従来の配線基板は、絶
縁基体を構成する酸化アルミニウム質焼結体等のセラミ
ックスが硬くて脆い性質を有するため、搬送工程や半導
体装置製作の自動ライン等において配線基板同士が、あ
るいは配線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが
激しく衝突すると絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が
発生し、その結果、半導体素子を気密に収容することが
できず、半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に
作動させることができなくなるという欠点を有してい
た。
縁基体を構成する酸化アルミニウム質焼結体等のセラミ
ックスが硬くて脆い性質を有するため、搬送工程や半導
体装置製作の自動ライン等において配線基板同士が、あ
るいは配線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが
激しく衝突すると絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が
発生し、その結果、半導体素子を気密に収容することが
できず、半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に
作動させることができなくなるという欠点を有してい
た。
【0005】また、前記配線基板の製造方法によれば、
生セラミック成形体を焼成する際、生セラミック成形体
に不均一な焼成収縮が発生し、得られる配線基板に反り
等の変形や寸法のばらつきが発生し、その結果、半導体
素子と配線導体とを電気的に正確、且つ確実に接続する
ことが困難であるという欠点を有していた。
生セラミック成形体を焼成する際、生セラミック成形体
に不均一な焼成収縮が発生し、得られる配線基板に反り
等の変形や寸法のばらつきが発生し、その結果、半導体
素子と配線導体とを電気的に正確、且つ確実に接続する
ことが困難であるという欠点を有していた。
【0006】そこで、本願出願人は先に特願平6−26
3407において、配線基板の絶縁基体を、従来のセラ
ミックスに代えて無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂により
結合して成る材料で形成し、また該絶縁基体に被着され
た配線導体を、従来のタングステンやモリブデン等の高
融点金属メタライズに代えて銅等の金属粉末を熱硬化性
樹脂により結合して成る材料で形成した配線基板及びそ
の製造方法を提案した。
3407において、配線基板の絶縁基体を、従来のセラ
ミックスに代えて無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂により
結合して成る材料で形成し、また該絶縁基体に被着され
た配線導体を、従来のタングステンやモリブデン等の高
融点金属メタライズに代えて銅等の金属粉末を熱硬化性
樹脂により結合して成る材料で形成した配線基板及びそ
の製造方法を提案した。
【0007】この無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂により
結合して成る絶縁基体に金属粉末を熱硬化性樹脂により
結合して成る配線導体が被着されて成る配線基板によれ
ば、絶縁基体となる無機絶縁物粉末及び配線導体となる
金属粉末を靭性に優れる熱硬化性樹脂により結合して成
ることから配線基板同士あるいは配線基板と半導体装置
製作自動ラインの一部とが激しく衝突しても絶縁基体に
欠けや割れ、クラック等が発生することはない。
結合して成る絶縁基体に金属粉末を熱硬化性樹脂により
結合して成る配線導体が被着されて成る配線基板によれ
ば、絶縁基体となる無機絶縁物粉末及び配線導体となる
金属粉末を靭性に優れる熱硬化性樹脂により結合して成
ることから配線基板同士あるいは配線基板と半導体装置
製作自動ラインの一部とが激しく衝突しても絶縁基体に
欠けや割れ、クラック等が発生することはない。
【0008】またこの配線基板は、例えば複数の絶縁基
板が積層されて成る場合、先ず熱硬化性樹脂前駆体と無
機絶縁物粉末とを混合して成る半硬化された前駆体シー
トを複数枚準備し、次に前記半硬化された前駆体シート
の各々に熱硬化性樹脂前駆体と金属粉末とを混合して成
る金属ペーストを必要に応じて所定パターンに印刷塗布
するとともにこれを加熱して前記金属ペーストを半硬化
させ、最後に前記前駆体シートを上下に積層加圧すると
ともにこれを加熱して前記前駆体シート及び金属ペース
トを完全に熱硬化させることにより製作され、前記前駆
体シート及び金属ペーストを熱硬化させることにより製
作されることから、焼成に伴う不均一な収縮による変形
や寸法のばらつきが発生することもない。
板が積層されて成る場合、先ず熱硬化性樹脂前駆体と無
機絶縁物粉末とを混合して成る半硬化された前駆体シー
トを複数枚準備し、次に前記半硬化された前駆体シート
の各々に熱硬化性樹脂前駆体と金属粉末とを混合して成
る金属ペーストを必要に応じて所定パターンに印刷塗布
するとともにこれを加熱して前記金属ペーストを半硬化
させ、最後に前記前駆体シートを上下に積層加圧すると
ともにこれを加熱して前記前駆体シート及び金属ペース
トを完全に熱硬化させることにより製作され、前記前駆
体シート及び金属ペーストを熱硬化させることにより製
作されることから、焼成に伴う不均一な収縮による変形
や寸法のばらつきが発生することもない。
【0009】しかしながら、前記配線基板は、絶縁基板
が複数枚積層され、前記配線導体が絶縁基板と絶縁基板
との間に配設される場合、該配線導体を上下の絶縁基板
中に完全に埋入させた状態で各絶縁基板が積層される必
要があり、さもなければ、積層された絶縁基板間に隙間
が形成され、内部に収容する半導体素子を気密に封止す
ることが不可となったり、あるいは大気中の水分が該隙
間に浸入して配線導体に腐食を発生させたりして、半導
体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させるこ
とができなくなってしまうという欠点を誘発する。
が複数枚積層され、前記配線導体が絶縁基板と絶縁基板
との間に配設される場合、該配線導体を上下の絶縁基板
中に完全に埋入させた状態で各絶縁基板が積層される必
要があり、さもなければ、積層された絶縁基板間に隙間
が形成され、内部に収容する半導体素子を気密に封止す
