JPH07326772A - 個別ダイオード装置 - Google Patents
個別ダイオード装置Info
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- JPH07326772A JPH07326772A JP12687695A JP12687695A JPH07326772A JP H07326772 A JPH07326772 A JP H07326772A JP 12687695 A JP12687695 A JP 12687695A JP 12687695 A JP12687695 A JP 12687695A JP H07326772 A JPH07326772 A JP H07326772A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ダイオードを構成する半導体基板上に抵抗を形
成し、その抵抗の一端をダイオードの一方と接続して素
子の複合化を図り、個別部品または集積回路では得るこ
とのできない利点を持つ個別ダイオード装置を提供する
こと。 【構成】半導体基板１０の表面に半導体基板１０の導電
領域よりも低濃度に形成した第１導電領域１１を有する
とともに、第１導電領域１１の表面に第２導電領域１２
を形成した個別ダイオード装置において、半導体基板１
０の表面に酸化膜１３を介してポリシリコン成長膜によ
り形成された薄膜抵抗１５と、薄膜抵抗１５の一方端に
導通するように形成された第１の金属電極１４と、薄膜
抵抗１５の他方端と第２導電領域１２とに導通するよう
に形成された第２の金属電極１４’と、半導体基板１０
の裏面に形成された第３の金属電極１６とを有すること
を特徴としている。
成し、その抵抗の一端をダイオードの一方と接続して素
子の複合化を図り、個別部品または集積回路では得るこ
とのできない利点を持つ個別ダイオード装置を提供する
こと。 【構成】半導体基板１０の表面に半導体基板１０の導電
領域よりも低濃度に形成した第１導電領域１１を有する
とともに、第１導電領域１１の表面に第２導電領域１２
を形成した個別ダイオード装置において、半導体基板１
０の表面に酸化膜１３を介してポリシリコン成長膜によ
り形成された薄膜抵抗１５と、薄膜抵抗１５の一方端に
導通するように形成された第１の金属電極１４と、薄膜
抵抗１５の他方端と第２導電領域１２とに導通するよう
に形成された第２の金属電極１４’と、半導体基板１０
の裏面に形成された第３の金属電極１６とを有すること
を特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、１つのパッケージに
収納された個別ダイオード装置に関する。
収納された個別ダイオード装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ビデオテープレコーダ等、多数の各種電
子回路を複合して構成される電子機器では、その構成回
路を集積回路（ＩＣ）化することが機能面で不利になる
場合や回路定数の設定等によりＩＣ化が困難な場合があ
る。例えばダイオードは、その整流特性と順方向電圧降
下特性を利用したクリップ回路、スライス回路、クラン
プ回路、電圧電流特性を利用した関数発生回路、また、
整流特性を利用した電流の逆流防止回路など様々な回路
部分に用いられるが、このように種々の目的に使用可能
なダイオードは個別部品としての用途も多く、他のチッ
プ部品とともにプリント基板に個別に実装されている。
子回路を複合して構成される電子機器では、その構成回
路を集積回路（ＩＣ）化することが機能面で不利になる
場合や回路定数の設定等によりＩＣ化が困難な場合があ
る。例えばダイオードは、その整流特性と順方向電圧降
下特性を利用したクリップ回路、スライス回路、クラン
プ回路、電圧電流特性を利用した関数発生回路、また、
整流特性を利用した電流の逆流防止回路など様々な回路
部分に用いられるが、このように種々の目的に使用可能
なダイオードは個別部品としての用途も多く、他のチッ
プ部品とともにプリント基板に個別に実装されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ダイオードを用いた前
記各種回路は、そのほとんどの場合、図３に示すように
ダイオードＤのアノード側に抵抗Ｒが接続されている
か、図４に示すようにダイオードＤのカソード側に抵抗
