JPH0997943A - スタック型半導体レーザ - Google Patents
スタック型半導体レーザInfo
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- JPH0997943A JPH0997943A JP7251495A JP25149595A JPH0997943A JP H0997943 A JPH0997943 A JP H0997943A JP 7251495 A JP7251495 A JP 7251495A JP 25149595 A JP25149595 A JP 25149595A JP H0997943 A JPH0997943 A JP H0997943A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の半導体レーザ素子の重ね合わせ構造に
工夫を加えることにより、各半導体レーザ素子のレーザ
光によるビームパターン間の重なりをできる限り大きく
するようにしたスタック型半導体レーザを提供すること
を目的とする。 【解決手段】 半導体レーザ素子２０がそのＮ型電極２
７にてはんだ層２８におり台座１０の表面１１に接合さ
れている。半導体レーザ素子３０が、そのＮ型電極３６
にて、半導体レーザ素子２０と同一の出射面方向を有す
るようにそのＰ型電極２６にはんだ層３７を介して接合
されている。
工夫を加えることにより、各半導体レーザ素子のレーザ
光によるビームパターン間の重なりをできる限り大きく
するようにしたスタック型半導体レーザを提供すること
を目的とする。 【解決手段】 半導体レーザ素子２０がそのＮ型電極２
７にてはんだ層２８におり台座１０の表面１１に接合さ
れている。半導体レーザ素子３０が、そのＮ型電極３６
にて、半導体レーザ素子２０と同一の出射面方向を有す
るようにそのＰ型電極２６にはんだ層３７を介して接合
されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザに係
り、特に、大出力のレーザ光を得るに適したスタック型
半導体レーザに関する。
り、特に、大出力のレーザ光を得るに適したスタック型
半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザを用いて自動車間の
距離を計測し、車間距離を一定に保ったり、前方の自動
車に接近し過ぎた場合に、警報を発するようにしたレー
ザレーダシステムが提案されている。このようなシステ
ムでは、１００ｍ先の物体を検知することが不可欠であ
る。このような仕様を満足させるために、半導体レーザ
では、パルス駆動で４０乃至８０Ｗの光出力が要求され
ている。現在、一般に市販されている１チップの半導体
レーザ素子では、実用上最大でも１０乃至２０Ｗ程度の
出力しか得られないため、この半導体レーザ素子を縦方
向にいくつも積み重ね、ろう材金属で接合してスタック
化することで、光出力を増加させるようにしている。
距離を計測し、車間距離を一定に保ったり、前方の自動
車に接近し過ぎた場合に、警報を発するようにしたレー
ザレーダシステムが提案されている。このようなシステ
ムでは、１００ｍ先の物体を検知することが不可欠であ
る。このような仕様を満足させるために、半導体レーザ
では、パルス駆動で４０乃至８０Ｗの光出力が要求され
ている。現在、一般に市販されている１チップの半導体
レーザ素子では、実用上最大でも１０乃至２０Ｗ程度の
出力しか得られないため、この半導体レーザ素子を縦方
向にいくつも積み重ね、ろう材金属で接合してスタック
化することで、光出力を増加させるようにしている。
【０００３】図６は、このようなスタック型半導体レー
ザの従来例を示す（特開平５−４１５６１号公報参
照）。この半導体レーザは、Ｐ型或いはＮ型の基板１上
中央に、半導体レーザ素子３、４をろう材金属を介して
スタック状に積み重ねて構成されている。ここで、両半
導体レーザ素子３、４は、半導体レーザ素子２の基板と
は別の基板上に、順次エピタキシャル成長させて製作さ
れている。
ザの従来例を示す（特開平５−４１５６１号公報参
照）。この半導体レーザは、Ｐ型或いはＮ型の基板１上
中央に、半導体レーザ素子３、４をろう材金属を介して
スタック状に積み重ねて構成されている。ここで、両半
導体レーザ素子３、４は、半導体レーザ素子２の基板と
は別の基板上に、順次エピタキシャル成長させて製作さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
半導体レーザの両半導体レーザ素子３、４について、図
７にて示すごとく、実際の光学系を用いてレンズ５の前
方にレーザ光を照射した場合、両ビームパターン６、７
が得られる。これら各ビームパターン６、７は、各半導
体レーザ素子３、４からのレーザ光により形成される。
半導体レーザの両半導体レーザ素子３、４について、図
７にて示すごとく、実際の光学系を用いてレンズ５の前
方にレーザ光を照射した場合、両ビームパターン６、７
が得られる。これら各ビームパターン６、７は、各半導
体レーザ素子３、４からのレーザ光により形成される。
【０００５】即ち、半導体レーザ素子３のレーザ光が、
光路Ｐ１に沿いレンズ５を通り図７にて示す位置にビー
ムパターン６を形成する。一方、半導体レーザ素子４の
レーザ光が、光路Ｐ２に沿いレンズ５を通り図７にて示
す位置にビームパターン７を形成する。ここで、スタッ
ク型半導体レーザが測距用レーザレーダシステムに使用
される場合、両半導体レーザ素子３、４とレンズ５との
