JPS62161590A - 光学情報記録部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、元、熱などを用いて高速かつ、高密度に情報
を記録、消去、再生可能な光学情報記録部材に関するも
のである。

従来の技術 近年、情報量の増大化、記録、再生の高速化。

高密度化に伴ない、レーザ光線を利用した光ディスクが
注目されている０光デイスクには、一度のみ記録可能な
追記型と、記録した信号を消去し何度も使用可能な書き
換え可能なものがある。追記型光ディスクには、記録信
号を穴あき状態として、再生するものや、凹凸を生成さ
せて再生するものがある。書き換え可能なものとしては
カルコゲン化物を用いる試みがあり、Ｔｅ−Ｇｅを初め
として、Ｔｏ　とムｓ、Ｓ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｂｉな
どを添加した例が知られている。

これに対し、本発明者らは先に、Ｔｅ−Ｔｅａ２のよう
な酸化物を含んだ系の相転移による反射率変化を信号と
する方式を提案した。さらに、相転移を利用した書き換
え可能な元ディスクとして、Ｔｅ−Ｔｅａ、、に対し各
種添加物を添加（ＳｎｔＧ’＊Ｂｉ、Ｉｎ、Ｐｂ、ＴＩ
！、　Ｓｅなど）した例がある。これらの記録部材の特
徴は、Ｃ／Ｎが高く、耐湿性に対しても優れるという特
徴を有している〇発明が解決しようとする問題点 カルコゲン化物よりなる書き換え可能な情報記録部材は
、一般的に、記録、消去の繰り返しに対する安定性が悪
いといった特徴を有する。この理由は、Ｔｅ、Ｇｅとそ
の他の添加成分が、数度のくり返しによって、膜が相分
離を生じてしまい、初期とくり返し後では膜の構成成分
が異なることに帰因すると思われる。消去可能な元ディ
スクで相転移を利用する場合、通常は、未記録、消去状
態を結晶質とし、記録状態を非晶質とする方法がとられ
る。この場合、記録はレーザ光で、一旦、膜を溶融させ
急冷によって非晶質にする訳であるが、現在の半導体レ
ーザにはパワーの限界があり、できるだけ融点の低い膜
が、記録感度が高いことになる０このために、上述した
カルコゲン化物よりなる膜は、記録感度を向上させるた
めに、できるだけ融点の低い組成、すなわち、Ｔｅが多
い膜組成となっている。Ｔｅが、他の添加成分より多い
ということは、くり返し特性においてそれだけ相分離が
起こし易いことを意味する。したがって融点を下げるた
めに添加した過剰のＴｅをいかに固定して動きにくい組
成にするかが、くり返し特性や、ＣＮＲ，消去率の経時
変動に大きな影響を及ぼすことになる。

酸化物を含んだ記録部材にも、以下に記述する欠点があ
る。すなわち、消去率が録再消去のくり返しによって低
下することである。

書き換え可能な元ディスクは、通常、初期状態を結晶状
態とし、記録状態を非晶質として記録を行なう。消去は
初期状態と同様に結晶質とする。

この記録部材の結晶質−非晶質間の相転移は、レーザの
徐冷−急冷の条件変化によって達成される。

すなわち、レーザ光による加熱後、徐冷によって結晶質
となり急冷によって非晶質となる。したがって記録、消
去のくり返しによって、膜は何度も結晶質、非晶質状態
を経ることになる。この場合、膜に酸化物が存在すると
、膜の粘性が高いので。

カルコゲン化物の泳動性が少なくなり、膜組成の偏析が
生じやすぐなる０さらに、酸化物の存在は膜自身の熱伝
導が悪くするので、レーザ光の入射側と反対側の膜厚間
で温度分布差を生じ、膜組成の偏析はやはり生ずる。こ
うした理由により、酸化物を含んだ膜は、記録、消去の
くり返しによって次第に特性が変化するなどの欠点を有
していた。

本発明は、上述した酸化物を含む膜のくり返し特性を向
上させることを目的とし、さらに、カルコゲン化物より
なる従来組成の欠点（Ｃｉ／Ｎが低い、消去率が充分で
はない、耐湿性、耐熱性が悪い、くり返し特性が充分で
はない）を克服したものである。

