JPH07115247A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JPH07115247A JPH07115247A JP5258510A JP25851093A JPH07115247A JP H07115247 A JPH07115247 A JP H07115247A JP 5258510 A JP5258510 A JP 5258510A JP 25851093 A JP25851093 A JP 25851093A JP H07115247 A JPH07115247 A JP H07115247A
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- H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザの複数の半導体レーザチップを
積層するために使用する半田層がレーザ光の障害になら
ないようにすること。 【構成】 半導体レーザチップ30、40の半田付け
する面のレーザ光放出面35、45側端部であって活性
層37、47以外の部分に半田溜まり用凹部38、48
を形成したこと。エピタキシャル基板の表面の前記各
半導体レーザチップ用領域のレーザ光放出面形成用境界
の活性層以外の部分にその底部がエピタキシャル基板表
面と略平行な溝を形成する工程と、該溝に沿ってエピタ
キシャル基板を劈開することにより、この劈開面を光放
出面とする各半導体レーザチップを形成する工程と、複
数の半導体レーザチップを半田付けによって厚さ方向に
積層する工程とを具備する半導体レーザの製造方法。
積層するために使用する半田層がレーザ光の障害になら
ないようにすること。 【構成】 半導体レーザチップ30、40の半田付け
する面のレーザ光放出面35、45側端部であって活性
層37、47以外の部分に半田溜まり用凹部38、48
を形成したこと。エピタキシャル基板の表面の前記各
半導体レーザチップ用領域のレーザ光放出面形成用境界
の活性層以外の部分にその底部がエピタキシャル基板表
面と略平行な溝を形成する工程と、該溝に沿ってエピタ
キシャル基板を劈開することにより、この劈開面を光放
出面とする各半導体レーザチップを形成する工程と、複
数の半導体レーザチップを半田付けによって厚さ方向に
積層する工程とを具備する半導体レーザの製造方法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ及びその
製造方法に関し、特に複数の半導体レーザチップを積層
するために使用する半田層がレーザ光の障害にならない
半導体レーザ及びその製造方法に関するものである。
製造方法に関し、特に複数の半導体レーザチップを積層
するために使用する半田層がレーザ光の障害にならない
半導体レーザ及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来から半導体レーザにおいて、半導体
レーザチップを半田づけによって厚さ方向に積層した半
導体レーザチップスタックが使用されている。この半導
体レーザチップスタックは高出力用として適している。
図7は、このような半導体レーザの従来例の断面構造を
示す。図7において、半導体レーザチップスタック70
は、半導体レーザチップ71、72、73を厚さ方向に
半田層74、75により接合して積層したものである。
半導体レーザチップ71の活性層71aの端部にレーザ
光放出面71bが形成され、同様に半導体レーザチップ
72の活性層72aの端部にレーザ光放出面72bが形
成され、半導体レーザチップ73の活性層73aの端部
にレーザ光放出面73bが形成されている。レーザ光放
出面71b、72b、73bは、同一平面上に配置され
ている。レーザ光放出面71bからレーザ光ビーム71
cが放出され、レーザ光放出面72bからレーザ光ビー
ム72cが放出され、レーザ光放出面73bからレーザ
光ビーム73cが放出されている。
レーザチップを半田づけによって厚さ方向に積層した半
導体レーザチップスタックが使用されている。この半導
体レーザチップスタックは高出力用として適している。
図7は、このような半導体レーザの従来例の断面構造を
示す。図7において、半導体レーザチップスタック70
は、半導体レーザチップ71、72、73を厚さ方向に
半田層74、75により接合して積層したものである。
半導体レーザチップ71の活性層71aの端部にレーザ
光放出面71bが形成され、同様に半導体レーザチップ
72の活性層72aの端部にレーザ光放出面72bが形
成され、半導体レーザチップ73の活性層73aの端部
にレーザ光放出面73bが形成されている。レーザ光放
出面71b、72b、73bは、同一平面上に配置され