間の距離Ｌ１は、レンズ５と両ビームパターン６、７と
の間の距離Ｌ２に比べて非常に短い。例えば、自動車用
とした場合、距離Ｌ１は約２０ｍｍであり、距離Ｌ２と
しては最大で１００ｍが要求される。
光路Ｐ１に沿いレンズ５を通り図７にて示す位置にビー
ムパターン６を形成する。一方、半導体レーザ素子４の
レーザ光が、光路Ｐ２に沿いレンズ５を通り図７にて示
す位置にビームパターン７を形成する。ここで、スタッ
ク型半導体レーザが測距用レーザレーダシステムに使用
される場合、両半導体レーザ素子３、４とレンズ５との
間の距離Ｌ１は、レンズ５と両ビームパターン６、７と
の間の距離Ｌ２に比べて非常に短い。例えば、自動車用
とした場合、距離Ｌ１は約２０ｍｍであり、距離Ｌ２と
しては最大で１００ｍが要求される。
【０００６】従来のスタック型半導体レーザでは、Ｐ型
基板若しくはＮ型基板と同一の基板上にエピタキシャル
成長により製作された半導体レーザ素子を、図６にて示
すごとく、単に２段以上に積み重ねるだけである。この
ため、図７における１段目の半導体レーザ素子発光層と
２段目の半導体レーザ素子の発光層との間の間隔Ｄ１
は、図７にて示すごとく、基板の厚さだけ離れており、
通常、約１００μｍである。
基板若しくはＮ型基板と同一の基板上にエピタキシャル
成長により製作された半導体レーザ素子を、図６にて示
すごとく、単に２段以上に積み重ねるだけである。この
ため、図７における１段目の半導体レーザ素子発光層と
２段目の半導体レーザ素子の発光層との間の間隔Ｄ１
は、図７にて示すごとく、基板の厚さだけ離れており、
通常、約１００μｍである。
【０００７】従って、上述のように、距離Ｌ１を約２０
ｍｍとし、距離Ｌ２を、例えば１００ｍとすると、間隔
Ｄ１は、レンズ５の前方１００ｍの距離の位置では、両
ビームパターンの各中心の間隔Ｄ２として現れる。ここ
で、単純な光学系の場合、Ｄ２は、次の数１の式により
与えられる。
ｍｍとし、距離Ｌ２を、例えば１００ｍとすると、間隔
Ｄ１は、レンズ５の前方１００ｍの距離の位置では、両
ビームパターンの各中心の間隔Ｄ２として現れる。ここ
で、単純な光学系の場合、Ｄ２は、次の数１の式により
与えられる。
【０００８】
【数１】Ｄ２＝Ｄ１×Ｌ２／Ｌ１ この式に、Ｌ１＝２０ｍｍ、Ｌ２＝１００ｍ、Ｄ１＝１
００μｍを代入すると、Ｄ２は５０ｃｍとなる。このこ
とは、二つのレーザ光の重なりが５０ｃｍだけずれるこ
とになり、図８にて示すように、レンズ５の前方におけ
るレーザ光の強度が不均一になる領域が非常に広くなる
ことを意味する。このため、測距精度が低下するという
不具合があった。
００μｍを代入すると、Ｄ２は５０ｃｍとなる。このこ
とは、二つのレーザ光の重なりが５０ｃｍだけずれるこ
とになり、図８にて示すように、レンズ５の前方におけ
るレーザ光の強度が不均一になる領域が非常に広くなる
ことを意味する。このため、測距精度が低下するという
不具合があった。
【０００９】そこで、本発明は、以上のようなことに対
処するため、複数の半導体レーザ素子の重ね合わせ構造
に工夫を加えることにより、各半導体レーザ素子のレー
ザ光によるビームパターン間の重なりをできる限り大き
くするようにしたスタック型半導体レーザを提供するこ
とを目的とする。
処するため、複数の半導体レーザ素子の重ね合わせ構造
に工夫を加えることにより、各半導体レーザ素子のレー
ザ光によるビームパターン間の重なりをできる限り大き
くするようにしたスタック型半導体レーザを提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【発明の概要】上記目的を達成するため、請求項１乃至
５に記載の発明によれば、半導体レーザ素子（２０）の
Ｐ型電極（２６）と、半導体レーザ素子（３０）のＮ型
電極（３６）とが、ろう材金属（３７）を介して接合さ
れている。これにより、両半導体レーザ素子が、その各
発光層にて近接するように、接合されることとなる。こ
のため、実際の光学系において両半導体レーザ素子の各
レーザ光を前方に向け照射した場合、両レーザ光による
各照射光パターンの間の重なりが大きくなる。従って、
当該各照射光パターンにおけるレーザ光の強度の不均一
な領域が減少する。その結果、かかるスタック型半導体
レーザを自動車の測距用レーザレーダシステムの適用し
た場合、その測距精度が大幅に向上する。
５に記載の発明によれば、半導体レーザ素子（２０）の
Ｐ型電極（２６）と、半導体レーザ素子（３０）のＮ型
電極（３６）とが、ろう材金属（３７）を介して接合さ
れている。これにより、両半導体レーザ素子が、その各
発光層にて近接するように、接合されることとなる。こ
のため、実際の光学系において両半導体レーザ素子の各
レーザ光を前方に向け照射した場合、両レーザ光による
各照射光パターンの間の重なりが大きくなる。従って、
当該各照射光パターンにおけるレーザ光の強度の不均一
な領域が減少する。その結果、かかるスタック型半導体
レーザを自動車の測距用レーザレーダシステムの適用し
た場合、その測距精度が大幅に向上する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
１乃至図４に基づいて説明する。図１は、自動車車間距
離測距用レーザレーダシステムに採用するに適した本発
明に係る大出力のスタック型半導体レーザを示してい
る。この半導体レーザは、台座１０を備えており、この
台座１０の表面１１には、金メッキが施されている。
１乃至図４に基づいて説明する。図１は、自動車車間距
離測距用レーザレーダシステムに採用するに適した本発