ることが不可となったり、あるいは大気中の水分が該隙
間に浸入して配線導体に腐食を発生させたりして、半導
体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させるこ
とができなくなってしまうという欠点を誘発する。
【0010】尚、前記絶縁基板同士を、絶縁基板間に配
設された配線導体を上下の絶縁基板中に完全に埋入させ
た状態で積層するには、各絶縁基板となる前駆体シート
であってこれらに印刷塗布された金属ペーストに接する
部分を該前駆体シートを上下に積層加圧する際の圧力に
よって金属ペーストの厚みに対応する分だけ圧縮変形さ
せ、これにより配線導体となる金属ペーストを上下の前
駆体シート中に完全に埋入させるとともに、その状態で
上下の前駆体シートを熱硬化させる方法が採用される。
設された配線導体を上下の絶縁基板中に完全に埋入させ
た状態で積層するには、各絶縁基板となる前駆体シート
であってこれらに印刷塗布された金属ペーストに接する
部分を該前駆体シートを上下に積層加圧する際の圧力に
よって金属ペーストの厚みに対応する分だけ圧縮変形さ
せ、これにより配線導体となる金属ペーストを上下の前
駆体シート中に完全に埋入させるとともに、その状態で
上下の前駆体シートを熱硬化させる方法が採用される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近時の
半導体装置や混成集積回路基板等の小型高密度化に伴
い、これらに使用される配線基板は、その配線導体の配
線密度が大きなものとなるとともに積層される絶縁基板
の数も多数となってきており、このように配線導体の配
線密度が高くなるとともに積層される絶縁基板の数が多
くなると、各絶縁基板となる前駆体シートを積層加圧す
る際に、前駆体シートであって配線導体となる金属ペー
ストに接する部分の面積が極めて大きなものとなり、そ
のため該部分を積層圧力により十分に圧縮変形させるこ
とができず、その結果、積層された絶縁基板間に隙間が
形成されて内部に収容する半導体素子を長期間にわたり
正常、且つ安定に作動させることができないという欠点
を招来した。
半導体装置や混成集積回路基板等の小型高密度化に伴
い、これらに使用される配線基板は、その配線導体の配
線密度が大きなものとなるとともに積層される絶縁基板
の数も多数となってきており、このように配線導体の配
線密度が高くなるとともに積層される絶縁基板の数が多
くなると、各絶縁基板となる前駆体シートを積層加圧す
る際に、前駆体シートであって配線導体となる金属ペー
ストに接する部分の面積が極めて大きなものとなり、そ
のため該部分を積層圧力により十分に圧縮変形させるこ
とができず、その結果、積層された絶縁基板間に隙間が
形成されて内部に収容する半導体素子を長期間にわたり
正常、且つ安定に作動させることができないという欠点
を招来した。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、6
0乃至95重量%の無機絶縁物粉末を5乃至40重量%
の熱硬化性樹脂により結合した複数枚の絶縁基板が上下
に積層されて成る絶縁基体と、前記上下に積層された絶
縁基板間に配設され、金属粉末を熱硬化性樹脂により結
合して成る複数の配線導体とを有する配線基板におい
て、前記配線導体が配設された絶縁基板間に前記複数の
配線導体間を埋める絶縁層が配設されていることを特徴
とするものであり、配線導体が配設された絶縁基板間に
配線導体間を埋める絶縁層を配設したことから積層され
た絶縁基板間に隙間が形成されることはない。
0乃至95重量%の無機絶縁物粉末を5乃至40重量%
の熱硬化性樹脂により結合した複数枚の絶縁基板が上下
に積層されて成る絶縁基体と、前記上下に積層された絶
縁基板間に配設され、金属粉末を熱硬化性樹脂により結
合して成る複数の配線導体とを有する配線基板におい
て、前記配線導体が配設された絶縁基板間に前記複数の
配線導体間を埋める絶縁層が配設されていることを特徴
とするものであり、配線導体が配設された絶縁基板間に
配線導体間を埋める絶縁層を配設したことから積層され
た絶縁基板間に隙間が形成されることはない。
【0013】また本発明の配線基板によれば、前記絶縁
層を前記絶縁基板と実質的に同一の材料で形成すると各
絶縁基板を強固に積層することができる。
層を前記絶縁基板と実質的に同一の材料で形成すると各
絶縁基板を強固に積層することができる。
【0014】更に本発明の配線基板の製造方法は、熱硬
化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆
体シートを準備する工程と、前記前駆体シートに熱硬化
性樹脂前駆体と金属粉末とを混合して成る金属ペースト
を所定パターンに印刷する工程と、前記金属ペーストが
印刷塗布された前駆体シートに熱硬化性樹脂前駆体と無
機絶縁物粉末とを混合して成る絶縁ペーストを前記金属
ペーストのパターン間を埋めるように印刷する工程と、
前記金属ペースト及び絶縁ペーストが印刷された前駆体
シート上に他の前駆体シートを積層する工程と、前記前
駆体シートと金属ペーストと絶縁ペーストとを熱硬化さ
せる工程と、から成ることを特徴とするものであり、前
記金属ペーストが印刷塗布された前駆体シートに熱硬化
性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る絶縁ペ
ーストを前記金属ペーストのパターン間を埋めるように
印刷することから、該前駆体シート上に他の前駆体シー
トを積層しても両者間に隙間が形成されることはない。
化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆
体シートを準備する工程と、前記前駆体シートに熱硬化
性樹脂前駆体と金属粉末とを混合して成る金属ペースト
を所定パターンに印刷する工程と、前記金属ペーストが
印刷塗布された前駆体シートに熱硬化性樹脂前駆体と無
機絶縁物粉末とを混合して成る絶縁ペーストを前記金属
ペーストのパターン間を埋めるように印刷する工程と、
前記金属ペースト及び絶縁ペーストが印刷された前駆体
シート上に他の前駆体シートを積層する工程と、前記前
駆体シートと金属ペーストと絶縁ペーストとを熱硬化さ
せる工程と、から成ることを特徴とするものであり、前
記金属ペーストが印刷塗布された前駆体シートに熱硬化
性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る絶縁ペ
