JPS58142588A - 半導体レ−ザ−装置 - Google Patents
半導体レ−ザ−装置Info
- Publication number
- JPS58142588A JPS58142588A JP57024403A JP2440382A JPS58142588A JP S58142588 A JPS58142588 A JP S58142588A JP 57024403 A JP57024403 A JP 57024403A JP 2440382 A JP2440382 A JP 2440382A JP S58142588 A JPS58142588 A JP S58142588A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- solder
- junction
- sides
- conductor
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/0234—Up-side down mountings, e.g. Flip-chip, epi-side down mountings or junction down mountings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0207—Substrates having a special shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は牛尋体レーザー装置に関する。
午導体レーザー装置の一つとして、第1図に示すように
、G、A7A―糸の化合管中導体で構成される牛導体レ
ーザー素子(以下チップとも称す。)1のアノード電極
2からなる接合面tソルダー3倉弁してサンマ9フト4
に固定するとともK、チップlの上面のカソード電極5
に図示しないリードの一端に一端に固定したワイヤ6を
接続し、リードとサブマウント4閣に所定の電圧tm加
して活性層7の中央の導波路8の端面(出射面)からレ
ーザー元を出射する構造の中導体レーザー装置か知られ
ている。前記チップ1はカソード亀砺霧からアノード電
徐静に亘って、カソード1Elk5゜n導電!11(略
してn)のGaA、基板9.n −GlムυI層からな
るnクラッド層LOI GaAs層からなる活性層7.
I)GaAlム1層からなるpクラッド層11 e n
−Ga’1層からなるキャップ層12.7ノード電極2
と順次積層した構造となっている。また、導[j18に
形成するためにG、ム8基板9の中央に沿って一本のU
字状の#1I13か形成されている。活性層7はこの溝
13上では#13に対応して屈曲し、レーず一元の発撫
か行なわれる導波路8t−形作っている。
、G、A7A―糸の化合管中導体で構成される牛導体レ
ーザー素子(以下チップとも称す。)1のアノード電極
2からなる接合面tソルダー3倉弁してサンマ9フト4
に固定するとともK、チップlの上面のカソード電極5
に図示しないリードの一端に一端に固定したワイヤ6を
接続し、リードとサブマウント4閣に所定の電圧tm加
して活性層7の中央の導波路8の端面(出射面)からレ
ーザー元を出射する構造の中導体レーザー装置か知られ
ている。前記チップ1はカソード亀砺霧からアノード電
徐静に亘って、カソード1Elk5゜n導電!11(略
してn)のGaA、基板9.n −GlムυI層からな
るnクラッド層LOI GaAs層からなる活性層7.
I)GaAlム1層からなるpクラッド層11 e n
−Ga’1層からなるキャップ層12.7ノード電極2
と順次積層した構造となっている。また、導[j18に
形成するためにG、ム8基板9の中央に沿って一本のU
字状の#1I13か形成されている。活性層7はこの溝
13上では#13に対応して屈曲し、レーず一元の発撫
か行なわれる導波路8t−形作っている。
ところで、このようなチップ1にあっては、導波路80
m面は810m躾等のパッシベーション躾で儂われ、レ
ーザーft、に出射する出射面の鐵化を防止しているか
、これら出射面をMするチップ端面とttiiシ合う側
面はパッシベーシッン換勢で豪われていない。また、活
性層の界面でめるpai1合面は接着面から3pm前後
と1めて近i位@#′cある。このため、チップttサ
ブマウン)偽に固定するソルダー3−1fiチツプlの
周縁で盛シ上がった場合、チップI C)mI[D露出
するpn接合にソルダー3か接触し、シ曹−ト不艮を起
こしてしまうこともある。また、ソルダー3か直接pn
接合に接融しない場合で6っても、ソルダー3の上面と
pn振合か近景していることから、ソルダー3上に載っ
た導電性の異物がチップ端面に付着すると、この異物を
介してショートが起きるおそれもToシ、歩留の低下【
米たす[tP夛でなく、信@屓も低い一点かあった。
m面は810m躾等のパッシベーション躾で儂われ、レ
ーザーft、に出射する出射面の鐵化を防止しているか
、これら出射面をMするチップ端面とttiiシ合う側