Ｒが接続されている。したがって、個別部品としてダイ
オードを用いる場合には、ほとんどの場合、個別部品と
しての抵抗器も必要となる。このようにダイオードを用
いた回路を個別部品で構成する場合、プリント基板上の
部品実装面積が大きくなり、電子機器の小型軽量化を妨
げ、またプリント基板に対する実装工程も多くなり、こ
の種の回路を数多く必要とするビデオテープレコーダ等
の電子機器では部品コストとともに製造コストも嵩む。
記各種回路は、そのほとんどの場合、図３に示すように
ダイオードＤのアノード側に抵抗Ｒが接続されている
か、図４に示すようにダイオードＤのカソード側に抵抗
Ｒが接続されている。したがって、個別部品としてダイ
オードを用いる場合には、ほとんどの場合、個別部品と
しての抵抗器も必要となる。このようにダイオードを用
いた回路を個別部品で構成する場合、プリント基板上の
部品実装面積が大きくなり、電子機器の小型軽量化を妨
げ、またプリント基板に対する実装工程も多くなり、こ
の種の回路を数多く必要とするビデオテープレコーダ等
の電子機器では部品コストとともに製造コストも嵩む。
【０００４】この発明の目的は、ダイオードを構成する
半導体基板上に抵抗を形成し、その抵抗の一端をダイオ
ードの一方と接続して素子の複合化を図り、個別部品ま
たは集積回路では得ることのできない利点を持つ個別ダ
イオード装置を提供することにある。
半導体基板上に抵抗を形成し、その抵抗の一端をダイオ
ードの一方と接続して素子の複合化を図り、個別部品ま
たは集積回路では得ることのできない利点を持つ個別ダ
イオード装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前述の問題点を解決する
ために、半導体基板の表面に前記半導体基板の導電領域
よりも低濃度に形成した第１導電領域を有するととも、
前記第１導電領域の表面に第２導電領域を形成した個別
ダイオード装置において、半導体基板の表面に酸化膜を
介してポリシリコン成長膜により形成された薄膜抵抗
と、前記薄膜抵抗の一方端に導通するように形成された
第１の金属電極と、前記薄膜抵抗の他方端と前記第２導
電領域とに導通するように形成された第２の金属電極
と、前記半導体基板の裏面に形成された第３の金属電極
とを有することを特徴としている。
ために、半導体基板の表面に前記半導体基板の導電領域
よりも低濃度に形成した第１導電領域を有するととも、
前記第１導電領域の表面に第２導電領域を形成した個別
ダイオード装置において、半導体基板の表面に酸化膜を
介してポリシリコン成長膜により形成された薄膜抵抗
と、前記薄膜抵抗の一方端に導通するように形成された
第１の金属電極と、前記薄膜抵抗の他方端と前記第２導
電領域とに導通するように形成された第２の金属電極
と、前記半導体基板の裏面に形成された第３の金属電極
とを有することを特徴としている。
【０００６】
【作用】この発明の個別ダイオード装置では、ダイオー
ドと抵抗を接続した回路がユニットとして一つのパッケ
ージに組み込まれているため、その占有面積が小さくな
り、装置全体の小型軽量化に寄与し、しかも、個別トラ
ンジスタ装置と同様に、３端子構造の電子部品として用
いることができるため、プリント基板に実装する際、組
立コストの低減を図ることができる。また、抵抗体とし
てポリシリコン成長膜による薄膜抵抗を用いたため、必
要な抵抗値を広い範囲に亘って正確に設定することがで
き、極めて汎用性の高い電子部品として様々な目的に用
いることができる。
ドと抵抗を接続した回路がユニットとして一つのパッケ
ージに組み込まれているため、その占有面積が小さくな
り、装置全体の小型軽量化に寄与し、しかも、個別トラ
ンジスタ装置と同様に、３端子構造の電子部品として用
いることができるため、プリント基板に実装する際、組
立コストの低減を図ることができる。また、抵抗体とし
てポリシリコン成長膜による薄膜抵抗を用いたため、必
要な抵抗値を広い範囲に亘って正確に設定することがで
き、極めて汎用性の高い電子部品として様々な目的に用
いることができる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の一実施例である個別ダイオー
ド装置のペレット部の断面図である。図１において１０
はＮ+ の半導体基板、１１はＮ層であり、これらは第１
導電領域として作用する。１２は第２導電領域であるＰ
