JPS6219490A - 光学情報記録素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレーザ光線等を用いて情報信号を高密度かつ高
速度で光学的に記録再生し、かつ情報の書き換えが可能
な光学情報記録素子に関するものである。

従来の技術 レーザ光線を利用して高密度な情報の記録再生を行なう
技術は既に公知であシ、現在、文書ファイルシステムや
、静止画ファイルシステム等への床用がさかんに行なわ
れている。また書き換え可能なタイプの記録システムに
ついても研究開発の事例が報告されつつある。これらは
主にＴｅのアモルファスと結晶との間の状態変化を利用
しておシ、例えば、比較的強くて短いパルス光を照射し
て照射部を昇温状態から急冷してアモルファス状態にし
、その光学定数を減少させ（白化する）、また、比較的
弱くて長いパルス光を照射して結晶状態にし光学定数を
増大させる（黒化する）ことによ少記録消去を行なうも
のであシ、記録は一般に光学定数を減少させる方向、消
去は増大する方向を利用しようというものである。

Ｔｅは室温では結晶として安定であシ、アモルファス状
態としては存在しない。したがって室温でアモルファス
状態で安定に存在させるためべ様々な添加物が提案され
ておシ、代表的な添加物の一つとしてＧｅ　が広く知ら
れている。

ＧｅはＴｅ−Ｇｅ薄膜中においてネットワーク構造を形
成する働きがあり、したがって室温でもＴｅ−Ｇｅ　　
薄膜はアモルファス状態で安定に存在することができる
。

しかし、このＴｅ−Ｇｅ薄膜も光学記録薄膜の観点から
大きく二つに分類することができる。

すなわちＴｅ　−Ｇｅ　　薄膜は蒸着法、スパッタリン
グ法等で形成されたときには、はとんどの組成範囲にお
いてアモルファスとして安定である。

しかしながら一旦結晶化した後は、比較的強くて短いパ
ルス光を照射して照射部を昇温状態から急冷、した場合
、Ｇｅ　　の濃度（原子数の百分率、以下同じ）が約４
０９６以下では再びアモルファスになるが、約４０９６
以上ではアモルファスにはもどらず結晶となる。このう
ち、信号の記録、消去が可能であるのは結晶化部分がレ
ーザ照射により、再びアモルファスとなるＧｅ濃度が４
０チ以下のＴｅ−Ｇｅ　　薄膜であるが、この記録薄膜
は、アモルファスとして非常に安定であるため、比較的
弱くて長いパルス光を照射して照射部を除熱・徐冷して
も結晶化速度が遅すぎて実用には向いていない。

Ｔｅ−Ｇｅ　　を主成分とした記録薄膜としては例えば
Ｇｅ１ｓ　Ｔａｘ　５ｂ２Ｓｚ等があるが（特公昭４７
−２６８９７号公報）、これは消去感度がまだ不十分で
あシ、かつ、書き込みコントラスト比が不十分である。

一方、ＴｅとＴｅ０ｚの混合物であるＴｅＯｘ薄膜にＰ
ｄ　を添加することにより、結晶化速度を大巾に改善で
きるということが明らかにされている（特願昭５９−１
９２００３＠。

しかし、とのＴｅＯｘ　−Ｐｄ　　記録薄膜においては
一度黒化させると再び白化させることは困難であり、し
たがって書き換え可能な記録薄膜としては使用し難い。

発明が解決しようとする問題点 結局、従来のＴｅ−Ｇｅ　　を主成分とする記録薄膜を
有する書き換え可能な光ディスクでは、消去速度が遅く
かつ消去感度が不十分であシ、加えて、黒化部と白化部
の光学定数の差が小さいために書き込みコントラスト比
が不十分であるという欠点を有していた。

他方、従来のＴｅ０ｘ−Ｐｄ記録薄膜は黒化速度は十分
に速いものの再び白化することは困難であるため、書き
換え可能な光ディスクとしては使用できなかった。

本発明はかかる点に鑑み、従来のＴｅ−Ｇｅ　　薄膜の
アモルファスとして非常に安定であるという特徴と、Ｔ
ｅ０ｘ−Ｐｄ薄°膜−に見られるような高速に黒化（結
晶化）するという特徴を同時に有する書き換え可能な光
学情報記録部材を提供しようとするものであシ、したが
って、これら２つの問題点を解明しなければならない。