面はパッシベーシッン換勢で豪われていない。また、活
性層の界面でめるpai1合面は接着面から3pm前後
と1めて近i位@#′cある。このため、チップttサ
ブマウン)偽に固定するソルダー3−1fiチツプlの
周縁で盛シ上がった場合、チップI C)mI[D露出
するpn接合にソルダー3か接触し、シ曹−ト不艮を起
こしてしまうこともある。また、ソルダー3か直接pn
接合に接融しない場合で6っても、ソルダー3の上面と
pn振合か近景していることから、ソルダー3上に載っ
た導電性の異物がチップ端面に付着すると、この異物を
介してショートが起きるおそれもToシ、歩留の低下【
米たす[tP夛でなく、信@屓も低い一点かあった。
し7tかつて、本発明の目的はショート不良の生じにく
い千導体レーザー装置【11供することにあるO このような目的t−5fItするために本発明は、午導
体レーザー素子の接合面tソルダーを介してサブマウン
トに1着してなる牛導体し−ザー装[において、前記牛
4体レーザー素子の導波路の内軸に延在する活性層部分
は少なくとも一段屈曲してその先端露出部分は前記接合
面から遠去かった構造となっているものであって、以下
要11例により本発明【説明する。
い千導体レーザー装置【11供することにあるO このような目的t−5fItするために本発明は、午導
体レーザー素子の接合面tソルダーを介してサブマウン
トに1着してなる牛導体し−ザー装[において、前記牛
4体レーザー素子の導波路の内軸に延在する活性層部分
は少なくとも一段屈曲してその先端露出部分は前記接合
面から遠去かった構造となっているものであって、以下
要11例により本発明【説明する。
第2図は本発明の一実施例による牛導体レーザー装置の
**1示すllIrltr図、第3図1ml 〜ldl
は同じく午導体し−ザー票子の各製造段階を示す#面図
等である。この1!211iPI!にシけるチップ1は
、蒙2図に示すように、アノード電極2面からなる接合
面はチップ1の両m1ll@分で一段と低く(同図では
チップ1は裏返しにして固定することから高い位置とな
っている。)なっている。すなわち、チップ1のレーザ
ー光を出射する出射面【有する両端は絶IIIWAで普
われて床謹されているため、チップ1tソルダー3を介
してサブマウント4に固定した場合、ソルダー3によっ
てPM艦合間かショートすることはないか、チップlの
面一に露出するPIgjk@−はソルダー3によってシ
ョートするおそt′Lかめる。そこで、この夷mガでは
、活性層7の中央部に設けられる4tl’l&Bに対し
て、活性層1のv4一部は低く形成し、チップ内−の活
性層70位置とアノード電極20表面の接合面との間隔
lt数十μmと大きくシ、ソルダー3による接合にあっ
ても、チップ10内糊のPIN!会かソルダー3でシ1
−トしないようになっている。換言すれば、チップ固定
時のチップ周縁のソルダー3の盛9上かシはチップ固定
時の押付力によっても変化するが数μl1li&である
。このため、 lk針pmとしておけば、盛夛上がった
ソルダー3がチップ−面に露出するPHI接合を導通(
シ曹−ト)させるようなシト→不良は防止で寝る。なお
、仁の実施例の他の各部の構造は第1図の従来ガと同様
であることから、各@O説明は省略する。
**1示すllIrltr図、第3図1ml 〜ldl
は同じく午導体し−ザー票子の各製造段階を示す#面図
等である。この1!211iPI!にシけるチップ1は
、蒙2図に示すように、アノード電極2面からなる接合
面はチップ1の両m1ll@分で一段と低く(同図では
チップ1は裏返しにして固定することから高い位置とな
っている。)なっている。すなわち、チップ1のレーザ
ー光を出射する出射面【有する両端は絶IIIWAで普
われて床謹されているため、チップ1tソルダー3を介
してサブマウント4に固定した場合、ソルダー3によっ
てPM艦合間かショートすることはないか、チップlの
面一に露出するPIgjk@−はソルダー3によってシ
ョートするおそt′Lかめる。そこで、この夷mガでは
、活性層7の中央部に設けられる4tl’l&Bに対し
て、活性層1のv4一部は低く形成し、チップ内−の活
性層70位置とアノード電極20表面の接合面との間隔
lt数十μmと大きくシ、ソルダー3による接合にあっ
ても、チップ10内糊のPIN!会かソルダー3でシ1
−トしないようになっている。換言すれば、チップ固定
時のチップ周縁のソルダー3の盛9上かシはチップ固定
時の押付力によっても変化するが数μl1li&である
。このため、 lk針pmとしておけば、盛夛上がった
ソルダー3がチップ−面に露出するPHI接合を導通(
シ曹−ト)させるようなシト→不良は防止で寝る。なお
、仁の実施例の他の各部の構造は第1図の従来ガと同様
であることから、各@O説明は省略する。
ここで、チップlの製造方法を第3図1(転)〜(4)
を参照しなから簡単に説明する。チップ101!造にめ
っては、n−Gebムー基aVt−用意した後、このG
sLムー基4に9の主面に平行な1対の段差形成用溝1