ーストを前記金属ペーストのパターン間を埋めるように
印刷することから、該前駆体シート上に他の前駆体シー
トを積層しても両者間に隙間が形成されることはない。
【0015】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面に基づ
き、詳細に説明する。図1は、本発明の配線基板を半導
体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用し
た場合の一実施形態例を示し、1は絶縁基体、2は配線
導体である。
き、詳細に説明する。図1は、本発明の配線基板を半導
体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用し
た場合の一実施形態例を示し、1は絶縁基体、2は配線
導体である。
【0016】前記絶縁基体1は、例えば酸化珪素、酸化
アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸
バリウム、ゼオライト等の無機絶縁物粉末をエポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、熱硬化性ポ
リフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化樹脂により結合し
た材料から成る三枚の絶縁基板1a、1b、1cが積層
されて成るとともにその上面中央部に段状に凹む凹部A
を有しており、該凹部A底面には半導体素子3が樹脂等
の接着剤を介して接着固定される。
アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸
バリウム、ゼオライト等の無機絶縁物粉末をエポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、熱硬化性ポ
リフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化樹脂により結合し
た材料から成る三枚の絶縁基板1a、1b、1cが積層
されて成るとともにその上面中央部に段状に凹む凹部A
を有しており、該凹部A底面には半導体素子3が樹脂等
の接着剤を介して接着固定される。
【0017】尚、前記絶縁基体1は、凹部1A底面に絶
縁基板1cの一部が、凹部1Aの各段上に絶縁基板1b
の一部がそれぞれ露出するようになっている。
縁基板1cの一部が、凹部1Aの各段上に絶縁基板1b
の一部がそれぞれ露出するようになっている。
【0018】前記絶縁基体1a、1b、1cに含有され
る無機絶縁物粉末は、その粒径が0.1〜100μm程
度であり、絶縁基板1a、1b、1cの熱膨張係数を半
導体素子3の熱膨張係数に近いものとする作用を為すと
ともに絶縁基板1a、1b、1cに良好な熱伝導性や耐
水性、あるいは所定の比誘電率等を付与する作用を為
し、一方前記絶縁基体1a、1b、1cに含有される熱
硬化性樹脂は、前記無機絶縁粉末同士を結合し、絶縁基
体1を所定の形状に保持する作用を為す。
る無機絶縁物粉末は、その粒径が0.1〜100μm程
度であり、絶縁基板1a、1b、1cの熱膨張係数を半
導体素子3の熱膨張係数に近いものとする作用を為すと
ともに絶縁基板1a、1b、1cに良好な熱伝導性や耐
水性、あるいは所定の比誘電率等を付与する作用を為
し、一方前記絶縁基体1a、1b、1cに含有される熱
硬化性樹脂は、前記無機絶縁粉末同士を結合し、絶縁基
体1を所定の形状に保持する作用を為す。
【0019】前記絶縁基板1a、1b、1cは、無機絶
縁物粉末を靭性に優れる熱硬化樹脂により結合して成る
ことから、配線基板同士が衝突した際等に絶縁基体1に
欠けや割れ、クラック等が発生することは一切ない。
縁物粉末を靭性に優れる熱硬化樹脂により結合して成る
ことから、配線基板同士が衝突した際等に絶縁基体1に
欠けや割れ、クラック等が発生することは一切ない。
【0020】また、前記絶縁基板1a、1b、1cは、
その中に含有される無機絶縁物粉末の含有量が60重量
%未満であると絶縁基体1の熱膨張係数が半導体素子3
の熱膨張係数と比較して極めて大きなものとなり、半導
体素子3が作動時に発生する熱が半導体素子3と絶縁基
体1とに印加されると両者の熱膨張係数の相違に起因し
て大きな熱応力が発生し、半導体素子3に絶縁基体1か
らの剥離や割れを発生させやすい傾向にあり、また無機
絶縁物粉末の含有量が95重量%を越えると無機絶縁物
粉末を熱硬化樹脂で強固に結合することが困難となる傾
向にある。従って、前記絶縁基板1a、1b、1cは、
その中に含有される無機絶縁物粉末の含有量が60乃至
95重量%の範囲に特定される。
その中に含有される無機絶縁物粉末の含有量が60重量
%未満であると絶縁基体1の熱膨張係数が半導体素子3
の熱膨張係数と比較して極めて大きなものとなり、半導
体素子3が作動時に発生する熱が半導体素子3と絶縁基
体1とに印加されると両者の熱膨張係数の相違に起因し
て大きな熱応力が発生し、半導体素子3に絶縁基体1か
らの剥離や割れを発生させやすい傾向にあり、また無機
絶縁物粉末の含有量が95重量%を越えると無機絶縁物
粉末を熱硬化樹脂で強固に結合することが困難となる傾
向にある。従って、前記絶縁基板1a、1b、1cは、
その中に含有される無機絶縁物粉末の含有量が60乃至
95重量%の範囲に特定される。
【0021】更に前記絶縁基体1は、その凹部Aの段上
に露出した絶縁基板1b上面から絶縁基板1b、1cを
貫通して絶縁基板1c下面に導出する、例えば銅、銀、
金等の金属粉末をエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂により
結合した多数の配線導体2が配設されている。
に露出した絶縁基板1b上面から絶縁基板1b、1cを
貫通して絶縁基板1c下面に導出する、例えば銅、銀、
金等の金属粉末をエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂により
結合した多数の配線導体2が配設されている。
【0022】前記配線導体2は、内部に収容する半導体
素子3を外部電気回路に電気的に接続する作用を為し、
その凹部Aの段上部位には半導体素子3の各電極がボン
ディングワイヤ4を介して電気的に接続され、またその
絶縁基体1下面に導出する部位は外部電気回路基板に電
気的に接続される。
