JPH09107063A - リードフレーム - Google Patents
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- JPH09107063A JPH09107063A JP7289203A JP28920395A JPH09107063A JP H09107063 A JPH09107063 A JP H09107063A JP 7289203 A JP7289203 A JP 7289203A JP 28920395 A JP28920395 A JP 28920395A JP H09107063 A JPH09107063 A JP H09107063A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレーム自体の形状を工夫し、従来の
ように調整時間を長く必要せず、ダウンセット加工精度
を確保できるリードフレームを提供する。 【解決手段】 少なくとも半導体素子が搭載されるダイ
パッドとこれを保持するための複数本のタブ吊りバーと
を備え、且つダウンセット加工された半導体装置用のリ
ードフレームであって、タブ吊りバーのダウンセット加
工部に、タブ吊りバーの方向に直交する切断面の面積が
部分的に小さく形成されたボトルネック部を設けてい
る。
ように調整時間を長く必要せず、ダウンセット加工精度
を確保できるリードフレームを提供する。 【解決手段】 少なくとも半導体素子が搭載されるダイ
パッドとこれを保持するための複数本のタブ吊りバーと
を備え、且つダウンセット加工された半導体装置用のリ
ードフレームであって、タブ吊りバーのダウンセット加
工部に、タブ吊りバーの方向に直交する切断面の面積が
部分的に小さく形成されたボトルネック部を設けてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用のリード
フレームに関し、特にダウンセット（オフセット）加工
を高精度に行うことができるリードフレームに関する。
フレームに関し、特にダウンセット（オフセット）加工
を高精度に行うことができるリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置の組立部材として
用いられる（単層）リードフレームは、通常、コバー
ル、４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）、銅系合金の
ような導電性に優れた金属から成り、プレス法もしくは
エッチング法により形成されていた。一般的なプラスチ
ックパッケージであるＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）用のリードフレームは、図６（ａ）に示
すように、半導体素子を搭載するためのダイパッド６１
１と、ダイパッド６１１の周囲に設けられた半導体素子
と結線するためのインナーリード６１２と、該インナー
リード６１２に連続して外部回路との結線を行うための
アウターリード６１３、ダイパッド６１１を支持するタ
ブ吊りリード６１４、樹脂封止する際のダムとなるダム
バー６１５、アウターリード加工工程においてアウター
リードの変形を防止するための変形防止タイバー６１
６、インナーリードの変形を防ぎインナーリードを所定
の位置に保持する固定用テープ６１９、パッケージ組み
立て工程に利用される治具孔６１７、リードフレーム６
１０全体を支持するフレーム（枠）部６１８等を備えて
いる。そして、リードフレーム６１０は、図６（ｂ）に
示すように、ダイパッド部６１１をインナーリード６１
２形成面よりもダウンセットした状態でダイパッド６１
１に半導体素子６２０を搭載し、半導体素子６２０の端
子（パッド）６２１とインナーリード６１２の先端部と
を金などのワイヤ６３０で結線を行った後に、樹脂６４
０にて封止して、ダムバー６１５部の切断工程、アウタ
ーリード６１３部のフオーミング工程を経て半導体装置
６００を作製していた。尚、半導体素子６２０の端子
（パッド）６２１とインナーリード６１２の先端部とを
金などのワイヤ６３０で結線を行うために、導電性に優
れ、ワイヤ６３０との強い結合力をもつ貴金属めっき
を、少なくともインナーリード６１２先端部に施してい
た。銀めっき処理が一般には採られている。
用いられる（単層）リードフレームは、通常、コバー
ル、４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）、銅系合金の
ような導電性に優れた金属から成り、プレス法もしくは
エッチング法により形成されていた。一般的なプラスチ
ックパッケージであるＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）用のリードフレームは、図６（ａ）に示