4に一定関陽で多数設ける。この段差形成用溝14はa
酸系あるいは9ん酸系Oエツチング液による部分エツチ
ングによって設け、数十μm、 7tとえは20〜30
μm011mさとする。
を参照しなから簡単に説明する。チップ101!造にめ
っては、n−Gebムー基aVt−用意した後、このG
sLムー基4に9の主面に平行な1対の段差形成用溝1
4に一定関陽で多数設ける。この段差形成用溝14はa
酸系あるいは9ん酸系Oエツチング液による部分エツチ
ングによって設け、数十μm、 7tとえは20〜30
μm011mさとする。
つぎに、同図1blで示すように、段差形成用溝14間
の主面中央に段差形成用溝14に沿って6〜7μm御度
の幅の浅い溝(導波路形成用溝)L3を形成する。この
溝13は2〜3ptrと浅く形成されている。tた、両
溝14.1301IIIlは結晶の性質からしていずれ
も傾#面となっている。
の主面中央に段差形成用溝14に沿って6〜7μm御度
の幅の浅い溝(導波路形成用溝)L3を形成する。この
溝13は2〜3ptrと浅く形成されている。tた、両
溝14.1301IIIlは結晶の性質からしていずれ
も傾#面となっている。
つぎに、同図1clで示すように、GILム8基[9の
主面上に常用の液相エピタキシャル形成法によって、n
クラッド層10.活、柱層7.pクツツド層11、キャ
ップ層12tlllk次所望の厚さに形成した後、G、
ムー基板90段差形成用溝14間の平坦な主面部分に7
ノード電極2(−、G亀ムsih板9の他のrIIJ(
下面)全域にカソード電極15t−形成する。
主面上に常用の液相エピタキシャル形成法によって、n
クラッド層10.活、柱層7.pクツツド層11、キャ
ップ層12tlllk次所望の厚さに形成した後、G、
ムー基板90段差形成用溝14間の平坦な主面部分に7
ノード電極2(−、G亀ムsih板9の他のrIIJ(
下面)全域にカソード電極15t−形成する。
りき°に、G、A、基&9【R差形成用1114と直父
する方向に一定間噛(たとえtf300μm1llf)
で分断させた後、各段差形成用t/l114の中央で分
断して、同図1dlで示すようなチップ111iliか
一段低くなった構造のチップlt製造する。この結電、
チップ−鄭のPM嵌會の位置もアノード面から遠去かつ
て低くなる。
する方向に一定間噛(たとえtf300μm1llf)
で分断させた後、各段差形成用t/l114の中央で分
断して、同図1dlで示すようなチップ111iliか
一段低くなった構造のチップlt製造する。この結電、
チップ−鄭のPM嵌會の位置もアノード面から遠去かつ
て低くなる。
このような実施例によれば、チップ−面OPMP合の位
tかチップ接合時のソルダーの盛プ上かり以上に、チッ
プ接合面から大きく離れた位置に設けられていることか
ら、ソルダー付着あるいはソルダー上kI!る異物の付
着によって失じるPli襞合のシ冒−ト不jLは生じな
い。
tかチップ接合時のソルダーの盛プ上かり以上に、チッ
プ接合面から大きく離れた位置に設けられていることか
ら、ソルダー付着あるいはソルダー上kI!る異物の付
着によって失じるPli襞合のシ冒−ト不jLは生じな
い。
なお、本発明は前記実施tucitm定されるものでは
なく、他の構造の中部体レーザー装置にも適用できる・
着た、G&ムー基板上の各中等体層は気相エピタキシャ
ル方法によって形成してもよい。
なく、他の構造の中部体レーザー装置にも適用できる・
着た、G&ムー基板上の各中等体層は気相エピタキシャ
ル方法によって形成してもよい。
以上のように、本発明によれはシ冒−ト不良の生じK〈
い中部体レーザー素子を用いることから、歩留および信
頼性の^い#P瘍鉢体レーザー装置II供することかで
きる。
い中部体レーザー素子を用いることから、歩留および信
頼性の^い#P瘍鉢体レーザー装置II供することかで
きる。
纂1図は従来の中等体レーダー装置の要部断面図、第2
図は本発明の一実施1PIlKよる’PP体レーザー装
置のwswtrm図、j13F!!IJ1ml 〜ld
lは同じく牛専体し−ザー嵩子o+am段階を示す照面
−等である。 1・・・チップ、3・・・ソルダー、4・・・サブマウ
ント、7・・・活!層、8・・・導波路、9・・・Ga
ム・基板、13・・・溝、!4・・・段差形成用溝。 第 1 図 第 2 図 第 3 図 とベノ
図は本発明の一実施1PIlKよる’PP体レーザー装
置のwswtrm図、j13F!!IJ1ml 〜ld
lは同じく牛専体し−ザー嵩子o+am段階を示す照面
−等である。 1・・・チップ、3・・・ソルダー、4・・・サブマウ
ント、7・・・活!層、8・・・導波路、9・・・Ga
ム・基板、13・・・溝、!4・・・段差形成用溝。 第 1 図 第 2 図 第 3 図 とベノ
Claims (1)
- 1、牛導体レーザー素子の接合面をンルダーを介してサ
ブマウントに固着してなる中導体レーダー装置において
、前記牛導体し−ず一素子の導#LwIの両霧に延在す
る活性層部分は少なくとも一般屈曲してその先端露出部