素子3を外部電気回路に電気的に接続する作用を為し、
その凹部Aの段上部位には半導体素子3の各電極がボン
ディングワイヤ4を介して電気的に接続され、またその
絶縁基体1下面に導出する部位は外部電気回路基板に電
気的に接続される。
【0023】前記配線導体2に含有される金属粉末は、
配線導体2に導電性を付与する作用を為し、配線導体2
における含有量が70重量%未満では配線導体2の導電
性が悪くなる傾向にあり、また配線導体2における含有
量が95重量%を越えると金属粉末を熱硬化性樹脂で強
固に結合することが困難となる傾向にある。従って、前
記配線導体2に含有される金属粉末は、配線導体2にお
ける含有量が70乃至95重量%の範囲が好ましい。
配線導体2に導電性を付与する作用を為し、配線導体2
における含有量が70重量%未満では配線導体2の導電
性が悪くなる傾向にあり、また配線導体2における含有
量が95重量%を越えると金属粉末を熱硬化性樹脂で強
固に結合することが困難となる傾向にある。従って、前
記配線導体2に含有される金属粉末は、配線導体2にお
ける含有量が70乃至95重量%の範囲が好ましい。
【0024】尚、前記配線導体2に含有される金属粉末
は、その平均粒径が0.5μm未満であると金属粉末同
士の接触抵抗が増加して配線導体2の電気抵抗が高いも
のとなる傾向にあり、また50μmを越えると絶縁基体
1に所定パターンの配線導体2を一般に要求される50
乃至200μmの線幅に形成するのが困難となる傾向に
ある。従って、前記配線導体2に含有される金属粉末
は、その平均粒径を0.5乃至50μmとしておくこと
が好ましい。
は、その平均粒径が0.5μm未満であると金属粉末同
士の接触抵抗が増加して配線導体2の電気抵抗が高いも
のとなる傾向にあり、また50μmを越えると絶縁基体
1に所定パターンの配線導体2を一般に要求される50
乃至200μmの線幅に形成するのが困難となる傾向に
ある。従って、前記配線導体2に含有される金属粉末
は、その平均粒径を0.5乃至50μmとしておくこと
が好ましい。
【0025】また、前記配線導体2に含有される熱硬化
性樹脂は、前記金属粉末同士を互いに接触させた状態で
結合させるとともに配線導体2を絶縁基体1に被着させ
る作用を為し、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボ
ラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ
樹脂等のエポキシ樹脂や、フェノール樹脂、ポリイミド
樹脂、ビスマレイミド樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエ
ーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る。
性樹脂は、前記金属粉末同士を互いに接触させた状態で
結合させるとともに配線導体2を絶縁基体1に被着させ
る作用を為し、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボ
ラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ
樹脂等のエポキシ樹脂や、フェノール樹脂、ポリイミド
樹脂、ビスマレイミド樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエ
ーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る。
【0026】前記熱硬化性樹脂は、配線導体2における
含有量が5重量%未満では金属粉末同士を強固に結合で
きないとともに配線導体2を絶縁基体1に強固に被着さ
せることが困難となり、また配線導体2における含有量
が30重量%を越えると金属粉末同士を十分に接触させ
ることが困難となり、配線導体2の電気抵抗が大きなも
のとなる傾向にある。従って、前記配線導体2に含有さ
れる熱硬化性樹脂は、配線導体2における含有量が5乃
至30重量%の範囲が好ましい。
含有量が5重量%未満では金属粉末同士を強固に結合で
きないとともに配線導体2を絶縁基体1に強固に被着さ
せることが困難となり、また配線導体2における含有量
が30重量%を越えると金属粉末同士を十分に接触させ
ることが困難となり、配線導体2の電気抵抗が大きなも
のとなる傾向にある。従って、前記配線導体2に含有さ
れる熱硬化性樹脂は、配線導体2における含有量が5乃
至30重量%の範囲が好ましい。
【0027】前記配線導体2は、またその露出する表面
にニッケルや金等の耐蝕性に優れ、且つボンディングワ
イヤ4等との接合性に優れる金属をめっき法により1〜
20μmの厚みに被着させておくと、配線導体2が酸化
腐食することを有効に防止することができるとともに配
線導体2とボンディングワイヤ4及び外部電気回路基板
の配線導体との接続を容易、且つ強固に行うことができ
る。従って、前記配線導体2はその露出する表面にニッ
ケルや金等の耐蝕性に優れ、且つボンディングワイヤ4
等との接続性に優れる金属をめっき法により1〜20μ
mの厚みに被着させておくことが好ましい。
にニッケルや金等の耐蝕性に優れ、且つボンディングワ
イヤ4等との接合性に優れる金属をめっき法により1〜
20μmの厚みに被着させておくと、配線導体2が酸化
腐食することを有効に防止することができるとともに配
線導体2とボンディングワイヤ4及び外部電気回路基板
の配線導体との接続を容易、且つ強固に行うことができ
る。従って、前記配線導体2はその露出する表面にニッ
ケルや金等の耐蝕性に優れ、且つボンディングワイヤ4
等との接続性に優れる金属をめっき法により1〜20μ
mの厚みに被着させておくことが好ましい。
【0028】更に、前記絶縁基体1は、各絶縁基板1a
と1bとの間に配設された配線導体2の間に該配線導体
2の間を埋めるようにして絶縁層5が配設されている。
と1bとの間に配設された配線導体2の間に該配線導体
2の間を埋めるようにして絶縁層5が配設されている。
【0029】前記絶縁層5は、例えば酸化珪素、酸化ア
ルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸バ
リウム、ゼオライト等の無機絶縁物粉末をエポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、熱硬化性ポ
リフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化樹脂により結合し
てなり、上下に積層された各縁基板1aと1bとの間に
形成される隙間を埋めるとともに各絶縁基板1aと1b
とを接着する作用を為し、これにより前記絶縁基体1
は、各絶縁基板1a、1b、1cがこれらの間に隙間を
発生させることなく強固に積層され、その結果、内部に
収容する半導体素子3を長期間にわたり正常、且つ安定
に作動させることができる。
ルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸バ
リウム、ゼオライト等の無機絶縁物粉末をエポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、熱硬化性ポ
リフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化樹脂により結合し
てなり、上下に積層された各縁基板1aと1bとの間に
形成される隙間を埋めるとともに各絶縁基板1aと1b
とを接着する作用を為し、これにより前記絶縁基体1
は、各絶縁基板1a、1b、1cがこれらの間に隙間を
発生させることなく強固に積層され、その結果、内部に
収容する半導体素子3を長期間にわたり正常、且つ安定
に作動させることができる。
【0030】前記絶縁層5は、その中に含有される無機
絶縁物粉末の含有量が60重量%未満であると絶縁層5
と上下の絶縁基板1a、1bとの熱膨張係数の差が大き
なものとなって半導体素子3が作動時に発生する熱が絶
縁層5と絶縁基板1a、1bとに印加されると絶縁層5
と上下の絶縁基板1a、1bとの熱膨張係数の相違に起
因して大きな熱応力が発生し、絶縁層5と絶縁基板1
a、1bとの間に剥離やクラックを発生させやすい傾向
にあり、また無機絶縁物粉末の含有量が95重量%を越
えると、上下の絶縁基板1a、1bを絶縁層5により強
固に接着することが困難となる傾向にある。従って、前
記絶縁層5は、その中に含有される無機絶縁物粉末の含
有量が60乃至95重量%の範囲が好ましい。
絶縁物粉末の含有量が60重量%未満であると絶縁層5
と上下の絶縁基板1a、1bとの熱膨張係数の差が大き
なものとなって半導体素子3が作動時に発生する熱が絶
縁層5と絶縁基板1a、1bとに印加されると絶縁層5
と上下の絶縁基板1a、1bとの熱膨張係数の相違に起
因して大きな熱応力が発生し、絶縁層5と絶縁基板1
a、1bとの間に剥離やクラックを発生させやすい傾向
にあり、また無機絶縁物粉末の含有量が95重量%を越
えると、上下の絶縁基板1a、1bを絶縁層5により強
固に接着することが困難となる傾向にある。従って、前
記絶縁層5は、その中に含有される無機絶縁物粉末の含
有量が60乃至95重量%の範囲が好ましい。
【0031】また前記絶縁層5は、前記絶縁基板1a、
1bを形成する材料と実質的に同一の材料で形成してお
くと、絶縁層5と絶縁基板1a、1bとの熱膨張係数が
実質的に同一となり、従って、半導体素子3が作動時に
発生する際等の熱が絶縁層5と絶縁基板1a、1bとに
印加されても絶縁層5と絶縁基板1a、1bとの熱膨張
係数の相違に起因して大きな熱応力が発生することは一
切なく、絶縁基板1a、1bを強固に接合させることが
できる。従って前記絶縁層5は、前記絶縁基板1a、1
bを形成する材料と実質的に同一の材料で形成しておく
ことが好ましい。
1bを形成する材料と実質的に同一の材料で形成してお
くと、絶縁層5と絶縁基板1a、1bとの熱膨張係数が
実質的に同一となり、従って、半導体素子3が作動時に
発生する際等の熱が絶縁層5と絶縁基板1a、1bとに
印加されても絶縁層5と絶縁基板1a、1bとの熱膨張
係数の相違に起因して大きな熱応力が発生することは一
切なく、絶縁基板1a、1bを強固に接合させることが
できる。従って前記絶縁層5は、前記絶縁基板1a、1
bを形成する材料と実質的に同一の材料で形成しておく
ことが好ましい。
【0032】かくして本発明の配線基板によれば、絶縁
基体1の凹部A底面に半導体素子3を接着固定するとと
もに半導体素子3の各電極をボンディングワイヤ4を介
して配線導体2に電気的に接続し、最後に前記絶縁基体
1の上面に蓋体6を封止材を介して接合させることによ
り製品としての半導体装置となる。
基体1の凹部A底面に半導体素子3を接着固定するとと
もに半導体素子3の各電極をボンディングワイヤ4を介
して配線導体2に電気的に接続し、最後に前記絶縁基体
1の上面に蓋体6を封止材を介して接合させることによ
り製品としての半導体装置となる。
【0033】次に本発明の配線基板の製造方法について
説明する。先ず、図3に示すように無機絶縁物粉末を熱
硬化性樹脂前駆体で結合して成る3枚の半硬化させた前
駆体シート11a、11b、11cを準備する。
説明する。先ず、図3に示すように無機絶縁物粉末を熱
硬化性樹脂前駆体で結合して成る3枚の半硬化させた前
駆体シート11a、11b、11cを準備する。
【0034】前記3枚の半硬化させた前駆体シート11
a、11b、11cは、例えば無機絶縁物粉末が酸化珪
素から成り、熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂から成る場
合、先ず粒径が0.1〜100μm程度の酸化珪素粉末
にビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック型エポ
キシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等のエポ
キシ樹脂及びアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、
酸無水物系硬化剤等の硬化剤等を添加混合して得たペー
ストを従来周知のドクターブレード法等のシート成形技
術を採用してシート状となすとともにこれを約25〜1
00℃の温度で1〜60分加熱し半硬化させることによ
って製作される。
a、11b、11cは、例えば無機絶縁物粉末が酸化珪
素から成り、熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂から成る場
合、先ず粒径が0.1〜100μm程度の酸化珪素粉末
にビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック型エポ
キシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等のエポ