問題点を解決するための手段 本発明における記録層は、Ｔｅ−Ｇｅ−８ｅ−Ｉｎ系の
組成物であって、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅの原子数比が第１図
のム＋ｌＢ４．Ｃ１，Ｄ１．Ｅｊ　　０点を結んだ領域
内にあるとともに、　Ｉｎの濃度が５〜４０＆ｔ％であ
る材料により構成される０ 作用 本発明の特徴は、上述した従来組成、Ｔｅ−Ｇ。

−８ｅ　　にＩｎを添加して過剰のＴｅを固定すること
にある。ＩｎはＴＯと化合物を形成し、Ｔｏ濃度が６０
％以上のＩｎ−Ｔｅ系では、融点が最も高い場合（Ｉｎ
、、Ｔｏ、）でも６ｏ了°Ｃである。この温度は他のＴ
Ｏ−ｅｅ、Ｔｅ−４ｎなどと比較しても３ｏ。

°Ｃ以上も低いｏしたがって、Ｉｎの添加は、Ｔθと母
材とする膜の融点を上昇させることなしに、過剰なＴｏ
を固定することが可能となる。

実施例 本発明は、　Ｔｅ−Ｇｅ−８ｅ−Ｉｎによシ構成される
。

本発明においてＴｅはＩｎあるいはＧｅと結合した状態
で、記録前後によって光学的濃度変化を呈する母材であ
る。Ｓｅは単独でも、またＴｅとの化合物状態でも非晶
質膜を作成することが容易ではある特徴を有するものの
逆に結晶化速度が遅いこと、結晶転移温度が低い（＝１
ｏｏ’Ｃ）ことなどの欠点を持つ。Ｔｅ−５ａＫｃｅを
添加することにより、結晶転移温度は上昇するが、結晶
化速度は改善されず、光ディスクの実用上必要な結晶化
速度（数百ｎｓ　　）は得られない０本発明は、Ｔｅ−
Ｇｅ−３ｅで構成される上述した特長、すなわち、結晶
化転移温度が高いことを活かし、しかも欠点である結晶
化速度が遅いことをＩｎを添加することにより、大巾に
改善し、実用可能な書き換え可能な記録膜を提供しよう
とするものである。

本発明において、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｉｎは結晶状態に
おいて、ＧｅＴｅ、ＧｅＳｅ、、、Ｉｎ２Ｔｅ、　　な
どの結晶状態をとるものと思われる。この中でＧｅＳｅ
２は非晶質状態が安定で、結晶化温度は４７０°Ｃ程度
で、しかも結晶化速度は遅い。このため、膜中にあって
は、主に結晶化転移温度を高め、非晶質化を容易にする
役割を担っているものと思われる。

Ｇｅ−ＴｅはＧｏ　とＴｅの比によって、結晶化が容易
な領域と、困難な領域に別れる。すなわちＧｏ−Ｔｅ系
で、非晶質状態が最も安定な領域はＴｅ濃度が７０％程
度のＧｅＴｅ、、が生成される領域である。

この点を境にしてＧｏが増えると（量論に近いＧｅＴｅ
濃度が増すと）結晶化速度は速くなる。本発明において
ＧｅはＧｅＳｅ２としての他ＧｅＴｅを形成しておりＴ
ｅ−Ｇｏ−８ｅ系においてＧｅＴｅは結晶化速度を向上
させることに寄与しているものと思われる。しかしなが
ら、Ｔｏ−Ｇｏ−８ｅで構成される系では、実用可能な
結晶化速度の速い組成はＳｅ量が少な（、ＧｅＴｅの量
論に近い領域となる。この領域の特徴は結晶化速度は速
いものの、Ｇｏ’ｒｅの融点が７２６°Ｃと高いため、
非晶質化が困難なことである。したがって、実用可能な
領域で結晶化、非晶質化を可能にするのはＧｏ濃度が低
く、Ｓｅ濃度が高い領域である。

この領域の特徴は結晶化温度は高いが、結晶化速度が遅
いことである。Ｉｎの添加は膜中で過剰なＴｏとＩｎ２
Ｔｅ３を形成し、結晶化を促進させることである。Ｔｏ
　との化合物で結晶化を促進する元素は、上述したＩｎ
に限らず、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄ。

