JPH0475835B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

産業上の利用分野 本発明は、光、熱などを用いて高速かつ、高密
度に情報を記録、消去、再生可能な光学情報記録
部材に関するものである。 従来の技術 近年、情報量の増大化、記録、再生の高速化、
高密度化に伴ない、レーザ光線を利用した光デイ
スクが注目されている。光デイスクには、一度の
み記録可能な追記型と、記録した信号を消去し何
度も使用可能な書き換え可能なものがある。追記
型光デイスクには、記録信号を穴あき状態とし
て、再生するものや、凹凸を生成させて再生する
ものがある。書き換え可能なものとしてはカルコ
ゲン化物を用いる試みがあり、Te−Geを初めと
して、これにAs、Ｓ、Si、Se、Sb、Biなどを添
加した例が知られている。 これに対し、本発明者らは先に、Te−TeO₂の
ような酸化物を含んだ系の相転移による反射率変
化を信号とする方式を提案した。さらに、相転移
を利用した書き換え可能な光デイスクとして、
Te−TeO₂に対し各種添加物を添加（Sn、Ge、
Bi、In、Pb、Tl、Seなど）した例がある。これ
らの記録部材の特徴は、Ｃ／Ｎが高く、耐湿性に
対しても優れるという特徴を有している。 発明が解決しようとする問題点 カルコゲン化物よりなる書き換え可能な情報記
録部材は、一般的に、記録、消去の繰り返しに対
する安定性が悪いといつた特徴を有する。この理
由は、Te、Geとその他の添加成分が、数度のく
り返しによつて、膜が相分離を生じてしまい、初
期とくり返し後では膜の構成成分が異なることに
起因すると思われる。消去可能な光デイスクで相
転移を利用する場合、通常は、未記録、消去状態
の結晶質とし、記録状態を非晶質とする方法がと
られる。この場合、記録はレーザ光で、一旦、膜
を溶融させ急冷によつて非晶質にする訳である
が、現在の半導体レーザにはパワーの限界があ
り、できるだけ融点の低い膜が、記録感度が高い
ことになる。このために、上述したカルコゲン化
物よりなる膜は、記録感度を向上させるために、
できるだけ融点の低い組成、すなわち、Teが多
い膜組成となつている。Teが、他の添加成分よ
り多いということは、くり返し特性においてそれ
だけ相分離が起こし易いことを意味する。したが
つて融点を下げるために添加した過剰のTeをい
かに固定して動きにくい組成にするかが、くり返
し特性や、CNR、消去率の経時変動に多きな影
響を及ぼすことになる。 酸化物を含んだ記録部材にも、以下に記述する
欠点がある。すなわち、消去率が録再消去のくり
返しによつて低下することである。 書き換え可能な光デイスクは、通常、初期状態
を結晶状態とし、記録状態を非晶質として記録を
行なう。消去は初期状態と同様に結晶質とする。
この記録部材の結晶質−非晶質間の相転移は、レ
ーザの徐冷−急冷の条件変化によつて達成され
る。すなわち、レーザ光による加熱後、徐冷によ
つて結晶質となり急冷によつて非晶質となる。し
たがつて記録、消去のくり返しによつて、膜は何
度も結晶質、非晶質状態を経ることになる。この
場合、膜に酸化物が存在すると、膜の粘性が高い
ので、カルコゲン化物の泳動性が少なくなり、膜
組成の偏析が生じやすくなる。さらに、酸化物の
存在は膜自身の熱伝導を悪くするので、レーザ光
の入射側と反対側の膜厚間で温度分布差を生じ、
膜組成の偏析はやはり生ずる。こうした理由によ
り、酸化物を含んだ膜は、記録、消去のくり返し
によつて次第に特性が変化するなどの欠点を有し
ていた。 本発明は、上述した酸化物を含む膜のくり返し