キシ樹脂及びアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、
酸無水物系硬化剤等の硬化剤等を添加混合して得たペー
ストを従来周知のドクターブレード法等のシート成形技
術を採用してシート状となすとともにこれを約25〜1
00℃の温度で1〜60分加熱し半硬化させることによ
って製作される。
【0035】尚、前記前駆体シート11a、11b、1
1cは、その硝子転移点温度が−20乃至40℃の範囲
となるように半硬化させておくと、後述するように三枚
の前駆体シート11a、11b、11cに、打ち抜き加
工を施したり配線導体2となる金属ペーストを印刷塗布
する際等に前駆体シート11a、11b、11cに変形
やクラックをさせることなく正確、且つ確実に打ち抜き
加工や金属ペーストの印刷を行うことができ、その結
果、所望の配線基板を正確、且つ確実に製作することが
できる。従って、前記半硬化させた前駆体シート11
a、11b、11cはそのガラス転移点温度を−20乃
至40の範囲としておくことが好ましい。
1cは、その硝子転移点温度が−20乃至40℃の範囲
となるように半硬化させておくと、後述するように三枚
の前駆体シート11a、11b、11cに、打ち抜き加
工を施したり配線導体2となる金属ペーストを印刷塗布
する際等に前駆体シート11a、11b、11cに変形
やクラックをさせることなく正確、且つ確実に打ち抜き
加工や金属ペーストの印刷を行うことができ、その結
果、所望の配線基板を正確、且つ確実に製作することが
できる。従って、前記半硬化させた前駆体シート11
a、11b、11cはそのガラス転移点温度を−20乃
至40の範囲としておくことが好ましい。
【0036】次に図4に示すように前記3枚の半硬化さ
せた前駆体シート11a、11b、11cのうちニ枚の
前駆体シート11a、11bに凹部Aとなる開口A1、
A2を、2枚の前駆体シート11b、11cに配線導体
2を引き回すための通路となる貫通孔B1、B2を各々
形成する。
せた前駆体シート11a、11b、11cのうちニ枚の
前駆体シート11a、11bに凹部Aとなる開口A1、
A2を、2枚の前駆体シート11b、11cに配線導体
2を引き回すための通路となる貫通孔B1、B2を各々
形成する。
【0037】前記開口A1、A2及び貫通孔B1、B2
は、半硬化された前駆体シート11a、11b、11c
に従来周知のパンチング加工法を施し、前駆体シート1
1a、11b、11cの各々に所定形状の孔を穿孔する
ことによって形成される。
は、半硬化された前駆体シート11a、11b、11c
に従来周知のパンチング加工法を施し、前駆体シート1
1a、11b、11cの各々に所定形状の孔を穿孔する
ことによって形成される。
【0038】次に図5に示すように、前記半硬化された
前駆体シート11bの上面、前駆体シート11cの下面
及び前駆体シート11b、11cに形成された貫通孔B
1、B2内に配線導体2となる金属ペースト12を従来
周知のスクリーン印刷法及び充填法を採用して所定パタ
ーンに印刷塗布及び充填するとともにこれを約25〜1
00℃の温度で1〜60分間加熱し前記金属ペースト1
2を半硬化させる。
前駆体シート11bの上面、前駆体シート11cの下面
及び前駆体シート11b、11cに形成された貫通孔B
1、B2内に配線導体2となる金属ペースト12を従来
周知のスクリーン印刷法及び充填法を採用して所定パタ
ーンに印刷塗布及び充填するとともにこれを約25〜1
00℃の温度で1〜60分間加熱し前記金属ペースト1
2を半硬化させる。
【0039】尚、前記配線導体2となる金属ペースト1
2としては、例えば粒径が0.1〜20μm程度の銅等
粉末にビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック型
エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等の
エポキシ樹脂及びアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化
剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤等を添加混合しペース
ト状となしたものが使用される。
2としては、例えば粒径が0.1〜20μm程度の銅等
粉末にビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック型
エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等の
エポキシ樹脂及びアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化
剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤等を添加混合しペース
ト状となしたものが使用される。
【0040】次に図6に示すように前記前駆体シート1
1bの上面で、後述する工程において前駆体シート11
aが積層される領域に絶縁層5となる絶縁ペースト13
を、該前駆体シート11bに印刷塗布された金属ペース
ト12のパターン間を埋めるようにして従来周知のスク
リーン印刷法を採用して印刷塗布する。
1bの上面で、後述する工程において前駆体シート11
aが積層される領域に絶縁層5となる絶縁ペースト13
を、該前駆体シート11bに印刷塗布された金属ペース
ト12のパターン間を埋めるようにして従来周知のスク
リーン印刷法を採用して印刷塗布する。
【0041】前記前駆体シート11bは、その上面に絶
縁ペースト13が金属ペースト12のパターン間を埋め
るようにして印刷塗布されていることから、後述するよ
うに前駆体シート11a、11b、11cを積層加圧す
る際に各前駆体シート11a、11b間に隙間が形成さ
れることはない。
縁ペースト13が金属ペースト12のパターン間を埋め
るようにして印刷塗布されていることから、後述するよ
うに前駆体シート11a、11b、11cを積層加圧す
る際に各前駆体シート11a、11b間に隙間が形成さ
れることはない。
【0042】尚、前記絶縁層5となる絶縁ペースト13
は、熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して
成り、例えばこれに含有される無機絶縁物粉末が酸化珪
