JPS62202345A - 書換型光記録媒体 - Google Patents
書換型光記録媒体Info
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- JPS62202345A JPS62202345A JP61043082A JP4308286A JPS62202345A JP S62202345 A JPS62202345 A JP S62202345A JP 61043082 A JP61043082 A JP 61043082A JP 4308286 A JP4308286 A JP 4308286A JP S62202345 A JPS62202345 A JP S62202345A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザビームを照射してその照射部に光学的
変化を起こ烙せて情報を記録するのに適したレーザ記録
媒体に関し、とくに記録・消去の可能な書換型光記録媒
体に関するものである。
変化を起こ烙せて情報を記録するのに適したレーザ記録
媒体に関し、とくに記録・消去の可能な書換型光記録媒
体に関するものである。
従来、レーザビームを利用して情報を記録する光記録媒
体の光記録層としては、金属膜、色素膜などに局部的に
孔又は変形を起こさせて、情報を記録するものが知られ
ている。しかし、これらの記録では、情報の消去は不可
能であり、いわゆる追記型光記録媒体として用いられて
いる。
体の光記録層としては、金属膜、色素膜などに局部的に
孔又は変形を起こさせて、情報を記録するものが知られ
ている。しかし、これらの記録では、情報の消去は不可
能であり、いわゆる追記型光記録媒体として用いられて
いる。
一方、書換型光記録媒体としては、結晶−非晶質の相転
移を利用するＴｅとＳｎを主成分とし、それにＳ＠又は
Ｇ＠又ｉｔ、Ｇａ等を添加した三元合金薄膜が知られて
いる。このＴｅとＳｎを主成分とする相転移型光記録媒
体において、レーザ光を光記録層に照射し、溶融後、急
冷することで非晶質のピットを形成し、これを記録状態
に対応させている。
移を利用するＴｅとＳｎを主成分とし、それにＳ＠又は
Ｇ＠又ｉｔ、Ｇａ等を添加した三元合金薄膜が知られて
いる。このＴｅとＳｎを主成分とする相転移型光記録媒
体において、レーザ光を光記録層に照射し、溶融後、急
冷することで非晶質のピットを形成し、これを記録状態
に対応させている。
この非晶質の結晶化の速度は次式で表わすことができる
。
。
ｙ ＝ ｖｏｅｘｐ （−Ｅｈ／ ｋｎＴ 、１ここで
、ｖｏ：定数 Ｅム：活性化エネルギ Ｔ：温度 ｋＢ：ボルツマン定数 Ｖ：結晶化の速度 である。
、ｖｏ：定数 Ｅム：活性化エネルギ Ｔ：温度 ｋＢ：ボルツマン定数 Ｖ：結晶化の速度 である。
従来のＴｅ−８ｎを主成分とする光記録層は、活性化エ
ネルギＥムが２ｅＶ程度であるため、室温での充分な非
晶質寿命と充分速い消去（結晶化）速度を両立させるこ
とは難しいという問題がｂる。
ネルギＥムが２ｅＶ程度であるため、室温での充分な非
晶質寿命と充分速い消去（結晶化）速度を両立させるこ
とは難しいという問題がｂる。
本発明は従来の問題点を解決し、室温で充分に長い非晶
質寿命を胸し、かつ短かい消去レーザパルス光の照射で
消去（結晶化）できる光記録媒体を提供することを目的
とするもので、基板上に光記録層を具備してなる書換型
光記録媒体において、前記光記録層はＴａおよびＣｕを
主成分とし、５６１Ｇｅ＋ Ａｓ＋ Ｇｏｔ Ｉｎ＋
Ｓｂ、 Ｓｒ Ａｕ、 Ｐｂ＋ Ｐｄの元素群から選ば
れた少くとも１種の元素を含む合金膜からなることを特
徴とし、とくに生成分としてＴｅの含有率が３０ ａｔ
％以上、Ｃｕの含有率が１０〜５Ｑ ａｔ％を含む合金
膜からなることを特徴とする。
質寿命を胸し、かつ短かい消去レーザパルス光の照射で
消去（結晶化）できる光記録媒体を提供することを目的
とするもので、基板上に光記録層を具備してなる書換型
光記録媒体において、前記光記録層はＴａおよびＣｕを
主成分とし、５６１Ｇｅ＋ Ａｓ＋ Ｇｏｔ Ｉｎ＋
Ｓｂ、 Ｓｒ Ａｕ、 Ｐｂ＋ Ｐｄの元素群から選ば
れた少くとも１種の元素を含む合金膜からなることを特