明に係る大出力のスタック型半導体レーザを示してい
る。この半導体レーザは、台座１０を備えており、この
台座１０の表面１１には、金メッキが施されている。
【００１２】また、半導体レーザは、量子井戸構造の両
半導体レーザ素子２０、３０を備えており、これら両半
導体レーザ素子２０、３０は、台座１０の表面１１上
に、順次、積み重ねて接合されている。半導体レーザ素
子２０は、Ｎ型ＧａＡｓ基板２１を備えており、このＮ
型ＧａＡｓ基板２１の上面には、ＡｌＧａＡｓからなる
Ｎ型クラッド層２２、ＧａＡｓとＡｌＧａＡｓとの超格
子からなる発光層２３、ＡｌＧａＡｓからなるＰ型クラ
ッド層２４が、分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ）、有
機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＣＶＤ）、或い
は液相エピタキシャル法（ＬＰＥ）等の各種のエピタキ
シャル方法により、順次、成膜されている。
半導体レーザ素子２０、３０を備えており、これら両半
導体レーザ素子２０、３０は、台座１０の表面１１上
に、順次、積み重ねて接合されている。半導体レーザ素
子２０は、Ｎ型ＧａＡｓ基板２１を備えており、このＮ
型ＧａＡｓ基板２１の上面には、ＡｌＧａＡｓからなる
Ｎ型クラッド層２２、ＧａＡｓとＡｌＧａＡｓとの超格
子からなる発光層２３、ＡｌＧａＡｓからなるＰ型クラ
ッド層２４が、分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ）、有
機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＣＶＤ）、或い
は液相エピタキシャル法（ＬＰＥ）等の各種のエピタキ
シャル方法により、順次、成膜されている。
【００１３】なお、場合によっては、Ｎ型ＧａＡｓ基板
２１の上面に、Ｎ型ＧａＡｓバッファ層（図示しない）
や、ＡｌＧａＡｓからなるＰ型クラッド層２２の上面に
Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層（図示しない）が成膜されて
もよい。また、Ｐ型クラッド層２４の上面には、ＳｉＯ
2 からなる絶縁層２５が所定の形状にパターニング形成
されている。また、半導体レーザ素子２０の上部電極と
なるＰ型電極２６は、Ｃｒ／Ａｕからなる薄膜を絶縁層
２５を介しＰ型クラッド層２４の上面に真空蒸着法によ
り形成するとともに当該薄膜に約３６０℃にて熱処理を
施しオーミックコンタクトをとって形成されている。
２１の上面に、Ｎ型ＧａＡｓバッファ層（図示しない）
や、ＡｌＧａＡｓからなるＰ型クラッド層２２の上面に
Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層（図示しない）が成膜されて
もよい。また、Ｐ型クラッド層２４の上面には、ＳｉＯ
2 からなる絶縁層２５が所定の形状にパターニング形成
されている。また、半導体レーザ素子２０の上部電極と
なるＰ型電極２６は、Ｃｒ／Ａｕからなる薄膜を絶縁層
２５を介しＰ型クラッド層２４の上面に真空蒸着法によ
り形成するとともに当該薄膜に約３６０℃にて熱処理を
施しオーミックコンタクトをとって形成されている。
【００１４】一方、半導体レーザ素子２０の下部電極と
なるＮ型電極２７は、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる薄
膜を真空蒸着法でＮ型クラッド層２２の下面に形成する
とともに当該薄膜に熱処理を施し、オーミックコンタク
トをとって形成されている。このＮ型電極２７の下面に
は、台座１０の表面１１と接合するためのはんだ層２８
が真空蒸着方法により形成されている。このはんだ層２
８は、ＳｕとＡｕとの各薄膜により構成されており、Ｓ
ｕの膜厚及びＡｕの膜厚は、それぞれ、８００ｎｍ及び
２００ｎｍである。
なるＮ型電極２７は、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる薄
膜を真空蒸着法でＮ型クラッド層２２の下面に形成する
とともに当該薄膜に熱処理を施し、オーミックコンタク
トをとって形成されている。このＮ型電極２７の下面に
は、台座１０の表面１１と接合するためのはんだ層２８
が真空蒸着方法により形成されている。このはんだ層２
８は、ＳｕとＡｕとの各薄膜により構成されており、Ｓ
ｕの膜厚及びＡｕの膜厚は、それぞれ、８００ｎｍ及び
２００ｎｍである。
【００１５】半導体レーザ素子３０は、Ｐ型ＧａＡｓ基
板３１を備えており、このＰ型ＧａＡｓ基板３１の下面
には、ＡｌＧａＡｓからなるＰ型クラッド層３２、Ｇａ
ＡｓとＡｌＧａＡｓとの超格子からなる発光層３３、Ａ
ｌＧａＡｓからなるＮ型クラッド層３４が、半導体レー
ザ素子２０のＮ型クラッド層２２、発光層２３、Ｐ型ク
ラッド層２４の形成方法と同様の方法により、順次、成
膜されている。
板３１を備えており、このＰ型ＧａＡｓ基板３１の下面
には、ＡｌＧａＡｓからなるＰ型クラッド層３２、Ｇａ
ＡｓとＡｌＧａＡｓとの超格子からなる発光層３３、Ａ
ｌＧａＡｓからなるＮ型クラッド層３４が、半導体レー
ザ素子２０のＮ型クラッド層２２、発光層２３、Ｐ型ク
ラッド層２４の形成方法と同様の方法により、順次、成
膜されている。
【００１６】なお、場合によっては、Ｐ型ＧａＡｓ基板
３１の下面に、Ｐ型ＧａＡｓバッファ層（図示しない）
や、Ｎ型クラッド層３２の下面にＮ型ＧａＡｓコンタク
ト層（図示しない）が成膜されてもよい。また、Ｎ型ク