すように、半導体素子を搭載するためのダイパッド６１
１と、ダイパッド６１１の周囲に設けられた半導体素子
と結線するためのインナーリード６１２と、該インナー
リード６１２に連続して外部回路との結線を行うための
アウターリード６１３、ダイパッド６１１を支持するタ
ブ吊りリード６１４、樹脂封止する際のダムとなるダム
バー６１５、アウターリード加工工程においてアウター
リードの変形を防止するための変形防止タイバー６１
６、インナーリードの変形を防ぎインナーリードを所定
の位置に保持する固定用テープ６１９、パッケージ組み
立て工程に利用される治具孔６１７、リードフレーム６
１０全体を支持するフレーム（枠）部６１８等を備えて
いる。そして、リードフレーム６１０は、図６（ｂ）に
示すように、ダイパッド部６１１をインナーリード６１
２形成面よりもダウンセットした状態でダイパッド６１
１に半導体素子６２０を搭載し、半導体素子６２０の端
子（パッド）６２１とインナーリード６１２の先端部と
を金などのワイヤ６３０で結線を行った後に、樹脂６４
０にて封止して、ダムバー６１５部の切断工程、アウタ
ーリード６１３部のフオーミング工程を経て半導体装置
６００を作製していた。尚、半導体素子６２０の端子
（パッド）６２１とインナーリード６１２の先端部とを
金などのワイヤ６３０で結線を行うために、導電性に優
れ、ワイヤ６３０との強い結合力をもつ貴金属めっき
を、少なくともインナーリード６１２先端部に施してい
た。銀めっき処理が一般には採られている。
【０００３】最近では、このような半導体パッケージに
対して、薄型化が要求されるようになってきた。半導体
パッケージの薄型化要求に伴い、リードフレームに対し
ては、精度良いダウンセット加工が求められてきたが、
従来は、ダウンセット加工用の金型の高精度化、プレス
機の制御精度の向上、プレス条件の最適化設定などの改
善を行ってこれに対応してきた。その結果、現在では、
メモリー用のパッケージを中心に０．５ｍｍ〜１．０ｍ
ｍ厚のパッケージが出現してきており、ダウンセットの
精度を定義する加工量およびタブロケーションも±２０
μｍレベルという高精度が求められている。
対して、薄型化が要求されるようになってきた。半導体
パッケージの薄型化要求に伴い、リードフレームに対し
ては、精度良いダウンセット加工が求められてきたが、
従来は、ダウンセット加工用の金型の高精度化、プレス
機の制御精度の向上、プレス条件の最適化設定などの改
善を行ってこれに対応してきた。その結果、現在では、
メモリー用のパッケージを中心に０．５ｍｍ〜１．０ｍ
ｍ厚のパッケージが出現してきており、ダウンセットの
精度を定義する加工量およびタブロケーションも±２０
μｍレベルという高精度が求められている。
【０００４】ここで、ダウンセット加工について簡単に
説明しておく。図５は、ダウンセット加工前後の要部の
状態を示すもので、図５（ａ）はダウンセット前のエッ
チングにより外形加工された略平坦状のリードフレーム
を示し、図５（ｂ）は、これをダウンセットした後の状
態を示しており、図５（ａ）（ロ）、図５（ｂ）（ロ）
はそれぞれ、図５（ａ）（イ）、図５（ｂ）（イ）のＢ
１−Ｂ２における断面を示しいる。ダウンセット加工と
は、図５（ａ）に示す、エッチング加工等により外形加
工された、略平坦状のリードフレームに対し、半導体装
置を搭載するダイパッド１１の位置を、他の部分よりも
下方にダウンさせて、半導体装置作製に使用するもの
で、これにより半導体素子のワイヤボンディング端子の
高さを調整することができ、半導体装置の薄型化にも寄
与するものである。そして、前述のダウンセットの精度
を表す加工量は、ダウンセット加工部１４Ｃにおけるダ
イパッド側の点（Ｃ１）と外枠側の点（Ｃ２）の高さ方
向のシフト量の絶対値で、図５ではＳ１で記される。ま
た、タブロケーションは、ダイパッド中心と外枠の高さ
方向のシフト量の絶対値で、図５ではＳ２で記される。
尚、Ｄはダイパッド１１の中心、Ｅはフレーム（枠）１
８の表面の１点の位置を示している。
説明しておく。図５は、ダウンセット加工前後の要部の
状態を示すもので、図５（ａ）はダウンセット前のエッ
チングにより外形加工された略平坦状のリードフレーム
を示し、図５（ｂ）は、これをダウンセットした後の状
態を示しており、図５（ａ）（ロ）、図５（ｂ）（ロ）
はそれぞれ、図５（ａ）（イ）、図５（ｂ）（イ）のＢ
１−Ｂ２における断面を示しいる。ダウンセット加工と
は、図５（ａ）に示す、エッチング加工等により外形加
工された、略平坦状のリードフレームに対し、半導体装
置を搭載するダイパッド１１の位置を、他の部分よりも
下方にダウンさせて、半導体装置作製に使用するもの