Ｎｉ、Ｇｏ、Ｏｒなど種々の材料がある。こうした材料
は、確かに結晶化速度が速いという特徴を有し、添加量
を限定することにより、追記型材料（Ｗ１０材刺）とな
り得るが、書き換え可能な元ディスク材料としては適さ
ない。その理由は上述した元素とＴｅとで構成される合
金の融点が高いことによる。

しかし、こうした材料でもレーザパワーが強く、膜全充
分に溶融させることが可能であれば、消去可能なディス
クとして使用することは可能である。

現在、我々が実用上入手できる半導体レーザば、波長が
８３０ｎｍでパワーはａ　ｏ　ｍＷ程度であり、Ｔｅ、
Ｇｅ、Ｓｅの量論に近い組成（ＴｅＧｅ、Ｇｅ８ｅ２）
を溶融させることは困難である。（強度が８００°Ｃ程
度）Ｔｏ−Ｇｅ−８ｓで記録、消去可能な領域は、ＴＯ
が非常に多い領域（ｓｏａｔ％以上）にあるが、この領
域の組成は転移温度が低く、熱的に不安定であること、
Ｔｏが過剰なため、くり返しによって、Ｔｅ　とＴｅＧ
ｅあるいはＧｅＳｅ２に膜が相分離を起こしやすいこと
などの欠点を有している。

本発明のＩｎは、この過剰のＴｏ　’１Ｉｎ２Ｔｅ、と
して安定化させる働きを有する。ＩｎはＴｏ　との合金
系ではＴｏが５ｏａｔ％以上では、融点が６６７°Ｃ以
下で、Ｉｎを添加してもＴｏの融点が４５１°Ｃなので
、融点を大きく上昇させることはない。そのためｓ”’
に添加した膜は現行の半導体レーザパワーでも充分に浴
融させることが可能である。しかも熱的に不安定な過剰
Ｔｏ　１Ｉｎ２Ｔｏ３として結合させているため、熱的
に安定で、かつ、記録、消去のくり返しによっても相分
離を生ずることなく、長期に亘って安定な膜となる。

Ｉｎの添加量は、Ｇｅ、Ｓｅと結合した残りの過剰Ｔｅ
を固定化するので、必要なＩｎ濃度はＴｅ／（Ｇｅ＋Ｓ
ｅ　）の量に支配される。

すなわち、Ｉｎの添加量はＧｏ−Ｔｅ−３ｓ系の組成比
により異なる。例えば、比較的Ｓｅ成分の多い領域（ｓ
ｅ≧２６＆ｔ％）においては、非晶質として安定なので
結晶化を促進させるＩｎの添加量は多くなる。（２６〜
４ｏｔＬｔ％）逆にＳｅ成分の少ない領域（Ｓθ≦１５
１Ｌｔ％）では、比較的結晶化速度が速いので、少ない
Ｉｎ濃度（６〜２５１Ｌｔ％）で充分である。同様にＧ
ｏ濃度の多い領域（Ｇｅ≧２５＆ｔ％）は結晶化速度は
速いノテ、Ｉｎ濃度は低く（６〜２５ａｔ％）Ｇｅ成分
の少ない領域（Ｇｅく１ｏａｔ％ンでは結晶化が困難な
ので、比較的多いＩｎ量を必要とする。

第１図に、本発明のＴｅ−Ｇｅ−８ｅ　−Ｉｎより構成
される記録部材の適正範囲を示した。図はＴｅ−Ｇａ−
８ｅより構成されているが、Ｉｎ濃度は第１図に示され
たＴｅ−Ｇｅ−８ｅ組成に対し、６〜４゜ａｔ％である
。

（Ｉｎ濃度は（Ｔｅ　Ｇｅ　　Ｓｅ　　）　　　　Ｉｎ
　　で示ｘｙｚ＋ｏｏ−ｍｍ した場合のｍに相当、ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ｏＯ） 第１図において各点は以下の組成である〇ム点　　Ｔｅ
、ｏＧｅ５ｓｅ５ ８点　　Ｔｅ６ｏＧｅ５８ｅ３５ ０点　　Ｔｅ４ｏＧｅ、、、、Ｓｅ５．。