ラッド層３４の下面には、ＳｉＯ2 からなる絶縁層３５
が所定の形状にパターニング形成されている。また、半
導体レーザ素子３０の下部電極となるＮ型電極３６は、
ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる薄膜を絶縁層３５を介し
Ｎ型クラッド層３４の下面に真空蒸着法により形成する
とともに当該薄膜に上述と同様に熱処理を施し、オーミ
ックコンタクトをとって形成されている。
３１の下面に、Ｐ型ＧａＡｓバッファ層（図示しない）
や、Ｎ型クラッド層３２の下面にＮ型ＧａＡｓコンタク
ト層（図示しない）が成膜されてもよい。また、Ｎ型ク
ラッド層３４の下面には、ＳｉＯ2 からなる絶縁層３５
が所定の形状にパターニング形成されている。また、半
導体レーザ素子３０の下部電極となるＮ型電極３６は、
ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる薄膜を絶縁層３５を介し
Ｎ型クラッド層３４の下面に真空蒸着法により形成する
とともに当該薄膜に上述と同様に熱処理を施し、オーミ
ックコンタクトをとって形成されている。
【００１７】このＮ型電極３６の下面には、半導体レー
ザ素子２０のＰ型電極２６と接合するためのはんだ層３
７が真空蒸着方法により形成されている。このはんだ層
３７の構成ははんだ層２８と同様である。一方、半導体
レーザ素子３０の上部電極となるＰ型電極３８は、Ｃｒ
／Ａｕからなる薄膜をＮ型電極２７の形成方法と同様の
方法でＰ型基板３１の上面に形成し、当該薄膜に熱処理
を施してオーミックコンタクトをとって形成されてい
る。また、Ｐ型電極３８の上面には、ボンディング電極
３９がＡｕの薄膜を真空蒸着法により形成されている。
ザ素子２０のＰ型電極２６と接合するためのはんだ層３
７が真空蒸着方法により形成されている。このはんだ層
３７の構成ははんだ層２８と同様である。一方、半導体
レーザ素子３０の上部電極となるＰ型電極３８は、Ｃｒ
／Ａｕからなる薄膜をＮ型電極２７の形成方法と同様の
方法でＰ型基板３１の上面に形成し、当該薄膜に熱処理
を施してオーミックコンタクトをとって形成されてい
る。また、Ｐ型電極３８の上面には、ボンディング電極
３９がＡｕの薄膜を真空蒸着法により形成されている。
【００１８】なお、以上のように製作した半導体レーザ
素子２０のＰ型電極２６の表面から発光層２３までの間
隔及び半導体レーザ素子３０のＮ型電極３６の表面から
発光層３３までの間隔は、共に、略５μｍである。ここ
で、両半導体レーザ素子２０、３０を台座１０に接合す
る方法について説明する。
素子２０のＰ型電極２６の表面から発光層２３までの間
隔及び半導体レーザ素子３０のＮ型電極３６の表面から
発光層３３までの間隔は、共に、略５μｍである。ここ
で、両半導体レーザ素子２０、３０を台座１０に接合す
る方法について説明する。
【００１９】半導体レーザ素子２０をそのはんだ層２８
にて台座１０の表面１１上に載置し、ダイボンド装置に
より上方から半導体レーザ素子２０に荷重を加えなが
ら、約３７０℃の温度条件にてはんだ層２８を台座１０
の表面１１に溶接することにより、半導体レーザ素子２
０を台座１０に接合する。ついで、半導体レーザ素子３
０をそのはんだ層３７にて半導体レーザ素子２０のＰ型
電極２６上に載置し、半導体レーザ素子２０の台座１０
に対する接合方法と同様の方法により、はんだ層３７を
Ｐ型電極２６にロー付けすることにより、半導体レーザ
素子３０を半導体レーザ素子２０にスタック状に接合す
る。これにより、両半導体レーザ素子２０、３０の各発
光層の間隔が約１０μｍ（図３にて符号Ｄ３参照）に短
縮される。但し、両半導体レーザ素子２０、３０の接合
は、両者のレーザ光出射面が同一方向になるように行
う。
にて台座１０の表面１１上に載置し、ダイボンド装置に
より上方から半導体レーザ素子２０に荷重を加えなが
ら、約３７０℃の温度条件にてはんだ層２８を台座１０
の表面１１に溶接することにより、半導体レーザ素子２
０を台座１０に接合する。ついで、半導体レーザ素子３
０をそのはんだ層３７にて半導体レーザ素子２０のＰ型
電極２６上に載置し、半導体レーザ素子２０の台座１０
に対する接合方法と同様の方法により、はんだ層３７を
Ｐ型電極２６にロー付けすることにより、半導体レーザ
素子３０を半導体レーザ素子２０にスタック状に接合す
る。これにより、両半導体レーザ素子２０、３０の各発
光層の間隔が約１０μｍ（図３にて符号Ｄ３参照）に短
縮される。但し、両半導体レーザ素子２０、３０の接合
は、両者のレーザ光出射面が同一方向になるように行
う。
【００２０】なお、半導体レーザ素子３０のボンディン
グ電極３９の上面にワイヤボンディング装置によりＡｕ
からなるワイヤ３９ａが形成されている。このように構
成した本実施の形態において、本発明に係るスタック型
半導体レーザを実際の光学系に適用した場合の作用効果
を、図３及び図４を使用して、図７及び図８と比較しな
がら説明する。
グ電極３９の上面にワイヤボンディング装置によりＡｕ
からなるワイヤ３９ａが形成されている。このように構
成した本実施の形態において、本発明に係るスタック型
半導体レーザを実際の光学系に適用した場合の作用効果
を、図３及び図４を使用して、図７及び図８と比較しな
がら説明する。
【００２１】本発明に係るスタック型半導体レーザの両
半導体レーザ素子２０、３０により、図３にて示すごと
く、実際の光学系を用いてレンズ５の前方にレーザ光を
照射した場合、両ビームパターン２０ａ、３０ａが得ら
れた。これら各ビームパターン２０ａ、３０ａは、各半