特性を向上させることを目的とし、さらに、カル
コゲン化物よりなる従来組成の欠点（Ｃ／Ｎが低
い、消去率が充分ではない、、耐湿性、耐熱性が
悪い、くり返し特性が充分ではない）を克服した
ものである。 問題点を解決するための手段 本発明における書き換え可能な記録層は、Te
−Ge−Se−Sb系の組成物であつて、Te、Ge、
Seの組成はその合計原子比を100at％とする３元
組成図である第１図のA₁，B₁，C₁，D₁，E₁の点
を結んだ領域にあるとともに、Te、Ge、Seおよ
びSbの合計原子比を100at％としたときSbの濃度
が15〜40at％である材料により構成される。 作 用 本発明の特徴は、結晶化転移温度が高い、Te
−Ge−Se系にSbを添加して過剰のTeを固定する
ことにある。SbはTeと化合物（Sb₂Te₃）を形成
し、Te濃度が50at％以上のSb−Te系では、融点
が最も高い場合、（Sb₂Te₃）でも622℃である。
この温度は他のTe−Ge、Te−Seなどと比較し
ても150℃近くも低い。したがつて、Sbの添加
は、Teと母材とする膜の融点を上昇させること
なしに、過剰なTeを固定することが可能となる。 実施例 本発明は、Te−Ge−Se−Sbより構成される。
本発明においてTeはSbあるいはGeと結合した状
態で、記録前後によつて光学的濃度変化を呈する
母材である。Seは単独でも、またTeとの化合物
状態でも非晶質膜を作成することが容易であると
いう特徴を有するものの逆に結晶化速度が遅いこ
と、結晶転移温度が低い（100℃）ことなどの
欠点を持つ。Te−SeにGeを添加することによ
り、結晶転移温度は上昇するが、結晶化速度は改
善されず、光デイスクの実用上必要な結晶化速度
（数百ns）は得られない。本発明は、Te−Ge−
Se系における上述した特長、すなわち、結晶転
移温度が高いという長所を生かしながら、しかも
この系の結晶化速度が遅いという欠点を、Sbを
添加することにより、大巾に改善し実用可能な書
き換え可能な記録膜を提供すようとするものであ
る。 本発明において、Te、Ge、Se、Sbは結晶状態
において、GeTe、GeSe₂、Sb₂Te₃などの結晶状
態をとるものと思われる。この中で、GeSe₂は非
晶質状態が安定で、結晶化温度は470℃程度で、
しかも結晶化速度は遅い。このため、膜中にあつ
ては主に結晶化転移温度を高め、非晶質化を容易
にする役割を担つているものと思われる。Ge−
TeはGeとTeの比によつて、結晶化が容易な領域
と、困難な領域に別れる。すなわちGe−Te系で
非晶質状態が最も安定な領域は、Te濃度が70at
％程度のGeTe₂が生成される領域である。この点
を境にしてGeが増えると（量論に近いGeTe濃度
が増すと）、結晶化速度は速くなる。本発明にお
いてGeはGeSe₂としての他GeTeを形成してお
り、Te−Ge−Se系においてGeTeは結晶化速度
を向上させることに寄与しているものと思われ
る。しかしながら、Te−Ge−Seで構成される系
では、実用可能な結晶化速度の速い組成はSe量
が少なくGeTeの量論に近い領域となる。この領
域の特長は結晶化速度は速いものの、GeTeの融
点が725℃と高いため、非晶質化が困難なことで
ある。したがつて、実用可能な領域で結晶化、非
晶質化を可能にするのはGe濃度が低く、Se濃度
が高い領域である。 この領域の特徴は、結晶化温度が高いが、結晶
化速度が遅いことである。Sbの添加は膜中で過
剰なTeとSb₂Te₃を形成し、結晶化を促進させる
ことにある。Teとの化合物で結晶化を促進する
元素は上述したSbに限らず、Sn、Pb、Pd、Ni、