まず、Ｔｅ−Ｇｅ　　薄膜に比較的強くて短いパル考え
られる。

つまシ、強力短パルスレーザ光の照射後再びアモルファ
スとなるＧｅ　　濃度が原子数百分率で約４０係以下の
範囲では、レーザ光照射後の冷却時において、Ｔｅ　　
が六方晶の針状結晶を形成しようとする中べＧｅ　　が
はいシこんでネットワーク構造を形成するため、Ｔｅ　
　の結晶成長がさまたげられると考えられる。

これに反し、レーザ光を照射後アモルファスにもどらず
結晶となるＧｅ　　濃度（口Ｊ上）約４０係以上の範囲
で社、レーザ光照射後の冷却時に多大なＧｅ　によるＴ
ｅＧｅの結晶が析出し、このＴｅＧｅの結晶が立方晶で
あるため容易に粒成長するため、レーザ光照射時程度の
冷却速度ではアモルファスにはならないで結晶となって
しまうものと考えられる。

しかしながら、アモルファス化（情報記録）にとっては
望ましいＧｅ濃度約４０係以下のＴ。

−Ｇｅ　　薄膜は、結晶化を目的として比較的弱くかつ
十分に長いパルス光を照射して照射部を除熱、徐冷して
も、アモルファスとして非常に安定であるため結晶化速
度が遅く、かつ、結晶成長が不十分であるためアモルフ
ァス状態と結晶状態間の光学定数変化が小さくなって書
き込みコントラスト比が不十分であシ、実用には向いて
いない。

また、ＴｅとＴｅ０ｇ　　の混合物であるＴｅＯｘ薄膜
にＰｄを添加する構成は、前述のとおシ、黒化、すなわ
ち結晶化の速度が大巾に改善されることが明らかにされ
ているが、これはＴｅＯｘ　−Ｐｄ　薄膜にレーザ光を
照射した場合の徐冷即時にＰｄがＴｅ　−Ｐｄ系の何ら
かの化合物を形成し、この化合物はＴａ　　の結晶化を
促進する一種の結晶核のような働きをするものと考えら
れる。しかしながら、このＴｅＯｘ　−Ｐｄ　　記録薄
膜は一度黒化させると再び白化させることは困難である
ため、書き換え可能な記録薄膜としては使用できない。

問題点を解決するための手段 本発明による記録薄膜は上記事実に基づいて構成された
もので、Ｇｅ　ＩＭ子濃度が約４０チ以下のアモルファ
スとして安定なＴｅ　　−Ｇｅ薄膜に、結晶化速度を向
上させるためのＰｄ　　を添加した記録薄膜であシ、か
つ各元素の原子数の割合を制限することによって、アモ
ルファスとして非常に安定であ）ながら、結晶化時には
結晶化速度が十分に大きい、すなわち、信号の記録、消
去がし〜ザ光により士分実用可能な光学情報記録薄膜を
提供するものである。すなわち、基板上に形成された薄
膜が、必須元素としてＴｅ。

Ｇｅ　　及びＰｄを含み、各元素Ｔｅ、　Ｇｅ及びＰｄ
の原子数の割合（チ）をそれぞれｘ＝５０〜９０゜ｙ＝
５〜２５及びｚ　＝　５〜３０としてｚ＋ｙ＋ｚ　＝　
ｌ　ＯＯにより規制し、 ａ）Ｔｅの割合ｘ＝５０〜６５の範囲では、Ｇｅの割合
ｙが凡そ７０−ｘ≦ｙ≦１ハ（Ｘ　＋ｌＯ）の範囲から
選択され、 ｂ　）　Ｔｅ　の割合Ｘ＝６５〜７０の範囲では、Ｇｅ
の割合ｙがｙ＝５〜２５の全範囲から凡そ選択され、 ｃ）Ｔｅの割合ｘ＝７０〜９ｏの範囲では、Ｇｅの割合
が凡そ５≦ｙ≦９５〜ｘの範囲から選択された ことを特徴とするものである。

