JPH06326175A - 集積回路処理装置において使用されるウエハサポートの誘電材への保護被覆とその形成方法 - Google Patents

集積回路処理装置において使用されるウエハサポートの誘電材への保護被覆とその形成方法

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JPH06326175A
JPH06326175A JP8348794A JP8348794A JPH06326175A JP H06326175 A JPH06326175 A JP H06326175A JP 8348794 A JP8348794 A JP 8348794A JP 8348794 A JP8348794 A JP 8348794A JP H06326175 A JPH06326175 A JP H06326175A
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ウー ロバート
Jian Ding
ディング ジィアン
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は、集積回路処理装置において使用
される半導体ウエハの性電気的クランピングに使用され
る誘電材を保護する保護被覆に関し、物理的及び化学的
に強固な保護被覆を実現することを目的とする。 【構成】 望ましい実施例においては、保護被覆は、ア
ルミニウム酸化物若しくは窒化アルミニウムのようなア
ルミニウム化合物を備え、そしてウエハをウエハサポー
トへクランプするために要する静電荷を干渉することが
ないように、１から３０ミクロンの範囲にあるが誘電材
の厚さの５０％を越えないような厚さを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電層の上方に形成さ
れた保護被覆に関する。この保護被覆は、集積回路処理
装置において半導体ウエハをウエハサポートへ静電気的
にクランピングすることに用いられ、化学物質の侵食か
ら上記誘電層を保護する。並びに本発明は、誘電層を保
護する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の構造をウエハに形成するため
の、気密チャンバー内の半導体ウエハの処理(processin
g)においては、半導体ウエハはチャンバー内のウエハサ
ポート上に通常置かれる。ウエハをサポートに固定させ
るために、並びに特に処理におけるウエハの動き（垂直
方向であれ左右方向であれ）を防ぐためには、ウエハを
下方の(underlying)サポートへ物理的にクランプするの
が通例であった。
【０００３】しかし最近では、ウエハをサポートに固定
させるための機械力の使用に伴い経験されてきた様々な
問題、例えば粒子の形成、機械応力、エッチプロファイ
ル(etch profiles) 等のために、ウエハをサポートに固
定するための他の方法が研究され、採用されてきた。
【０００４】静電クランピングと一般に呼ばれるこのよ
うなウエハ固定手段の１つは、ウエハに面する金属製ウ
エハサポートの部分の上方、即ちウエハの下表面と下方
の金属製ウエハサポートの対向面(facing surface)との
間に形成された誘電材の表面における静電荷を利用して
いる。例えば、このような静電クランプは、Abe の米国
特許４，３８４，９１８号；日本国特許公報２−２７７
４８号、及びJpn. Journal of Applied Physics,Vol.31
(1992) 2145-2150 ページのWatanabeらによる「アルミ
ナ静電チャックの静電力及び吸収電流」に記載されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】静電クランピングを利
用した、ウエハ固定のこの形式は、ウエハのウエハサポ
ートに対する機械的クランピングにおいて直面されたそ
れ以前の問題を取り除くことに好結果であることを証明
したが、腐食の問題に直面した。その理由は、ウエハを
ウエハサポートに固定するための静電クランピングの使
用においては最も満足な性能を与える誘電材は、チャン
バーにおける半導体ウエハの処理において用いられるあ
る種の化学物質に対して十分な耐性を示さないからであ
る。
【０００６】特に、金属ウエハサポートの最上面(top s
urface )に誘電材としてポリイミド材料が具備された場
合、ポリイミド材料はエッチング後のチャンバーの自然
洗浄(in situ cleaning)に用いられるＯ2 ガスによる化