Co、Crなど種々の材料がある。こうした材料は
確かに結晶化速度が速いという特徴を有し、添加
量を限定することにより、追記型材料（Ｗ／Ｏ材
料）となり得るが、書き換え可能な光デイスク材
料としては適さない。その理由は、上述した元素
とTeとで構成される合金の融点が高いことによ
る。 しかし、こうした材料でもレーザパワーが強
く、膜を充分に溶融させることが可能であれば、
消去可能なデイスクとして使用することは可能で
ある。現在、我々が実用上入手できる半導体レー
ザは、波長が830nｍでパワーは30ｍＷ程度であ
り、Te、Ge、Seの量論に近い組成（TeGe、
GeSe₂）を溶融させることは困難である。（融点
が800℃程度）Te−Ge−Seで記録、消去可能な
領域は、Teが非常に多い領域（80at％以上）に
あるが、この領域の組成は転移温度が低く、熱的
に不安定であること、Teが過剰なため、くり返
しによつて、TeとTeGeあるいはGeS₂に膜が相
分離を起こしやすいことなどの欠点を有してい
る。 本発明のSbは、この過剰のTeをSb₂Te₃として
安定化させる働きを有する。SbはTeとの合金系
ではTeが50at％以上では、融点が622℃以下で、
Sbを添加してもTeの融点が451℃なので、融点を
それ程上昇させることはない。そのため、Sbを
添加した膜は現行の半導体レーザパワーでも充分
に溶融させることが可能である。しかも熱的に不
安定な過剰TeをSb₂Te₃として結合させているた
め、熱的に安定で、かつ、記録、消去のくり返し
によつても相分離を生ずることなく、長期に亘つ
て安定な膜となる。 Sbの添加量は、Ge、Seと結合した残りの過剰
Teを固定化するので、必要なSb濃度はTe／
（Ge＋Se）の量に支配される。 すなわち、Sbの添加量はGe−Te−Se系の組成
比により異なる。例えば、比較的Se成分の多い
領域（Se≧25at％）においては、非晶質として
安定なので結晶化を促進させるSbの添加量は多
くなる（25〜40at％）。逆にSe成分の少ない領域
（Se≦15at％）では、比較的結晶化速度が速いの
で、少ないSb濃度（15〜30at％）で充分である。
同様にGe濃度の多い領域（Ge≧25at％）は結晶
化速度は速いので、Sb濃度は低く（15〜30at％）
Ge成分の少ない領域（Ge≦10at％）では結晶化
が困難なので、比較的多いSb量を必要とする。 第１図に、本発明のTe−Ge−Se−Sbより構成
される記録部材の適正範囲を示した。図はTe−
Ge−Seより構成されているが、Sb濃度は第１図
に示されたTe−Ge−Se組成に対し、15〜40at％
である。 （Sb濃度は（Te_xGe_ySe_z）_100-nSb_nで示した場合
のｍに相当、ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100）第１図
において各点は以下の組成である。 A₁点：Te₉₀Ge₅Se₅ B₁点：Te₆₀Ge₅Se₃₅ C₁点：Te₄₀Ge₂₅Se₃₅ D₁点：Te₄₀Ge₄Se₂₀ E₁点：Te₅₅Ge₄Se₅ 本発明は上記、Te−Ge−Seの三元系のA₁、
B₁、C₁、D₁、E₁点で囲まれた範囲内にあつて、
かつ、Sb濃度が式（Te_xGe_ySe_z）_100-nSb_nで表わ
した場合、ｍの値として15〜40at％の範囲内にあ
る。線A₁B₁よりGeが少ない場合、膜はTe−Se
が過剰となり、結晶化転移温度は低く（＜120
℃）、実用上安定な記録膜を得ることが困難であ
る。線B₁C₁よりSeが多い場合はTeSe、GeSe₂の
形成量が多くなり、安定な非晶質膜となり、結晶