作用 上記した本発明の構成は、発明者による種々の実験研究
の成果として得らｔた発見にもとづくものである。すな
わち発明者らはアモルファスとして非常に安定なＧｅ　
原子の含有量が４０−以下（危険率を見込んで２５９６
以下）のＴｅ−Ｇｅ　　薄膜の特定組成範囲に適量（３
０チ以下）のＰｄ　　を添加すると、アモルファスとし
て非常に安定であシなから、かつ、黒化速度−黒化感度
とも非常にすぐれた、光学的に信号の書き換えが可能な
記録薄膜となるということを見い出した。

このＴｅ　−Ｇｅ　−Ｐｄ　　記録薄膜中におけるＧｅ
　の働キハ、アモルファス状態においてＴｅ　　あるい
はＴｅ　−Ｐｄ　　化合物が結晶化しようとする中へは
いシこんでネットワーク構造を形成し、アモルファス状
態を安定に保つものであると考えられる。

またＰｄの働きは、消去時にＴｅ−Ｐｄ　　あるいはＧ
ｅ　−Ｐｄ　　というような何らかの化合物を形成する
ことにより、結晶成長を促進する結晶核のようなものに
なると考えられ、したがってＧｅを含む記録薄膜であシ
ながら十分な消去速度、消去感度が得られる。また、Ｐ
ｄの存在によって記録薄膜の透過率が低下し、逆に光の
吸収率が上昇して高感度となる。

実施例の説明 次に、本発明において記録薄膜中の各元素の原子数の割
合を限定した理由につき、実施例に従って説明する。

第１図は■Ｔｅ　原子Ｘ＝５０〜６５（１）においてＧ
ｅ　　原子ｙにつき、７０−ｘ≦ｙ≦Ｖ３（Ｘ＋１０）
、■同Ｘ＝６５〜７０において同ｙ　＝　５〜２５、■
同ｘ　＝　７０〜９０において同ｙ＝つき、５≦ｙ≦９
５〜Ｘの割合を与える三角座標（各頂点をＴｅ、　Ｇｅ
及びＰｄのいずれか一つの１００％濃度位置とし、対応
する辺を０チとしてその間を等間隔目盛としたもの）内
の四辺形ＡＢＣＤを示すものであシ、上記■の範囲は下
部三角形部分ＥＣＤ内に対応し、■の範囲は中央の四辺
形部分ＢＥＤＦ内に、そして■の範囲は上部三角形部分
ＡＢＦ内に対応するものである。

第１図の直線ＡＢよシＰｄの少ない領域では、Ｐｄの効
果が十分でない、すなわち結晶化速度があまシ改善さ扛
ない領域であシ、信号の消去速度の大巾な向上は期待で
きない。

また直線ＣＤよ、９Ｐｄ　　の多い領域と、直線ＤＡよ
りＧｅ　の少ない領域は、アモルファスとして不安定で
あるか、あるいはアモルファスにするために大きなレー
ザ照射パワーを必要とする領域である。すなわち、直線
ＣＤよ１）Ｐｄ　　の多い領域ではＰｄ　の添加効果が
大きすぎるために、また、直線ＤＡよりＧｅ　の少ない
領域ではＧｏの添加効果が小さすぎるために、記録薄膜
が室温中で容易に結晶化するか、あるいは加熱・急冷用
レーザ光（白化用レーザ光）を照射してもアモルファス
とな）にくく結晶化してしまうために、より大きな急冷
条件、したがってより大きな白化用レーザパワーを必要
とし、実用的でない領域である。

また、直線ＢＣよシＧｅ　　の多い領域はいわば、Ｇｅ
Ｔｅｇに近い組成にＰｄ　　を添加した領域であ飢この
場合ＧｅＴｅｚ　　はアモルファスとして非常に安定で
あるためいかなる量のＰｄ　　を添加しても結晶化速度
の改善度会が小さく実用的でない。

以上がＴｅ％Ｇｅ、及びＰｄについてその組成比膜を有
する光ディスクは、実用上十分な信号の記録、消去感度
と高いＣ／Ｎを有している。

念のため、第１図におけるＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄの各点の座標
（ｘ　ｓ　ｙ　、ｚ　）を示す。

Ｔｅ、　　　Ｇｅ、　　　Ｐｄ　　　（ａｔｏｍ　％　
　）■　　　優）（２） Ａ（９０、５、５） Ｂ（７０、２５、５） （：’　　（５０，２５、３０） Ｄ（６５、５、３０） 次に、好ましい実施例においては、第１図のＡ、Ｂ、Ｃ
％Ｄで囲まれた領域にある記録薄膜に酸素０を添加する
ことによって、耐湿性が向上することが認められる。