学侵食を受けやすい、ということが見出された。ポリイ
ミド材料はまた、Ｏ2 侵食の受けやすさよりも程度は少
ないものの、同様にフッ素含有ガスによる化学侵食も受
けやすい、ということも見出された。
【０００７】そのため、半導体ウエハをウエハサポート
へ静電クランプする目的で金属ウエハサポートの表面上
に形成される誘電材へ、化学侵食に対する保護を誘電材
の表面上の静電荷に障害なく提供することが望ましいだ
ろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】この発明は、ウ
エハサポートに半導体ウエハを静電的にクランプする分
野の改良を含み、これは当該ウエハに面する表面上に形
成された誘電材を有する。ここで、この改良は、半導体
ウエハの処理において用いられる化学物質による化学侵
食に対しての誘電材の保護を提供するために誘電表面上
に形成される保護被膜を備える；更に本発明は、処理に
おいて垂直若しくは左右にウエハが動くことなくウエハ
サポートへウエハを固定するために、ウエハに面する被
覆されたウエハサポート上の十分な静電荷の形成につい
て障害のないような方法で誘電材の上に保護層を形成す
ることにより、その誘電材を保護する方法を備える。
【０００９】
【実施例】この発明は、ウエハをウエハサポートへ静電
的にクランプするために、半導体ウエハ処理装置におい
てウエハサポートへ供給される誘電材の上方に形成され
る保護被覆を備える。また、ウエハサポートに対するウ
エハの所望の静電クランピングに障害なく誘電材の上方
に保護被覆を形成する方法を備える。
【００１０】保護されるべき誘電材は、所望の静電荷を
蓄積するために導電面の上方に形成される非導電性材料
を備えていてもよい。しかし、この発明は、例えばポリ
イミドのような高分子誘電材に特に向いているが、それ
は、そのような材料は良好な誘電材を形成するが、ウエ
ハ上の集積回路構造の形成に用いられる処理によって侵
食されるからである。
【００１１】誘電材の上方に形成される保護被覆は、半
導体ウエハの処理に用いられる化学物質による化学侵食
に対し誘電材に所望の保護を、誘電材により提供される
所望の静電クランピングの障害とならずに提供できる材
料を備えることが根本的に必要である。この保護材料は
また、半導体ウエハ上の集積回路構造の形成の過程の中
でウエハサポートが入れられる装置内で行われる種々の
処理と適合(compatible)すべきであり、例えば、半導体
ウエハの処理に用いられる化学物質と反応せず又はこの
化学物質の障害にならないということである。
【００１２】誘電材の上方に形成される保護被覆は、ウ
エハに面する誘電表面上に所望の静電荷を確立すること
への障害とならないようにやや薄くなければならない。
この静電荷の保持力の強度は、誘電材の厚さの自乗に反
比例することがわかっている。誘電層の上方の表面に形
成される静電荷の障害となるほどに保護層を厚くしない
ことを保証するため、一般に、保護被覆の厚さは保護さ
れる誘電材の厚さの約５０％を越えるべきはなく、望ま
しくは誘電材の約１０％を越えるべきではない。所望の
化学的保護を与えるためには、保護被覆は通常３０ミク
ロンを越える必要はなく、望ましくは保護被覆は約１０
ミクロンを越えないだろう。
【００１３】所望の化学的な保護、及び下方の誘電材か
ら被覆を貫く静電荷強度の均一性の双方のために、保護
被覆はまた厚さにおいて均一であるべきである。更に、
この被覆は、ウエハサポート及びその上にある誘電表面
の上方のみならず角部(corners )においても同様に、被
覆厚さの均一性に関してコンフォーマル(conformal)で
あるべきである。ここで厚さの均一性とは、与えられた
保護被覆の厚さが、典型的な９点測定パターンを用い
て、平均厚さより＋／−約５％を越えて変化しないこと
を意味する。保護被覆層の厚さにおける所望の均一性を
達するために、必要ならば、下方の誘電材の角部の鋭度
(the sharpness of the corner) は所望により丸くする
か傾斜させてもよいことに留意すべきである。
【００１４】上述したように、保護被覆は、半導体ウエ
ハの処理に用いられるエッチング材のような処理材料に
よる化学的侵食に対して耐性を持たなければならない。
特に、この保護層は、Ｏ2 含有エッチャント若しくはフ
ッ素含有エッチャントの如きエッチャントによる侵食か
ら下方の誘電材に対する保護を提供できなければならな
い。一般に、少なくとも約１ミクロン、望ましくは約３