化が困難となる。線C₁D₁よりTeが少ない場合、
結晶化に必要なSb₂Te₃の量も少なくなるので、
記録部と未記録部の信号のコントラスト比が低
く、充分な記録特性が得られない。線D₁E₁より
Geが多い場合、この領域は量論的なGeTeが生成
する領域で、結晶化速度は上昇するが、融点の高
いGeTeが多量に存在するので、非晶質化が困難
となる。線A₁E₁よりSe量が少ない場合はGeSe₂
量が少なくなるため、非晶化が困難となる。しか
し同じA₁B₁線上でもGeが少ない場合はGeTe量
が少ないため、非晶質化は比較的容易であるが結
晶化転移温度が低くなる。 上述した傾向は当然ながら添加するSb量によ
つて異なつてくる。Te−Ge−Sbからなる組成を
限定しSb量を変化させると、Sb量が少ない場合
は非晶質化が容易でSb量が増えるに従つて結晶
化が容易となる。この適正なSb量はTe、Ge、Se
によつて構成される膜の特性によつて異なるが、
本発明の範囲内では15〜40at％で実用的な書き換
え可能な記録膜が得られる。 以上述べた理由により、本発明は、第１図にお
いて、点A₁−B₁−C₁−D₁−E₁で囲まれた範囲内
に限定される。すなわち、この領域内のTe−Ge
−SeにSbを15〜40at％添加した場合、実用上、
結晶質と非晶質の可逆性を利用して、情報の記
録、消去が可能となる。 次に第１図のA₂−B₂−C₂−D₂−E₂あるいはA₃
−B₃−C₃−D₃−E₃によつて囲まれた領域につい
て述べる。この領域は、第１図のA₁−B₁−C₁−
D₁−E₁で囲まれた範囲より、より実用的な組成
範囲を示してある。 第１図においてA₂−B₂−C₂−D₂−E₂各点の組
成を以下に示す。 A₂：Te₈₃Ge₇Se₁₀ B₂：Te₆₃Ge₇Se₃₀ C₂：Te₄₅Ge₃₀Se₂₅ D₂：Te₄₅Ge₃₅Se₂₀ E₂：Te₅₅Ge₃₅Se₁₀ この各点で囲まれた領域におけるSb濃度は15
〜30at％である。（ただし、（Te_xGe_ySe_z）_100-n
Sb_nにおけるｍの値で、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100とす
る。） この領域の非晶質から結晶質への転移温度は
150〜220℃以内である。転移温度はA₂が最も低
く、線C₂D₂の方向にあるSe、Ge濃度が増えるに
従つて温度は上昇する。結晶化を促進する上で必
要なBi濃度はA₂点に近い領域では少なく、線
C₂D₂に近い領域では多くなる。すなわち、A₁に
近い領域では、過剰のTeが多く、結晶化速度が
速いので多くのSb量を必要とせずに、C₂D₂に近
い領域は結晶化が困難なため、多くのBi量を必
要とする。 その結果、点A₁ではGeTe、GeSe₂の量が少な
く過剰Teも残存しているので安定な非晶質状態
が形成されず結晶転移温度は低くなる。A₂点よ
りSe量が多くなると（B₂点）転移温度は上昇す
るが、結晶化速度は遅くなる。A₂点よりGeが多
くなると、転移温度は上昇し、結晶化温度も高く
なるが、非晶質化が困難となる。すなわち、点
A₂−B₂−C₂−D₂−E₂で囲まれた点で、Sb量が20
〜35at％である場合は、用途、目的に応じて、結
晶化転移温度、結晶化速度の適正値を選択するこ
とが可能である。しかし、このA₂−B₂−C₂−D₂
−E₂点で囲まれた領域内であつても、現在、市
販されている半導体レーザ出力（25ｍＷ程度）
で、全ての点で録再が可能とは限らない。点A₃
−B₃−C₃−D₃−E₃で囲まれた領域は、現行の半
導体レーザパワーの範囲で録再が可能で、結晶化
速度が速く、かつ熱的安定性を示す結晶化転移温
度も高く（160〜215℃）より実用的な領域であ