で、これにより半導体素子のワイヤボンディング端子の
高さを調整することができ、半導体装置の薄型化にも寄
与するものである。そして、前述のダウンセットの精度
を表す加工量は、ダウンセット加工部１４Ｃにおけるダ
イパッド側の点（Ｃ１）と外枠側の点（Ｃ２）の高さ方
向のシフト量の絶対値で、図５ではＳ１で記される。ま
た、タブロケーションは、ダイパッド中心と外枠の高さ
方向のシフト量の絶対値で、図５ではＳ２で記される。
尚、Ｄはダイパッド１１の中心、Ｅはフレーム（枠）１
８の表面の１点の位置を示している。
【０００５】しかしながら、この様な高精度要求に対し
ては、金型精度やプレス条件などを最適化して、高精度
を実現するため、調整に多くの時間が必要となってきて
いる。これに伴い、品種切り替え時間の増長、歩留りの
低下も大きな問題となってきた。
ては、金型精度やプレス条件などを最適化して、高精度
を実現するため、調整に多くの時間が必要となってきて
いる。これに伴い、品種切り替え時間の増長、歩留りの
低下も大きな問題となってきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、半導体
パッケージの薄型化要求に伴い、リードフレームのダウ
ンセット加工精度を向上させることが求められている
が、最近のメモリー用パッケージを中心とした０．５ｍ
ｍ〜１．０ｍｍ厚レベルの薄型パッケージに対しては、
ダウンセット加工用の金型の高精度化、プレス機の制御
精度の向上、プレス条件の最適化設定などの改善のみ
で、ダウンセット加工精度を確保するには、調整時間が
長くかかり、歩留りが低下するという問題があり、その
対応が求められていた。本発明は、このような状況のも
と、リードフレーム自体の形状を工夫し、従来のような
長い調整時間を必要せず、ダウンセット加工精度を簡単
に確保できるリードフレームを提供しようとするもので
ある。
パッケージの薄型化要求に伴い、リードフレームのダウ
ンセット加工精度を向上させることが求められている
が、最近のメモリー用パッケージを中心とした０．５ｍ
ｍ〜１．０ｍｍ厚レベルの薄型パッケージに対しては、
ダウンセット加工用の金型の高精度化、プレス機の制御
精度の向上、プレス条件の最適化設定などの改善のみ
で、ダウンセット加工精度を確保するには、調整時間が
長くかかり、歩留りが低下するという問題があり、その
対応が求められていた。本発明は、このような状況のも
と、リードフレーム自体の形状を工夫し、従来のような
長い調整時間を必要せず、ダウンセット加工精度を簡単
に確保できるリードフレームを提供しようとするもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、少なくとも半導体素子が搭載されるダイパッドとこ
れを保持するための複数本のタブ吊りバーとを備え、且
つダウンセット加工された半導体装置用のリードフレー
ムであって、タブ吊りバーのダウンセット加工部に、タ
ブ吊りバーの方向に直交する切断面の面積が部分的に小
さく形成されたボトルネック部を設けていることを特徴
とするものである。そして、上記のボルトネック部は、
タブ吊りバーのダウンセット加工部に部分的に、幅が小
さく形成されていることを特徴とするものである。そし
てまた、上記のボルトネック部は、タブ吊りバーのダウ
ンセット加工部に部分的に、厚みが薄く形成されている
ことを特徴とするものである。
は、少なくとも半導体素子が搭載されるダイパッドとこ
れを保持するための複数本のタブ吊りバーとを備え、且
つダウンセット加工された半導体装置用のリードフレー
ムであって、タブ吊りバーのダウンセット加工部に、タ
ブ吊りバーの方向に直交する切断面の面積が部分的に小
さく形成されたボトルネック部を設けていることを特徴
とするものである。そして、上記のボルトネック部は、
タブ吊りバーのダウンセット加工部に部分的に、幅が小
さく形成されていることを特徴とするものである。そし
てまた、上記のボルトネック部は、タブ吊りバーのダウ
ンセット加工部に部分的に、厚みが薄く形成されている
ことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】本発明のリードフレームは、このような構成に
することにより、簡単な構造でダウンセット加工精度を
簡単に向上できるリードフレームの提供を可能としてい
る。詳しくは、タブ吊りバーのダウンセット加工部に、
タブ吊りバーの方向に直交する切断面の面積が部分的に
小さく形成されたボトルネック部を設けていることによ
り、ダウンセット加工の際、タブ吊りバーの加工部の両
端にかかる圧縮応力を少なくでき、加工精度を向上させ
ることを可能としている。この理由をもう少し説明して
おく。ダウンセット加工は、加工部の両端を固定するよ
