JPS58142588A - 半導体レ−ザ−装置 - Google Patents
半導体レ−ザ−装置Info
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- JPS58142588A JPS58142588A JP57024403A JP2440382A JPS58142588A JP S58142588 A JPS58142588 A JP S58142588A JP 57024403 A JP57024403 A JP 57024403A JP 2440382 A JP2440382 A JP 2440382A JP S58142588 A JPS58142588 A JP S58142588A
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- Japan
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- solder
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- sides
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/0234—Up-side down mountings, e.g. Flip-chip, epi-side down mountings or junction down mountings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0207—Substrates having a special shape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は牛尋体レーザー装置に関する。
午導体レーザー装置の一つとして、第１図に示すように
、Ｇ、Ａ７Ａ―糸の化合管中導体で構成される牛導体レ
ーザー素子（以下チップとも称す。）１のアノード電極
２からなる接合面ｔソルダー３倉弁してサンマ９フト４
に固定するとともＫ、チップｌの上面のカソード電極５
に図示しないリードの一端に一端に固定したワイヤ６を
接続し、リードとサブマウント４閣に所定の電圧ｔｍ加
して活性層７の中央の導波路８の端面（出射面）からレ
ーザー元を出射する構造の中導体レーザー装置か知られ
ている。前記チップ１はカソード亀砺霧からアノード電
徐静に亘って、カソード１Ｅｌｋ５゜ｎ導電！１１（略
してｎ）のＧａＡ、基板９．ｎ −ＧｌムυＩ層からな
るｎクラッド層ＬＯＩ ＧａＡｓ層からなる活性層７．
Ｉ）ＧａＡｌム１層からなるｐクラッド層１１ ｅ ｎ
−Ｇａ’１層からなるキャップ層１２．７ノード電極２
と順次積層した構造となっている。また、導［ｊ１８に
形成するためにＧ、ム８基板９の中央に沿って一本のＵ
字状の＃１Ｉ１３か形成されている。活性層７はこの溝
１３上では＃１３に対応して屈曲し、レーず一元の発撫
か行なわれる導波路８ｔ−形作っている。
、Ｇ、Ａ７Ａ―糸の化合管中導体で構成される牛導体レ
ーザー素子（以下チップとも称す。）１のアノード電極
２からなる接合面ｔソルダー３倉弁してサンマ９フト４
に固定するとともＫ、チップｌの上面のカソード電極５
に図示しないリードの一端に一端に固定したワイヤ６を
接続し、リードとサブマウント４閣に所定の電圧ｔｍ加
して活性層７の中央の導波路８の端面（出射面）からレ
ーザー元を出射する構造の中導体レーザー装置か知られ
ている。前記チップ１はカソード亀砺霧からアノード電
徐静に亘って、カソード１Ｅｌｋ５゜ｎ導電！１１（略
してｎ）のＧａＡ、基板９．ｎ −ＧｌムυＩ層からな
るｎクラッド層ＬＯＩ ＧａＡｓ層からなる活性層７．
Ｉ）ＧａＡｌム１層からなるｐクラッド層１１ ｅ ｎ
−Ｇａ’１層からなるキャップ層１２．７ノード電極２
と順次積層した構造となっている。また、導［ｊ１８に
形成するためにＧ、ム８基板９の中央に沿って一本のＵ
字状の＃１Ｉ１３か形成されている。活性層７はこの溝
１３上では＃１３に対応して屈曲し、レーず一元の発撫
か行なわれる導波路８ｔ−形作っている。
ところで、このようなチップ１にあっては、導波路８０
ｍ面は８１０ｍ躾等のパッシベーション躾で儂われ、レ
ーザーｆｔ、に出射する出射面の鐵化を防止しているか
、これら出射面をＭするチップ端面とｔｔｉｉシ合う側
面はパッシベーシッン換勢で豪われていない。また、活
性層の界面でめるｐａｉ１合面は接着面から３ｐｍ前後
と１めて近ｉ位＠＃′ｃある。このため、チップｔｔサ
ブマウン）偽に固定するソルダー３−１ｆｉチツプｌの
周縁で盛シ上がった場合、チップＩ Ｃ）ｍＩ［Ｄ露出
するｐｎ接合にソルダー３か接触し、シ曹−ト不艮を起
こしてしまうこともある。また、ソルダー３か直接ｐｎ
接合に接融しない場合で６っても、ソルダー３の上面と
ｐｎ振合か近景していることから、ソルダー３上に載っ
た導電性の異物がチップ端面に付着すると、この異物を
介してショートが起きるおそれもＴｏシ、歩留の低下【
米たす［ｔＰ夛でなく、信＠屓も低い一点かあった。