ている。レーザ光放出面71bからレーザ光ビーム71
cが放出され、レーザ光放出面72bからレーザ光ビー
ム72cが放出され、レーザ光放出面73bからレーザ
光ビーム73cが放出されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来例において、半導体レーザチップスタック70を積
層するときの荷重によって、半田層74の端部に半田は
み出し部分74aが形成され、半田層75の端部に半田
はみ出し部分75aが形成される。なお、半田はみ出し
が生じないようにすると、接続強度が不足し、チップ剥
がれの発生や接続抵抗が大きくなるという問題があっ
た。このため、半田はみ出し部分74aがレーザ光ビー
ム71cの障害となり、半田はみ出し部分75aがレー
ザ光ビーム72cの障害となるので、レーザ光ビーム7
1c、72cが図示のように狭いものになる。この結
果、半導体レーザチップスタック70の発光効率が実質
的に低下するという欠点があった。したがって、本発明
の課題は、上述の従来例の欠点を除き、接続強度が十分
あり、接続抵抗が十分小さくて、半導体レーザチップ積
層用半田層による実質的な発光効率の低下を防止するこ
とができる半導体レーザ及びその製造方法を提供するこ
とである。
従来例において、半導体レーザチップスタック70を積
層するときの荷重によって、半田層74の端部に半田は
み出し部分74aが形成され、半田層75の端部に半田
はみ出し部分75aが形成される。なお、半田はみ出し
が生じないようにすると、接続強度が不足し、チップ剥
がれの発生や接続抵抗が大きくなるという問題があっ
た。このため、半田はみ出し部分74aがレーザ光ビー
ム71cの障害となり、半田はみ出し部分75aがレー
ザ光ビーム72cの障害となるので、レーザ光ビーム7
1c、72cが図示のように狭いものになる。この結
果、半導体レーザチップスタック70の発光効率が実質
的に低下するという欠点があった。したがって、本発明
の課題は、上述の従来例の欠点を除き、接続強度が十分
あり、接続抵抗が十分小さくて、半導体レーザチップ積
層用半田層による実質的な発光効率の低下を防止するこ
とができる半導体レーザ及びその製造方法を提供するこ
とである。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願の第1の発明は、複数の半導体レーザチップを
半田付けによって厚さ方向に積層した半導体レーザにお
いて、前記各半導体レーザチップの半田付けする面のレ
ーザ光放出面側端部であって活性層以外の部分に半田溜
まり用凹部を形成したことである。更に、第2の発明
は、複数の半導体レーザチップを半田付けによって厚さ
方向に積層する半導体レーザの製造方法において、複数
の半導体レーザチップ用領域を有するエピタキシャル基
板を形成する工程と、前記エピタキシャル基板表面の前
記各半導体レーザチップ用領域のレーザ光放出面形成用
境界の活性層以外の部分にその底部が前記エピタキシャ
ル基板表面と略平行な溝を形成する工程と、該溝に沿っ
て前記エピタキシャル基板を劈開することにより、この
劈開面を光放出面とする各半導体レーザチップを形成す
る工程と、複数の前記半導体レーザチップを半田付けに
よって厚さ方向に積層する工程とを具備する半導体レー
ザの製造方法である。
め、本願の第1の発明は、複数の半導体レーザチップを
半田付けによって厚さ方向に積層した半導体レーザにお
いて、前記各半導体レーザチップの半田付けする面のレ
ーザ光放出面側端部であって活性層以外の部分に半田溜
まり用凹部を形成したことである。更に、第2の発明
は、複数の半導体レーザチップを半田付けによって厚さ
方向に積層する半導体レーザの製造方法において、複数
の半導体レーザチップ用領域を有するエピタキシャル基
板を形成する工程と、前記エピタキシャル基板表面の前
記各半導体レーザチップ用領域のレーザ光放出面形成用
境界の活性層以外の部分にその底部が前記エピタキシャ
ル基板表面と略平行な溝を形成する工程と、該溝に沿っ
て前記エピタキシャル基板を劈開することにより、この
劈開面を光放出面とする各半導体レーザチップを形成す
る工程と、複数の前記半導体レーザチップを半田付けに
よって厚さ方向に積層する工程とを具備する半導体レー
ザの製造方法である。
【0005】
【作用】上記第1の発明によって、半導体レーザチップ
を半田づけする際に生ずる半田はみ出し部分が、半導体
レーザチップの半田付けする面のレーザ光放出面側端部
であって活性層以外の部分に形成された半田溜まり用凹
部内にほぼ納まるので、前記半田はみ出し部分がレーザ
光放出面から放出されるレーザ光ビームの障害にならな
い。更に、第2の発明によれば、エピタキシャル基板に