層、１３は１１の表面部を覆うＳｉＯ2 等で形成された
酸化膜、１５はポリシリコンの薄膜抵抗である。１４、
１４’はそれぞれアルミニウムや金等による金属電極で
あり、金属電極１４は薄膜抵抗の一方端に導通する第１
の金属電極として作用し、金属電極１４’は薄膜抵抗の
他方端とＰ層１２とに導通する第２の金属電極として作
用する。そして、金属電極１６は半導体基板１０の裏面
側にアルミニウムや金等により形成されており、裏面電
極として作用する。図１において金属電極１４はＴ１
に、金属電極１４’はＴ２に、金属電極１６はＴ３にそ
れぞれ電気的に接続されており、図１に示した各端子の
記号は図３に示すものと一致している、即ちＴ１は抵抗
の一方の端子、Ｔ２は抵抗の他方の端子およびダイオー
ドのアノード端子、Ｔ３はダイオードのカソード端子で
ある。
ド装置のペレット部の断面図である。図１において１０
はＮ+ の半導体基板、１１はＮ層であり、これらは第１
導電領域として作用する。１２は第２導電領域であるＰ
層、１３は１１の表面部を覆うＳｉＯ2 等で形成された
酸化膜、１５はポリシリコンの薄膜抵抗である。１４、
１４’はそれぞれアルミニウムや金等による金属電極で
あり、金属電極１４は薄膜抵抗の一方端に導通する第１
の金属電極として作用し、金属電極１４’は薄膜抵抗の
他方端とＰ層１２とに導通する第２の金属電極として作
用する。そして、金属電極１６は半導体基板１０の裏面
側にアルミニウムや金等により形成されており、裏面電
極として作用する。図１において金属電極１４はＴ１
に、金属電極１４’はＴ２に、金属電極１６はＴ３にそ
れぞれ電気的に接続されており、図１に示した各端子の
記号は図３に示すものと一致している、即ちＴ１は抵抗
の一方の端子、Ｔ２は抵抗の他方の端子およびダイオー
ドのアノード端子、Ｔ３はダイオードのカソード端子で
ある。
【０００８】図１に示したペレットは従来の３端子型ト
ランジスタのパッケージングと同様に、先ず、ペレット
を端子Ｔ３に連続するリードフレームにダイボンディン
グし、金属電極１４、１４’をリードボンディング等に
より端子Ｔ１、Ｔ２にそれぞれ電気的に接続する。図１
に示した本発明の個別ダイオード装置のペレットの製法
手順は次の通りである。
ランジスタのパッケージングと同様に、先ず、ペレット
を端子Ｔ３に連続するリードフレームにダイボンディン
グし、金属電極１４、１４’をリードボンディング等に
より端子Ｔ１、Ｔ２にそれぞれ電気的に接続する。図１
に示した本発明の個別ダイオード装置のペレットの製法
手順は次の通りである。
【０００９】まず、Ｎ+ の半導体基板（ウエハー）に対
してＮ層をエピタキシャル成長させる。このようにドー
ピング濃度を設定することにより、ダイオードの順方向
電圧降下の値を小さくする。次に、その表面に熱酸化法
によりシリコン酸化膜１３を形成する。次に、前記酸化
膜１３の所定位置つまりダイオードのアノードを形成す
べき位置にエッチングにより窓を開ける。続いて、この
窓に対してＰ層１２を拡散により形成する。その後、酸
化膜の表面にポリシリコンの薄膜をＣＶＤ法により成膜
する。そしてポリシリコンの膜をパターンニングするこ
とにより薄膜抵抗１５を得る。更に、表面にアルミニウ
ムや金等の金属膜を蒸着により形成し、図１に示すよう
に、薄膜抵抗の一方端と、薄膜抵抗の他方端およびＰ層
１２の上部に金属電極１４、１４’をパターンニング
し、半導体基板の裏面の略全面にアルミニウムや金等の
金属膜をスパッタリングにより成膜して金属電極１６を
形成する。その後、ウエハーをスクライビングしてペレ
ットとして分離する。
してＮ層をエピタキシャル成長させる。このようにドー
ピング濃度を設定することにより、ダイオードの順方向
電圧降下の値を小さくする。次に、その表面に熱酸化法
によりシリコン酸化膜１３を形成する。次に、前記酸化
膜１３の所定位置つまりダイオードのアノードを形成す
べき位置にエッチングにより窓を開ける。続いて、この
窓に対してＰ層１２を拡散により形成する。その後、酸
化膜の表面にポリシリコンの薄膜をＣＶＤ法により成膜
する。そしてポリシリコンの膜をパターンニングするこ
とにより薄膜抵抗１５を得る。更に、表面にアルミニウ
ムや金等の金属膜を蒸着により形成し、図１に示すよう
に、薄膜抵抗の一方端と、薄膜抵抗の他方端およびＰ層
１２の上部に金属電極１４、１４’をパターンニング
し、半導体基板の裏面の略全面にアルミニウムや金等の