導体レーザ素子２０、３０からのレーザ光により形成さ
れたものである。即ち、半導体レーザ素子２０のレーザ
光が、光路Ｐ３に沿いレンズ５を通り図３にて示す位置
にビームパターン２０ａを形成する。一方、半導体レー
ザ素子３０のレーザ光が、光路Ｐ４に沿いレンズ５を通
り図３にて示す位置にビームパターン３０ａを形成す
る。
半導体レーザ素子２０、３０により、図３にて示すごと
く、実際の光学系を用いてレンズ５の前方にレーザ光を
照射した場合、両ビームパターン２０ａ、３０ａが得ら
れた。これら各ビームパターン２０ａ、３０ａは、各半
導体レーザ素子２０、３０からのレーザ光により形成さ
れたものである。即ち、半導体レーザ素子２０のレーザ
光が、光路Ｐ３に沿いレンズ５を通り図３にて示す位置
にビームパターン２０ａを形成する。一方、半導体レー
ザ素子３０のレーザ光が、光路Ｐ４に沿いレンズ５を通
り図３にて示す位置にビームパターン３０ａを形成す
る。
【００２２】ここで、本発明に係るスタック型半導体レ
ーザでは、上述したごとく、両半導体レーザ素子２０、
３０が、各発光層の間隔をＤ３＝１０μｍとするよう
に、近接して接合されている。このため、レンズ５の前
方の両ビームパターン２０ａ、３０ａの各中心間隔Ｄ４
は、図７にて示す場合に比べて非常に狭くなる。例え
ば、図７にて示す従来の場合と同様に、Ｌ１＝２０ｍ
ｍ、Ｌ２＝１００ｍとし、これらをＤ３＝１０μｍとと
もに数１の式に代入すると、レンズ５の前方１００ｍの
距離の位置では、図３では、両ビームパターン２０ａ、
３０ａの中心間隔Ｄ４は、５ｃｍとなり、従来のスタッ
ク型半導体レーザの場合と比べて１／１０に改善され
る。
ーザでは、上述したごとく、両半導体レーザ素子２０、
３０が、各発光層の間隔をＤ３＝１０μｍとするよう
に、近接して接合されている。このため、レンズ５の前
方の両ビームパターン２０ａ、３０ａの各中心間隔Ｄ４
は、図７にて示す場合に比べて非常に狭くなる。例え
ば、図７にて示す従来の場合と同様に、Ｌ１＝２０ｍ
ｍ、Ｌ２＝１００ｍとし、これらをＤ３＝１０μｍとと
もに数１の式に代入すると、レンズ５の前方１００ｍの
距離の位置では、図３では、両ビームパターン２０ａ、
３０ａの中心間隔Ｄ４は、５ｃｍとなり、従来のスタッ
ク型半導体レーザの場合と比べて１／１０に改善され
る。
【００２３】これにより、両ビームパターン２０ａ、３
０ａのずれが、図７の両ビームパターン６、７のずれに
比べて大幅に減少する。換言すれば、両ビームパターン
２０ａ、３０ａの重なりが、図７の両ビームパターン
６、７の重なりに比べて大幅に増大する。その結果、レ
ンズ５の前方におけるレーザ光の強度の不均一領域が、
従来に比べて、図４にて示すごとく、大幅に減少して測
距精度が著しく向上する。
０ａのずれが、図７の両ビームパターン６、７のずれに
比べて大幅に減少する。換言すれば、両ビームパターン
２０ａ、３０ａの重なりが、図７の両ビームパターン
６、７の重なりに比べて大幅に増大する。その結果、レ
ンズ５の前方におけるレーザ光の強度の不均一領域が、
従来に比べて、図４にて示すごとく、大幅に減少して測
距精度が著しく向上する。
【００２４】図５は、上記実施の形態の変形例を示して
いる。この変形例では、上記実施の形態にて述べた両半
導体レーザ素子２０、３０において、半導体レーザ素子
２０のＮ型電極２７から半導体レーザ素子３０のＰ型電
極３８までの部分をそのまま上下反対にして、ボンディ
ング電極３９とはんだ層２８との間に形成する構成が採
用されている。なお、かかる構成にて接合された両半導
体レーザ素子の作製方法は上記実施の形態と実質的に同
様である。
いる。この変形例では、上記実施の形態にて述べた両半
導体レーザ素子２０、３０において、半導体レーザ素子
２０のＮ型電極２７から半導体レーザ素子３０のＰ型電
極３８までの部分をそのまま上下反対にして、ボンディ
ング電極３９とはんだ層２８との間に形成する構成が採
用されている。なお、かかる構成にて接合された両半導
体レーザ素子の作製方法は上記実施の形態と実質的に同
様である。
【００２５】しかして、この変形例によっても、上記実
施の形態にて述べた半導体レーザと同様の効果を達成で
きる。なお、本変形例では、上記実施の形態にて述べた
半導体レーザとはＰ型基板とＮ型基板の位置が上下反対
になっている。このため、本変形例における電流の流れ
方向は上記実施の形態とは逆になる。なお、本発明の実
施にあたっては、超格子を有する量子井戸構造の半導体
レーザ素子を有するスタック型半導体レーザに限ること
なく、例えば、ＰＮ接合構造やダブルヘテロ接合構造の
半導体レーザ素子等の各種の半導体レーザ素子を有する
スタック型半導体レーザに本発明を適用して実施しても
よい。また、半導体レーザ素子に使用する基板も、Ｇａ
Ａｓ基板に限ることなく、例えば、ＩｎＰ基板を、半導
体レーザ素子に使用する基板として採用して実施しても
よい。
施の形態にて述べた半導体レーザと同様の効果を達成で
きる。なお、本変形例では、上記実施の形態にて述べた
半導体レーザとはＰ型基板とＮ型基板の位置が上下反対
になっている。このため、本変形例における電流の流れ
方向は上記実施の形態とは逆になる。なお、本発明の実
施にあたっては、超格子を有する量子井戸構造の半導体
レーザ素子を有するスタック型半導体レーザに限ること
なく、例えば、ＰＮ接合構造やダブルヘテロ接合構造の
半導体レーザ素子等の各種の半導体レーザ素子を有する
スタック型半導体レーザに本発明を適用して実施しても
よい。また、半導体レーザ素子に使用する基板も、Ｇａ