形成された複数の半導体レーザチップ用領域のレーザ光
放出面形成用境界の活性層以外の部分に形成されたその
底部が前記エピタキシャル基板表面と略平行な溝にそっ
て劈開することにより、各半導体レーザチップを形成し
ている。このため、劈開面のうち活性層部分がレーザ光
放出面及び全反射面となり、前記劈開によって分断され
た前記溝が、前記第1の発明の半田溜まり用凹部に相当
する。この結果、上述の第1の発明と同様に半田はみ出
し部分がレーザ光放出面から放出されるレーザ光ビーム
の障害にならない。
を半田づけする際に生ずる半田はみ出し部分が、半導体
レーザチップの半田付けする面のレーザ光放出面側端部
であって活性層以外の部分に形成された半田溜まり用凹
部内にほぼ納まるので、前記半田はみ出し部分がレーザ
光放出面から放出されるレーザ光ビームの障害にならな
い。更に、第2の発明によれば、エピタキシャル基板に
形成された複数の半導体レーザチップ用領域のレーザ光
放出面形成用境界の活性層以外の部分に形成されたその
底部が前記エピタキシャル基板表面と略平行な溝にそっ
て劈開することにより、各半導体レーザチップを形成し
ている。このため、劈開面のうち活性層部分がレーザ光
放出面及び全反射面となり、前記劈開によって分断され
た前記溝が、前記第1の発明の半田溜まり用凹部に相当
する。この結果、上述の第1の発明と同様に半田はみ出
し部分がレーザ光放出面から放出されるレーザ光ビーム
の障害にならない。
【0006】
【実施例】次に、第1及び第2の発明の実施例を図面を
参照して説明する。図1は第1の発明の一実施例の断面
構造を示し、図2は本実施例の積層工程前の各部分を示
す。図1及び図2において、半導体レーザチップスタッ
ク10は半導体レーザチップ20、30、40を半田層
51、52により厚さ方向に半田づけして積層したもの
である。半導体レーザチップ20は、図示上面が基板面
21、図示下面がエピタキシャル面23で、厚さが10
0μmである。基板面21及びエピタキシャル面23
は、図2ではほぼ正方形であるが、後述する図3に示す
ように長方形でもよい。基板面21には電極用第1金属
層22が、またエピタキシャル面23には電極用第2金
属層24が、それぞれ抵抗加熱蒸着により固定されてい
る。なお、金属層22、24の材質は金(Au)等であ
る。活性層27は、層厚が0.1μm程度で、エピタキ
シャル面23から図示上方に3μmの位置に形成されて
いる。レーザ光放出面(一部透過反射面)25は、活性
層27の図示左端部に形成され、全反射面26は活性層
27の図示右端部に形成されている。なお、レーザ光放
出面25と全反射面26とでレーザ光共振器を形成して
いる。共振器長Lは400μmである。レーザ光ビーム
29は、レーザ光放出面25から放出される。
参照して説明する。図1は第1の発明の一実施例の断面
構造を示し、図2は本実施例の積層工程前の各部分を示
す。図1及び図2において、半導体レーザチップスタッ
ク10は半導体レーザチップ20、30、40を半田層
51、52により厚さ方向に半田づけして積層したもの
である。半導体レーザチップ20は、図示上面が基板面
21、図示下面がエピタキシャル面23で、厚さが10
0μmである。基板面21及びエピタキシャル面23
は、図2ではほぼ正方形であるが、後述する図3に示す
ように長方形でもよい。基板面21には電極用第1金属
層22が、またエピタキシャル面23には電極用第2金
属層24が、それぞれ抵抗加熱蒸着により固定されてい
る。なお、金属層22、24の材質は金(Au)等であ
る。活性層27は、層厚が0.1μm程度で、エピタキ
シャル面23から図示上方に3μmの位置に形成されて
いる。レーザ光放出面(一部透過反射面)25は、活性
層27の図示左端部に形成され、全反射面26は活性層
27の図示右端部に形成されている。なお、レーザ光放
出面25と全反射面26とでレーザ光共振器を形成して
いる。共振器長Lは400μmである。レーザ光ビーム
29は、レーザ光放出面25から放出される。
【0007】半導体レーザチップ30の基板面31のレ
ーザ光放出面35側端部及び全反射面36側端部であっ
て活性層37以外の部分には半田溜まり用凹部38が形
成されている。凹部38の形状は、図1及び図2では直
角に切り欠いた形状であるが、後述する図4に示すよう
にその底部がエピタキシャル基板60の表面(基板面)
62aと略平行な逆メサ状溝63a〜63dから形成し
たものでもよい。半導体レーザチップ30のその他の部
分は、半導体レーザチップ20の対応する部分と同じで
ある。なお、半導体レーザチップ30にて、32は第1
金属層、33はエピタキシャル面、34は第2金属層、
39はレーザ光ビームである。半田層51は、第1金属
層32の表面に抵抗加熱蒸着によって固定されている。