ｍ面は８１０ｍ躾等のパッシベーション躾で儂われ、レ
ーザーｆｔ、に出射する出射面の鐵化を防止しているか
、これら出射面をＭするチップ端面とｔｔｉｉシ合う側
面はパッシベーシッン換勢で豪われていない。また、活
性層の界面でめるｐａｉ１合面は接着面から３ｐｍ前後
と１めて近ｉ位＠＃′ｃある。このため、チップｔｔサ
ブマウン）偽に固定するソルダー３−１ｆｉチツプｌの
周縁で盛シ上がった場合、チップＩ Ｃ）ｍＩ［Ｄ露出
するｐｎ接合にソルダー３か接触し、シ曹−ト不艮を起
こしてしまうこともある。また、ソルダー３か直接ｐｎ
接合に接融しない場合で６っても、ソルダー３の上面と
ｐｎ振合か近景していることから、ソルダー３上に載っ
た導電性の異物がチップ端面に付着すると、この異物を
介してショートが起きるおそれもＴｏシ、歩留の低下【
米たす［ｔＰ夛でなく、信＠屓も低い一点かあった。
し７ｔかつて、本発明の目的はショート不良の生じにく
い千導体レーザー装置【１１供することにあるＯ このような目的ｔ−５ｆＩｔするために本発明は、午導
体レーザー素子の接合面ｔソルダーを介してサブマウン
トに１着してなる牛導体し−ザー装［において、前記牛
４体レーザー素子の導波路の内軸に延在する活性層部分
は少なくとも一段屈曲してその先端露出部分は前記接合
面から遠去かった構造となっているものであって、以下
要１１例により本発明【説明する。
い千導体レーザー装置【１１供することにあるＯ このような目的ｔ−５ｆＩｔするために本発明は、午導
体レーザー素子の接合面ｔソルダーを介してサブマウン
トに１着してなる牛導体し−ザー装［において、前記牛
４体レーザー素子の導波路の内軸に延在する活性層部分
は少なくとも一段屈曲してその先端露出部分は前記接合
面から遠去かった構造となっているものであって、以下
要１１例により本発明【説明する。
第２図は本発明の一実施例による牛導体レーザー装置の
＊＊１示すｌｌＩｒｌｔｒ図、第３図１ｍｌ 〜ｌｄｌ
は同じく午導体し−ザー票子の各製造段階を示す＃面図
等である。この１！２１１ｉＰＩ！にシけるチップ１は
、蒙２図に示すように、アノード電極２面からなる接合
面はチップ１の両ｍ１ｌｌ＠分で一段と低く（同図では
チップ１は裏返しにして固定することから高い位置とな
っている。）なっている。すなわち、チップ１のレーザ
ー光を出射する出射面【有する両端は絶ＩＩＩＷＡで普
われて床謹されているため、チップ１ｔソルダー３を介
してサブマウント４に固定した場合、ソルダー３によっ
てＰＭ艦合間かショートすることはないか、チップｌの
面一に露出するＰＩｇｊｋ＠−はソルダー３によってシ
ョートするおそｔ′Ｌかめる。そこで、この夷ｍガでは
、活性層７の中央部に設けられる４ｔｌ’ｌ＆Ｂに対し
て、活性層１のｖ４一部は低く形成し、チップ内−の活
性層７０位置とアノード電極２０表面の接合面との間隔
ｌｔ数十μｍと大きくシ、ソルダー３による接合にあっ
ても、チップ１０内糊のＰＩＮ！会かソルダー３でシ１
−トしないようになっている。換言すれば、チップ固定
時のチップ周縁のソルダー３の盛９上かシはチップ固定
時の押付力によっても変化するが数μｌ１ｌｉ＆である
。このため、 ｌｋ針ｐｍとしておけば、盛夛上がった
ソルダー３がチップ−面に露出するＰＨＩ接合を導通（
シ曹−ト）させるようなシト→不良は防止で寝る。なお
、仁の実施例の他の各部の構造は第１図の従来ガと同様
であることから、各＠Ｏ説明は省略する。
＊＊１示すｌｌＩｒｌｔｒ図、第３図１ｍｌ 〜ｌｄｌ
は同じく午導体し−ザー票子の各製造段階を示す＃面図
等である。この１！２１１ｉＰＩ！にシけるチップ１は
、蒙２図に示すように、アノード電極２面からなる接合
面はチップ１の両ｍ１ｌｌ＠分で一段と低く（同図では
チップ１は裏返しにして固定することから高い位置とな
っている。）なっている。すなわち、チップ１のレーザ
ー光を出射する出射面【有する両端は絶ＩＩＩＷＡで普
われて床謹されているため、チップ１ｔソルダー３を介
してサブマウント４に固定した場合、ソルダー３によっ
てＰＭ艦合間かショートすることはないか、チップｌの
面一に露出するＰＩｇｊｋ＠−はソルダー３によってシ
ョートするおそｔ′Ｌかめる。そこで、この夷ｍガでは
、活性層７の中央部に設けられる４ｔｌ’ｌ＆Ｂに対し
て、活性層１のｖ４一部は低く形成し、チップ内−の活
性層７０位置とアノード電極２０表面の接合面との間隔
ｌｔ数十μｍと大きくシ、ソルダー３による接合にあっ
ても、チップ１０内糊のＰＩＮ！会かソルダー３でシ１
−トしないようになっている。換言すれば、チップ固定
時のチップ周縁のソルダー３の盛９上かシはチップ固定
時の押付力によっても変化するが数μｌ１ｌｉ＆である
。このため、 ｌｋ針ｐｍとしておけば、盛夛上がった
ソルダー３がチップ−面に露出するＰＨＩ接合を導通（
シ曹−ト）させるようなシト→不良は防止で寝る。なお
、仁の実施例の他の各部の構造は第１図の従来ガと同様
であることから、各＠Ｏ説明は省略する。
ここで、チップｌの製造方法を第３図１（転）〜（４）
を参照しなから簡単に説明する。チップ１０１！造にめ
っては、ｎ−Ｇｅｂムー基ａＶｔ−用意した後、このＧ