素から成り、熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂から成る場
合、先ず粒径が0.1〜100μm程度の酸化珪素粉末
にビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック型エポ
キシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等のエポ
キシ樹脂及びアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、
酸無水物系硬化剤等の硬化剤等を添加混合することによ
り製作される。
は、熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して
成り、例えばこれに含有される無機絶縁物粉末が酸化珪
素から成り、熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂から成る場
合、先ず粒径が0.1〜100μm程度の酸化珪素粉末
にビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック型エポ
キシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等のエポ
キシ樹脂及びアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、
酸無水物系硬化剤等の硬化剤等を添加混合することによ
り製作される。
【0043】そして最後に図7に示すように前記5枚の
前駆体シート11a、11b、11cを上下に重ねると
ともに約10kgf/cm2 の圧力で上下に積層加圧
し、これを約80〜300℃の温度で約10秒〜24時
間加熱して前記前駆体シート11a、11b、11c、
金属ペースト12、絶縁ペースト13を完全に熱硬化さ
せることによって図1に示すような絶縁基体1に配線導
体2を被着させた配線基板が完成する。この場合、前駆
体シート11bは、その上面に絶縁ペースト13が金属
ペースト12のパターン間を埋めるようにして印刷塗布
されていることから、前駆体シート11a、11b、1
1cを積層加圧する際に各前駆体シート11a、11
b、11c間に隙間が形成されることはなく、従って各
絶縁基板1a、1b、1c間に隙間のない配線基板を提
供することができる。また同時に、前記前駆体シート1
1a、11b、11c、金属ペースト12及び絶縁ペー
スト13は、熱硬化時に収縮することは殆どなく、従っ
て、得られる配線基板に変形や寸法のばらつきが発生す
ることは皆無であり、半導体素子と配線導体とを正確に
接続することが可能となる。
前駆体シート11a、11b、11cを上下に重ねると
ともに約10kgf/cm2 の圧力で上下に積層加圧
し、これを約80〜300℃の温度で約10秒〜24時
間加熱して前記前駆体シート11a、11b、11c、
金属ペースト12、絶縁ペースト13を完全に熱硬化さ
せることによって図1に示すような絶縁基体1に配線導
体2を被着させた配線基板が完成する。この場合、前駆
体シート11bは、その上面に絶縁ペースト13が金属
ペースト12のパターン間を埋めるようにして印刷塗布
されていることから、前駆体シート11a、11b、1
1cを積層加圧する際に各前駆体シート11a、11
b、11c間に隙間が形成されることはなく、従って各
絶縁基板1a、1b、1c間に隙間のない配線基板を提
供することができる。また同時に、前記前駆体シート1
1a、11b、11c、金属ペースト12及び絶縁ペー
スト13は、熱硬化時に収縮することは殆どなく、従っ
て、得られる配線基板に変形や寸法のばらつきが発生す
ることは皆無であり、半導体素子と配線導体とを正確に
接続することが可能となる。
【0044】尚、本発明は上述の実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれ
ば、種々の変更は可能であり、例えば上述の実施の形態
においては本発明の配線基板を半導体素子を収容する半
導体素子収納用パッケージに適用した場合を例にとって
説明したが、これを混成集積回路基板等に用いられる配
線基板に適用してもよい。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれ
ば、種々の変更は可能であり、例えば上述の実施の形態
においては本発明の配線基板を半導体素子を収容する半
導体素子収納用パッケージに適用した場合を例にとって
説明したが、これを混成集積回路基板等に用いられる配
線基板に適用してもよい。
【0045】また、上述の実施の形態では、配線基板は
3枚の絶縁基板が積層されることにより形成されていた
が、配線基板は2枚、あるいは4枚以上の絶縁基板が積
層されることにより形成されていてもよい。
3枚の絶縁基板が積層されることにより形成されていた
が、配線基板は2枚、あるいは4枚以上の絶縁基板が積
層されることにより形成されていてもよい。
【0046】更に、上述の実施の形態では配線導体は、
金属粉末を熱硬化性樹脂で結合することによって形成さ
れていたが、配線導体は金属粉末を半田等の低融点金属
及び熱硬化性樹脂により結合することにより形成されて
いても良い。この場合、配線導体となる金属ペースト中
に半田等の低融点金属を適宜量含有させておき、該配線
導体となる金属ペーストを熱硬化させる前、あるいは熱
硬化させるのと同時に金属ペーストに含有された低融点
金属を熔融させることによって金属粉末を低融点金属に
より結合する方法が採用され得る。
金属粉末を熱硬化性樹脂で結合することによって形成さ
れていたが、配線導体は金属粉末を半田等の低融点金属
及び熱硬化性樹脂により結合することにより形成されて
いても良い。この場合、配線導体となる金属ペースト中
に半田等の低融点金属を適宜量含有させておき、該配線
導体となる金属ペーストを熱硬化させる前、あるいは熱
硬化させるのと同時に金属ペーストに含有された低融点
金属を熔融させることによって金属粉末を低融点金属に
より結合する方法が採用され得る。
【0047】また更に、上述の実施の形態では、前記絶
縁層は、絶縁基体の外周壁から凹部内壁にかけて配設さ
れていたが、前記絶縁層は絶縁基体の外周部及び凹部内
壁近傍部のみに部分的に配設されても良く、また絶縁基
体の外周部のみに部分的に配設されていてもよい。
縁層は、絶縁基体の外周壁から凹部内壁にかけて配設さ