半田層51の厚さが厚すぎると、接続抵抗が高くなり、
更に、後述する半田はみ出し量が多くなり、逆に半田層
51の厚さが薄すぎると、接続が弱くなるので、半田層
51の厚さは7μmである。また、各金属層32等に対
する濡れ性がよく、かつ金喰いが少ないようにするため
に、半田層51の成分は、Pbが75%で、Inが25
%である。半導体レーザチップ40の構造は、半導体レ
ーザチップ30の構造と同じである。なお、半導体レー
ザチップ40にて、41は基板面、42は第1金属層、
43はエピタキシャル面、44は第2金属層、45はレ
ーザ光放出面、46は全反射面、47は活性層、48は
凹部、49はレーザ光ビームである。半田層52は、材
質、形成方法及び厚さが半田層51と同じで、第1金属
層42の表面に固定されている。半導体レーザチップ2
0、30、40は、図示のように光放出面25、35、
45が同一平面上に配置されるように、半田層51、5
2によって厚さ方向に加熱圧着されている。加熱圧着の
条件は、荷重が約40g、加熱温度が280℃、加熱時
間が15秒である。このとき、半田層51、52の図示
左右両端に生じる半田はみ出し部分51a、52aは凹
部38、48内にほぼ収容される。
ーザ光放出面35側端部及び全反射面36側端部であっ
て活性層37以外の部分には半田溜まり用凹部38が形
成されている。凹部38の形状は、図1及び図2では直
角に切り欠いた形状であるが、後述する図4に示すよう
にその底部がエピタキシャル基板60の表面(基板面)
62aと略平行な逆メサ状溝63a〜63dから形成し
たものでもよい。半導体レーザチップ30のその他の部
分は、半導体レーザチップ20の対応する部分と同じで
ある。なお、半導体レーザチップ30にて、32は第1
金属層、33はエピタキシャル面、34は第2金属層、
39はレーザ光ビームである。半田層51は、第1金属
層32の表面に抵抗加熱蒸着によって固定されている。
半田層51の厚さが厚すぎると、接続抵抗が高くなり、
更に、後述する半田はみ出し量が多くなり、逆に半田層
51の厚さが薄すぎると、接続が弱くなるので、半田層
51の厚さは7μmである。また、各金属層32等に対
する濡れ性がよく、かつ金喰いが少ないようにするため
に、半田層51の成分は、Pbが75%で、Inが25
%である。半導体レーザチップ40の構造は、半導体レ
ーザチップ30の構造と同じである。なお、半導体レー
ザチップ40にて、41は基板面、42は第1金属層、
43はエピタキシャル面、44は第2金属層、45はレ
ーザ光放出面、46は全反射面、47は活性層、48は
凹部、49はレーザ光ビームである。半田層52は、材
質、形成方法及び厚さが半田層51と同じで、第1金属
層42の表面に固定されている。半導体レーザチップ2
0、30、40は、図示のように光放出面25、35、
45が同一平面上に配置されるように、半田層51、5
2によって厚さ方向に加熱圧着されている。加熱圧着の
条件は、荷重が約40g、加熱温度が280℃、加熱時
間が15秒である。このとき、半田層51、52の図示
左右両端に生じる半田はみ出し部分51a、52aは凹
部38、48内にほぼ収容される。
【0008】図3は、第2の発明の一実施例の製造方法
を示す。図3において、複数(図3では5個)の半導体
レーザチップ用領域61a〜61eを有する半導体レー
ザチップ用エピタキシャル基板60の基板面62aに共
振器長L(400μm)間隔でその底部が基板面62a
と略平行な逆メサ状溝63a〜63dが形成されてい
る。エピタキシャル基板60は、半導体レーザ用に各層
が基板上にエピタキシャル成長により形成されたウェハ
を一般的な方法でダイシングしたもので、その厚さが1
00μmである。なお、後述する劈開によって良好な鏡
面が形成されるようにするには、この厚さが80〜12
0μmであればよい。基板面62aは(100)面であ
り、逆メサ状溝63a〜63dの長手方向63eは図示
の方向である。逆メサ状溝63a〜63dは、図示しな
いフォトレジストの10μm幅ストライプ状長孔からウ
ェットエッチングにより形成され、開口部の幅が20μ
m、最大幅(底部の幅)が30μm、深さが20μmで
ある。なお、このように深さを決めると、良好な劈開が
可能な前記厚さの限界値80μmを確保できる。また図
示点線は劈開面64a〜64dの端部である。この劈開
面64a〜64dのうち活性層62c部分が半導体レー
ザチップ用領域61a〜61eから形成される半導体レ
ーザチップのレーザ光放出面及び全反射面を形成する。
なお、後述する図4に示すように、刃64eによりエピ
タキシャル面62bから劈開する。このとき、逆メサ状
溝63a〜63dの底が平らなために、刃64eの位置
で劈開される。