分は前記接合面から遠去かった構造となっていること1
特徴とする牛導体レーザー装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57024403A JPS58142588A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | 半導体レ−ザ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57024403A JPS58142588A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | 半導体レ−ザ−装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58142588A true JPS58142588A (ja) | 1983-08-24 |
Family
ID=12137194
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57024403A Pending JPS58142588A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | 半導体レ−ザ−装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58142588A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60137086A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
FR2687857A1 (fr) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | Laser a semiconducteurs et procede de fabrication. |
US5604761A (en) * | 1993-10-15 | 1997-02-18 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Layered semiconductor laser having solder laminations and method of making same |
US5644586A (en) * | 1994-09-16 | 1997-07-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device |
US20210210930A1 (en) * | 2020-01-08 | 2021-07-08 | Applied Optoelectronics, Inc. | Techniques for electrically isolating n and p-side regions of a semiconductor laser chip for p-side down bonding |
-
1982
- 1982-02-19 JP JP57024403A patent/JPS58142588A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60137086A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
FR2687857A1 (fr) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | Laser a semiconducteurs et procede de fabrication. |
US5604761A (en) * | 1993-10-15 | 1997-02-18 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Layered semiconductor laser having solder laminations and method of making same |
US5644586A (en) * | 1994-09-16 | 1997-07-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device |
US20210210930A1 (en) * | 2020-01-08 | 2021-07-08 | Applied Optoelectronics, Inc. | Techniques for electrically isolating n and p-side regions of a semiconductor laser chip for p-side down bonding |
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