Ａｓ基板に限ることなく、例えば、ＩｎＰ基板を、半導
体レーザ素子に使用する基板として採用して実施しても
よい。
【００２６】また、本発明の実施にあたっては、半導体
レーザ素子を重ね合わせる数は、２個に限ることなく、
３以上の数にしてもよい。また、上記実施の形態におい
ては、両半導体レーザ素子２０、３０を作製した後に、
これら両半導体レーザ素子２０、３０をはんだ層を介し
て接合して半導体レーザとする例について説明したが、
これに代えて、次のようにして半導体レーザを作製する
ようにしてもよい。
レーザ素子を重ね合わせる数は、２個に限ることなく、
３以上の数にしてもよい。また、上記実施の形態におい
ては、両半導体レーザ素子２０、３０を作製した後に、
これら両半導体レーザ素子２０、３０をはんだ層を介し
て接合して半導体レーザとする例について説明したが、
これに代えて、次のようにして半導体レーザを作製する
ようにしてもよい。
【００２７】即ち、台座１０上に、Ｎ型電極２７及びＮ
型基板２１を順次積層し、Ｎ型クラッド層２２、発光層
２３及びＰ型クラッド層２４からなるエピタキシャル成
長層及びＰ型電極２６を順次積層して半導体レーザ素子
２０を形成し、この半導体レーザ素子のＰ型電極上に、
当該半導体レーザ素子と同一の出射面方向を有するよう
に、はんだ層３７を介し、Ｎ型電極３６及びＰ型クラッ
ド層を順次積層し、発光層３３及びＮ型クラッド層３４
からなるエピタキシャル成長層、Ｐ型基板３１並びにＰ
型電極３８を順次積層して半導体レーザ素子３０を形成
して、スタック型半導体レーザを作製してもよい。
型基板２１を順次積層し、Ｎ型クラッド層２２、発光層
２３及びＰ型クラッド層２４からなるエピタキシャル成
長層及びＰ型電極２６を順次積層して半導体レーザ素子
２０を形成し、この半導体レーザ素子のＰ型電極上に、
当該半導体レーザ素子と同一の出射面方向を有するよう
に、はんだ層３７を介し、Ｎ型電極３６及びＰ型クラッ
ド層を順次積層し、発光層３３及びＮ型クラッド層３４
からなるエピタキシャル成長層、Ｐ型基板３１並びにＰ
型電極３８を順次積層して半導体レーザ素子３０を形成
して、スタック型半導体レーザを作製してもよい。
【００２８】また、台座１０上に、Ｐ型電極３８）及び
Ｐ型基板３１を順次積層し、発光層３３及びＮ型クラッ
ド層３４からなるエピタキシャル成長層及びＮ型電極３
６を順次積層して半導体レーザ素子３０を形成し、この
半導体レーザ素子のＮ型電極上に、当該半導体レーザ素
子と同一の出射面方向を有するように、はんだ層３７を
介し、Ｐ型電極２６を積層し、Ｎ型クラッド層２２、発
光層２３及びＰ型クラッド層２４からなるエピタキシャ
ル成長層、Ｎ型基板２１並びにＰ型電極２８を順次積層
して半導体レーザ素子２０を形成してスタック型半導体
レーザを作製するようにしてもよい。
Ｐ型基板３１を順次積層し、発光層３３及びＮ型クラッ
ド層３４からなるエピタキシャル成長層及びＮ型電極３
６を順次積層して半導体レーザ素子３０を形成し、この
半導体レーザ素子のＮ型電極上に、当該半導体レーザ素
子と同一の出射面方向を有するように、はんだ層３７を
介し、Ｐ型電極２６を積層し、Ｎ型クラッド層２２、発
光層２３及びＰ型クラッド層２４からなるエピタキシャ
ル成長層、Ｎ型基板２１並びにＰ型電極２８を順次積層
して半導体レーザ素子２０を形成してスタック型半導体
レーザを作製するようにしてもよい。
【００２９】また、本発明の実施にあたっては、はんだ
層３７に限ることなく、これに代えて、ろう材金属層を
採用して実施してもよい。
層３７に限ることなく、これに代えて、ろう材金属層を
採用して実施してもよい。
【図１】本発明に係るスタック型半導体レーザの一実施
の形態を示す斜視図である。
の形態を示す斜視図である。
【図２】図１の半導体レーザを構成する両半導体レーザ
素子の斜視図である。
素子の斜視図である。
【図３】図１の半導体レーザを実際の光学系に適用した
場合の効果を説明するための模式図である。
場合の効果を説明するための模式図である。
【図４】図１の半導体レーザを実際の光学系に適用した
場合のレンズの前方におけるレーザ光の強度分布を表す
グラフである。
場合のレンズの前方におけるレーザ光の強度分布を表す
グラフである。
【図５】上記実施の形態の変形例を示す斜視図である。
【図６】従来のスタック型半導体レーザの正面図であ
る。
る。
【図７】図６の半導体レーザを実際の光学系に適用した
場合の不具合を指摘するための模式図である。
場合の不具合を指摘するための模式図である。
【図８】従来のスタック型半導体レーザを実際の光学系
に適用した場合のレンズ前方のレーザ光の強度分布を表
すグラフである。
に適用した場合のレンズ前方のレーザ光の強度分布を表
すグラフである。
１０・・・台座、２０、３０・・・半導体レーザ素子、
２１・・・Ｎ型基板、２２、３４・・・Ｎ型クラッド
層、２３、３３・・・発光層、２４、３２・・・Ｐ型ク
ラッド層、２６、３８・・・Ｐ型電極、２７、３６・・
・Ｎ型電極、３１・・・Ｐ型基板、３７・・・はんだ
層。
２１・・・Ｎ型基板、２２、３４・・・Ｎ型クラッド
層、２３、３３・・・発光層、２４、３２・・・Ｐ型ク
ラッド層、２６、３８・・・Ｐ型電極、２７、３６・・
・Ｎ型電極、３１・・・Ｐ型基板、３７・・・はんだ
層。
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｎ型基板（２１）と、このＮ型基板の一
側表面に形成された発光層（２３）を含むエピタキシャ
ル成長層（２２乃至２４）と、このエピタキシャル成長