を示す。図3において、複数(図3では5個)の半導体
レーザチップ用領域61a〜61eを有する半導体レー
ザチップ用エピタキシャル基板60の基板面62aに共
振器長L(400μm)間隔でその底部が基板面62a
と略平行な逆メサ状溝63a〜63dが形成されてい
る。エピタキシャル基板60は、半導体レーザ用に各層
が基板上にエピタキシャル成長により形成されたウェハ
を一般的な方法でダイシングしたもので、その厚さが1
00μmである。なお、後述する劈開によって良好な鏡
面が形成されるようにするには、この厚さが80〜12
0μmであればよい。基板面62aは(100)面であ
り、逆メサ状溝63a〜63dの長手方向63eは図示
の方向である。逆メサ状溝63a〜63dは、図示しな
いフォトレジストの10μm幅ストライプ状長孔からウ
ェットエッチングにより形成され、開口部の幅が20μ
m、最大幅(底部の幅)が30μm、深さが20μmで
ある。なお、このように深さを決めると、良好な劈開が
可能な前記厚さの限界値80μmを確保できる。また図
示点線は劈開面64a〜64dの端部である。この劈開
面64a〜64dのうち活性層62c部分が半導体レー
ザチップ用領域61a〜61eから形成される半導体レ
ーザチップのレーザ光放出面及び全反射面を形成する。
なお、後述する図4に示すように、刃64eによりエピ
タキシャル面62bから劈開する。このとき、逆メサ状
溝63a〜63dの底が平らなために、刃64eの位置
で劈開される。
【0009】図4は、図3に示す製造方法で製造した半
導体レーザチップの一部分の断面構造を示す。図4にお
いて、第1金属層62e、第2金属層62f及び半田層
62gは、上述の劈開後に前記第1の発明の一実施例と
同様な方法で形成される。なお、62dは光放出面であ
る。
導体レーザチップの一部分の断面構造を示す。図4にお
いて、第1金属層62e、第2金属層62f及び半田層
62gは、上述の劈開後に前記第1の発明の一実施例と
同様な方法で形成される。なお、62dは光放出面であ
る。
【0010】図5は上述の第1の発明の一実施例の実際
例を示す。図5にて、半導体レーザチップスタック10
が半田層65により導電性サブマウント66の図示上面
に固定されている。更に、サブマウント66は導電性ヒ
ートシンク67の図示上面に固定されている。また、ボ
ンディングワイヤ68が半導体レーザチップスタック1
0の図示上面にボンディングされている。
例を示す。図5にて、半導体レーザチップスタック10
が半田層65により導電性サブマウント66の図示上面
に固定されている。更に、サブマウント66は導電性ヒ
ートシンク67の図示上面に固定されている。また、ボ
ンディングワイヤ68が半導体レーザチップスタック1
0の図示上面にボンディングされている。
【0011】図6は前記実際例の使用方法を示す。な
お、図6では、半導体レーザチップスタック10、導電
性サブマウント66及び導電性ヒートシンク67相互の
位置関係が図5のものとは異なる。なお、69は半導体
レーザに電流を流す電流源である。
お、図6では、半導体レーザチップスタック10、導電
性サブマウント66及び導電性ヒートシンク67相互の
位置関係が図5のものとは異なる。なお、69は半導体
レーザに電流を流す電流源である。
【0012】上記第1の発明の構成によって、図5に示
すように半導体レーザチップスタック10に電流を流す
と、図1に示すように半導体レーザの半導体レーザチッ
プスタック10の各半導体レーザチップ20、30、4
0がレーザ光ビーム29、39、49を放出する。この
とき、上述のように半導体レーザチップ20、30、4
0を半田づけする際に生ずる半田はみ出し部分51a、
52aが、半導体レーザチップ30、40の半田付けす
る基板面31、41のレーザ光放出面35、45側端部
に形成された半田溜まり用凹部38、48内にほぼ納ま
るので、前記半田はみ出し部分51a、52aが、半導
体レーザチップ20、30、40の光放出面25、3
5、45から放出されるレーザ光ビーム29、39、4
9の障害にならない。
すように半導体レーザチップスタック10に電流を流す
と、図1に示すように半導体レーザの半導体レーザチッ
プスタック10の各半導体レーザチップ20、30、4
0がレーザ光ビーム29、39、49を放出する。この
とき、上述のように半導体レーザチップ20、30、4
0を半田づけする際に生ずる半田はみ出し部分51a、
52aが、半導体レーザチップ30、40の半田付けす
る基板面31、41のレーザ光放出面35、45側端部
に形成された半田溜まり用凹部38、48内にほぼ納ま
るので、前記半田はみ出し部分51a、52aが、半導
体レーザチップ20、30、40の光放出面25、3
5、45から放出されるレーザ光ビーム29、39、4