すなわち、前記記録薄膜の劣化機構の１つとして、水蒸
気の存在下でＴｅ、　Ｇｅ　　が酸化されるということ
があげられるが、０をＴａＯ２として添加することによ
り、記録薄膜中のＴ　ｅ　ｓ　Ｇｅ　　の酸化促進を防
ぐバリアとしての働きをするものと考えられる。この場
合、０の添加効果は少量でも認められるが、逆に添加し
すぎると信号の記録・消去特性の劣化を起こすため、′
０の添加量は３０％以下が良い。

次に図面を参照しながら本発明の実施例をさらに詳しく
説明する。

第２図は本発明による光学情報記録素子の断面図である
。

１１１は基板で、ＰＭＭＡ、ポリカーボネート、塩化ビ
ニール、ポリエステル等の透明な樹脂やガラス等を用い
ることができる。

（２）は記録薄膜であシ、基板【１）上に蒸着、スパッ
タリング等によって形成され、膜組成はオージェ電子分
光法、誘導結合高周波プラズマ発光分析法、Ｘ線マイク
ロアナリシス法等を用いて決定することができる。

記録薄膜の組成制御を容易かつ精度よく行なうために以
下の実施例１〜４では３源蒸着が可能な電子ビーム蒸着
機を用いて、Ｔ　ｅ　ｓ　Ｇ　ｅ　ｓ　Ｐ　ｄをそれぞ
れのソースから基材（アクリル樹脂基板１０Ｘ２０×１
．２ｍｍ　）上に蒸着し、試験片とした。蒸着は真空度
Ｉ　Ｘ　１０　　Ｔｏｒｒ以下で行ない、薄膜の厚さは
約１２０ＯＡとした。各ソースからの蒸着速度は記録薄
膜中のＴｅ、　Ｇｅ、　Ｐｄの原子数の割合を調整する
ためにいろいろ変化させた。また薄膜形成は、基材を１
５Ｏｒｐｍで回転しながら行なった。

次に上記方法により作成した試験片の黒化特性（消去特
性）、白化特性（記録特性）を評価する方法について第
３図を参照しながら説明する。

同図において半導体レーザー（３）を出た波長８３０ｎ
ｍの光は第１のレンズ（４）によって疑似平行光（５）
となり第２のレンズ（６）で丸く整形された後、第３の
レンズ（７）で再び平行光になシ、ハーフミラ−（８）
を透過して第４のレンズ（９）で試験片ＱＯＩ上に波長
限界的０．８μｍの大きさのスポット口Ｄとなるように
集光され記録が行なわれる。

信号の検出は、試験片ａＩからの反射光をハーフミラ−
（８）を介して受け、レンズα２を通して光感応ダイオ
ードσ３に入射させて行なった。

このようにして半導体レーザーを変調して、試験片上に
照射パワーと照射時間のちがう種々のパルスレーザ−光
を照射することにより黒化特性、白化特性を知ることが
できる。

黒化特性の評価には、照射パワーを比較的小さく例えば
１　ｍ　ｗ　／μｄ程度のパワー密度に固定し、その照
射時間を変えて黒化開始の照射時間を測定する方法を適
用し、白化特性の評価には、記録部材をあらかじめ黒化
しておき、照射時間を例えば５０ｎ秒程度に固定し白化
に必要な照射光パワーを測定する方法を適用した。

作成した試験片を上記評価方法を用いて評価した結果を
以下に示す。

実施例１ 評価材料組成としてＴｅ　とＧｅの原子数比が８５：１
５となるように組成制御を行ない、同時にこのＴｅａｓ
　Ｇｅｍ５とＰｄ　　の比を様々に変化させて複数の試
験用記録部材を、作成した。

第４図（ａ）はＴｅａｓＧｅｔｓ　　の組成を保ちなか
らＰｄの添加量をパラメータとして増加させてゆき、１
　ｍ　ｗ　／μゴのパワーで照射したときの黒化開始に
要する照射時間の変化を示したものである。