層上に形成されたＰ型電極（２６）と、前記Ｎ型基板の
他側表面に形成されたＮ型電極（２７）とを有する第１
半導体レーザ素子（２０）と、 Ｐ型基板（３１）と、このＰ型基板の一側表面に形成さ
れた発光層（３３）を含むエピタキシャル成長層（３２
乃至３４）と、このエピタキシャル成長層上に形成され
たＮ型電極（３６）と、前記Ｐ型基板の他側表面に形成
されたＰ型電極（３８）とを有する第２半導体レーザ素
子（３０）とを、 台座（１０）上に積み重ねてなるスタック型半導体レー
ザにおいて、 前記第１半導体レーザ素子がそのＮ型電極にてろう材金
属層（２８）を介して前記台座上に接合されており、 また、前記第２半導体レーザ素子が、前記第１半導体レ
ーザ素子と同一の出射面方向を有するように、前記第１
半導体レーザ素子のＰ型電極と前記第２半導体レーザ素
子のＮ型電極を、ろう材金属層（３７）を介して接合し
てなることを特徴とするスタック型半導体レーザ。 - 【請求項２】 Ｎ型基板（２１）と、このＮ型基板の一
側表面に形成された発光層（２３）を含むエピタキシャ
ル成長層（２２乃至２４）と、このエピタキシャル成長
層上に形成されたＰ型電極（２６）と、前記Ｎ型基板の
他側表面に形成されたＮ型電極（２７）とを有する第１
半導体レーザ素子（２０）と、 Ｐ型基板（３１）と、このＰ型基板の一側表面に形成さ
れた発光層（３３）を含むエピタキシャル成長層（３２
乃至３４）と、このエピタキシャル成長層上に形成され
たＮ型電極（３６）と、前記Ｐ型基板の他側表面に形成
されたＰ型電極（３８）とを有する第２半導体レーザ素
子（３０）とを、 台座（１０）上に積み重ねてなるスタック型半導体レー
ザにおいて、 前記第２半導体レーザ素子がそのＰ型電極にろう材金属
層を介して前記台座上に接合されており、 また、前記第１半導体レーザ素子が、前記第２半導体レ
ーザ素子と同一の出射面方向を有するように、前記第２
半導体レーザ素子のＮ型電極と前記第１半導体レーザ素
子のＰ型電極を、ろう材金属層（３７）を介して接合し
てなることを特徴とするスタック型半導体レーザ。 - 【請求項３】 台座（１０）と、 この台座上に、Ｎ型電極（２７）、Ｎ型基板（２１）、
発光層（２３）を含むエピタキシャル成長層（２２乃至
２４）及びＰ型電極（２６）を順次積層して形成してな
る半導体レーザ素子（２０）と、 この半導体レーザ素子のＰ型電極上に、当該半導体レー
ザ素子と同一の出射面方向を有するように、ろう材金属
層（３７）を介し、Ｎ型電極（３６）、発光層（３３）
を含むエピタキシャル成長層（３２乃至３４）、Ｐ型基
板（３１）及びＰ型電極（３８）を順次積層して形成し
てなる半導体レーザ素子（３０）とを備えてなるスタッ
ク型半導体レーザ。 - 【請求項４】 台座（１０）と、 この台座上に、Ｐ型電極（３８）、Ｐ型基板（３１）、
発光層（３３）を含むエピタキシャル成長層（３２乃至
３４）及びＮ型電極（３６）を順次積層して形成してな
る半導体レーザ素子（３０）と、 この半導体レーザ素子のＮ型電極上に、当該半導体レー
ザ素子と同一の出射面方向を有するように、ろう材金属
層（３７）を介し、Ｐ型電極（２６）、発光層（２３）
を含むエピタキシャル成長層（２２乃至２４）、Ｎ型基
板（２１）及びＰ型電極（２８）を順次積層して形成し
てなる半導体レーザ素子（２０）とを備えてなるスタッ
ク型半導体レーザ。 - 【請求項５】 前記ろう材金属層がはんだ層であること
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載のス
タック型半導体レーザ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7251495A JPH0997943A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | スタック型半導体レーザ |
| US08/719,210 US5802088A (en) | 1995-09-28 | 1996-09-25 | Stack type semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7251495A JPH0997943A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | スタック型半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0997943A true JPH0997943A (ja) | 1997-04-08 |
Family
ID=17223657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7251495A Pending JPH0997943A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | スタック型半導体レーザ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5802088A (ja) |
| JP (1) | JPH0997943A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168445A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Denso Corp | 半導体レーザ装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5920766A (en) * | 1998-01-07 | 1999-07-06 | Xerox Corporation | Red and blue stacked laser diode array by wafer fusion |