０点　　Ｔｅ４ｏＧｅ４ｏＳｅ２゜ ８点　　Ｔｅ５５”４０Ｓ０５ 本発明は上記、Ｔｏ−Ｇ６−８ｎの三元系の人、Ｂ。

Ｃ，Ｄ、８点で囲まれた範囲内にあって、かつ、Ｉｎ濃
度が式（Ｔｅ　ｘＳ　ａｙＳ　ｎ　ｚ　）　＋　ｏ　ｏ
　ｍ　Ｉｎ　ｍで表わした場合、ｍの値として６〜４０
ａｔ％の範囲内にある０ 線ム１．Ｂ、よりＧｏが少ない場合、膜はＴｅ−８Ｏが
過剰となり、結晶化転移温度は低く（＜１２０°Ｃ）、
実用上安定な記録膜を得ることが困難である。線Ｂ、、
Ｃ４よりＳｅが多い場合は、’ｒｅｓｅ　、ＧｅＳｅ２
の形成量が多くなり、安定な非晶質膜となり、結晶化が
困難となる。線Ｃ，，Ｄ、よりＴｅが少ない場合、結晶
化に必要なＩｎ２Ｔｏ、の量も少なくなるので、記録部
と未記録部の信号のコントラスト比が低く、充分な記録
特性が得られない。線Ｄ１．Ｅ、よりＧｏが多い場合、
この領域は量論的なＧａＴｅが生成する領域で、結晶化
速度は上昇するが、融点の高いＧｅＴａが多量に存在す
るので、非晶質化が困難となる。線ムｉ、ＩＣＩよりＳ
ｅ量が少ない場合は、Ｇｅｍ５２量が少なくなるため、
非晶化が困難となる。しかし同じム４．Ｘ１線上でもＧ
ｏが少ない場合はＧｅＴｅ量が少ないため、非晶質化は
比較的容易であるが、結晶化転移温度が（氏くなる。

上述した傾向は、当然ながら、添加するＩｎ量によって
異なってくる。Ｔｅ−Ｇｅ−８ｅからなる組成を限定し
Ｉｎ−ｆ２１ｉ変化させると、Ｉｎ量が少ない場合は非
晶質化が容易で、Ｉｎ量が増えるに従って結晶化が容易
となる。この適正なＩｎ量は、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅによっ
て構成される膜の特性によって異なるが、本発明の範囲
内では６〜４０’ａｔ％で、実用的な書き換え可能な記
録膜が得られる。

以上述べた理由により、本発明は、第１図において、点
ム１−８１−Ｇ＋−”１−ＥＩで囲まれた範囲内に限定
される。すなわち、この領域内のτｅ−Ｇｅ　−３ｅに
Ｉｎを６〜．ａｏａｔ％添加した場合、実用上、結晶質
と非晶質の可逆性を利用して、情報の記録、消去が可能
となる０ 次に第１図のム２−Ｂ２−Ｃ２”２−Ｅ２あるいはム５
−Ｂｓ−Ｃｓ−Ｄｓ−ＩＣｓによって囲まれた領域につ
いて述べる。この領域は、第１図のム１−Ｂ、−Ｃ。