この図よシＰｄを添加することによって黒化開始の照射
時間は大巾に短縮され、かつ反射率変化Ｒ／Ｒｏ　　も
大きくなることがわかる。Ｐｄを添加しない場合、Ｔｅ
ａ３　Ｇｅ１ｓ　　はＩｍｗ／ｐｔｄ　、１０μ秒の照
射では全く黒化しなかったが、Ｐｄの添加量、（τ原子
百分率）が５％程度で既知十分な効果が得られた。

第４図（ｂ）は、例えば１　ｍ　ｗ　／μゴのパワーで
１５μ秒照射して十分に黒化した部分に、一定の照射時
間５０μ秒において照射パワーを種々に変化して照射し
たときの白化開始に要する照射パワーの違いを示してい
る。これから、Ｔｅ−８ＩＩＧｅ１５にＰｄを添加する
ことで白化開始に要する照射パワーは増大するものの、
Ｐｄ　の添加量が３０％以下であれば白化に必要な照射
パワーは実用上問題にならないことがわかる。

この２つの図からＴｅ５ｓＧｅｓａにＰｄ　を５〜３０
チ添加することによって記録特性をそこなうことなく、
消去速度を大巾に改善できることがわかる。

実施例　２ 評価材料組成としてＴｅとＧｅ　の原子数比が６７：３
３となる工うに組成制御を行ない、同時にこのＴｅ６７
Ｇｅ３３とＰｄの比を様々に変化させて複数の試験用記
録部材を作成した。第５図はＴｅ６７Ｇｅｓｓに保ちな
からＰｄ　の添加物を増加させてゆき、１ｍｗ／μｄの
パワーで照射したときの黒化開始に要する照射時間の変
化を示したものである。この図よ、９　Ｐｄを添加する
ことによって１０μ秒の照射では全く黒化しないＴｅ６
１Ｇ　ｅ３３　　が黒化するようになるのが認められ黒
化開始に要する照射時間は短縮されるのがわかるが、そ
の程度は小さく実用的でない。

これはＴｅ５７　Ｇ　ｅｓ３　　はアモルファスとして
非常に安定なＴｅ２Ｇｅとなる組成であシ、アモルファ
スとして安定でありすぎるためＰｄ　を添加してもその
添加効果が十分に得られないためと考えられる。

実施例　３ 評価材料組成としてＴｅとＰｄの原子数比が９０：１０
となるように組成制御を行ない、同時にこのＴｅ１゜Ｐ
ｄ、。とＧｅ　　の比を様々に変化させて複数の試験用
記録部材を作成した。Ｔｅ、。Ｇｅｌ。

は作成時には室温では結晶であるのに対し、Ｇｅを３％
添加すると、室温で安定なアモルファスときの黒化開始
に要する照射時間の変化を示したものである。この図よ
’）　Ｔｅｅｏ　Ｐ　ｄ４゜へのＧｅ　の添加量を増加
していくことによって黒化開始の照射時間は徐々に長く
なｌ）　、−Ｇｅ　　の原子の添加量が２３係をこえる
あたシから急激に黒化速度が遅くなる。すなわち消去速
度が実用的でなくなる。

第６図（ｂ）は、例えばＩｍｗ／μゴのパワーで１５ρ
秒照射して十分に黒化した部分に、一定の照射時間を５
０！１秒においてて照射パワーを変化することにより照
射したときの白化開始に要するパワーの変化を示してい
る。これから、ＴｅｅｏＰｄｌｏ　Ｋ　Ｇｏを添加する
ことで白化開始に要する照射パワーは減少することがわ
かシ、Ｇｅの添加量が５％以上であれば十分な記録感度
が得られることがわかる。結局、これら２つの図からＴ
ｅｇ。Ｐｄ１．　　に対してはＧｅ原子を５〜２３チ添
加することによって記録特性、消去特性ともに良好な記
録薄膜を得ることができることがわかる。

実施例　４ 評価材料組成としてＴｅとＰｄの原子数比が７０：３０
となるように組成制御を行ない、同時にこのＴｅ７゜Ｐ
ｄ３゜とＧｅの比を様々に変化させて複数の試験用記録
部材を作成した。

Ｔｅ７゜Ｐｄ、。は作成時には室温では結晶であるのに
対し、Ｇｅ原子を３％添加するだけで室温においても安
定なモルファスとなった。

第７図（ａ）はＴｅ７ｏ　Ｐ　ｄａ　ｏに保ちなからＧ
ｅ　の添加量を増加させてゆき、１　ｍｗ　／μｄのパ
ワーで照射したときの黒化開始に要する照射時間の変化
を示したものである。