る。この領域における必要なSb量は25〜35at％
である。Sbの添加はTe−Ge−Seだけよりなる系
に比べ、結晶への転移温度を10〜30℃高める働き
を有する。しかしSbの添加によつて膜の融点は
下がるため、非晶質化に対しては都合がよい。こ
の理由は、SbはTe濃度に対して40％以下である
場合、最大でも、融点が622℃以下であることに
起因する。一方、Ge、Seなどの場合は、Te濃度
に対し、50at％以下の場合、各々、最大で725℃、
790°となる。それ故、Sbの添加は、熱的安定性を
示す転移温度を上昇させる効果と、膜の融点を下
げ、非晶質化を容易にするといつた利点を有す
る。 以上述べた理由により、本発明のTe−Ge−Se
−Sbの最適組成は限定される。 次に本発明による光学情報記録部材の製法につ
いて述べる。 第２図は、本発明の記録層を用いて構成した光
デイスクの断面の模式図である。図において、
１，５は基板を表わしており、材質は、ポリカー
ボネート、アクリル樹脂、ガラス、ポリエステル
等の透明な基材を用いることが可能である。２，
４は保護層で、種々の酸化物、硫化物、炭化物を
用いることができる。この保護層２，４は記録膜
３の記録、除去の繰り返しにより基材の熱劣化を
防ぐものであり、さらに、記録膜３を湿度より保
護するものである。したがつて、保護層の材質、
膜厚は、上述した観点より決定される。記録膜３
は、蒸着、スパツタリング等によつて形成され
る。蒸着で行なう場合は各組成を単独に蒸着可能
な４ソース蒸着機を用いるのが、均一膜を作成で
きるので望ましい。 本発明の記録膜３の膜厚は、保護層２，４の光
学特性とのマツチング、すなわち、記録部と未記
録との反射率の差が大きくとれる値とする。 以下、具体的な例で本発明を詳述する。 実施例 １ ４源蒸着が可能な電子ビーム蒸着機を用いて
Te、Ge、Se、Sbをそれぞれのソースから基材上
に同時に蒸着した。用いた基材はφ8mmのガラス
で、蒸着は真空度が１×10^-5Torr基材の回転速
度、150rpmで行ない、膜厚は1000Åとした。各
ソースからの蒸着速度は記録膜中のTe、Ge、
Se、Sbの原子数の割合を調整するため、変化さ
せた。第１表の組成の割合は、この蒸着の速度よ
り換算した値であるが、代表的な組成をＸ線マイ
クロアナライザー（XMA）で行なつたところ、
仕込値とほぼ同様の定量結果が得られた。したが
つて、表中の仕込み組成は、膜中でも同じと思わ
れる。 上記製法によつて作成された試験片の評価方法
を以下に記す。 〔転移温度〕 転移温度とは、蒸着直後の非晶質状態の膜が熱
によつて結晶状態になる開始温度を意味する。測
定は、膜の透過率の測定が可能な装置を用い、ヒ
ーターにより試験片の温度を昇温速度１℃／sec
で上昇させた場合の透過率が減少を開始する温度
とした。 転移温度が高いことは、膜が熱的に安定である
ことを意味する。 〔黒化、白化特性〕 黒化特性とは、非晶質から結晶質への変態に対
しての転移速度を示したもので、白化特性は結晶
質から非晶質の転移速度を示したものである。 測定は、φ8mmのガラス片上の記録膜に、レン
ズを用いて、レーザ光を集光させ、サンプル片を
上下、左右移動可能とした装置を用いて行なつ
た。レーザ光のスポツトは45×0.4μｍ、パルス巾
200ns、パワー密度10.6ｍＷ／μm²波長は900nｍ
とした。黒化特性は、試験片を比較的、緩かに移
動させた場合の変態（非晶質から結晶質）の速度
を観察し、速度が充分早く、かつ未記録部分と記
録部分のコントラスト比が充分大きいものを◎と
した。×は緩やかに移動させても、黒化しないも