−Ｄ　、　−ＩＣ、で囲まれた範囲より、より実用的な
組成範囲を示しである。

第１図においてム２　”２−Ｃ２−Ｄ２　”２各点の組
成を以下に示す。

ム　　Ｔｅ８３Ｇｅ７Ｓｅ、。

Ｂ　　　Ｔｅ６３Ｇｅ、Ｓｅ３゜ Ｃ２Ｔｅ４．、Ｇｅ２．、Ｓｅ５゜ Ｄ２　　　Ｔｅ４５”’５５Ｓｅ２０ Ｅ　　　Ｔｅ５５Ｇｅ、、、Ｓｅ、。

この各点で囲まれた領域におけるＩｎ濃度は１ｏ〜５ｓ
ａｔ％である０（ただし、 （ＴｅｘＧｅｙＳｏｚ）、。ｏ−ｍＩｎ、におけるｍの
値で、Ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ｏｏとする。ノ この領域の非晶質から結晶質への転移温度は１２０〜１
８０°Ｃ以内である。転移温度はム２が最も低く、線Ｃ
２”２の方向にＳｅ、Ｇｏ濃度が増えるに従って温度は
上昇する。結晶化を促進する上で必要なＩｎ濃度はム２
点に近い領域では少なく、線Ｃ２”２に近い領域では多
くなる。すなわち、Ａ１に近い領域では、過剰のＴｅが
多く、結晶化速度は速いので多くのＩｎ量を必要とせず
、Ｃ２，Ｂ２に近い領域は結晶化が困難なため、多くの
Ｉｎ量を必要とする。その結果、点ム、ではＧｅＴｅ　
、ＧａＳｅ　２の量が少なく過剰Ｔｅも残存しているの
で安定な非晶質状態が形成されず、結晶転移温度は低く
なる。ム２点よりＳｅ量が多くなると（Ｂ２点）転移温
度は上昇するが、結晶化速度は遅くなる。ム２点よりＧ
ｅが多くなると、転移温度は上昇し、結晶化温度も高く
なるが、非晶質化が困難となる。すなわち、点ム２””
”２　　’２＝Ｄ２−Ｅ２で囲まれた点で、Ｉｎ量が１
６〜３０１Ｌｔ％である場合は、用途、目的に応じて、
結晶化転移温度、結晶化速度の適正値を選択することが
可能である。しかし、このム２　　”２−Ｃ２−”２−
ＩＣ２点で囲まれた領域内であっても、現在、市販され
ているレーザ出力（２５ｍＷ程度）で、全ての点で録再
が可能とは限らない０点ム５−Ｂｓ−Ｃｓ−Ｄｓ−ＩＣ
ｓで囲まれた領域は、現行のレーザパワーの範囲で録再
が可能で、結晶化速度が速く、かつ、熱的安定性を示す
結晶化転移温度も高く（１３０〜１８０’Ｃ）より実用
的な領域である。この領域における必要な量は１０〜２
５Ｌｔ％であるＯ Ｉｎの添加はτｅ−ｗＧｅ−８ｅだけよシなる系に比べ
、結晶への転移温度を１０〜３０’Ｃ高める働きを有す
る。しかもＩｎの添加によって膜の融点は下がるため、
非晶質化に対しては都合がよい０この理由は、　Ｉｎは
Ｔｏ濃度に対して４５％以下である場合、最大でも、融
点が８８７°Ｃ以下であることに起因する。一方、Ｇｏ
、Ｓｎなどの場合は、Ｔｏ濃度に対し、５ｏａｔ％以下
の場合、各々、最大で７２５°Ｃ，７９００となる。そ
れ故、Ｉｎの添加は、熱的安定性を示す転移温度を上昇
させる効果と、膜の融点を下げ、非晶質化を容易にする
といった利点を有する。

以上述べた理由により、本発明のＴｅ−Ｇｅ−３ｅ−Ｉ
ｎ　　の最適組成は限定される０ 次に本発明による光学情報記録部材の製法について述べ
る。

第２図は、本発明の記録層を用いて構成した元ディスク
の断面の模式図である。図において、１゜６は基板を表
わしており、材質は、ポリカーボネート、アクリル樹脂
、ガラス、ポリエステル等の透明な基材を用いることが
可能であるＣ２，４は保護層で、種々の酸化物、硫化物
、炭化物を用いることができる。この保護層２，４は記
録膜３の記録、消去の繰り返しによる基材の熱劣化を防
ぐものであり、さらに、記録膜３を湿度より保護するも
のであるｏしたがって、保護層の材質、膜厚ば、上述し
た観点より決定される。記録膜３は、蒸着、スパッタリ
ング等によって形成される。蒸着で行なう場合は各組成
を単独に蒸着可能な４ソ一ス蒸着機を用いるのが、均一
膜を作成できるので望ましい。

本発明の記録膜３の膜厚は、保護層２，４の光学特性と
のマツチング、すなわち、記録部と未記録との反射率の
差が大きくとれる値とする０以下、具体的な例で本発明
を詳述する。

実施例１ ４源蒸着が可能な電子ビーム蒸着機を用いてＴｏ、Ｇｏ
、Ｓｅ、Ｉｎをそれぞれのソースから基材上に同時に蒸
着した０用いた基材はφ８１ｎＩのガラスで、蒸着は真
空度が１×１０　　’ｒｏｒｒ基材の回転速度、１５０
ｒｐＨ１で行ない、膜厚ば１０００人とした。各ソース
からの蒸着速度は記録膜中のＴｅ。