9の障害にならない。
【0013】更に、上記第2の発明の構成により、エピ
タキシャル基板60に形成された複数の半導体レーザチ
ップ用領域61a〜61eの反射面形成用境界に形成さ
れた逆メサ状溝63a〜63dにそって劈開することに
より、各半導体レーザチップを形成している。このた
め、前記逆メサ状溝63a〜63dが、前記半田溜まり
用凹部38、48に相当する。なお、上述の各実施例に
おいて、半導体レーザチップの全反射面側には半田溜ま
り用凹部がなくてもよい。
タキシャル基板60に形成された複数の半導体レーザチ
ップ用領域61a〜61eの反射面形成用境界に形成さ
れた逆メサ状溝63a〜63dにそって劈開することに
より、各半導体レーザチップを形成している。このた
め、前記逆メサ状溝63a〜63dが、前記半田溜まり
用凹部38、48に相当する。なお、上述の各実施例に
おいて、半導体レーザチップの全反射面側には半田溜ま
り用凹部がなくてもよい。
【0014】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の半
導体レーザ及びその製造方法によれば、半導体レーザチ
ップ積層用半田層による実質的な発光効率の低下を防止
することができる。このため、半導体レーザチップスタ
ックを使用した半導体レーザを高出力なものにすること
ができる。更に、本発明の半導体レーザによれば、従来
例において半田のはみ出しが生ずる荷重条件でも、半田
のはみ出しが問題にならないので、接続強度の信頼性を
高め、かつ、接続抵抗を小さくすることができる。
導体レーザ及びその製造方法によれば、半導体レーザチ
ップ積層用半田層による実質的な発光効率の低下を防止
することができる。このため、半導体レーザチップスタ
ックを使用した半導体レーザを高出力なものにすること
ができる。更に、本発明の半導体レーザによれば、従来
例において半田のはみ出しが生ずる荷重条件でも、半田
のはみ出しが問題にならないので、接続強度の信頼性を
高め、かつ、接続抵抗を小さくすることができる。
【図1】第1の発明の一実施例の断面図である。
【図2】前記一実施例の積層工程前の各部分の斜視図で
ある。
ある。
【図3】第2の発明の一実施例の製造方法を示す斜視図
である。
である。
【図4】図3の方法で製造された半導体レーザチップの
一部分の断面図である。
一部分の断面図である。
【図5】前記第1の発明の一実施例の実際の構造を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図6】前記実際の構造の使用例を示す図である。
【図7】従来例の断面図である。
10 半導体レーザチップスタック 20、30、40、62d半導体レーザチップ 21、31、41 基板面 25、35、45 レーザ光放出面 27、37、47、62c 活性層 38、48 凹部 51、52、62g 半田層 51a、52a 半田はみ出し部分 60 エピタキシャル基板 61a〜61e 半導体レーザチップ用領域 62a エピタキシャル基板の基板面 63a〜63d 逆メサ状溝 64a〜64d 劈開面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大西 豊和 愛知県豊田市トヨタ町1番地 トヨタ自動 車株式会社内 (72)発明者 中野 次郎 愛知県豊田市トヨタ町1番地 トヨタ自動 車株式会社内 (72)発明者 杉山 隆英 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の1株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 冨田 一義 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の1株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 加納 浩之 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の1株式会社豊田中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項1】 複数の半導体レーザチップを半田付けに
よって厚さ方向に積層した半導体レーザにおいて、 前記各半導体レーザチップの半田付けする面のレーザ光
放出面側端部であって活性層以外の部分に半田溜まり用
凹部を形成したことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項2】 複数の半導体レーザチップを半田付けに
よって厚さ方向に積層する半導体レーザの製造方法にお
いて、 複数の半導体レーザチップ用領域を有するエピタキシャ