ミクロンの保護被覆の最小厚みは、下方の誘電材への所
望の保護の程度を提供する十分な厚さを保証するであろ
う。しかし、保護被覆の最小かつ均一な厚さのみが必要
ということではなく、保護被覆にいかなるピンホールや
開口も不在であることもまた必要である。ここでピンホ
ールの不在とは、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）による保護
層の試験でピンホールが１つも目視されないことを意味
する。
【００１５】保護被覆の更なる要件として、下方の誘電
材のクラックや機械応力の誘発(inducement)を回避する
ため、保護被覆の熱膨張係数は誘電材及び誘電材が形成
される金属サポートとの両方と、摂氏約１５０度の温度
まで十分に調和するか若しくは適合していなければなら
ない。ここで「十分に調和」とは、保護被覆の熱膨張係
数が前記ウエハサポートの熱膨張係数又は上記誘電材の
熱膨張係数より約２０％を越えて変化しないことを意味
する。
【００１６】保護被覆はまた、通常の半導体ウエハ処理
において通常に遭遇するかも知れないどのような粒子に
よる浸透に対しても耐えるよう十分物理的に強固でなけ
ればならない。すなわち、軟らかくそれゆえ粒子浸透を
受けやすいであろう誘電材に対しての機械的保護を保護
被覆が提供できなければならないということである。ウ
エハサポートへの誘電材の形成及びその結果としてのウ
エハサポート上への静電荷の形成は、直ちに発明のいか
なる部分をも構成することはないが、金属製の電極を供
給し誘電材へ埋め込むことは、誘電材の表面上に所望の
静電荷を形成する一つの方法である。もし粒子が誘電材
の中に十分に浸透しこの埋設された電極に接触すれば、
所望の静電荷の形成は妨害されてしまうだろう。従って
当該保護被覆は、所望の化学的保護を提供することと同
様に、このような浸透に対しての機械的保護を与えるこ
とができるべきである。
【００１７】最後に、保護被覆は、ウエハがウエハサポ
ートより取り除かれるとき静電荷を開放せしめるよう十
分に導電性であるべきだが、ウエハサポートへのウエハ
のクランピング若しくはチャッキングにおいて表面の静
電荷を保持するよう十分に絶縁性でもあるべきである。
約１０13オーム・センチメートル（Ωｃｍ）から約１０
20Ωｃｍの範囲にある抵抗率を持つ保護材料は、導電率
対抵抗率の見地から通常満足されることが見出されるで
あろう。
【００１８】誘電材を上に載せた金属製のウエハサポー
トがアルミニウム材料を備える場合、アルミニウム酸化
物（例えばＡｌ2 Ｏ3 ）若しくは窒化アルミニウム（Ａ
ｌＮ）のような無機アルミニウム化合物であって、約３
ミクロンから約３０ミクロンの範囲の厚さ、望ましくは
約３ミクロン乃至約２０ミクロンの厚さであり、誘電材
の厚さの約５０％を越えないような厚さに形成された上
記無機アルミニウム化合物は、上記要件の全てに合致す
るであろうことが見出されている。
【００１９】この保護層は、イオンアシスト（Ｅ−ｂｅ
ａｍ）蒸着処理、若しくはプラズマスプレー処理、若し
くはＣＶＤ処理のような堆積処理により、誘電材の上方
及び露出したウエハサポート表面の上方に形成されるだ
ろう。望ましくは、保護被覆の堆積の間、ウエハサポー
ト及びその上の誘電材は保護材料源の上の方に配置され
若しくは位置され、保護材料の堆積の間誘電材及び／若
しくはウエハサポートへのいかなる粒子の堆積をも防止
し若しくは少なくとも抑制する。
【００２０】例示して説明すれば、そして限定するもの
ではないが、イオンアシスト蒸着処理がウエハサポート
及びその上の誘電材の上方に保護被覆を堆積することに
用いられる場合、ビーム出力は数キロワット（ｋＷ）で
あろう。被覆されるウエハサポートは、ビームによって
蒸発される被覆源から約２０インチ(inches)に配置され
ればよい。温度は室温から約１５０度の範囲にあればよ
い。圧力はできるだけ低く、望ましくは約０．１から約
１トール(Torr)の範囲にあればよい。そして、時間は、
温度及びビーム出力のレベルにより、約１から約２４時
間まで変化すればよい。
【００２１】さて図１を参照すれば、その発明の保護被
覆は１０に示され、それは誘電材２０の露出した表面を
覆っており、その誘電材２０は電極３０をその中に持ち
誘電材２０の表面における静電荷の所望の発生を支援す
る。誘電材２０は、順に、金属性のウエハサポート４０
の表面に固定され、そのウエハサポート４０は通常アル
ミニウムを、又はアルミニウム合金即ち少なくとも約５
０％以上アルミニウムを含んだ合金を備えているだろ