金属膜をスパッタリングにより成膜して金属電極１６を
形成する。その後、ウエハーをスクライビングしてペレ
ットとして分離する。
【００１０】上記の実施例のように半導体基板の裏面の
全面に金属電極が形成されていることにより、外部に導
出されるリード端子への固着力が向上するだけでなく、
電気導通が良好になるので耐圧が向上し、ダイオードの
大電流化が可能になるという効果を有する。上記実施例
はダイオードのアノード側に抵抗を接続したものであっ
たが、逆にダイオードのカソード側に抵抗を接続するこ
ともできる。図２はその例を示す半導体装置の断面図で
ある。
全面に金属電極が形成されていることにより、外部に導
出されるリード端子への固着力が向上するだけでなく、
電気導通が良好になるので耐圧が向上し、ダイオードの
大電流化が可能になるという効果を有する。上記実施例
はダイオードのアノード側に抵抗を接続したものであっ
たが、逆にダイオードのカソード側に抵抗を接続するこ
ともできる。図２はその例を示す半導体装置の断面図で
ある。
【００１１】図２において２０はＰ+ の半導体基板、２
１はＰ層、２２はＮ層である。つまり端子Ｔ２がカソー
ド、端子Ｔ３がアノードとなる。このように形成するこ
とにより、図４に示したような回路ユニットが構成され
る。以上に示した実施例によれば、従来の個別ダイオー
ド装置と同様のサイズに薄膜抵抗を形成することがで
き、ウエハーあたりの取り数を下げることなく製造でき
る。
１はＰ層、２２はＮ層である。つまり端子Ｔ２がカソー
ド、端子Ｔ３がアノードとなる。このように形成するこ
とにより、図４に示したような回路ユニットが構成され
る。以上に示した実施例によれば、従来の個別ダイオー
ド装置と同様のサイズに薄膜抵抗を形成することがで
き、ウエハーあたりの取り数を下げることなく製造でき
る。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、ダイオードと抵抗を接
続した回路部分に本願発明の個別ダイオード装置を適用
することができ、従来の個別ダイオードを用いていた箇
所に本願発明の個別ダイオード装置を用いることによ
り、個別部品としての抵抗器が不要となる。また、３端
子構造を有する個別トランジスタ装置と同様のパッケー
ジに収納することができ、個別トランジスタ装置と同等
に取り扱うことができる。そのため、電子回路としての
汎用性だけでなく、基板に対する実装方法も汎用化さ
れ、電子機器の小型軽量化に寄与する。更に、この発明
によれば、抵抗回路として、酸化膜の表面にポリシリコ
ン成長膜による薄膜抵抗を形成したため、例えば拡散抵
抗によるものに比較して、抵抗回路の占有面積が小さく
全体に大型化しない、組成，膜厚の制御が容易であり抵
抗値を広範囲に亘って正確に設定することができる、隣
接する他の層間の寄生容量（浮遊容量）が小さく高周波
特性に優れる、許容電流値および耐圧上の問題が生じな
いなどの効果もある。
続した回路部分に本願発明の個別ダイオード装置を適用
することができ、従来の個別ダイオードを用いていた箇
所に本願発明の個別ダイオード装置を用いることによ
り、個別部品としての抵抗器が不要となる。また、３端
子構造を有する個別トランジスタ装置と同様のパッケー
ジに収納することができ、個別トランジスタ装置と同等
に取り扱うことができる。そのため、電子回路としての
汎用性だけでなく、基板に対する実装方法も汎用化さ
れ、電子機器の小型軽量化に寄与する。更に、この発明
によれば、抵抗回路として、酸化膜の表面にポリシリコ
ン成長膜による薄膜抵抗を形成したため、例えば拡散抵
抗によるものに比較して、抵抗回路の占有面積が小さく
全体に大型化しない、組成，膜厚の制御が容易であり抵
抗値を広範囲に亘って正確に設定することができる、隣
接する他の層間の寄生容量（浮遊容量）が小さく高周波
特性に優れる、許容電流値および耐圧上の問題が生じな
いなどの効果もある。
【図１】本発明の一実施例に係る個別ダイオード装置の
ペレットの断面図である。
ペレットの断面図である。
【図２】本発明の他の実施例に係る個別ダイオード装置
のペレットの断面図である。
のペレットの断面図である。
【図３】抵抗とダイオードによる基本回路の回路図であ
る。
る。
【図４】抵抗とダイオードによる基本回路の回路図であ
る。
る。