の、あるいは、コントラスト比が小さいものを示
す。○、△は◎と×の中間に位置する。この定性
的な表現において、実用可能な黒化特性は○以上
である。 次に白化特性について述べる。白化特性を観る
場合は、まず、一旦、黒化し、その上を試験片を
速やかに移動させ、急冷状態を作り、白化（結晶
質から非晶質）させる。白化状態が◎のものは、
移動速度が比較的緩やかでも、白化し、しかも非
晶質部分と結晶質部分のコントラスト比が大きい
ものを示し、×は全く白化しないものを示してい
る。○と△は、◎と×の中間に位置する。 上述した表現によれば、黒化、白化特性とも非
常にすぐれている場合は、◎、◎となるが、実際
問題としては同じ移動速度で、どちらも◎となる
ことはあり得ず、望ましい材料としては、◎、○
あるいは◎、△と、多少黒化特性が優れているも
のである。 第１表に、本発明の範囲でSb濃度を30at％と
して作成した膜の転移温度と、黒化、白化特性の
結果を示す。

【表】 第１表の結果より明らかなように、本発明の範
囲にあるTe−Ge−Se−Sb系記録薄膜は、黒化及
び白化がそれぞれ可能である。即ちこの範囲内に
ある記録部材は、加熱条件、例えば照射するレー
ザー光線の照射強度、照射時間を適当に選ぶこと
で非晶質状態と結晶状態のいずれの状態もとるこ
とが可能であり、光学的に情報を記録し、かつ消
去することが可能である。 本実施例においてはSbの濃度を30at％とした
が、上述の黒化白化特性はSbの濃度に強く依存
する。一方、転移温度も又それほど強くはないが
Sb濃度に依存する。 実施例 ２ 実施例１と同様の作成法、評価法を用い、Te
−Ge−Se系にSbを添加した場合の濃度依存性に
ついて調べた結果を第２表に示す。一例として
Te₆₀Ge₂₀Se₂₀組成を選びSb濃度を10〜45at％の
範囲で変化させる。

【表】 第２表の結果から明らかなように、
Te₆₀Ge₂₀Se₂₀に、Sbを添加した場合Sb濃度が15
〜40at％にある場合、レーザー光線によつて、結
晶化、非晶質化のいずれも可能であり、光学記録
部材として有効である。 結晶−非晶質の相変態を記録原理として用いる
場合、記録（非晶質化）速度は、照射部が溶融す
るまでの時間、消去（結晶化）速度は原子配列の
秩序が回復する時間に依存し、一般に前者は後者
に比べて充分速い。従つて本発明の組成領域を例
えば光デイスクに適用する場合、主としてその消
去速度がデバイスとしてのスペツクを決定する。 即ち、デバイスとしての使用条件、例えば光デ
イスクの場合には、その回転速度記録半径（線速
度）に応じて組成を選べば良い。即ち、Sb濃度
の低い組成の場合には記録感度（白化感度）は高
いが、消去感度（黒化速度）が低い、従つて、回
転速度が比較的遅い場合に有効である。逆にSb
濃度の高い組成の場合には消去感度（黒化速度）
は充分であるので高速回転に適用可能である。た
だし、この場合は、やや大きい記録パワーを必要
とする。 Sbの添加効果はGe−Te−Se系の組成比により
やや異なつている。例えば、比較的Se成分の多
い領域（Se≧25at％）においては比較的Sb濃度
の高い領域（25〜40at％）が良好な特性を示し、
比較的Se成分の少ない領域（Se≦15at％）にお
いては比較的Sb濃度の低い領域15〜30at％が良
好な特性を示した。同様に、比較的Ge成分の多
い領域（Ge≧25at％）においては比較的Sb濃度
の低い領域15〜30at％、Ge成分の少ない領域
（Ge≦10at％）においては比較的Sb濃度の高い領
域25〜40at％が良好な特性を示した。 実施例 ３ 基材として光ガイド用のトラツクを備えた1.2t