れていたが、前記絶縁層は絶縁基体の外周部及び凹部内
壁近傍部のみに部分的に配設されても良く、また絶縁基
体の外周部のみに部分的に配設されていてもよい。
【0048】
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、配線導体が
配設された絶縁基板間に前記複数の配線導体間を埋める
絶縁層が配設されていることから、積層された絶縁基板
間に隙間が形成されることはなく、その結果、内部に収
容する半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作
動させることができる。
配設された絶縁基板間に前記複数の配線導体間を埋める
絶縁層が配設されていることから、積層された絶縁基板
間に隙間が形成されることはなく、その結果、内部に収
容する半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作
動させることができる。
【0049】また、本発明の配線基板によると、前記絶
縁層を前記絶縁基板と実質的に同一の材料で形成すると
各絶縁基板を強固に積層することができる。
縁層を前記絶縁基板と実質的に同一の材料で形成すると
各絶縁基板を強固に積層することができる。
【0050】更に、本発明の配線基板の製造方法による
と、金属ペーストが印刷塗布された前駆体シートに熱硬
化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る絶縁
ペーストを前記金属ペーストのパターン間を埋めるよう
に印刷することから、該前駆体シート上に他の前駆体シ
ートを積層しても両者間に隙間が形成されることはな
く、従って、各絶縁基板間に隙間がなく気密性の高い配
線基板を提供することができる。
と、金属ペーストが印刷塗布された前駆体シートに熱硬
化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る絶縁
ペーストを前記金属ペーストのパターン間を埋めるよう
に印刷することから、該前駆体シート上に他の前駆体シ
ートを積層しても両者間に隙間が形成されることはな
く、従って、各絶縁基板間に隙間がなく気密性の高い配
線基板を提供することができる。
【図1】本発明の配線基板を半導体素子収納用パッケー
ジに適用した場合の一実施形態例を示す断面図である。
ジに適用した場合の一実施形態例を示す断面図である。
【図2】(a)〜(d)は、本発明の配線基板の製造方
法を説明するための工程毎の断面図である。
法を説明するための工程毎の断面図である。
1・・・・・・絶縁基体 1a〜1c・・絶縁基板 2・・・・・・配線導体 3・・・・・・半導体素子 5・・・・・・絶縁層
Claims (3)
- 【請求項1】60乃至95重量%の無機絶縁物粉末を5
乃至40重量%の熱硬化性樹脂により結合した複数枚の
絶縁基板が上下に積層されて成る絶縁基体と、前記上下
に積層された絶縁基板間に配設され、金属粉末を熱硬化
性樹脂により結合して成る複数の配線導体とを有する配
線基板であって、前記配線導体が配設された絶縁基板間
に前記複数の配線導体間を埋める絶縁層が配設されてい
ることを特徴とする配線基板。 - 【請求項2】前記絶縁層が前記絶縁基板と実質的に同一
の材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記
載の配線基板。 - 【請求項3】熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを
混合して成る前駆体シートを準備する工程と、前記前駆
体シートに熱硬化性樹脂前駆体と金属粉末とを混合して
成る金属ペーストを所定パターンに印刷する工程と、前
記金属ペーストが印刷塗布された前駆体シートに熱硬化
性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る絶縁ペ
ーストを前記金属ペーストのパターン間を埋めるように
印刷する工程と、前記金属ペースト及び絶縁ペーストが
印刷された前駆体シート上に他の前駆体シートを積層す
る工程と、前記前駆体シートと金属ペーストと絶縁ペー
ストとを熱硬化させる工程と、から成ることを特徴とす
る配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15846696A JPH1012759A (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | 配線基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15846696A JPH1012759A (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | 配線基板及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1012759A true JPH1012759A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15672364
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15846696A Pending JPH1012759A (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | 配線基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1012759A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007109851A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトインタラプタ |
-
1996
- 1996-06-19 JP JP15846696A patent/JPH1012759A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007109851A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトインタラプタ |
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