う。その構造は、例示の目的のためだけに、ウエハ５０
をそれらの上に持つよう更に示されるが、保護被覆１０
が誘電材２０及び金属製のウエハサポート４０の上方に
形成されている間はウエハはそこにはないと理解されよ
う。この図に示される材料の相対的な厚さは、例示の目
的だけのために誇張された幾つかの材料の厚さと比率が
とれていないと理解されよう。
【００２２】前述したように、保護被覆１０は、誘電材
２０の表面を覆うコンフォーマルな被覆の形成が可能で
ある材料を備えるべきである。特に、ウエハ５０が誘電
材の上の静電荷によって接着することになる誘電材２０
の平坦な表面２２の上方に形成されている保護被覆１０
の部分１２は、誘電材２０の先端２４の上に形成された
保護被覆の部分１４及び誘電材２０のコーナー２６の上
に形成された保護被覆１６と、ほぼ同じ厚さであるべき
である。保護被覆材料１０による誘電材２０のこのコン
フォーマルな被覆は、ウエハ５０が接する表面に亘る静
電荷の均一な電荷分布を可能ならしめるだけではなく、
所望の化学的保護の均一性を結果として生じるだろう。
【００２３】さて図２を参照すれば、誘電材２０及び金
属製のウエハサポート４０への保護被覆１０の形成に用
いられる典型的な装置１００が例示されている。例示さ
れた実施例においては、装置１００はイオンアシスト
（Ｅ−ｂｅａｍ）型堆積装置を備え、この堆積装置は、
クランピング機構１２０をその中に持つ堆積チャンバー
１１０を有し、このクランピング機構１２０はクランピ
ングフィンガー１２４をもつペデスタル１２６を備え、
このクランピングフィンガー１２４は誘電材２０で覆わ
れていない金属製ウエハサポート４０の周辺部と係合
し、ペデスタル１２６に対してウエハサポート４０を押
しつけるだろう。望ましくは、図示したように、クラン
ピング機構１２０はチャンバー１１０の頂点に隣接して
配置され若しくは位置され、前述のように、誘電材２０
の上へのいかなる粒子の堆積をも回避するだろう。
【００２４】例示したるつぼ(crucible)１３０のような
収納容器はチャンバー１１０の底部に隣接して配置さ
れ、その中に保護材料、例えばＡｌ2 Ｏ3 若しくはＡｌ
Ｎ、が入れられ、この保護材料は誘電材２０及び金属製
ウエハサポート４０の露出した表面に被覆される。荷電
粒子ビーム源(a charged particle beam source)１４０
もまたチャンバー１１０の底部に据えられて図示され、
この荷電粒子ビーム源１４０から電子若しくはイオンビ
ーム１４４が発生され、チャンバー１１０内に照射され
る。この例示された実施例においては、チャンバー１１
０内の磁気偏向手段１５０がビーム１４４をるつぼ１３
０に向かって偏向し、そしてその中にある保護材料を叩
き蒸発させる。
【００２５】例示すれば、直径１９６ミリメートル（ｍ
ｍ）のアルミニウム製ウエハサポートであって、その上
に形成された５０マイクロメートル（μｍ）の厚さのポ
リイミド層を有するウエハサポートは、この発明に従
い、４μｍの厚さの酸化アルミニウムの保護被覆で被覆
された。摂氏約１００度の温度及び約１０-5トールの圧
力に維持されたチャンバーにおいて、ウエハサポート及
びその上の誘電材より２０インチ下に置かれたるつぼか
ら蒸発した酸化アルミニウムにより、酸化アルミニウム
被覆が堆積された。酸化アルミニウムは、約１．５ｋＷ
の出力レベルにおけるイオンビームを用いて約１２時間
の間るつぼより蒸発され誘電材の上に被覆された。
【００２６】この結果として形成された酸化アルミニウ
ム保護被覆はＳＥＭによるピンホールの試験を受けた
が、ピンホールは１つも見つけられなかった。ウエハサ
ポート及び誘電材の上方に堆積された被覆をテストする
ために、この構造体は約８時間平均温度約９０度のＯ2
ガスプラズマ下に暴露された。この構造体はその後、下
方のポリイミド誘電材への化学侵食に対する試験を受け
た。化学侵食は何も見つけられなかった。
【００２７】保護被覆の均一性は、ダミーコーティング
（実際のポリイミド層上ではないものへの被覆）を用い
て、光学干渉計であるオプティカルナノスペック（opti
calnanospec) によって測定され、最も厚い部分から最
も薄い部分までの厚さの変化は約２−３％以下であるこ
とが見出された。
【００２８】この保護被覆を更にテストするため、エッ
チチャンバーに据えられウエハに面した表面に固定され
た誘電材を有する半導体ウエハサポートに、数多くの半
導体ウエハが連続的に静電クランプされた。このウエハ
サポートは、この発明に従い、誘電材の上の保護被覆を