この図よりＴｅ７゜Ｐｄ３゜へのＧｏ　の添加量を増加
していくことによって黒化開始の照射時間は徐々に長く
なル、Ｇｅ　ＩＫ子の添加量が２０１をこえるあたシか
ら急激に黒化速度が遅くなる、すなわち消去速度が実用
的でなくなる。

第７因（ｂ）は、例えばＸｍｗｌμｄのパワーで１５μ
秒照射して十分に黒化した部分に、一定の照射時間５０
Δ秒において照射パワーを変化して照射したときの白化
開始に要する照射パワーの変化を示している。これから
Ｔａｒ。Ｐｄ、。にＧｅ　をｆＡ加することで白化開始
に要する照射パワーは減少するのがわかシ、Ｇｅ原子の
添加量が５９Ａ以上であれば十分な記録感度が得られる
ことがわかる。

この２つの因からＴｅｙ・Ｐｄｎ・ＫＧ・７原子を５〜
２０％添加することによって記録特性、消去特性ともに
良好な記録薄膜を得られることがわかる。

以上の実施例１〜４によって、Ｔｅ、Ｇｅ％Ｐｄｔ−必
須元素とし、かつ各元素の原子数の開会が第１図のＡ％
Ｂ、Ｃ，Ｄでｖ！Ｊすれ九範囲内を満たす記録薄膜は、
記録特性、消去特性ともに良好な光学情報記録部材を提
供することができることがわかる。

実施例　５ 評価材料組成としてＴｅ　とＧｅとＰｄの原子数比が７
５：１５：１０となるように組成制御を行ない、同時に
このＴ　ｅｙｓ　Ｇ　ｅｌ　ｓ　Ｐ　ｄｌ。とＯの比を
様々に変化させて複数個の試験用記録部材を作成した。

この場合の記録薄膜の作成方法は４源蒸着が可能な電子
ビーム蒸着機を使用し、それぞれのソースからＴｅ、　
ＴｅＯ２、Ｇｅ、　Ｐｄ　　を蒸着するものであり、０
はＴ　ｅ　Ｏ＠　　として薄膜中に添加した。他の蒸着
条件は実施例工と同様である。

このようにして得られた記録部材を５０℃、９０俤ＲＨ
の恒温恒湿槽内に放置し、８３０ｎｍの光での透過率変
化により耐湿特性を求めた〇その結果を第８図（ａ）に
示す。この図より、Ｔｅｙ５ＧｅｔｓＰｄｔ。中へＯを
添加することにより透過率の変化量が小さくなシ、耐湿
性が向上することがわかる。これはＴ　ｅ　Ｏｘ　が水
蒸気の存在下でＴｅやＧｅが酸化されるのを防ぐ、いわ
ばバリアの働きをしていると考えられるからである。こ
の効果はＯ原子の添加量が３係足らずでも観察され、添
加量が多ければ多いほど耐湿性が向上するのがわかる。

次に上記記録部材における黒化特性および白化特性をそ
れぞれ第８図（ｂ）および第８図（ｃ）に示す。

第８図（ｂ）はＴｅ７５　Ｇ　６１５　Ｐ　ｄｌｏ　　
に保ちなから０の添加量を増化させてゆき、１ｍｗ／μ
ばて照射したときの黒化開始に要する一時間の変化を示
したものである。この図よシｏの添加量を増大していく
ことにより黒化開始の照射時間は徐々に長くなシ、かつ
、反射率変化Ｒ／Ｒｏも若干減少することがわ°かる。

これはＴｅＯ２のバリアによってＴｅが結晶化しにくく
なるとともに、Ｔｅ　　　’０２　　の増加によってＴ
ｅの相対量が減少していることに起因するものと考えら
れる。しかし、０原子の添加量が３０％以下ならば十分
な黒化速度が得られ実用上問題とならないと考えられる
。

第８（２）（Ｃ）は、例えば１　ｍ　ｗ　／μゴのパワ
ーで１５μ秒照射することにより十分に黒化した部分に
一定の照射時間５０μ秒において照射パワーを変化して
照射したときの、白化開始に要する照射パワーの変化を
示している。これからＴｅ７５ＧｅｔｓＰｄｌ。に０を
添加しても、白化開始に要する照射パワーはほとんど変
化せず、白化特性にはほとんど影響しないことがわかる
。