ル基板を形成する工程と、 前記エピタキシャル基板表面の前記各半導体レーザチッ
プ用領域のレーザ光放出面形成用境界の活性層以外の部
分にその底部が前記エピタキシャル基板表面と略平行な
溝を形成する工程と、 該溝に沿って前記エピタキシャル基板を劈開することに
より、この劈開面を光放出面とする各半導体レーザチッ
プを形成する工程と、 複数の前記半導体レーザチップを半田付けによって厚さ
方向に積層する工程とを具備することを特徴とする半導
体レーザの製造方法。
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---|---|---|---|
JP05258510A JP3081094B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
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US08/323,431 US5604761A (en) | 1993-10-15 | 1994-10-14 | Layered semiconductor laser having solder laminations and method of making same |
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JP05258510A JP3081094B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
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JPH07115247A true JPH07115247A (ja) | 1995-05-02 |
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ID=17321216
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JP05258510A Expired - Fee Related JP3081094B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
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US10066768B2 (en) | 2014-05-07 | 2018-09-04 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Tubular connecting arrangement and method of sealingly connecting tubulars |
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JPS58142588A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-24 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ−装置 |
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1993
- 1993-10-15 JP JP05258510A patent/JP3081094B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-10-13 DE DE69401733T patent/DE69401733T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-13 EP EP94116166A patent/EP0649202B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-14 US US08/323,431 patent/US5604761A/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|
EP0649202A1 (en) | 1995-04-19 |
DE69401733T2 (de) | 1997-09-04 |
JP3081094B2 (ja) | 2000-08-28 |
DE69401733D1 (de) | 1997-03-27 |
US5604761A (en) | 1997-02-18 |
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