備えていた。１２枚のウエハに通常の酸素エッチングを
実施した後各ウエハは試験され、そしてエッチングの間
に動かなかったことが見出され、静電クランピングは誘
電材を覆う保護被覆の形成によって不利に影響されなか
ったことを示した。そしてこのウエハサポート上の保護
被覆は、この処理の後いかなるクラッキングの兆候もな
いかを更に試験されたが、この兆候は、この保護被覆及
び下方の誘電材及びウエハサポートの間の熱的不整合を
示すものである。一つの兆候も見出されなかった。保護
された誘電材への粒子の衝突によるダメージの兆候もま
た存在しなかった。最後に、このウエハサポート上の誘
電材は化学侵食の兆候について試験されたが、一つの兆
候も見出されなかった。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、この発明は、静電クラン
ピングが利用できる改良されたウエハサポートを提供
し、静電クランピングに利用される静電荷と関連してウ
エハサポート上に形成された誘電材は、半導体ウエハの
処理において用いられる化学物質による化学侵食からウ
エハの静電クランピングを損ねない方法で保護される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、ウエハサポートの垂直断面図であり、
本発明による、ウエハサポート表面の上に形成された誘
電層及び露出した誘電層表面に形成された保護層を示
す。
【図２】図２は、ウエハサポート上の誘電層の上に被覆
される保護層の形成に用いられる装置の側面の絵画図で
ある。
【符号の説明】
１０…保護被覆、１２…保護被覆における誘電材の平坦
な部分の上に形成された部分、１４…保護被覆における
誘電材の末端の上に形成された部分、１６…保護被覆に
おける誘電材の角部の上に形成された部分、２０…誘電
材、２２…誘電材における平坦な部分、２４…誘電材に
おける末端部分、２６…誘電材における角部、３０…電
極、４０…ウエハサポート、５０…ウエハ、１００…保
護被覆の形成に用いられる典型的な装置、１１０…チャ
ンバー、１２０…クランピング機構、１２４…クランピ
ングフィンガー、１２６…ペデスタル、１３０…るつ
ぼ、１４０…荷電粒子ビーム源、１４４…荷電粒子ビー
ム源より発生する電子若しくはイオンビーム、１５０…
磁気偏向手段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジィアン ディング アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95129， サン ノゼ， グレン ヘイヴ ェン ドライヴ 1337

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウエハサポートがその上に形成された誘
    電材を有し、半導体ウエハを前記ウエハサポートへ静電
    荷によりクランプならしめる半導体処理装置において：
    前記誘電材の上方に(over)形成され、前記半導体ウエハ
    の処理において用いられる化学物質による侵食から前記
    誘電材を保護する保護被覆を備えることを特徴とする半
    導体処理装置。
  2. 【請求項２】 前記保護被覆は前記誘電材の厚さの約５
    ０％を越えない最大被覆厚さを有する、請求項１記載の
    装置。
  3. 【請求項３】 前記保護被覆は約３０ミクロンを越えな
    い最大被覆厚さを有する、請求項２記載の装置。
  4. 【請求項４】 前記保護被覆は約１０ミクロンを越えな
    い最大被覆厚さを有する、請求項２記載の装置。
  5. 【請求項５】 前記保護被覆は前記誘電材の上方で厚さ
    が均一であり、前記ウエハに作用する前記静電荷強度を
    均一にする、請求項３記載の装置。
  6. 【請求項６】 前記保護被覆の熱膨張係数は、前記ウエ
    ハサポートの熱膨張係数若しくは前記誘電材の熱膨張係
    数のいずれかの５％を越えて変化しない、請求項３記載
    の装置。
  7. 【請求項７】 前記保護被覆は少なくとも約１ミクロン
    の最小被覆厚さを有する、請求項３記載の装置。
  8. 【請求項８】 前記保護被覆は少なくとも約３ミクロン
    の最小被覆厚さを有する、請求項７記載の装置。
  9. 【請求項９】 前記保護被覆は前記半導体ウエハの処理
    における粒子による前記保護被覆への浸透に対して前記
    下方の誘電材(said dielectric material)を保護するこ