ｓＬムー基４に９の主面に平行な１対の段差形成用溝１
４に一定関陽で多数設ける。この段差形成用溝１４はａ
酸系あるいは９ん酸系Ｏエツチング液による部分エツチ
ングによって設け、数十μｍ、 ７ｔとえは２０〜３０
μｍ０１１ｍさとする。
を参照しなから簡単に説明する。チップ１０１！造にめ
っては、ｎ−Ｇｅｂムー基ａＶｔ−用意した後、このＧ
ｓＬムー基４に９の主面に平行な１対の段差形成用溝１
４に一定関陽で多数設ける。この段差形成用溝１４はａ
酸系あるいは９ん酸系Ｏエツチング液による部分エツチ
ングによって設け、数十μｍ、 ７ｔとえは２０〜３０
μｍ０１１ｍさとする。
つぎに、同図１ｂｌで示すように、段差形成用溝１４間
の主面中央に段差形成用溝１４に沿って６〜７μｍ御度
の幅の浅い溝（導波路形成用溝）Ｌ３を形成する。この
溝１３は２〜３ｐｔｒと浅く形成されている。ｔた、両
溝１４．１３０１ＩＩＩｌは結晶の性質からしていずれ
も傾＃面となっている。
の主面中央に段差形成用溝１４に沿って６〜７μｍ御度
の幅の浅い溝（導波路形成用溝）Ｌ３を形成する。この
溝１３は２〜３ｐｔｒと浅く形成されている。ｔた、両
溝１４．１３０１ＩＩＩｌは結晶の性質からしていずれ
も傾＃面となっている。
つぎに、同図１ｃｌで示すように、ＧＩＬム８基［９の
主面上に常用の液相エピタキシャル形成法によって、ｎ
クラッド層１０．活、柱層７．ｐクツツド層１１、キャ
ップ層１２ｔｌｌｌｋ次所望の厚さに形成した後、Ｇ、
ムー基板９０段差形成用溝１４間の平坦な主面部分に７
ノード電極２（−、Ｇ亀ムｓｉｈ板９の他のｒＩＩＪ（
下面）全域にカソード電極１５ｔ−形成する。
主面上に常用の液相エピタキシャル形成法によって、ｎ
クラッド層１０．活、柱層７．ｐクツツド層１１、キャ
ップ層１２ｔｌｌｌｋ次所望の厚さに形成した後、Ｇ、
ムー基板９０段差形成用溝１４間の平坦な主面部分に７
ノード電極２（−、Ｇ亀ムｓｉｈ板９の他のｒＩＩＪ（
下面）全域にカソード電極１５ｔ−形成する。
りき°に、Ｇ、Ａ、基＆９【Ｒ差形成用１１１４と直父
する方向に一定間噛（たとえｔｆ３００μｍ１ｌｌｆ）
で分断させた後、各段差形成用ｔ／ｌ１１４の中央で分
断して、同図１ｄｌで示すようなチップ１１１ｉｌｉか
一段低くなった構造のチップｌｔ製造する。この結電、
チップ−鄭のＰＭ嵌會の位置もアノード面から遠去かつ
て低くなる。
する方向に一定間噛（たとえｔｆ３００μｍ１ｌｌｆ）
で分断させた後、各段差形成用ｔ／ｌ１１４の中央で分
断して、同図１ｄｌで示すようなチップ１１１ｉｌｉか
一段低くなった構造のチップｌｔ製造する。この結電、
チップ−鄭のＰＭ嵌會の位置もアノード面から遠去かつ
て低くなる。
このような実施例によれば、チップ−面ＯＰＭＰ合の位
ｔかチップ接合時のソルダーの盛プ上かり以上に、チッ
プ接合面から大きく離れた位置に設けられていることか
ら、ソルダー付着あるいはソルダー上ｋＩ！る異物の付
着によって失じるＰｌｉ襞合のシ冒−ト不ｊＬは生じな
い。
ｔかチップ接合時のソルダーの盛プ上かり以上に、チッ
プ接合面から大きく離れた位置に設けられていることか
ら、ソルダー付着あるいはソルダー上ｋＩ！る異物の付
着によって失じるＰｌｉ襞合のシ冒−ト不ｊＬは生じな
い。
なお、本発明は前記実施ｔｕｃｉｔｍ定されるものでは
なく、他の構造の中部体レーザー装置にも適用できる・
着た、Ｇ＆ムー基板上の各中等体層は気相エピタキシャ
ル方法によって形成してもよい。
なく、他の構造の中部体レーザー装置にも適用できる・
着た、Ｇ＆ムー基板上の各中等体層は気相エピタキシャ
ル方法によって形成してもよい。
以上のように、本発明によれはシ冒−ト不良の生じＫ〈
い中部体レーザー素子を用いることから、歩留および信
頼性の＾い＃Ｐ瘍鉢体レーザー装置ＩＩ供することかで
きる。
い中部体レーザー素子を用いることから、歩留および信
頼性の＾い＃Ｐ瘍鉢体レーザー装置ＩＩ供することかで
きる。
纂１図は従来の中等体レーダー装置の要部断面図、第２
図は本発明の一実施１ＰＩｌＫよる’ＰＰ体レーザー装
置のｗｓｗｔｒｍ図、ｊ１３Ｆ！！ＩＪ１ｍｌ 〜ｌｄ
ｌは同じく牛専体し−ザー嵩子ｏ＋ａｍ段階を示す照面
−等である。 １・・・チップ、３・・・ソルダー、４・・・サブマウ
ント、７・・・活！層、８・・・導波路、９・・・Ｇａ
ム・基板、１３・・・溝、！４・・・段差形成用溝。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 とベノ
図は本発明の一実施１ＰＩｌＫよる’ＰＰ体レーザー装
置のｗｓｗｔｒｍ図、ｊ１３Ｆ！！ＩＪ１ｍｌ 〜ｌｄ
ｌは同じく牛専体し−ザー嵩子ｏ＋ａｍ段階を示す照面
−等である。 １・・・チップ、３・・・ソルダー、４・・・サブマウ
ント、７・・・活！層、８・・・導波路、９・・・Ｇａ
ム・基板、１３・・・溝、！４・・・段差形成用溝。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 とベノ
Claims (1)
- １、牛導体レーザー素子の接合面をンルダーを介してサ
ブマウントに固着してなる中導体レーダー装置において