徴とし、とくに生成分としてＴｅの含有率が３０ ａｔ
％以上、Ｃｕの含有率が１０〜５Ｑ ａｔ％を含む合金
膜からなることを特徴とする。
本発明の書換型光記録媒体は、光記録層がＴ。
とＣｕを主成分として、これにＧ＠＋ ８（１） Ａ１
１ｌ ＧｏｔＩｎ、 Ｓｂ＋ Ｓｏ Ａｕ＋ Ｐｂ、
Ｐｄから選ばれる少くとも１種の元素を添加した合金膜
からなることにより、結晶化過程の活性化エネルギを従
来の光記録層に比べ約３・Ｖと大きくすることができ、
このため、室温で充分に長い非晶質寿命な荷し、かつ短
かい消去レーザパルス光の照射で消去がβ■能な光記録
媒体が得られる。以下図面にもとづき、実施例について
説明する。
１ｌ ＧｏｔＩｎ、 Ｓｂ＋ Ｓｏ Ａｕ＋ Ｐｂ、
Ｐｄから選ばれる少くとも１種の元素を添加した合金膜
からなることにより、結晶化過程の活性化エネルギを従
来の光記録層に比べ約３・Ｖと大きくすることができ、
このため、室温で充分に長い非晶質寿命な荷し、かつ短
かい消去レーザパルス光の照射で消去がβ■能な光記録
媒体が得られる。以下図面にもとづき、実施例について
説明する。
第１図は本発明の書換型光記録媒体１０の基本構成断面
図で、１は基板、２は光記録層（以下記録層と云う。）
である。ここで基板１としては、ポリカーボネイトまた
はアクリル樹脂膜などのプラスチック、あるいはＡｔな
どの金属もしくはガラスが用いられる。記録層２として
は、Ｔ・−Ｃｕを主成分とし、これにＳｏｕ Ｓｂ＋
Ｉｎ＋ Ｑａ、 Ｇｏｔ Ａｓ＋ Ｐｂ＋Ｓ、 Ａｕ、
Ｐｄの少なくとも一つを添加物として含む合金薄膜で
、これは、１の基板上へ、真空蒸着又はスパッタ法によ
り形成する。
図で、１は基板、２は光記録層（以下記録層と云う。）
である。ここで基板１としては、ポリカーボネイトまた
はアクリル樹脂膜などのプラスチック、あるいはＡｔな
どの金属もしくはガラスが用いられる。記録層２として
は、Ｔ・−Ｃｕを主成分とし、これにＳｏｕ Ｓｂ＋
Ｉｎ＋ Ｑａ、 Ｇｏｔ Ａｓ＋ Ｐｂ＋Ｓ、 Ａｕ、
Ｐｄの少なくとも一つを添加物として含む合金薄膜で
、これは、１の基板上へ、真空蒸着又はスパッタ法によ
り形成する。
ここで本発明は、記録層の主成分であるＴａへのおもな
金属添加物としてＣｕを用いていることを最も主要な特
徴とする。従来は、記録層の主成分であるＴｅへの主な
金属添加物としてＳｎを用いており、この点が異なる。
金属添加物としてＣｕを用いていることを最も主要な特
徴とする。従来は、記録層の主成分であるＴｅへの主な
金属添加物としてＳｎを用いており、この点が異なる。
本発明において、記録層の主成分は、ＴＩの含有率が３
０ ａｔ％以上で、好ましくは８０ ａｔ％以下、Ｃｕ
の含有率が１０〜５０ ａｔ％の合金膜で構成される。
０ ａｔ％以上で、好ましくは８０ ａｔ％以下、Ｃｕ
の含有率が１０〜５０ ａｔ％の合金膜で構成される。
Ｔｅ −Ｃｕの含有率構成は次の理由による。すなわち
、Ｃｕの含有率が上記の範囲からはづれる場合、合金膜
がアモルファスとし°Ｃ不安定となり、記録寿命特性の
著しい低下を招くためでおる。
、Ｃｕの含有率が上記の範囲からはづれる場合、合金膜
がアモルファスとし°Ｃ不安定となり、記録寿命特性の
著しい低下を招くためでおる。
・ さらに記録層は主成分である’ｌ’ａ −Ｃｕに、
Ｓ＠＋Ｇｏｔ Ａｉ＋ Ｇｏｔ Ｓｔ Ｓｂ＋ Ｉｎ＋
Ａｕ＋ Ｐｂ＋ Ｐｄから選ばれた少くとも１棟の元
素をＴｅ −Ｃｕの含有率の残余の５〜１ｓａｔｓ含ま
せることにより、合金膜の結晶粒径を微細化させ８／Ｎ
特性が向上するという理由で好ましい。
Ｓ＠＋Ｇｏｔ Ａｉ＋ Ｇｏｔ Ｓｔ Ｓｂ＋ Ｉｎ＋
Ａｕ＋ Ｐｂ＋ Ｐｄから選ばれた少くとも１棟の元
素をＴｅ −Ｃｕの含有率の残余の５〜１ｓａｔｓ含ま
せることにより、合金膜の結晶粒径を微細化させ８／Ｎ
特性が向上するという理由で好ましい。
第２図は本発明の一実施例を説明する断面構成図であっ
て、２１は厚さ１．２Ｈの透明なガラス基板、２２は厚
さ１００ ｎｍのＳｉＯ下地Ｉ！１．２５は厚さ８５ｎ
ｍの記録層でＴ１１＋５５ Ｃｕ３０８・１５ の組
成の合金薄膜としたが、これは多元真空蒸着法により作
製した。２４は厚さ３００ ｎｍの透明なＳｌＯ保護層
である。これをオープンに入れ、２００℃で１時間加熱