うにして、曲げ加工、引張加工を行い、加工部を変形さ
せて、所定のダウンセット量をえるものであるが、加工
に伴い、その加工部には曲げ応力、引張応力、圧縮応力
が付加される。加工部両端の金型で完全に固定されるク
ランプ部には圧縮応力が付加される。つまり、ダウンセ
ット加工においては曲げ加工に関するスプリングバック
をできるだけ小さくし、かつ引張応力による十分な塑性
加工が完了するのに必要な量のプレス荷重及び下死点で
の保持時間を加える事が必要である。プレス荷重が大き
いほどクランプ部にかかる圧縮荷重も大きくなってくる
が、圧縮荷重による圧縮変形は避けられず、この圧縮変
形量がダウンセット加工の精度を狂わせてしまってい
る。本発明のリードフレームの場合は、加工部の断面が
通常のリードフレーム比べ小さくなっているので、曲げ
加工と引張加工に必要十分な荷重を通常のリードフレー
ムに比べ小さくすることができる。この結果、タブ吊り
バーのクランプ部に付加される圧縮荷重を通常のリード
フレームの場合に比べ小さくすることができ、圧縮変形
も減少させることができるのである。
することにより、簡単な構造でダウンセット加工精度を
簡単に向上できるリードフレームの提供を可能としてい
る。詳しくは、タブ吊りバーのダウンセット加工部に、
タブ吊りバーの方向に直交する切断面の面積が部分的に
小さく形成されたボトルネック部を設けていることによ
り、ダウンセット加工の際、タブ吊りバーの加工部の両
端にかかる圧縮応力を少なくでき、加工精度を向上させ
ることを可能としている。この理由をもう少し説明して
おく。ダウンセット加工は、加工部の両端を固定するよ
うにして、曲げ加工、引張加工を行い、加工部を変形さ
せて、所定のダウンセット量をえるものであるが、加工
に伴い、その加工部には曲げ応力、引張応力、圧縮応力
が付加される。加工部両端の金型で完全に固定されるク
ランプ部には圧縮応力が付加される。つまり、ダウンセ
ット加工においては曲げ加工に関するスプリングバック
をできるだけ小さくし、かつ引張応力による十分な塑性
加工が完了するのに必要な量のプレス荷重及び下死点で
の保持時間を加える事が必要である。プレス荷重が大き
いほどクランプ部にかかる圧縮荷重も大きくなってくる
が、圧縮荷重による圧縮変形は避けられず、この圧縮変
形量がダウンセット加工の精度を狂わせてしまってい
る。本発明のリードフレームの場合は、加工部の断面が
通常のリードフレーム比べ小さくなっているので、曲げ
加工と引張加工に必要十分な荷重を通常のリードフレー
ムに比べ小さくすることができる。この結果、タブ吊り
バーのクランプ部に付加される圧縮荷重を通常のリード
フレームの場合に比べ小さくすることができ、圧縮変形
も減少させることができるのである。
【０００９】
【実施例】本発明のリードフレームを実施例に基づいて
説明する。図１は実施例のリードフレームの平面図であ
る。図１中、１０はリードフレーム、１１はダイパッ
ド、１２はインナーリード、１３はアウターリード、１
４はタブ吊りバー、１４Ａはボトルネック、１５はダム
バー、１６は変形防止バー、１７はフレーム（枠）部、
１８Ａ、１８Ｂは治具孔、１９はモールドライン、２０
は固定用テープである。本実施例のリードフレーム１０
は、銅合金からなる０．１２７ｍｍ厚のリードフレーム
素材からエッチング加工により外形加工したものであ
り、タブ吊りバー１４のダウンセット加工部に、断面積
をタブ吊りバーの他の部分の断面よりも小さく形成した
ボトルネック１４Ａを設けているもので、これにより、
ダウンセットの加工精度向上に対応できるようにしてい
る。
説明する。図１は実施例のリードフレームの平面図であ
る。図１中、１０はリードフレーム、１１はダイパッ
ド、１２はインナーリード、１３はアウターリード、１
４はタブ吊りバー、１４Ａはボトルネック、１５はダム
バー、１６は変形防止バー、１７はフレーム（枠）部、
１８Ａ、１８Ｂは治具孔、１９はモールドライン、２０
は固定用テープである。本実施例のリードフレーム１０
は、銅合金からなる０．１２７ｍｍ厚のリードフレーム
素材からエッチング加工により外形加工したものであ
り、タブ吊りバー１４のダウンセット加工部に、断面積
をタブ吊りバーの他の部分の断面よりも小さく形成した
ボトルネック１４Ａを設けているもので、これにより、
ダウンセットの加工精度向上に対応できるようにしてい
る。
【００１０】本実施例のリードフレーム１０は、図１に
示すように、半導体素子を搭載するためのダイパッド１
１、銀めっきが施され半導体素子と電気的にワイヤ（図
示していない）接続されるインナーリード１２と、イン
ナーリードに一体的に形成され外部回路と電気的に接続
するためのアウターリード１３と、ダイパッド１１を所
定の位置に保持するためのタブ吊りバー１４と、樹脂封