１０・・・半導体基板 １１・・・第１導電領域 １２・・・第２導電領域 １３・・・酸化膜 １４・・・第１の金属電極 １４’・・第２の金属電極 １５・・・薄膜抵抗 １６・・・裏面電極
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の表面に前記半導体基板の導
電領域よりも低濃度に形成した第１導電領域を有すると
ともに、前記第１導電領域の表面に第２導電領域を形成
した個別ダイオード装置において、 半導体基板の表面に酸化膜を介してポリシリコン成長膜
により形成された薄膜抵抗と、 前記薄膜抵抗の一方端に導通するように形成された第１
の金属電極と、 前記薄膜抵抗の他方端と前記第２導電領域とに導通する
ように形成された第２の金属電極と、 前記半導体基板の裏面に形成された第３の金属電極とを
有することを特徴とする個別ダイオード装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12687695A JPH07326772A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 個別ダイオード装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12687695A JPH07326772A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 個別ダイオード装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21091791A Division JPH04355969A (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | 個別ダイオード装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326772A true JPH07326772A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14946039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12687695A Pending JPH07326772A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 個別ダイオード装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07326772A (ja) |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS58119670A (ja) * | 1982-01-11 | 1983-07-16 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
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| JPS5916365A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Nec Corp | 相補型半導体装置 |
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| JPS59189679A (ja) * | 1983-04-13 | 1984-10-27 | Hitachi Ltd | ダイオ−ド |
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| JPS6085112A (ja) * | 1983-10-15 | 1985-05-14 | Kiyonori Kikutake | 軟着底海洋構造物 |
-
1995
- 1995-05-25 JP JP12687695A patent/JPH07326772A/ja active Pending
Patent Citations (13)
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| JPS4932474A (ja) * | 1972-07-24 | 1974-03-25 | ||
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