JPS58119670A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS58119670A
JPS58119670A JP57001717A JP171782A JPS58119670A JP S58119670 A JPS58119670 A JP S58119670A JP 57001717 A JP57001717 A JP 57001717A JP 171782 A JP171782 A JP 171782A JP S58119670 A JPS58119670 A JP S58119670A
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JP
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bonding pad
pad
circuit
current
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JP57001717A
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English (en)
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Teruyoshi Mihara
輝儀 三原
Hideo Muro
室　英夫
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Nissan Motor Co Ltd
Original Assignee
Nissan Motor Co Ltd
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
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    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ングパッドを介して入力する為周波サージによる回路の
誤動作を防止した半導体集積回路のゲ−ト保峡回路を備
えた半導体装皺に関する。
絶縁ゲート型半導体集積回路は絶縁展に酸化シリコン（
　８４０２　）などを用い，そのゲート構造が金４１ｌ
（八Ｉｅｔａｌ　）一酸化＠　（　Ｏｘｉｄｅ　）一半
導体（　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　）の組合せであ
ることからＭＯａ型牛型体導体集積回路呼はれており％
面密度集積化が可能であることから広く用いられている
。このＭＯａ型半導体集積回路のゲート酸化膜は比較的
薄いために外部からのサージなどにより絶縁破壊するお
それがあるためゲート保護回路が設けられている。第１
図は従来のＣ−ＭＯＳ型牛型体導体集積回路く用いられ
るゲート保験回路の一例を示しており、ここに示したゲ
ート保論回路は，Ｎ形シリコン基板ｌ中にＰ領域２と，
Ｐ十領域３およびＮ十　領域４を形成するとともに，Ｐ
領域２の中にさらにＰ十領域５とＮ十領域６とを形成し
，シリコン基板１の主面上にはシリコン酸化層（　ＳＬ
Ｏｓ　）　７を形成し．その上に電流制限用の多結晶シ
リコン抵抗８を形成し，この多結晶シリコン抵抗８の一
端は外部への接続用ボンディングパッド９に他端は保験
すべ１ｉｌ９縁ゲート型トランジスタのゲートに接続す
るとともにクランプ用ダイオードを構成するＰ＋憤職域
３Ｎ十領域６とに接続したものである。１０．１１％１
２は電極で、電極ｌＯにはＶＤＤが印加され、１１極１
１からは出力信号か取出され、１１極１２は接地されて
いる・このような構造のゲート保農回路の等価回路は第
２図番こ示すよう番こなる。すなわちダイオード１３．
１４はそれぞれＰ十慟１．Ｎ十領域６をその一部として
形成され、１５はシリコン基板１のバルク抵抗、１６は
ポンディングパッド９とシリコン基板１との間の結合容
量である・いま、このような入力保−回路を有する半導
体集積回路において入力保−回路のポンディングパッド
９に外部から大電圧のサージＳが印加された場合、電源
ラインのインピーダンスを下げてダイオードへ流れ込む
サージ電流を十分番こ吸収しても、ポンディングパッド
９とシリコン基板１とかシリコン酸化膜７を介して容量
結合されて（すなわち容量１６を介して）しまい高周波
サージはシリコン基板１を通して矢印人で示すように他
の回路へリークし、シリコン基板１上に形成された回路
の一動作を起こすおそれがある。
本発明は上記の点にかんがみてなされたもので、半導体
基板上に入力端子となるポンディングパッドを有する半
導体集積回路のゲート保諌回路を備えた半導体装置にお
いて、外部からホンディングパッドを介して入力する高
周波サージ化よる回路の誤動作を防止するため、半導体
基板中のポンディングパッドに対応する位置に高濃度不
純物領域を設け、その領域を電源ラインまたはアースラ
インに接続するよう番こしたものである。
以下本発明に基づいて説明する。
第３図は本発明による半導体装置のゲート保論回路部分
の一実施例の構造を示す図であり。
基本構成は第１図に示した従来例と同じである。
この実施例が構造上従来例と異なる点は、Ｎ形シリコン
基板１にバイアスを与えるためのＮ＋領域１７がホンデ
ィングパッド９の下味で延長されている点である。
このような構成にするとホンディングパッド９に入力さ
れた高周波サージは、多結晶シリコン抵抗８により電流
制限されてクランプダイオードを通して電源配線へ流れ
込む一方、ポンディングパッド９の下でシリコン酸化膜
７を通した容量結合によりＮ十領域１７へ流れ込む・こ
のサージ電流は高抵抗のシリコン基板ｌを流れることな
く電源配線へ流れるので他の回路へリークしない。
第４図は本発明による半導体装置の他の実施例の構造を
示す・ この実施例の基本構成も第１図に示した従来例と同じで
あり、ポンディングパッド９の下に接地されたＰ十形領
域１８が設けられている・機能は第３図と同じでポンデ
ィングパッド９に印加された高周波サージをシリコン酸
化膜７の容量を通してこのＰ十形領域１８から電極１９
を介してＧＮＤへ流し田す・ なお、半導体集積回路のゲート電極としてのＭ配線パタ
ーンの都合により高周波サージをバイパスさせる電源配
−としてＶＤＤを使う場合とＧＮＤを使う場合があるが
、上記２つの実施例はそれぞれの場合に対応している。
以上説明したよう番こ１本発明においては、半導体基板
上に形成したゲート保−回路の入力端子としてのポンデ
ィングパッドの下に高濃度不純物領域を設け、この領域
を電源ラインまたはアースラインに接続した構造とした
ので、ポンディングパッドを介して印加された高庵波サ
ージがシリコン酸化膜による容量結合を介して基板へリ
ークするのを防止することができるので。
高周波サージによる回路の誤動作を確実に防止すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の絶縁ゲート型半導体集積回路のゲート保
験回路の構造を示す図、第２因は第１図に示したデー１
４１１回路の等価回路、第３図ａよび第４図は本発明に
よる半導体装置のゲート保Ｗ１回゛路の異なる実施例の
構造を示す図である。 ｌ・・・Ｎ形シリコン基板、２・・・Ｐ領域。 ３．５．１８・・・Ｐ十領域、 ４．６．１７・・・Ｎ十領域。 ７・・・シリコン酸化膜。 ８・・・多結晶シリコン抵抗。 ９・・・ポンディングパッド。 １０．１１．１２．１９・・・電極。 １３．１４・・・ダイオード、１５・・・バルク抵抗。 １６・・・結合容量 特許出願人　　日産自動車株式金社 代理人弁理土鈴木弘男 第１Ｂｉ！１ 第２図 七

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 入力端子となるポンディングパッドと、電流制限用保護
    抵抗と、クランプダイオードとを半導体基板上に設けて
    成る集積回路のゲート保護回路を伽えた半導体装置にお
    いて、前記半導体基板中の前記ポンディングパッドの下
    方に高議度不純物領域を設け、該領域を電源ラインまた
    はアースライン番こ接続したことを特徴とする半導体装
    置。
JP57001717A 1982-01-11 1982-01-11 半導体装置 Pending JPS58119670A (ja)

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