止工程にて樹脂漏れを防ぐダムとなるダムバー１５と、
アウターリード加工工程においてアウターリード１３の
変形を防止する変形防止バー１６と、インナーリードの
変形を防ぎ所定の位置に保持する固定用テープ２０とパ
ッケージ組立工程に利用される治具孔１８、治具孔が形
成されてリードフレームのハンドリングやある程度の剛
性を保つためのフレーム（外）枠部１７を備えたもの
で、タブ吊りバー１４の加工部分にボトルネック１４Ａ
を設けている。タブ吊りバー１４の加工部分にボトルネ
ック１４Ａを設けている点を除けば、図６（ａ）に示
す、従来のリードフレームと同じである。
示すように、半導体素子を搭載するためのダイパッド１
１、銀めっきが施され半導体素子と電気的にワイヤ（図
示していない）接続されるインナーリード１２と、イン
ナーリードに一体的に形成され外部回路と電気的に接続
するためのアウターリード１３と、ダイパッド１１を所
定の位置に保持するためのタブ吊りバー１４と、樹脂封
止工程にて樹脂漏れを防ぐダムとなるダムバー１５と、
アウターリード加工工程においてアウターリード１３の
変形を防止する変形防止バー１６と、インナーリードの
変形を防ぎ所定の位置に保持する固定用テープ２０とパ
ッケージ組立工程に利用される治具孔１８、治具孔が形
成されてリードフレームのハンドリングやある程度の剛
性を保つためのフレーム（外）枠部１７を備えたもの
で、タブ吊りバー１４の加工部分にボトルネック１４Ａ
を設けている。タブ吊りバー１４の加工部分にボトルネ
ック１４Ａを設けている点を除けば、図６（ａ）に示
す、従来のリードフレームと同じである。
【００１１】次に、本実施例リードフレーム１０の特徴
部であるボトルネック１４Ａ部の、形状を図２に示し説
明する。図２はダウンセット加工後のボトルネック部の
拡大図で、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）はそのＡ１
−Ａ２における概略断面図である。ダウンセット加工の
際、クランプ部１４Ｂａ、１４Ｂｂでタブ吊りバー１４
が固定された状態で加工部１４Ｃが曲げ加工、引張加工
されるが、本実施例の場合には、ボルトネック部１４Ａ
は、幅が０．１ｍｍで他の部分の幅０．２ｍｍよりも狭
く形成され、ボルトネック部１４Ａは他の部分よりも断
面積が小さく形成されている為、所定のダウンセット量
を得るのに、図５（ａ）に示す従来のリードフレームに
比べて、少ない荷重で済み、クランプ部１４Ｂａ、１４
Ｂｂへかかる圧縮荷重を少なくすることができ、この結
果、ダウンセットの加工精度を従来のリードフレームの
場合に比べ向上させている。尚、ボルトネック部１４Ａ
の幅は狭いほど、加工荷重に対しては有利であるが、あ
る程度の強度は必要で、断面積もある程度以上必要であ
る。
部であるボトルネック１４Ａ部の、形状を図２に示し説
明する。図２はダウンセット加工後のボトルネック部の
拡大図で、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）はそのＡ１
−Ａ２における概略断面図である。ダウンセット加工の
際、クランプ部１４Ｂａ、１４Ｂｂでタブ吊りバー１４
が固定された状態で加工部１４Ｃが曲げ加工、引張加工
されるが、本実施例の場合には、ボルトネック部１４Ａ
は、幅が０．１ｍｍで他の部分の幅０．２ｍｍよりも狭
く形成され、ボルトネック部１４Ａは他の部分よりも断
面積が小さく形成されている為、所定のダウンセット量
を得るのに、図５（ａ）に示す従来のリードフレームに
比べて、少ない荷重で済み、クランプ部１４Ｂａ、１４
Ｂｂへかかる圧縮荷重を少なくすることができ、この結
果、ダウンセットの加工精度を従来のリードフレームの
場合に比べ向上させている。尚、ボルトネック部１４Ａ
の幅は狭いほど、加工荷重に対しては有利であるが、あ
る程度の強度は必要で、断面積もある程度以上必要であ
る。
【００１２】本実施例リードフレーム１０の特徴部であ
るボトルネック１４Ａ部のダウンセット加工前の拡大図
は図３（ａ）に示すもので、タブ吊りバーのダウンセッ
ト加工部の一部の幅を小さく形成している。これにより
ダウンセット加工の際の圧縮荷重を少なくできるものと
している。図２（ａ）に示すように、ボルトネック部１
４Ａの幅は０．１ｍｍで、他の部分の幅０．２ｍｍより
細く形成されている。このようにダウンセット加工部の
一部を幅小に形成して、ダウンセット加工の際の圧縮荷
重を少なくできる形状としては、他に図３（ｂ）〜図３
（ｄ）に示すものが挙げられるが、必ずしもこのような
形状に限定はされない。
るボトルネック１４Ａ部のダウンセット加工前の拡大図
は図３（ａ）に示すもので、タブ吊りバーのダウンセッ
ト加工部の一部の幅を小さく形成している。これにより