Ｇｅ、ｓｅ、Ｉｎの原子数の割合を調整するため、変化
させた。第１表の組成の割合は、この蒸着の速度より換
算した値であるが、代表的な組成をＸ線マイクロアナラ
イザー（ＸＭム）で行なったところ、仕込値とほぼ同様
の定量結果が得られた。したがって、表中の仕込み組成
は、膜中でも同じと思われる。

上記製法によって作成された試験片の評価方法を以下に
記す。

〔転移温度〕

転移温度とは、蒸着直後の非晶質状態の膜が熱によって
結晶状態になる開始温度を意味する。測定は、膜の透過
率の測定が可能な装置を用い、ヒーターにより試験片の
温度を昇温速度１°Ｃ／ｓｅａで上昇させた場合の透過
率が減少を開始する温度とした。

転移温度が高いことは、膜が熱的に安定であることを意
味する。

〔黒化、白化特性〕

黒化特性とは、非晶質から結晶質への変態に対しての転
移速度を示したもので、白化特性は結晶質から非晶質の
転移速度を示したものである。

測定は、φ８ｆｆのガラス片上の記録膜に、レンズを用
いて、レーザ元を集光させ、サンプル片を上下、左右移
動可能とした装置を用いて行なった〇レーザ元のスポッ
トは４５　Ｘ　Ｏ，４μｍ　、パルス巾２００ｎｓ、パ
ワー密度１０−６　ｍＷ／ｐｙｒｅ波長はｓｏｏｎｍと
した。黒化特性は、試験片を比較的、緩かに移動させた
場合の変態（非晶質から結晶質）の速度を観察し、速度
が充分早く、かつ未記録部分と記録部分のコントラスト
比が充分大きいものを◎とした。×は緩やかに移動させ
ても、黒化しないもの、あるいは、コントラスト比が小
さいものを示す００．Δは◎と×の中間に位置する０こ
の定性的な表現において、実用可能な黒化特性は０以上
である。

次に白化特性について述べる。白化特性を観る場合は、
まず、一旦、黒化し、その上を試験片を速やかに移動さ
せ、急冷状態を作り、白化（結晶質から非晶質）させる
。白化状態が◎のものは、移動速度が比較的緩やかでも
、白化し、しかも非晶質部分と結晶質部分のコントラス
ト比が大きいものを示し、×は全く白化しないものを示
しているＯ ○とΔは、◎と×の中間に位置する。

上述した表現によれば、黒化、白化特性とも非常にすぐ
れている場合は、◎、◎となるが、実際問題としては同
じ移動速度で、どちらも◎となることはあり得す、望ま
しい材料としては、◎、○あるいは◎、Δと、多少黒化
特性が優れているものである。

第１表に、本発明の範囲でＩｎ濃度を３０１Ｌｔ％とし
て作成した膜の転移温度と、黒化、白化特性の結果を示
す。

（以下金　白） 第　　　１　　　表 組成　　　　転移温度　黒化白化特性 、　　　　　　　　　　　　　　　　　（’Ｃ）　　黒
化特　白化特性ム、　　（”９０Ｇθ５”５）８０”２
０　　１ａｏ　　　◎　　　△ム２　（Ｔｅ８．Ｇｅ７
Ｓｅ、。）８ｏＩｎ２ｏ　　１３５　　◎　　　△ム３
　　（Ｔｅ７５”ＴｏＳｅ＋ｑ）ａｎ”、ｎ　　’　８
０　０−◎　　ｎ第１表の結果より明らかなように、本
発明の範囲にあるＴｏ−Ｇｅ−８ｅ−Ｉｎ系記録薄膜は
、黒化及び白化がそれぞれ可能である。即ちこの範囲内
にある記録部材は、加熱条件、例えば照射するレーザー
光線の照射強度、照射時間を適当に選ぶことで非晶質状
態と結晶状態のいずれの状態も、とることが可能であり
、光学的に情報を記録し、かつ消去することが可能であ
る。