、前記牛導体し−ず一素子の導＃ＬｗＩの両霧に延在す
る活性層部分は少なくとも一般屈曲してその先端露出部
分は前記接合面から遠去かった構造となっていること１
特徴とする牛導体レーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57024403A JPS58142588A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | 半導体レ−ザ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57024403A JPS58142588A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | 半導体レ−ザ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58142588A true JPS58142588A (ja) | 1983-08-24 |
Family
ID=12137194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57024403A Pending JPS58142588A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | 半導体レ−ザ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58142588A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60137086A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
| FR2687857A1 (fr) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | Laser a semiconducteurs et procede de fabrication. |
| US5604761A (en) * | 1993-10-15 | 1997-02-18 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Layered semiconductor laser having solder laminations and method of making same |
| US5644586A (en) * | 1994-09-16 | 1997-07-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device |
| US20210210930A1 (en) * | 2020-01-08 | 2021-07-08 | Applied Optoelectronics, Inc. | Techniques for electrically isolating n and p-side regions of a semiconductor laser chip for p-side down bonding |
-
1982
- 1982-02-19 JP JP57024403A patent/JPS58142588A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60137086A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
| FR2687857A1 (fr) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | Laser a semiconducteurs et procede de fabrication. |
| US5604761A (en) * | 1993-10-15 | 1997-02-18 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Layered semiconductor laser having solder laminations and method of making same |
| US5644586A (en) * | 1994-09-16 | 1997-07-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device |
| US20210210930A1 (en) * | 2020-01-08 | 2021-07-08 | Applied Optoelectronics, Inc. | Techniques for electrically isolating n and p-side regions of a semiconductor laser chip for p-side down bonding |
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