ダウンセット加工の際の圧縮荷重を少なくできるものと
している。図２（ａ）に示すように、ボルトネック部１
４Ａの幅は０．１ｍｍで、他の部分の幅０．２ｍｍより
細く形成されている。このようにダウンセット加工部の
一部を幅小に形成して、ダウンセット加工の際の圧縮荷
重を少なくできる形状としては、他に図３（ｂ）〜図３
（ｄ）に示すものが挙げられるが、必ずしもこのような
形状に限定はされない。
【００１３】また、ダウンセット加工前のボトルネック
部の形状としては、図４（ａ）に示すように、タブ吊り
バーのダウンセット加工部の一部の厚さを薄く形成し
て、この部分の、タブ吊りバーの方向に直交する切断面
の面積を部分的に小さく形成しても良い。尚、図４
（ａ）（ロ）は図４（ａ）（イ）のＡ３−Ａ４における
断面を示している。更に、図４（ｂ）に示すように、タ
ブ吊りバーのダウンセット加工部の一部の幅を小さく形
成し、且つ、厚さを薄く形成して、この部分の、タブ吊
りバーの方向に直交する切断面の面積を部分的に小さく
形成しても良い。尚、図４（ｂ）（ロ）は図４（ｂ）
（イ）のＡ５−Ａ６における断面を示している。
部の形状としては、図４（ａ）に示すように、タブ吊り
バーのダウンセット加工部の一部の厚さを薄く形成し
て、この部分の、タブ吊りバーの方向に直交する切断面
の面積を部分的に小さく形成しても良い。尚、図４
（ａ）（ロ）は図４（ａ）（イ）のＡ３−Ａ４における
断面を示している。更に、図４（ｂ）に示すように、タ
ブ吊りバーのダウンセット加工部の一部の幅を小さく形
成し、且つ、厚さを薄く形成して、この部分の、タブ吊
りバーの方向に直交する切断面の面積を部分的に小さく
形成しても良い。尚、図４（ｂ）（ロ）は図４（ｂ）
（イ）のＡ５−Ａ６における断面を示している。
【００１４】次に本実施例リードフレームの製造方法を
簡単に説明するが、この方法に限定はされない。本実施
例のリードフレームは、既に述べたように、通常のエッ
チング加工により外形加工されたものをダウンセット加
工したものである。先ず、銅合金からなる０．１２７ｍ
ｍ厚のリードフレーム素材の両面にカゼインを主体とす
る感光液（レジスト）を塗布し、所定の乾燥工程を経
て、リードフレーム素材の表裏面側から、それぞれ所定
の露光用マスク（原版）を介して高圧水銀灯を光源とす
る露光機にて露光し、所定の現像液にてこれを現像し、
所定形状の感光液（レジスト）をリードフレーム素材の
両面にパターニングした。次いで、パターニングされた
レジスト（感光液）を耐エッチングマスクとして、塩化
第二鉄を主成分とするエッチング液にて所定部分を両面
からエッチングして貫通させ、外形加工されたリードフ
レームを得た。図３に示すボトルネック部作製には、表
裏の露光用マスク（原版）は、ボトルネック部の幅にほ
ぼ合わせた形状のものを用いリードフレーム素材の両面
から腐蝕して外形加工する。これに対し、図４のよう
に、ボトルネック部の厚さを薄くするためには、この部
分で、リードフレーム素材の一方の側からは板厚を薄く
し、他方の側からは外形加工をするための腐蝕を行って
加工する。この方法の場合、レジストの製版の際、板厚
を薄くするためにエッチングを入れる側のパターンの
み、レジスト（感光液）が残らないようにする露光用マ
スク（原版）を用い、他方側にはボトルネック部の幅に
ほぼ合わせた形状の露光用マスク（原版）を用いる。
簡単に説明するが、この方法に限定はされない。本実施
例のリードフレームは、既に述べたように、通常のエッ
チング加工により外形加工されたものをダウンセット加
工したものである。先ず、銅合金からなる０．１２７ｍ
ｍ厚のリードフレーム素材の両面にカゼインを主体とす
る感光液（レジスト）を塗布し、所定の乾燥工程を経
て、リードフレーム素材の表裏面側から、それぞれ所定
の露光用マスク（原版）を介して高圧水銀灯を光源とす
る露光機にて露光し、所定の現像液にてこれを現像し、
所定形状の感光液（レジスト）をリードフレーム素材の
両面にパターニングした。次いで、パターニングされた
レジスト（感光液）を耐エッチングマスクとして、塩化
第二鉄を主成分とするエッチング液にて所定部分を両面
からエッチングして貫通させ、外形加工されたリードフ
レームを得た。図３に示すボトルネック部作製には、表
裏の露光用マスク（原版）は、ボトルネック部の幅にほ
ぼ合わせた形状のものを用いリードフレーム素材の両面
から腐蝕して外形加工する。これに対し、図４のよう
に、ボトルネック部の厚さを薄くするためには、この部
分で、リードフレーム素材の一方の側からは板厚を薄く
し、他方の側からは外形加工をするための腐蝕を行って
加工する。この方法の場合、レジストの製版の際、板厚
を薄くするためにエッチングを入れる側のパターンの
み、レジスト（感光液）が残らないようにする露光用マ