本実施例においてはＩｎの濃度を２０１Ｌｔ％としたが
、上述の黒化白化特性は、　　Ｉｎの濃度に強く依存す
る。一方、転移温度も又それほど強＜ＵないがＩｎ濃度
に依存する０ 実施例２ 実施例１と同様の作成法、評価法を用い、Ｔｏ−Ｇｏ−
３ｓ系にＩｎを添加した場合の濃度依存性について調べ
た結果を第２表に示す〇−例としてＴｅ６０Ｇｅ２（ｌ
ＳＯ２０組成を選び、Ｉｎ濃度を６〜４６ａｔ％の範囲
で変化させた。

第２表の結果から明らかなように。

Ｔｅ６０Ｇｅ２０Ｓｅ２０に、Ｉｎを添加した場合Ｉｎ
濃度が５〜４０＆ｔ％にある場合、レーザー光線によっ
て、結晶化、非晶質化のいずれも可能であり、光学記録
部材として有効である。

結晶−非晶質の相変態を記録原理として用いる場合、記
録（非晶質化）速度は、照射部が溶融するまでの時間、
消去（結晶化）速度は、原子配列の秩序が回復する時間
に依存し、一般に前者は後者に比べて十分速い。従って
本発明の組成領域を例えば元ディスクに適用する場合、
主としてその消去速度がデバイスとしてのスペックを決
定する。

即ち、デバイスとしての使用条件、例えば光ディスクの
場合には、その回転速度記録半径（線速度）に応じて組
成を選べば良い。即ち、Ｉｎ濃度の低い組成の場合には
記録感度（白化感度ンは高いが、消去感度（黒化速度）
が１氏い、従って、回転速度が比較的遅い場合に有効で
ある。逆にＩｎ濃度の高い組成の場合には消去感度（黒
化速度）は十分であるので高速回転に適用可能である。

ただし、この場合は、やや大きい記録パワーを必要とす
る。

Ｉｎの添加効果は、ＧＩＳ−τｅ−８ｓ系の組成比によ
りやや異なっている。例えば、比較的Ｓｅ酸成分多い領
域（Ｓｅ〉２５ａｔ％）においては比較的Ｉｎ濃度の高
い領域、２６〜４０ａｔ％が良好な特性を示し、比較的
Ｓｅ酸成分少ない領域（Ｓｅ　＜１５　ａｔ％）におい
ては比較的Ｉｎ濃度の低い領域６〜２５１Ｌｔ％が良好
な特性を示した。

同様に、比較的Ｇｅ成分の多い領域（Ｇｌ〉２５ａｔ％
）においては比較的Ｉｎ濃度の低い領域５〜２５１Ｌｔ
％、Ｇｅ成分の少ない領域（Ｇｏく１０＆ｔ％ンにおい
ては比較的濃度の高い領域２６〜４Ｃ）ａｔ％が良好な
特性を示した。

実施例３ 基材として光ガイド用のトラックを備えた１、２ｔ×φ
２００　ｍｌのポリカーボネイト樹脂基材を用い、記録
膜として、（Ｔｅ６６Ｇθ２０Ｓ’２０　）８０Ｂ１２
０の薄膜を用いて光ディスクを試作した。

まず、基材上に耐熱層としてＺｎＳ薄膜を３００Ａ蒸着
し、その上に記録層を約１０００への厚さに蒸着し、更
にその上に、同じく耐熱層としてＺｎ８薄膜を１８００
人蒸着した。

この元ディスクの基板側から、光学系を用いて絞り込ん
だレーザー光線を照射して信号を記録し、直ちに消去を
行なった。記録に先立って、スポット形状が１μｍＸ’
ｉｏμｍの長楕円形のレーザ光線を１４ｍＷの強さでト
ラックにそって照射し、トラック内の記録膜を結晶化し
５次に０．９μｍ　φに絞り込んだレーザー光線１５ｍ
ｗの強さで照射した。記録周波数は２ＭＨｚ、ディスク
の回転速度はｓ　ｍ　／　ｓである。このとき照射部は
非晶質化され、トラックに浴って信号が記録された。ス
ペクトラムアナライザーでＣ／Ｎを測定したところ。