| JP2000223791A (ja) * | 1999-02-04 | 2000-08-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP2001332805A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Samsung Electro Mech Co Ltd | ２波長レーザーダイオード及びその製造方法 |
| US6901086B2 (en) * | 2002-10-30 | 2005-05-31 | Chian Chiu Li | Stack-type diode laser device |
| JP2004207479A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Pioneer Electronic Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US7512167B2 (en) * | 2004-09-24 | 2009-03-31 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Integrated semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| CN110534644B (zh) * | 2019-08-30 | 2021-01-15 | 华中科技大学 | 一种双向生长的超晶格相变单元的制备方法及相变存储器 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR910004265B1 (ko) * | 1987-03-26 | 1991-06-25 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 반도체 레이저 장치와 그 제조 방법 및 그것을 사용한 광 헤드 |
| US5086431A (en) * | 1990-12-21 | 1992-02-04 | Santa Barbara Research Center | Increased intensity laser diode source configuration |
| JPH0541561A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体発光装置 |
| US5488233A (en) * | 1993-03-11 | 1996-01-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device with compound semiconductor layer |
| JP3146735B2 (ja) * | 1993-03-26 | 2001-03-19 | 株式会社デンソー | スタックレーザ |
| JPH077183A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-01-10 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP3081094B2 (ja) * | 1993-10-15 | 2000-08-28 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| US5355382A (en) * | 1993-11-22 | 1994-10-11 | Xerox Corporation | Composite laser array support |
| JPH0888431A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP3419930B2 (ja) * | 1994-12-21 | 2003-06-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置とこの半導体レーザ装置を備えた光ディスク装置 |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP7251495A patent/JPH0997943A/ja active Pending
-
1996
- 1996-09-25 US US08/719,210 patent/US5802088A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168445A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Denso Corp | 半導体レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5802088A (en) | 1998-09-01 |
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|---|---|---|---|
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