スク（原版）を用い、他方側にはボトルネック部の幅に
ほぼ合わせた形状の露光用マスク（原版）を用いる。
【００１５】このようにして、外形加工されて作製され
たリードフレームに対し、半導体素子の端子部とワイヤ
にてワイヤボンディングするため、インナーリード先端
に表面処理を行った後、ダウンセット加工され、図１に
示す本願発明のリードフレームを得た。表面処理は銀め
っきが一般的に用いられ、厚みは５μｍ程度施した。処
理の際、インナーリードのたわみを防ぐために、インナ
ーリード部の所定の箇所に、インナーリード固定用のテ
ープの貼り付けて銀めっき表面処理を行った。ダウンセ
ット加工を行うプレス機は油圧式の門型５トンプレスを
用い、金型は加工精度±５０μｍの仕様で製作してある
４本柱ダイセット仕様のものを使用した。従来品では
２．５トンにてプレスするところを１．８トンにてダウ
ンセット加工が完了した。ダウンセット加工結果は、タ
ブロケーション寸法のばらつきが、ボトルネック部を設
けていない従来のリードフレームに比べ、レンジで１６
μｍほど狭くなり、加工精度が向上した。加工量のばら
つきは、従来より多少良くなった程度である。これは従
来のボトルネック部を設けない場合の加工においても加
工量は比較的精度が確保できることによる。
たリードフレームに対し、半導体素子の端子部とワイヤ
にてワイヤボンディングするため、インナーリード先端
に表面処理を行った後、ダウンセット加工され、図１に
示す本願発明のリードフレームを得た。表面処理は銀め
っきが一般的に用いられ、厚みは５μｍ程度施した。処
理の際、インナーリードのたわみを防ぐために、インナ
ーリード部の所定の箇所に、インナーリード固定用のテ
ープの貼り付けて銀めっき表面処理を行った。ダウンセ
ット加工を行うプレス機は油圧式の門型５トンプレスを
用い、金型は加工精度±５０μｍの仕様で製作してある
４本柱ダイセット仕様のものを使用した。従来品では
２．５トンにてプレスするところを１．８トンにてダウ
ンセット加工が完了した。ダウンセット加工結果は、タ
ブロケーション寸法のばらつきが、ボトルネック部を設
けていない従来のリードフレームに比べ、レンジで１６
μｍほど狭くなり、加工精度が向上した。加工量のばら
つきは、従来より多少良くなった程度である。これは従
来のボトルネック部を設けない場合の加工においても加
工量は比較的精度が確保できることによる。
【００１６】
【発明の効果】本発明は、上記のような構成にすること
により、半導体パッケージの薄型化要求に伴い、リード
フレームのダウンセット加工精度を向上させることがで
きるリードフレームの提供を可能としている。詳しく
は、タブ吊りバーのダウンセット加工部の一部の、切断
面の面積を部分的に小さく形成して、ダウンセット加工
の際の圧縮荷重を小さくできる形状として、圧縮荷重を
小さくすることによりダウンセット加工精度を向上させ
ることを可能としている。この結果、最近のメモリー用
パッケージを中心とした０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ厚レベ
ルの薄型パッケージの作製に際しても、調整時間を短か
くし、歩留りを向上させることを可能とした。
により、半導体パッケージの薄型化要求に伴い、リード
フレームのダウンセット加工精度を向上させることがで
きるリードフレームの提供を可能としている。詳しく
は、タブ吊りバーのダウンセット加工部の一部の、切断
面の面積を部分的に小さく形成して、ダウンセット加工
の際の圧縮荷重を小さくできる形状として、圧縮荷重を
小さくすることによりダウンセット加工精度を向上させ
ることを可能としている。この結果、最近のメモリー用
パッケージを中心とした０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ厚レベ
ルの薄型パッケージの作製に際しても、調整時間を短か
くし、歩留りを向上させることを可能とした。
【図１】実施例のリードフレームの平面図
【図２】実施例のリードフレームのボトルネック部の拡
大図
大図
【図３】ボトルネック部の形状を説明する概略図
【図４】ボトルネック部の形状を説明する概略図
【図５】ダウンセット加工を説明するための図
【図６】従来のリードフレームおよび半導体装置図
１０ リードフレーム １１ ダイパッド １２ インナーリード １３ アウターリード １４ タブ吊りバー １４Ａ ボトルネック １４Ｂ クランプ部 １４Ｃ 加工部 １５ ダムバー １６ 変形防止バー １７ フレーム（枠）部 １８Ａ、１８Ｂ 治具孔 １９ モールドライン ２０ 固定用テープ ６００ 半導体装置 ６１０ リードフレーム ６１１ ダイパッド ６１２ インナーリード ６１３ アウターリード ６１４ タブ吊りバー ６１５ ダムバー ６１６ 変形防止タイバー ６１７ 治具孔 ６１８ フレーム（枠）部 ６１９ 固定用テープ ６２０ 半導体素子 ６２１ 端子（パッド） ６３０ ワイヤ ６４０ 樹脂