    とが可能な、請求項３記載の装置。
  10. 【請求項１０】 前記保護被覆は約１０13Ωｃｍ（オー
    ムセンチメートル）乃至１０20Ωｃｍの範囲の抵抗率を
    有し、前記ウエハを把持(chucking)する間は前記静電荷
    を保持し、前記ウエハが前記ウエハサポートより除去さ
    れる時には前記静電荷を開放することを可能ならしめ
    る、請求項３記載の装置。
  11. 【請求項１１】 前記ウエハサポートはアルミニウム若
    しくはアルミニウム合金を備え、前記保護被覆はアルミ
    ニウム化合物を備える、請求項３記載の装置。
  12. 【請求項１２】 前記保護被覆はアルミニウム酸化物及
    び窒化アルミニウムから成る群より選択されるアルミニ
    ウム化合物を備える、請求項１１記載の装置。
  13. 【請求項１３】 前記誘電材はポリイミド材料を備え
    る、請求項１２記載の装置。
  14. 【請求項１４】 アルミニウム若しくはアルミニウム合
    金を備えるウエハサポートが誘電材を有し、半導体ウエ
    ハを前記ウエハサポートへ静電荷によりクランプならし
    める半導体処理装置において：前記誘電材の上方に形成
    され、少なくとも約１ミクロンの最小厚さ及び約３０ミ
    クロンの最大厚さを有するアルミニウム化合物を備え、
    前記半導体ウエハの処理において使用される化学物質に
    よる侵食から前記誘電材を保護する保護被覆を備えるこ
    とを特徴とする半導体処理装置。
  15. 【請求項１５】 前記保護被覆は前記誘電材の厚さの約
    ５０％を越えない最大被覆厚さを有する、請求項１４記
    載の装置。
  16. 【請求項１６】 前記保護被覆は前記誘電材の上方で厚
    さが均一であり、前記ウエハに作用する前記静電荷強度
    を均一にする、請求項１４記載の装置。
  17. 【請求項１７】 前記保護被覆の熱膨張係数は、前記ウ
    エハサポートの熱膨張係数若しくは前記誘電材の熱膨張
    係数のいずれかの５％を越えて変化しない、請求項１４
    記載の装置。
  18. 【請求項１８】 前記保護被覆は、少なくとも約３ミク
    ロンの最小被覆厚さを有する、請求項１４記載の装置。
  19. 【請求項１９】 前記保護被覆は、約１０ミクロンの最
    大被覆厚さを有する、請求項１４記載の装置。
  20. 【請求項２０】 前記保護被覆は約１０13Ωｃｍ乃至１
    ０20Ωｃｍの範囲の抵抗率を有し、前記ウエハを把持す
    る間は前記静電荷を保持し、前記ウエハが前記ウエハサ
    ポートより除去される時には前記静電荷を開放すること
    を可能ならしめる、請求項１４記載の装置。
  21. 【請求項２１】 前記アルミニウム化合物は、アルミニ
    ウム酸化物及び窒化アルミニウムから成る群より選択さ
    れる、請求項１４記載の装置。
  22. 【請求項２２】 ウエハサポートの上方に形成され、半
    導体ウエハの処理において該ウエハを前記ウエハサポー
    トへ静電クランピングせしめる誘電材を保護する方法(p
    rocess) において：前記誘電材の上方に形成される保護
    被覆を形成し、前記半導体ウエハの処理において用いら
    れる化学物質による侵食から前記誘電材を保護する工
    程、 を備える方法。
  23. 【請求項２３】 約１ミクロン乃至約３０ミクロンの厚
    さの範囲をとり、前記誘電材の厚さの５０％を越えず、
    アルミニウム化合物を備えた保護層を前記誘電材の上方
    に形成する工程を更に備える、請求項２２記載の方法。
  24. 【請求項２４】アルミニウム酸化物及び窒化アルミニウ
    ムから成る群より選択されるアルミニウム化合物を備え
    る保護層を前記誘電材の上方に形成する工程を更に備え
    る、請求項２３記載の方法。
  25. 【請求項２５】ウエハサポートの表面上に形成された誘
    電材を用いてウエハが前記ウエハサポートに静電気的に
    クランプされる、半導体ウエハ上に集積回路構造を形成
    する方法であって：前記処理化学物質による侵食に耐え
    得る、前記誘電材の上方の保護被覆を用いて、前記半導
    体ウエハ上に前記集積回路構造を形成する間侵食から前
    記誘電材を保護する工程、 を備える方法。
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