以上より　、　Ｔｅ−Ｇｅ−Ｐｄ　　記録薄膜の耐湿性
向上には０の添加が有効であシ、特に０の添加量が３０
チ以下であれば、黒化特性、白化特性ともに良好に保ち
ながら耐湿性を向上させうろことがわかる。

実施例　６ 基材として１．２　ｔ　Ｘ　２００、φのアクリル樹脂
基材を用い、記録薄膜としてＴｅｇ６Ｇｅ２゜薄膜およ
びＴｅａ。Ｇｅ２゜にＰｄを１０％添加した薄膜すなわ
ちＴｅ７２Ｇｅ１ａＰ（ｂ。薄膜を形成して２種類の光
ディスクを試作し、特願昭５８−５８１５８号記載の方
法により信号の記録、消去を行なった各記録薄膜の形成
方法は実施例１と同様である。

これら２種類の光ディスクを用いて、記録パワー、消去
パワーをそれぞれ８　ｒｔｌ　ｗ、１５　ｍ　ｗ　　　
　　’とし、消去レーザ２ビーム長は半値巾で約１×１
１５μｍとして白化記録、黒化消去を行なった　　　　
１ところ、Ｔｅ７２Ｇｅ１ａＰ（ｈｏ　　薄膜を有する
ディスク　　　　［では単一周波数２　Ｍ　Ｈｚ、ディ
スクの周速７ｍ　　　　　’／ＳでＣ／Ｎ５５ｄＢを得
、しかも１０万回記録、消去を繰シ返した後にもＣ／Ｎ
の劣化はほとんどみられなかった。

一方、Ｔｅ５（ＩＧｅ２゜薄膜を有するディスクでは、
　　　′消去ビームを照射しても全く黒化せず、したが
　　　　）□つて信号の記録は全く不可能であった。

発明の効果 以上述べてきたように、本発明によるＴｅ−Ｇｅ　　　
　′−Ｐｄ　　記録薄膜を有する光学情報記録部材は、
　　　　゛信号の記録部分はアモルファスとして非常に
安定であシながら、消去時には高速に結晶化するために
消去感度が非常に良好であるために、きわめて実用的な
、信号の記録・消去が可能な光ディスクを提供すること
ができるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による光学情報記録部材が有する記録薄
膜の組成を限定した組成図、第２図は本発明による光学
情報記録部材の一実施例の断面図、第３図は本発明によ
る光学情報記録部材の評価装置の光学系の概略図、第４
図（ａ）、（ｂ入第５図、第６図（ａ）、（ｂ）、第７
図（ａ）、（ｂ）、第８図（ｂ）、（ｃ）は光学情報記
録部材の黒化特性もしくは白化特性の評価結果を示すグ
ラフ、第８図（ａ）は光学情報記録部材の透過率の経時
変化を示すグラフである。 （１）　−−−−一基板 （２）　−−−−一記録薄膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に形成された薄膜が、必須元素としてＴｅ
   、Ｇｅ及びＰｄを含み、各元素Ｔｅ、Ｇｅ及びＰｄの原
   子数の割合（％）をそれぞれｘ＝５０〜９０、ｙ＝５〜
   ２５及びｚ＝５〜３０としてｘ＋ｙ＋ｚ＝１００により
   規制し、 ａ）Ｔｅの割合ｘ＝５０〜６５の範囲では、Ｇｅの割合
   ｙが凡そ７０−ｘ≦ｙ≦１／３（ｘ＋１０）の範囲から
   選択され、 ｂ）Ｔｅの割合ｘ＝６５〜７０の範囲では、Ｇｅの割合
   ｙがｙ＝５〜２５の全範囲から凡そ選択され、 ｃ）Ｔｅの割合ｘ＝７０〜９０の範囲では、Ｇｅの割合
   が凡そ５≦ｙ≦９５−ｘの範囲から選択された ことを特徴とするアモルファス化及び結晶化可能な薄膜
   を含む光学情報記録素子。
2. （２）添加物質として酸素Ｏを含むことを特徴とする特
   許請求の範囲第（１）項記載の光学情報記録素子。
3. （３）酸素の添加量（原子数百分率）が３０％以下であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第（２）項記載の光
   学情報記録素子。