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも半導体素子が搭載されるダイ
パッドとこれを保持するための複数本のタブ吊りバーと
を備え、且つダウンセット加工された半導体装置用のリ
ードフレームであって、タブ吊りバーのダウンセット加
工部に、タブ吊りバーの方向に直交する切断面の面積が
部分的に小さく形成されたボトルネック部を設けている
ことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１記載のボルトネック部は、タブ
吊りバーのダウンセット加工部に部分的に、幅が小さく
形成されていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項３】 請求項１ないし２記載のボルトネック部
は、タブ吊りバーのダウンセット加工部に部分的に、厚
みが薄く形成されていることを特徴とするリードフレー
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7289203A JPH09107063A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7289203A JPH09107063A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09107063A true JPH09107063A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17740121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7289203A Pending JPH09107063A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09107063A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1020913A2 (en) * | 1999-01-12 | 2000-07-19 | Sony Corporation | Lead frame, resin-encapsulated semiconductor device and fabrication process therefor |
| JP2002033433A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製法 |
| DE10144468A1 (de) * | 2001-09-10 | 2003-04-03 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit auf der Unterseite verteilten Außenkontakten |
-
1995
- 1995-10-12 JP JP7289203A patent/JPH09107063A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1020913A2 (en) * | 1999-01-12 | 2000-07-19 | Sony Corporation | Lead frame, resin-encapsulated semiconductor device and fabrication process therefor |
| EP1020913A3 (en) * | 1999-01-12 | 2003-05-14 | Sony Corporation | Lead frame, resin-encapsulated semiconductor device and fabrication process therefor |
| JP2002033433A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製法 |
| DE10144468A1 (de) * | 2001-09-10 | 2003-04-03 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit auf der Unterseite verteilten Außenkontakten |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040330 |