×φ200mmのポリカーボネイト樹脂基材を用い、
記録膜として、（Te₆₀Ge₂₀Se₂₀）₇₀Sb₃₀の薄膜を用
いた光デイスクを試作した。 まず、基材上に耐熱層としてZnS薄膜を900Å
蒸着し、その上に記録層を約1000Åの厚さに蒸着
し、更にその上に同じく耐熱層としてZnS薄膜を
1800Å蒸着した。 この光デイスクの基板側から、光学系を用いて
絞り込んだレーザー光線を照射して信号を記録
し、直ちに消去を行なつた。記録に先立つて、ス
ポツト形状が1μｍ×10μｍの長楕円形のレーザー
光線を14ｍＷの強さでトラツクにそつて照射し、
トラツク内の記録膜を結晶化し、次に0.9μｍφに
絞り込んだレーザー光線を８ｍＷの強さで照射し
た。記録周波数は2MHz、デイスクの回転速度は
５ｍ／ｓである。このとき照射部は非晶質化さ
れ、トラツクに沿つて信号が記録された。スペク
トラムアナライザーで、Ｃ／Ｎを測定したところ
55dBが得られた。このトラツク上に、前述の長
楕円スポツトを照射したところ、信号は完全に消
去された。 実施例 ４ 実施例３における光デイスクを用いて、寿命試
験を80℃、60％RHの条件下で行なつた。 試験方法は、予じめ情報を記録しておき、上記
条件で保持後のＣ／Ｎの劣化をみた。１ケ月経過
後のＣ／Ｎの低下は−0.5dBと無視できる程度で
あつた。 実施例 ５ 実施例３における光デイスクの記録、消去の繰
り返し特性を評価した。 10万回記録、消去を繰り返した後のＣ／Ｎの低
下は、約1dB程度であつた。 発明の効果 本発明によるTe−Ge−Se−Sb記録薄膜は、耐
熱性及び耐湿性に極めて優れ、記録、消去を繰り
返しても膜が破壊されることが無い。即ち、本発
明によつて実用上、極めて優れた光学情報記録部
材が提供された。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による光学情報記録部材の組成
範囲を示す組成図、第２図は本発明の一実施例に
おける光学情報記録部材の構成を示した断面図で
ある。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基板上にレーザ光線の照射によつて非晶質相
   と結晶質相との間で可逆的な相変化が生じる薄膜
   を形成した情報信号の書換可能な光学情報記録部
   材において、 前記薄膜はTe、Ge、SeおよびSbからなる４元
   合金であつて、４元素のうちTe、GeおよびSeの
   組成は一般式 （Te_xGe_ySe_z） においてｘ、ｙおよびｚをat％で表しｘ＋ｙ＋ｚ
   ＝100としたとき、40≦ｘ≦90、５≦ｙ≦40およ
   び５≦ｚ≦35であり、Sbの組成はTe、Ge、Seお
   よびSbの合計を原子比で100at％としたとき15〜
   40at％の範囲にある書換え可能な光学情報記録部
   材。 ２ Te、GeおよびSeの組成が45≦ｘ≦83、７≦
   ｙ≦35および10≦ｚ≦30であり、Sbの組成が20
   〜35at％の範囲にある特許請求の範囲第１項記載
   の光学情報記録部材。 ３ Te、GeおよびSeの組成が50≦ｘ≦75、10≦
   ｙ≦30および15≦ｚ≦25であり、Sbの組成が25
   〜35at％の範囲にある特許請求の範囲第１項記載
   の光学情報記録部材。 ４ Te、GeおよびSeの組成が55≦ｘ≦70、10≦
   ｙ≦25およびｚ＝20であり、Sbの組成が25〜
   35at％の範囲にある特許請求の範囲第１項記載の
   光学情報記録部材。 ５ 薄膜の両面に保護層を設けた特許請求の範囲
   第１項記載の光学情報記録部材。