５０ｄＢが得られた。このトラック上に、前述の長楕円
スポットを照射したところ、信号は完全に消去された。

実施例４ 実施例３における元ディスクを用いて、寿命試験を８０
°Ｃ，６０％Ｉ’ＬＨの条件下で行なった。

試験方法は、予じめ情報を記録しておき、上記条件で保
持後のＣ／Ｈの劣化をみた。１次月経過後のＣ／Ｎの凹
下は−１，５ｄＢと無視できる程度であった。

実施例６ 実施例３における元ディスクの記録、消去の繰り返し特
性を評価した。

１ｅ万回記録、消去を繰り返した後のＯ／Ｈの低下は、
約１ｄＢ程度であった。

発明の効果 本発明によるＴｅ−Ｇｅ−８ｅ−Ｉｎ記録薄膜は、耐熱
性及び耐湿性に極めて優れていることが最大の特徴であ
り、かつ現在市販されている半導体レーザーを用いて十
分記録、消去が可能である。さらに記録、消去を繰り返
しても膜が破壊されることが無い。即ち、本発明によっ
て実用上、極めて優れた光学情報記録部材が提供される
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による光学情報記録部材の組成の範囲を
示す組成図、第２図は本発明の光学情報記録部材の一実
施例における構成を示した断面図である。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第２図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｉｎを主材料とし、Ｔｅ、Ｇ
   ｅ、Ｓｅの原子数比が第１図の、 Ａ＿１（Ｔｅ＿９＿０Ｇｅ＿５Ｓｅ＿５）、Ｂ＿１（Ｔ
   ｅ＿６＿０Ｇｅ＿５Ｓｅ＿３＿５）Ｃ、（Ｔｅ＿４＿０
   Ｇｅ＿２＿５Ｓｅ＿３＿５）、Ｄ＿１（Ｔｅ＿４＿０Ｇ
   ｅ＿４＿０Ｓｅ＿２＿０）Ｅ＿１（Ｔｅ＿５＿５Ｇｅ＿
   ４＿０Ｓｅ＿５）の各点で囲まれる領域内に有って、Ｉ
   ｎの濃度（ａｔ％）が全体の組成を（Ｔｅ＿ｘＧｅ＿ｙ
   Ｓｅ＿ｚ）＿１＿０＿０＿−＿ｍＩｎ＿ｍと表したとき
   、５≦ｍ≦４０ａｔ％である薄膜を備えた光学情報記録
   部材。
2. （２）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅの原子数比が第１図の、Ａ＿２
   （Ｔｅ＿８＿５Ｇｅ＿７Ｓｅ＿１＿０）、Ｂ＿２（Ｔｅ
   ＿６＿３Ｇｅ＿７Ｓｅ＿３＿０）Ｃ＿２（Ｔｅ＿４＿５
   Ｇｅ＿２＿５Ｓｅ＿３＿０）、Ｄ＿２（Ｔｅ＿４＿５Ｇ
   ｅ＿３＿５Ｓｅ＿２＿０）Ｅ＿２（Ｔｅ＿５＿５Ｇｅ＿
   ３＿５Ｓｅ＿１＿０）の各点で囲まれる領域内に有って
   、Ｉｎの濃度（ａｔ％）が１０≦ｍ≦３５ａｔ％である
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学情報
   記録部材。
3. （３）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅの原子数比が第１図の、Ａ＿３
   （Ｔｅ＿７＿５Ｇｅ＿１＿０Ｓｅ＿１＿５）、Ｂ＿３（
   Ｔｅ＿６＿５Ｇｅ＿１＿０Ｓｅ＿２＿５）Ｃ＿３（Ｔｅ
   ＿５＿０Ｇｅ＿２＿５Ｓｅ＿２＿５）、Ｄ＿３（Ｔｅ＿
   ５＿０Ｇｅ＿３＿０Ｓｅ＿２＿０）Ｅ＿３（Ｔｅ＿５＿
   ５Ｇｅ＿３＿０Ｓｅ＿１＿５）の各点で囲まれる領域内
   に有って、Ｉｎの濃度（ａｔ％）が、１０≦ｍ≦２５ａ
   ｔ％であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の光学情報記録部材。
4. （４）組成を（Ｔｅ＿８＿０＿−＿ＰＧｅ＿ＰＳｅ＿２
   ＿０）＿１＿０＿０＿−＿ｍＩｎ＿ｍとするとき、１０
   ≦Ｐ≦２５、１５≦ｍ２５ａｔ％であることを特徴とす
   る特許請求の範囲第３項記載の光学情報記録部材。