結晶化させた後、波長８３０ ｎｍの半導体レーザ光を
開口率５．０のレンズで径１．５μｍφのスポットにし
ぼり、ガラス基板２１側から記録層２３に照射し、記録
・消去の実験をおこなった。
て、２１は厚さ１．２Ｈの透明なガラス基板、２２は厚
さ１００ ｎｍのＳｉＯ下地Ｉ！１．２５は厚さ８５ｎ
ｍの記録層でＴ１１＋５５ Ｃｕ３０８・１５ の組
成の合金薄膜としたが、これは多元真空蒸着法により作
製した。２４は厚さ３００ ｎｍの透明なＳｌＯ保護層
である。これをオープンに入れ、２００℃で１時間加熱
結晶化させた後、波長８３０ ｎｍの半導体レーザ光を
開口率５．０のレンズで径１．５μｍφのスポットにし
ぼり、ガラス基板２１側から記録層２３に照射し、記録
・消去の実験をおこなった。
光記録媒体上のレーザパワー８ ｍＷ 、パルス巾２０
０ ｎｓで非晶質化が生じた。これにレーザパワーα３
ｍＷの連続発振光を照射し記録情報の読み出しを行うこ
とができた。なお、この間、記録状態に変化はみられな
かった。レーザパワー５ ｍｗ、パルス巾１μＳで前に
非晶化された部分に結晶化が起こり、記録ビットの消去
を行うことができた。
０ ｎｓで非晶質化が生じた。これにレーザパワーα３
ｍＷの連続発振光を照射し記録情報の読み出しを行うこ
とができた。なお、この間、記録状態に変化はみられな
かった。レーザパワー５ ｍｗ、パルス巾１μＳで前に
非晶化された部分に結晶化が起こり、記録ビットの消去
を行うことができた。
さらに同じ条件で記録・消去を１０３回くりかえしたと
ころ、記録状態に変化はみられなかった。
ころ、記録状態に変化はみられなかった。
また、この光記録媒体上の記録状態（非晶質状態）は、
６０℃で一年以上安定であることから、非晶質寿命すな
わち記録寿命は、室温で充分に安定であることがわかっ
た。
６０℃で一年以上安定であることから、非晶質寿命すな
わち記録寿命は、室温で充分に安定であることがわかっ
た。
また上述の合金膜について、示差熱走査熱量測定法によ
り結晶化の活性化エネルギを求めたところ五１ ｅＶで
あった。
り結晶化の活性化エネルギを求めたところ五１ ｅＶで
あった。
本実施例の添加元素Ｓａの代わりにＧ＠、 Ａ１１ｌ
Ｇａ＋Ｓｔ Ｓｂ＋ 工ｎ、 Ａｕ＋ Ｐｂ、 ｐｄの
各元素をそれぞれ１種を同喰添加したところほぼ同じ結
果を得た。文、示差走査熱量測定法により、結晶化の活
性化エネルギはム２ ｅＶであった。
Ｇａ＋Ｓｔ Ｓｂ＋ 工ｎ、 Ａｕ＋ Ｐｂ、 ｐｄの
各元素をそれぞれ１種を同喰添加したところほぼ同じ結
果を得た。文、示差走査熱量測定法により、結晶化の活
性化エネルギはム２ ｅＶであった。
以上説明したように、本発明の書換型光記録媒体は、記
録層の主成分であるＴｅへの主な金属添加物としてＣｕ
を用いた多元合金系とすることで、室温では非晶質で安
定で、かつレーザ光照射による高温下では急速に結晶化
させることができ、室温での充分な非晶質寿命と充分速
い結晶化（消去）速度の両立がはかれ、書換型光記録媒
体としての効果顕著である。
録層の主成分であるＴｅへの主な金属添加物としてＣｕ
を用いた多元合金系とすることで、室温では非晶質で安
定で、かつレーザ光照射による高温下では急速に結晶化
させることができ、室温での充分な非晶質寿命と充分速
い結晶化（消去）速度の両立がはかれ、書換型光記録媒
体としての効果顕著である。
第１図は本発明の書換型記録媒体の基本構成断面図、
第２図は本発明の一実施例を説明する断面構成図である
。 １・・・基板 ２・・・光記録層 １０・・・光記録媒体 ２１・・・ガラス基板 、２２・・・下地層 ２６・・・光記録層 ２４・・・保護層
。 １・・・基板 ２・・・光記録層 １０・・・光記録媒体 ２１・・・ガラス基板 、２２・・・下地層 ２６・・・光記録層 ２４・・・保護層
Claims (2)
- （１）基板上に光記録層を具備してなる書換型光記録媒
体において、 前記光記録層は ＴｅおよびＣｕを主成分とし、 Ｓｅ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓ、Ａｕ、Ｐｂ
、Ｐｄの元素群から選ばれた少くとも１種の元素を含む
合金膜からなることを特徴とする書換型光記録媒体。 - （２）前記光記録層は、生成分としてＴｅの含有率が３
０ａｔ％以上、Ｃｕの含有率が１０〜５０ａｔ％を含む
合金膜からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の書換型光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61043082A JPS62202345A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 書換型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61043082A JPS62202345A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 書換型光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202345A true JPS62202345A (ja) | 1987-09-07 |
Family
ID=12653917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61043082A Pending JPS62202345A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 書換型光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62202345A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155442A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Mitsubishi Kasei Corp | 光記録媒体 |
| JPS63263643A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-10-31 | Hoya Corp | 書き換え可能な相変化型光メモリ記録膜材料 |
| JPH01191346A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-08-01 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH02175285A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録媒体 |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP61043082A patent/JPS62202345A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155442A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Mitsubishi Kasei Corp | 光記録媒体 |
| JPS63263643A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-10-31 | Hoya Corp | 書き換え可能な相変化型光メモリ記録膜材料 |
| JPH0566874B2 (ja) * | 1987-04-22 | 1993-09-22 | Hoya Corp | |
| JPH01191346A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-08-01 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JP2696754B2 (ja) * | 1988-01-25 | 1998-01-14 | 日本コロムビア株式会社 | 光情報記録媒体 |
| JPH02175285A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録媒体 |
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